nandflash的原理及运行时序

nandflash的原理及运行时序
NAND Flash（非与非闪存）是一种主要用于存储数据的闪存类型，广
泛应用于各种存储设备中，如固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器（U盘）
以及移动设备中的存储卡等。

NAND Flash的原理：
NAND Flash中的基本存储单元是晶体管，每个晶体管可以存储一个
或多个bit的数据，通过对晶体管的电荷状态进行读取和写入来实现数据
的存储和读取。

NAND Flash的存储单元结构主要有两种类型：单栅结构和多栅结构。

单栅结构中每个晶体管只有一个控制栅（Control Gate）和一个栅介电层（Oxide Layer），而多栅结构中每个晶体管有一个控制栅和多个叠加的
栅介电层。

NAND Flash的存储单元编址是按行和列进行的。

每一行包含一个选
择门（Word Line），每一列包含一个位线（Bit Line）。

数据的读取和
写入都是通过对选择门和位线的控制来实现的。

NAND Flash的运行时序：
1.写入时序：
（1）输入地址：将要写入的存储单元的地址输入到NAND Flash中。

（2）擦除块的选择：选择需要写入数据的块进行擦除。

（3）擦除块的擦除：对选择的块进行擦除操作，将存储单元中的数
据清除。

（4）写入数据：将要写入的数据输入到NAND Flash中。

（5）写入选择门：通过选择门将输入的数据写入到相应的存储单元中。

2.读取时序：
（1）输入地址：将要读取的存储单元的地址输入到NAND Flash中。

（2）读取选择门：通过选择门将存储单元中的数据读出。

（3）读取数据：将读取的数据输出。

需要注意的是，NAND Flash的擦除操作是以块为单位进行的，而写入操作是以页为单位进行的。

擦除块的大小通常为64KB或128KB，一页的大小通常为2KB或4KB。

此外，NAND Flash还包含了一些管理区域，用于存储元数据和管理信息。

总结：
NAND Flash是一种基于晶体管的闪存类型，通过对晶体管的电荷状态进行读取和写入来实现数据的存储和读取。

其存储单元结构分为单栅结构和多栅结构。

NAND Flash的运行时序包括写入时序和读取时序，其中写入时序涉及输入地址、擦除块的选择和擦除、写入数据以及写入选择门等步骤，而读取时序包括输入地址、读取选择门和读取数据等步骤。