功率MOSFET关键参数解读

功率MOSFET关键参数解读
1. 最大漏极电流（IDmax）：最大漏极电流是MOSFET能够连续承受
的最大电流。

它取决于MOSFET的物理结构和材料，特别是漏极-源极结区
的尺寸和电流密度。

IDmax越大，MOSFET能够承受的负载电流就越大。

2. 最大漏极-源极电压（VDSmax）：最大漏极-源极电压是MOSFET能
够承受的最大电压。

它表示了MOSFET两个终端之间的最大电势差。

VDSmax决定了MOSFET可以驱动的电压范围。

3. 漏极电阻（RDSon）：漏极电阻是MOSFET导通状态时的电阻。

它
是导通MOSFET时漏极-源极电压和漏极电流之比。

RDSon越小，MOSFET在
导通状态时的功率损耗越低。

4.门-源极电压（VGS）：门-源极电压是MOSFET的控制电压。

它决定
了MOSFET是导通还是截止状态。

通常，VGS低于特定电压（截止阀值电压）时，MOSFET处于截止状态；当VGS高于该电压时，MOSFET处于导通
状态。

5.门极电荷（Qg）：门极电荷是MOSFET的栅极或门极上的电荷。

它
在MOSFET的开关过程中需要传输和移除，因此影响着开关速度和功耗。

较小的门极电荷表示MOSFET具有更好的开关速度。

6. 导通电阻（Rdson）：导通电阻是指MOSFET在导通状态时的电阻。

它影响MOSFET的导通损耗，Rdson越小，导通状态下的功耗越低。

7.开关时间（tr/tf）：开关时间是指MOSFET从导通到截止或从截止
到导通的时间。

它受到MOSFET内部电荷和结构的影响。

较小的开关时间
表示MOSFET可以更快地切换，适合于高速开关应用。

8. 热阻（θja / θjc）：热阻是指MOSFET在工作时从芯片到环境
或芯片到外壳之间的热传导阻力。

它决定了MOSFET的散热效果。

较小的
热阻表示MOSFET可以更高效地散热。

这些关键参数提供了评估功率MOSFET性能的指标。

根据应用的需求，选择合适的功率MOSFET时，需要综合考虑这些参数，并确保其满足电路
要求和可靠性要求。