镍-磷(Ni—P)电阻器的电阻变化的定量分析

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分光光度法测定化学镀镍层中的镍和磷

分光光度法测定化学镀镍层中的镍和磷

线 结台赦测元素的吸光度 推算 出该元素 的浓度 应用谖方法测定 丁化学镀 一 镀屠中 和 P P 的质量分散 ; 果表明 : 结 与能谮洼相 比 - , P匝量分数 的相对误差分别不大 于 3 1 %和 0 6 , 厚度越大 的镀 屋 曝差越 小: % 且 恢方法可 用于 - 一P 镀层成分 的在线检捌 美 键 词: 分光光度法 ; 化学镀 : i P N ~ 层
分 光 光 度 法测 定 化 学镀 镍 层 中的镍 和 磷
张 翼, 王娅莉 ,盖军萍
1 10 ) 5 40
(大庆 石 诎 学 院 石 油 化 工 系 . 龙江 安 达 黑

要 : 赶 r一 种 可 在线 控 测 化 学 镀 层 中 元 素 的 常 规 分析 方 法 ; 方 法 中采 用 分 光 光 度计 确 定 出 元 索 的标 准 检 量 建 请
应用范围逐年递增 镀层的性 能主要取决 于该镀层的结构和成分 , 对成分的分 析有多种方法 , 如能谱 法、 原子 吸收光 度法 等 “ 但 对于工业 化 生 产 的在 线 检测 及 不 具 有 该类 大 型 设 备 的 实验 室研 究 就 显得 。
有些 不方便 , 因此 , 建立 一种 适用 性强 的常规 分 析方 法 是非 常必 要 的 . 者 采 用普 通 分光 光 度 法 , 酸性 笔 对 化学镀 N —P层 的成分做 了定 量分 析 , 际测 定 了不同反 应 时间 内镀 层 中 P含量 随时 间 的变化值 . i 实
-I 匀 . n_ 摇
抗坏 血 酸溶液 : 4g 析纯抗 坏血 酸 , 4g 将 分 00 分析纯 E T 依次 溶解 并稀 释至 10m D A, 0 L摇 匀 . ( } )s0 H s . NI 2 :o 溶液 : 1 分 析 纯 ( ) 解 于 V H s ) 02的溶液 中 , } 将 5g N : 0 溶 ( 2q 为 . 用该 体 积分 数 的 H s. 溶液稀 释 至 10m , ^o 将 0 L摇匀 . 124 检 量线 的确 定 M 检量线 : 1 LN —P标 准液 于 5 L容量 瓶 中 , 水稀 释至 刻 度 摇 匀 . 别 吸取 稀 释液 10 取 0m i 0m 加 分 ., 203050 7090nl 6只 5 L的 容量 瓶 中 , 水 5丌_ 显 色剂 1 L ( ) 0 一H s . .,.,., , 1于 _ 0m 加 l, 1 0m ,N 8 o 与

热控专业试题电厂热工试题库

热控专业试题电厂热工试题库
答:炉膛火焰;汽包水位。
80.电子平衡电桥是测量______的显示仪表,可与______配套测量温度。
答:电阻变化;电阻温度计。
81.当测量蒸汽和液体流量的节流装置低于差压计时,为防止______在测量管路由节流装置引出时,应先下垂不小于______,再向上接至仪表。
答:空气;500毫米。
82.测量误差按性质可分______误差、系统误差和______误差三类。
答:减小;增大。
89.铂铑10一铂热电偶的标号是WRLB,分度号为S,长期使用温度为_ _℃,短期使用温度最高可达_ _℃左右。
答:0—1300;1600。
90.弹性压力传感器的元件有弹簧管、膜片、______和______等四种。
答:膜盒;波纹筒。
91.铠装热电偶的测量端有戴帽型和露头型。戴帽型又分为______和______。
答;测温毫伏表;电子电位差计。
63.压力变送器的零点迁移就是把变送数值。
答:零点;被测参数值。
64.标准节流元件有______、______、长径喷嘴和文丘利管。
答:标准孔板;标准喷嘴。
65.标准孔板的取压方式有______和____等。
答:角接取压;法兰取压。
59.按照仪表是否与被测对象接触,测量分为______测量法和______测量法。
答:接触;非接触。
60.摄氏温度的单位名称是______,单位符号为______。
答:摄氏度;℃。
61.玻璃液体温度计按用途可分为______、______和标准水银温度计。
答:工业用;试验室用。
62.常与热电偶配套测温的二次仪表有______和______两种。
答:越小;越大。
73.计算机的外围设备包括键盘、显示器、______及______等。

化学镀镍-磷合金镀层中磷的测定

化学镀镍-磷合金镀层中磷的测定

引 言
化 学镀 镍 具 有 镀 层 均 匀 、耐 蚀 性 强 、耐 磨 性 高 及 可钎 焊性 好 等 优 异 性 能 ,被 广 泛 应 用 于 电子 、汽 车 、航 空 、航 天 、机 械 及 纺织 等工 业 领 域 中。研 究 发 现 ,磷对 Ni—P合金 镀层 的性 能影 响很 大 J,在 碳 钢 、 铝 合金 等基 体 材料 表面 镀覆 Ni—P合 金 镀 层 时 ,如何 检 测 并 控 制 镀 层 中 的 P是 生 产 实 际和 科 学 研 究 中
需 要解 决 的问题 。 对 化学镀 Ni—P合金镀 层 中磷 的测 定 方法 ,人 们
已做 过一 些 研 究 ,这 些 方 法 各 有 其 特 点 和 局 限 性 ,或 需 要 特 殊 仪 器 装 置 ,或 适 用 于 特 定 的场 合 。 本 文在 借鉴 他人 研究 工 作 的基 础 上 ,结 合 在化 学 镀 镍 研究 工作 中的体会 ,分别 采 用 磷 钼 钒 黄 分光 光 度 法 和磷 钼 酸铵容 量 法测 定 在 45碳 钢 镀 件 上镀 覆 的 Ni.P合 金镀 层 中 P的质量 分 数 ,并 与具 有 法 定检 验
评 价 ,从 中选 出操 作简 便 、准 确 度高 的实 用方法 。
法测 磷 的标准 曲线 如下 :
0.6
1 实验溶液 的制备
Abstract:The test solution was prepared by Ni—P coating stripping with concentrated nitric acid,oxidi— zing with potassium permanganate,reducing with sodium nitrite and watering to constant volume. Phos- phorus concentration in the solution was determined by phosphorus molybdenum vanadium yellow spectro- photometry and amm onium phosph0m 0lybdate volum etric method,and then converted to phosphorus con— tent in the Ni—P coating and compared with that by standard method.Results showed that the relative er— ror of spectrophotometry determ ination was 7.93% ,the relative standard deviation of that was 4.38% while the relative error of volumetric method was~ 1.83% .the relative standa rd deviation of that was 0.82% .The volumetric method could be used in experimental research as well as in the field of produc· tion practices because of its simplicity and accuracy. Keywords:electroless nickel;phosphor u s;phosphor us molybdenum vanadium yellow spectrophotometry; ammonium phosphomolybdate volumetric method

Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量

Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量
据 N/ iAu与 P型 氮 化镓 欧姆 接触 的形 成 机 制 , 采用 合适 的 N / iAu厚 度 比及 退 火 温度 , 到 比 得
接触 电阻率 (c为 10 ×1 0・c p) . 9 0 m 的 NiAupG N 电极 , / —- a 并分析 了 Ni 在退火过程 中对 形成 良好的 欧姆接触 中所起到 的作用 。 关 键 词 :P型氮化镓 ; 金 ; 镍/ 比接触 电阻率
3 0c ~1 mБайду номын сангаас・ ・s 。沉 积 金 属 之 前 , 用盐 酸 V 一 先
和水 的 比例 为 11溶液 清 洗 样 品 表面 , 以去 除 样
品表 面 的氧 化层 , 着 再利 用 丙 酮 、 水 乙醇 、 接 无 去
触 电阻较 小 的 P电极 并 不是件很 容 易 的事 情 。
在高 温下才 能被 激 活 , 比较 困难 , P型 Ga 的 且 N 功 函数 比较 高 ( 大约 7 5e l) 可供 选 择 的 大功 . V_ , 函数 的金属 又 比较 少 , 函数 最 大的金 属 P 也只 功 t 达到 5 6 V。因此 , pGa 上制 作 出欧姆 接 . 5e 在 - N
之重 。P型 Ga 材 料采 用 Mg作 为 掺 杂 物 , 须 N 必
长得 到 的 。首 先 , 在蓝 宝 石 基 片 上 生 长一 层 厚度
约为 3 m 的低 温 G N, 0n a 然后 生长非 掺 杂 的高 温 Ga 最后 再生 长一层 厚度 为 1 5 m N, . Mg掺杂 的 P型 Ga N。通 过 Va e a w 方法 测得 其 载 流 n d rP u 子浓 度 为 ( ~ 3 × 1 " e 2 ) 0 m 和 Hal 移 率 为 l迁

镍磷合金中磷含量的测定方法比较

镍磷合金中磷含量的测定方法比较

(. uyn oeeo a io a C i s dc , u ag5 0 0 ,hn ; 1 G i g C lg T d i l hn eMein G i n 5 0 2 C i a l f r tn e i e y a
2 G i o r i il et aoao el yadMie l . u h uP o n a Cnr Lbrtyo Go g n nr s z vc e rf o a)
N —P i 合金试 样 ( 镀层 ).4 。将 镀层 用 7 % 的 1932g 0
液( 称取 0 68 H P 4 .5 g 2O 溶于水后移入 1 0 L 5 K 0m 0 容量瓶 中, 用水稀释至刻度 , 混合均匀。此标准溶液 含磷0 1 gm )7 2 .5r / E 。2 型分光光度计 ( a 上海分析仪 器 厂生 产 ) 。
l . i l can )acrigt tesibeca tnadw s r ae titte D Atrt gnce idrc o N —Pa o ot g cod ut l r t adr a e r a fs, nE T t i i lni t y l y( i n oh a fs p p d r h ian k e
c n e so t o p o p o smoy d n m a a i m e lw s e t p oo ti t o a d a o v r in meh d, h s h r lb e u v n d u y l p cr h tmer meh d, n mmo im h s h moy d t u o o c n u p o p o lb ae v l mer t o r s d t e emi ep o p o s c n e ti e aly r s e t ey, n l ,h o t s i e rs l b o u ti me h d we eu e d t r n h s h r o tn t l e p c i l f al t e c nr t t t e u t y c o u nh o v i y a w hh t e sa d r ee mi a in me h d w sc rid o G o n a on so a h meh d we ei v siae r m e u t c u a h tn a d d tr n t t o a a re n. o d a d b d p i t fe c t o r n e t td fo r s l a c r - o g c d t r cso n i l i r e a p cs R s l n i ae T t r t gn c e i dr c o v r in meh d wa r y, a a p e iin a d smp i t t e s e t. e u t i d c td ED A i ai ik l n i t n eso t o smo e cy h s t n e c smpe,a i a c r t a d p e ie a d wa r o p o t h i l r p d, c u ae, n r cs , n swo h t r mo et e印 p ia in i r d cin p o e sa d e p r n a td . t l t p o u t rc s n x e me t l u y c o n o i s

Ni-P镀层的DSC分析

Ni-P镀层的DSC分析

1 引言自从美国的A.Brenner 和 G.Riddell在50年代研究成功化学镀Ni–P 合金镀层以来,国内外许多研究部门均对化学镀镍层进行了广泛深入的研究和大量的实践,这一工艺亦已广泛应用于电子石油化工机械宇航及原子能等工业,这是因为化学镀Ni–P 合金不仅具有良好的均镀能力较高的硬度和较好的耐磨性,同时具有孔隙率低和优良的耐蚀性等。

我国化学镀镍的应用正在逐步推广,目前国内化学镀镍市场领域有许多新工艺、新配方和新设备,国内研究文献也常有报道。

作为工业化生产的企业,应采用成熟的商品镀液并选制合理的设备及适宜的分析方法来经济、实用、优质地解决工业生产中的实际问题。

化学镀技术是一项较新的重要表面处理技术。

化学镀Ni-P 镀层是工程上应用十分广泛的表面功能镀层, 它的优良耐磨和耐蚀性能已为广大工程技术人员所熟悉。

然而,Ni-P 镀层还有许多其他非常有用的功能性质, 如磁性、导电性、可焊性、可抛光性等。

Ni-P 镀层的这些性质使它作为功能镀层已经在很多工业部门的广泛领域发挥着重要的作用。

近年来,化学镀镍磷研究工作主要围绕开发新的镀种包括多元合金和复合镀层,如何延长镀液使用寿命、提高沉积速度和稳定性、提高镀层性能、降低生产成本、维护和自动控制镀液。

由于电子计算机、通信等高科技产业的迅猛发展,为化学镀技术提供了巨大的市场。

80 年代是化学镀技术的研究、开发和应用飞跃发展时期,西方工业化国家化学镀镍的应用,在与其他表面处理技术激烈竞争的形势下,年净增长速率曾在到 15% ;这是金属沉积史上空前的发展速度。

预期化学镀技术将会持续高速发展,平均年净增速率将降至 6% ,而进入发展成熟期。

我国的化学镀市场与国际相比起步晚、规模小,但近十几年发展极期迅速,不仅有大量的论文发表,还举行了全国性的专业会议,相信在今后几年内会越来越广泛的应用该项技术,并逐步走向稳定和成熟,据推测国内目前每年的化学镀镍市场总规模应在 300 亿元以上,并且以每年 10% ~ 15% 的速度发展。

影响化学镀NiP镀速的部分因素

影响化学镀NiP镀速的部分因素

大# 庆# 石# 油# 学# 院# 学# 报# # # # # # # # # # # # # # 第 $- 卷# $..+ 年
而降低!
图 "# 基体金属的液中 %&$ ’( 微粒质量浓度与施镀速度的关系
! ! "# 施镀温度与施镀速度的关系 施镀速度与施镀温度的关系见图 (! 从图 ( 可见, 随着施镀温度的上升, 施镀速度呈现先上升、 后下降 的趋势! 但是在试验过程中, 当温度达到一定数值时, 在施镀溶液的底部会出现一些金属碎片! 原因: (") 当镀液的温度升高时, 镀液中粒子运动的速度加快, 粒子冲击和碰撞镀件表面的速度加快, 对镀件表面的 冲刷作用增强, 从而使镀件表面催化活性点的数目增加, 促进金属离子的沉积速度加快, 因而镀层的沉积
............................................. ( 上接第 &G 页) 当镀液 :U 值大于 O% R 时, 镀速随着 :U 值的升高而呈现下降趋势% 其原因是由于 .0$ V& 微粒 !; T K% ( & ) 子的加入, 使得镀液在 .0$ V& 粒子的催化作用下发生分解反应 , 不利于镍磷镀层的形成%
收稿日期: !$$> ? && ? &> ; 审稿人: 万德立; 编辑: 任志平 @ @ 基金项目: 教育部 “ 跨世纪人才培养计划” 基金和国家自然科学基金 ( %$&A!$>B ) @ @ 作者简介: 秦开明 ( &CBA ? ) , 男, 博士生, 高级工程师, 主要从事机械摩擦磨损机理和表面强化工艺技术方面的研究; ・ >A・
参考文献(2条) 1.蔡晓兰.张照昌.黄鑫 化学镀镍磷耐磨合金工艺在机械中的应用[期刊论文]-材料保护 2003(03) 2.乔学亮.许卫华.陈建国 Ni-P薄膜化学镀液的成分变化及镀膜控制 1995(01)

化学镀镍

化学镀镍

学镀层的物理性质与化学性质密度:镍的密度在20℃时为8.91g/cm3。

含磷量1%-4%时为8.5 g/cm3;含磷量7%-9%时为8.1 g/cm3;含磷量10%-12%时为7.9 g/cm3。

镀层密度变化的原因不完全是溶质原子质量的不同,还与合金化时点阵参数发生变化有关。

热学性质:热膨胀系数是用来表示金属尺寸随温度的变化规律,一般是指线膨胀系数μm/m/℃。

化学镀Ni-P(8%-9%)的热膨胀系数在0—100℃内为13μm/m/℃。

电镀镍相应值为12.3-13.6μm/m/℃。

热传导系数可以从电导率计算。

化学镀镍的热导率比电镀镍低,在 4.396~5.652W/(m·K)范围。

电学性质:由于镀层是很薄的一层金属,测定比电阻困难。

Ni-P(6%-7%)比电阻为52-68μΩ·cm,碱浴镀层只有28-34μΩ·cm,纯镍镀层的比电阻小,仅为6.05μΩ·cm。

镀层比电阻的大小与镀浴的组成、温度、pH值,尤其是磷含关系密切。

另外热处理也明显影响着比电阻值的大小。

磁学性质:化学镀Ni-P合金的磁性能决定于磷含量和热处理制度,也就是其结构属性——晶态或者非晶态。

P≥8%(wt)的非晶态镀层是非磁性的,含5%-6%P的镀层有很弱的铁磁性,只有P≤3%(wt)的镀层才具有铁磁性,但磁性仍比电镀镍小。

钎焊性能:化学镀镍层拥有良好的钎焊性能,如在铝合金制品上镀7~8um镍磷镀层就可以改善钎焊性能,使铝散热品与硅晶体管连接良好。

在化学镀镍前,金属制品表面前处理包括:研磨抛光、除油、除锈、活化等过程,化学镀镍中经常使用的金属前处理方法与电镀工艺中的类似。

研磨、抛光等物理方法,我们不做讨论。

下面主要介绍一些化学处理方法。

除油除油方法可分为有机溶剂除油、化学除油。

有机溶剂除油的特点是除油速度快,不腐蚀金属,但除油不彻底,需用化学法或电化学方法进行补充除油,常用的有机溶剂有:汽油、煤油、苯类、酮类、某些氯化烷烃及烯烃。

NTC热敏电阻

NTC热敏电阻

热敏电阻器(thermistor)——型号MZ、MF:是一种对温度反应较敏感、阻值会随着温度的变化而变化的非线性电阻器,通常由单晶、多晶半导体材料制成。

文字符号:“RT”或“R”热敏电阻器的种类:A.按结构及形状分类——圆片形(片状)、圆柱形(柱形)、圆圈形(垫圈形)等多种热敏电阻器。

B.按温度变化的灵敏度分类——高灵敏度型(突变型)、低灵敏度型(缓变型)热敏电阻器。

C.按受热方式分类——直热式热敏电阻器、旁热式热敏电阻器。

D.按温变(温度变化)特性分类——正温度系数(PTC)、负正温度系数(NTC)热敏电阻器。

热敏电阻器的主要参数:除标称阻值、额定功率和允许偏差等基本指标外,还有如下指标:1)测量功率:指在规定的环境温度下,电阻体受测量电源加热而引起阻值变化不超过0. 1%时所消耗的功率。

2)材料常数:是反应热敏电阻器热灵敏度的指标。

通常,该值越大,热敏电阻器的灵敏度和电阻率越高。

3)电阻温度系数:表示热敏电阻器在零功率条件下,其温度每变化1℃所引起电阻值的相对变化量。

4)热时间常数:指热敏电阻器的热惰性。

即在无功功率状态下,当环境温度突变时,电阻体温度由初值变化到最终温度之差的63.2%所需的时间。

5)耗散系数:指热敏电阻器的温度每增加1℃所耗散的功率。

6)开关温度:指热敏电阻器的零功率电阻值为最低电阻值两倍时所对应的温度。

7)最高工作温度:指热敏电阻器在规定的标准条件下,长期连续工作时所允许承受的最高温度。

8)标称电压:指稳压用热敏电阻器在规定的温度下,与标称工作电流所对应的电压值。

9)工作电流:指稳压用热敏电阻器在在正常工作状态下的规定电流值。

10)稳压范围:指稳压用热敏电阻器在规定的环境温度范围内稳定电压的范围值。

11)最大电压:指在规定的环境温度下,热敏电阻器正常工作时所允许连续施加的最高电压值。

12)绝缘电阻:指在规定的环境条件下,热敏电阻器的电阻体与绝缘外壳之间的电阻值。

●正温度系数热敏电阻器(PTC—positive temperature coefficient thermistor)结构——用钛酸钡(BaTiO3)、锶(Sr)、锆(Zr)等材料制成的。

电阻基础知识和检测方法

电阻基础知识和检测方法

电阻基础知识与检测方法一、基础知识电阻器是电路元件中应用最广泛的一种,在电子设备中约占元件总数的 30%以上,其质量的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。

它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压,其次还作为分流器分压器和负载使用。

固定电阻器在电路图中的标号一般为R,电位器的标号为W。

1.分类在电子电路中常用的电阻器有固定式电阻器和电位器,按制作材料和工艺不同,固定式电阻器可分为:膜式电阻(碳膜 RT、金属膜RJ、合成膜RH和氧化膜RY)、实芯电阻(有机 RS和无机RN)、金属线绕电阻(RX)、特殊电阻(MG型光敏电阻、MF型热敏电阻)四种。

2.主要性能指标额定功率:在规定的环境温度和湿度下,假定周围空气不流通,在长期连续负载而不损坏或基本不改变性能的情况下,电阻器上允许消耗的最大功率。

为保证安全使用,一般选其额定功率比它在电路中消耗的功率高1-2倍。

额定功率分19个等级,常用的有 0.05W、0.125W、0.25W、0.5W、1W、2W、3W、5W、7W、10W,在电路图中非线绕电阻器额定功率的符号表示如下图:标称阻值:产品上标示的阻值,其单位为欧,千欧、兆欧,标称阻值都应符合下表所列数值乘以 10N欧,其中N为整数。

允许误差:电阻器和电位器实际阻值对于标称阻值的最大允许偏差范围,它表示产品的精度,允许误差的等级如下表所示。

标称阻值与误差允许范围的标识方法示例1)在电阻体的一端标以彩色环,电阻的色标是由左向右排列的,图 1的电阻为27000Ω±0.5%。

2)精密度电阻器的色环标志用五个色环表示。

第一至第3色环表示电阻的有效数字,第4色环表示倍乘数,第5色环表示容许偏差,图2的电阻为17.5Ω±1%表示27000Ω±5%表示 17.5Ω±1%在电路图中电阻器和电位器的单位标注规则阻值在兆欧以上,标注单位 M。

比如1兆欧,标注1M;2.7兆欧,标注2.7M。

常用规格电阻一览电阻基本知识检测方法参数对应表

常用规格电阻一览电阻基本知识检测方法参数对应表

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本文大致包含以下内容;1;常用阻值表2;电阻基础知识3;电阻基本检测方法常用阻值表;此表罗列的5% 1%常用阻值表,规格参数适用于大部分贴片电阻于色环电阻5%精度阻值表单位欧姆(Ω)(E24)1.0 5.6 33 160 820 3.9K 20K 10 0K 510K2.7M1.1 6.2 36 180 910 4.3K 22K 11 0K 560K 3M1.2 6.8 39 200 1K 4.7K 24K 1 20K 620K 3.3M1.3 7.5 43 220 1.1K 5.1K 27K 130 K 680K 3.6M1.5 8.2 47 240 1.2K 5.6K 30K 150 K 750K 3.9M1.6 9.1 51 270 1.3K 6.2K 33K 160 K 820K 4.3M1.8 10 56 300 1.5K 6.6K 36K 18 0K 910K 4.7M2.0 11 62 330 1.6K 7.5K 39K 20 0K 1M 5.1M2.2 12 68 360 1.8K 8.2K 43K 22 0K 1.1M 5.6M2.4 13 75 390 2K 9.1K 47K240K 1.2M 6.2M2.7 15 82 430 2.2K 10K 51K 2 70K 1.3M 6.8M3.0 16 91 470 2.4K 11K 56K 3 00K 1.5M 7.5M3.3 18 100 510 2.7K 12K 62K 33 0K 1.6M 8.2M3.6 20 110 560 3K 13K 68K360K 1.8M 9.1M3.9 22 120 620 3.2K 15K 75K 39 0K 2M 10M4.3 24 130 680 3.3K 16K 82K 43 0K 2.2M 15M4.7 27 150 750 3.6K 18K 91K 47 0K 2.4M 22M5.1 30备注;15M 22M属于高阻,相对价格比其他略贵些1%精度阻值表单位欧姆(Ω)(E96)10 33 100 332 1K 3.32K 10.5K34K 107K 357K10.2 33.2 102 340 1.02K 3.4K 10.7K 34.8K110K 360K10.5 34 105 348 1.05K 3.48K 11K 35 .7K 113K 365K10.7 34.8 107 350 1.07K 3.57K 11.3K 36K115K 374K11 35.7 110 357 1.1K 3.6K 11.5K 36 .5K 118K 383K11.3 36 113 360 1.13K 3.65K 11.8K 37.4 K 120K 390K11.5 36.5 115 365 1.15K 3.74K 12K 38.3 K 121K 392K11.8 37.4 118 374 1.18K 3.83K 12.1K 39K124K 402K12 38.3 120 383 1.2K 3.9K 12.4K 39 .2K 127K 412K12.1 39 121 390 1.21K 3.92K 12.7K 40.2 K 130K 422K12.4 39.2 124 392 1.24K 4.02K 13K 41.2 K 133K 430K12.7 40.2 127 402 1.27K 4.12K 13.3K 42.2K137K 432K13 41.2 130 412 1.3K 4.22K 13.7K 43K140K 442K13.3 42.2 133 422 1.33K 4.32K 14K 43.2 K 143K 453K13.7 43 137 430 1.37K 4.42K 14.3K 44.2 K 147K 464K14 43.2 140 432 1.4K 4.53K 14.7K 45. 3K 150K 470K14.3 44.2 143 442 1.43K 4.64K 15K 46.4 K 154K 475K14.7 45.3 147 453 1.47K 4.7K 15.4K 47K158K 487K15 46.4 150 464 1.5K 4.75K 15.8K 47. 5K 160K 499K15.4 47 154 470 1.54K 4.87K 16K 48 .7K 162K 511K15.8 47.5 158 475 1.58K 4.99K 16.2K 49.9K16 48.7 160 487 1.6K 5.1K 16.5K 51 K 169K 536K16.2 49.9 162 499 1.62K 5.11K 16.9K 51.1K174K 549K16.5 51 165 510 1.65K 5.23K 17.4K 52.3 K 178K 560K16.9 51.1 169 511 1.69K 5.36K 17.8K 53.6K180K 562K17.4 52.3 174 523 1.74K 5.49K 18K 54.9 K 182K 576K17.8 53.6 178 536 1.78K 5.6K 18.2K 56K187K 590K18 54.9 180 549 1.8K 5.62K 18.7K 56. 2K 191K 604K18.2 56 182 560 1.82K 5.76K 19.1K 57.6 K 196K 619K18.7 56.2 187 562 1.87K 5.9K 19.6K 59K200K 620K19.1 57.6 191 565 1.91K 6.04K 20K 60.4 K 205K 634K19.6 59 196 578 1.96K 6.19K 20.5K 61.9 K 210K 649K20 60.4 200 590 2K 6.2K 21K62K 215K 665K20.5 61.9 205 604 2.05K 6.34K 21.5K 63.4K220K 680K21 62 210 619 2.1K 6.49K 22K64.9K 221K 681K21.5 63.4 215 620 2.15K 6.65K 22.1K 66.5K226K 698K22 64.9 220 634 2.2K 6.8K 22.6K 68 K 232K 715K22.1 66.5 221 649 2.21K 6.81K 23.2K 68.1K237K 732K22.6 68 226 665 2.26K 6.98K 23.7K 69.8 K 240K 750K23.2 68.1 232 680 2.32K 7.15K 24K 71.5 K 243K 768K23.7 69.8 237 681 2.37 7.32K 24.3K 73.2K249K 787K24 71.5 240 698 2.4K 7.5K 24.9K 75 K 255K 806K24.3 73.2 243 715 2.43K 7.68K 25.5K 76.8K24.7 75 249 732 2.49K 7.87K 26.1K 78.7 K 267K 825K24.9 75.5 255 750 2.55K 8.06K 26.7K 80.6K270K 845K25.5 76.8 261 768 2.61K 8.2K 27K 82K274K 866K26.1 78.7 267 787 2.67K 8.25K 27.4K 82.5K280K 887K26.7 80.6 270 806 2.7K 8.45K 28K 84. 5K 287K 909K27 82 274 820 2.74K 8.66K 28.7K 86 .6K 294K 910K27.4 82.5 280 825 2.8K 8.8K 29.4K 88.7 K 300K 931K28 84.5 287 845 2.87K 8.87K 30K 90 .9K 301K 953K28.7 86.6 294 866 2.94K 9.09K 30.1K 91K309K 976K29.4 88.7 300 887 3.0K 9.1K 30.9K 93.1 K 316K 1.0M30 90.9 301 909 3.01K 9.31K 31.6K 95.3 K 324K 1.5M30.1 91 309 910 3.09K 9.53K 32.4K 97.6 K 330K 2.2M30.9 93.1 316 931 3.16K 9.76K 33K 100K332K31.6 95.3 324 953 3.24K 10K 33.2K 102K340K32.4 97.6 330 976 3.3K 10.2K 33.6K 105K348K备注;1M 1.5M 2.2M属于高阻相对价格比其他略贵些电阻基础知识;电阻器是电路元件中应用最广泛的一种,在电子设备中约占元件总数的30%以上,其质量的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。

Ni_P_Ce元素对SnAgCu无铅钎料性能和组织的影响

Ni_P_Ce元素对SnAgCu无铅钎料性能和组织的影响

湿性能和接头时效前的剪切强度影响不大,但能够很好地抑制高温时效引起的接头剪切强度的下降。此外,P元素的
添加明显地改善了合金的抗氧化性能,但稀土Ce元素的添加对其有所恶化。这些性能的改变与微量Ni、P或稀土Ce
元素对其显微组织的影响有关。
关键词:SnAgcu钎料;Ni/P/Ce元素;显微组织;性能;
中图法分类号:TG425.1
采用DsC200PC测定试验合金的熔化温度,升温 和降温速度均为2℃,min,试验温度范围为180~250
℃。在260℃的可控温电热板上,用数码相机连续拍 摄液态合金的表面状态,观测不同时间液态钎料表面颜 色变化,定性比较各种钎料的抗氧化性能。根据润湿平 衡原理,参照日本标准JIS Z 3198:2003《基于润湿平 衡法和接触角的润湿性能试验方法》的A法进行钎料 润湿力和润湿时间的测定【ll。使用设备为Malcolm SWB.2型平衡润湿力仪,测试钎料温度为260℃,浸 入和拉出速度均为2删【n/s,浸入时『日J为10 s,浸入深 度为2 mm。使用成分为znCl2+NH4Cl+H20的腐蚀性 焊剂,铜丝长(30±O.5)mm,直径为O.5 mm。剪切试验
图l剪切试样
Fig.1 Specimen for shear testing
~一一一一~m”一 菱1㈣一舭一M
~~一一~~眦"一 靴:薹f一一脚M抛一
2m一:3一
万方数据
图2不同加热时间合金的表面氧化情况照片 Fig.2 Oxidation surfaces of soldef alloys for Various time:(a)
图4是高温时效前后钎料接头剪切强度的变化。 由图可知,在时效前,添加单一的Ni和P对SAC305 合金接头的剪切强度几乎没有影响,稀土Ce元素加 入后合金接头的剪切强度大约下降4%。在150℃时 效168 h后,所有试验接头的剪切强度都有所下降。 其中SAC305合金和SAC305P合金下降幅度非常剧 烈,SAC305合金从时效前的59.55 MPa降到了50 MPa,下降幅度达到了16.7%;SAC305P合金接头的 剪切强度下降得更为厉害,从时效前的60 MPa下降 到了时效后的42.7 MPa,下降幅度接近30%。 SAC305Ni和SAC305Ce合金时效后接头的剪切强度 下降幅度较小,都不足9%,分别从59.4和57.2 MPa 下降到54.7和52.1 MPa,并且它们时效后的剪切强度

电气基础知识(1)

电气基础知识(1)
钨丝灯泡 (60W)
电压 [V]
电压[V]
图2 灯泡的电阻变化状 况
电流[A]
电阻 R[]
I=
V R
[A]
图3 欧姆定律
6/2
欧姆定律与合成电阻
电流 • 电压 • 电阻的关系 如图1所示,向30电阻施加9V电压时,求有多少安培的电 流。利用欧姆定律,则
V9 I= R = 30 =0.3[A]
然后,如图2所示,在30电阻下,移动0.3A电流,应施加 多少伏电压? 利用欧姆定律,已知R • I,解V.接下式
交流电压的检测 不考虑正负极性,试棒与检测部位相应,呈并联连 接进行检测。 测电力线,即AC100V、200V时,应充分注意安全 以防触电。图5是电力线的交流电压检测例。
电阻的检测 检测前先调0 。每次改变量程时,都应调0 。
(图6) 即使调零也不指示0 时,说明电池电压不足,应
换电池。图7是电阻的检测例。
电 压 或 电 直流 流 (DC)值电
压 或 交流 电 (AC) 流 值
图7 实际使用中1V的大小
方向 大小
一定
方向 大小
变化
时间 时间
图8 直流(DC)与交流(A安 微安
1000mA 1000A
电压单位 伏 千伏 毫伏
1000mV 1000V
表1 电流与电压的单位
转换量程,指针应在中央部分摇动。
使用后,拔出检测插头,开关对看OFF。 11/1
直流电压的检测 调节量程开关钮,与指示盘的DCV量程重合。 已知值的场合,在能够测该值的量程范围检测,未 知的场合,从最高量程开始测。 红色试棒触及正极,黑色试棒触及负极进行检测。 图3是干电池电压的检测例。
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电阻刻度

单因素变量法探究电流密度对Ni-P镀层制备的影响

单因素变量法探究电流密度对Ni-P镀层制备的影响

科学技术创新2021.06单因素变量法探究电流密度对N i -P 镀层制备的影响侯彩凤郭丽娟郑罗涛刘爽爽(中国石油大学胜利学院,山东东营257061)1研究背景腐蚀与磨损所造成的损害不仅不仅是经济问题更是安全问题,对人们经济和生活带来巨大影响[1]。

出于对腐蚀与磨损的危害性的准确认识,采用先进而有效的防护手段成为必要选择,电镀技术是表面防护的重要手段之一。

电镀N i -P 镀层因其优异的耐磨、耐蚀性能,不会引入重铬等污染环境的物质,因而受到广大研究者和生产制造商的厚爱[2-3]。

电镀N i -P 镀层是各种复合镀层、特殊功能涂层研究的基础,因而探究电镀规范(如电流密度、波形、温度、搅拌等)、镀液配方(主盐、导电盐、络合剂、整平剂等)、基体表面(预处理、基体金属结构等)等各因素对镀层形成过程和镀层质量的影响至关重要。

单因素变量法固定单一实验变量,研究变量对试验结果产生的影响,是基本、简单、易操作的试验方法之一,易于各个层次研究者对各种研究课题展开研究。

本文采用电沉积技术成功制备出N i -P 镀层,并通过单因素变量法研究了电流密度对N i -P 镀层形成过程的影响。

2试验材料与方法2.1试验材料试验材料选用Q 235为阴极,含N i 量99%的镍板为阳极,阴阳极尺寸均50m m ×8m m ×3m m 。

镍板作为可溶性阳极,可提供并补充镀液中N i 2+的损失,维持镀液成分稳定。

在试样上方钻孔,采用挂镀方式进行电沉积,具体电沉积装置示意图如下1所示。

图1电沉积装置示意图2.2预处理预处理流程为:手工打磨→冲洗→化学除油→冲洗→酸洗与活化→冲洗。

具体如下:将阴阳极试样依次使用180CW 、240CW 、400CW 、600CW 、800CW 、1200CW 和1500CW 砂纸由粗到细进行打磨,直到试样表面光亮平整为止,然后用去离子水进行超声波清洗。

超声清洗后的表面仍存在油脂等杂质,如果不彻底清除会影响后期电镀层的质量,因此要对试样进行进一步的化学除油。

高二物理竞赛迁移率和电阻率随杂质浓度及温度的变化课件

高二物理竞赛迁移率和电阻率随杂质浓度及温度的变化课件
1、 迁移率和电阻率随杂质浓度及温度的变化
(1) 平均自由时间和散射概率的关系
自由时间:载流子在两次散射之间的时间间隔。 自由路程:载流子在两次散射之间所经过的距离。 平均自由时间:多次自由时间的平均值。 平均自由程:大量载流子自由路程的平均值。
散射几率P: 单位时间内一个载流子受到散射的次数。
P:表示单位时间内一个载流子遭受散射的次数 τ:相继两次散射的时间间隔的平均值
x
x0
q mn*
Et
若每次散射后v0方向无规则,则多次散射后, v0在x方向 分量的平均值为零。
而在 t~(t+dt) 时间内被散射的电子数为:
N0 Pe Pt dt
每个电子获得的速度为:
(q mn*) E t
则平均漂移速度为:
vx
vx0
1 N0
q 0 mn*
E
tN0PePt dt

qE mn*
3 2
NI
T
3 2
aL
aI
Si, Ge:
1
1
T
3 2
NI
3
T2
aL
aI
讨论:
与载流子有效质量有关的系数
• 低掺杂样品:迁移率随温度升高迅速减小。因为若Ni很小,第2项可 忽略,晶格散射起主要作用T↑,μ↓。
• 高掺杂样品:低温范围,杂质散射占优 ,T↑, μ 缓慢上升;
N I1T
3 2
,直到较高温度,μ才稍下降,说明杂质散射比较显著。
n
根据迁移率定义有:
n
q n
mn*
p
q p
mp*
、与 的关系
▪ N型半导体 ▪ P型半导体
n
n

icp原子发射光谱测试ni离子下限

icp原子发射光谱测试ni离子下限

icp原子发射光谱测试ni离子下限
ICP-OES(电感耦合等离子体原子发射光谱法)是一种常用的元素分析方法,它可以用于检测样品中的镍离子。

对于镍离子,ICP-OES的检测下限通常在ppb (parts per billion)或ppm(parts per million)级别。

具体数值会因仪器的性能、采样和检测条件等因素而有所不同。

例如,一些高质量的ICP-OES仪器可能在镍离子的检测下限达到10ppb或更低。

然而,对于一些较低性能的仪器,检测下限可能会在100ppb或更高。

总的来说,ICP-OES是一种非常灵敏的方法,可以在广泛的浓度范围内检测镍离子。

然而,要达到最低的检测下限,可能需要使用高性能的仪器和优化的检测条件。

钢铁材料的表面处理

钢铁材料的表面处理

电镀要素
材料要求:镀层大多是单一金属或合金,
如钛、锌、镉、金或黄铜、青铜等;也
有弥散层,如镍-碳化硅、镍-氟化石墨等;
还有覆合层,如钢上的铜-镍-铬层、钢上
的银-铟层等。电镀的基体材料除铁基的
铸铁、钢和不锈钢等金属外,还有非铁 金属或ABS塑料、聚丙烯、聚砜和酚醛塑 料,但塑料电镀前,必须经过特殊的活 化和敏化处理。
也叫nip化学次磷酸根亚磷酸根化学镀镍的装置示意图1水浴2烧杯3试样4温度计5化学镀液6电阻加热器成分作用提供被沉积的金属离子还原剂化学镀镍的驱动力次磷酸盐络合剂防止产生沉淀控制反应速度等稳定剂防止分解缓冲剂防止ph值波动厚度均匀表面光滑硬度高附着力好抗腐蚀性好钎焊镀镍产品槽中经过清理和特殊预处理的待镀件作为阴极用镀覆金属制成阳极两极分别与直流电源的负极和正极联接
电镀的缺点
电镀的缺点首先是是污染问题:当镀液加温较高时, 镀液会加速蒸发和分解,气 雾中有高浓度的溶质成 分。这时会严重污染环境,尤其是酸、碱气雾,氰化 物和铬雾对环境的影响和人体危害会更大;镀液处理 过程中若不加以注意,则镀液的损耗量是相当大的; 电镀槽或加温(冷却)管渗漏往往也会造成严重污染。 另外,电镀过程中常常会造成不连续水膜(表面 被污染所引起的不均匀润湿性,使表面上的水膜变的 不连续)、孔隙、针孔、起皮、剥离、海绵状镀层、 烧焦镀层、麻点(在电镀或腐蚀中,与金属表面上形 成的小坑或小孔)等。
镀镍产品
镀镍产品
电镀及原理
在盛有电镀液的镀 槽中,经过清理和特殊预 处理的待镀件作为阴极, 用镀覆金属制成阳极,两 极分别与直流电源的负极 和正极联接。电镀液由含 有镀覆金属的化合物、导 电的盐类、缓冲剂、pH调 节剂和添加剂等水溶液组 成。通电后,阳极的金属 会氧化(失去电子),电 镀液中的金属离子,在电 位差的作用下移动到阴极 上形成镀层。
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v rai nswa lo c a a trz d a ito sa s h r ce ie .De i n g i ei e o o t i - e it r t o t lr nc to a e sg u d l st b a n NiP r sso swi l w o e a e wi utl s r n h h ti rmmi ga eas ic s d n r lod s use .
Qu n i t e ay i o s t n e a t ai ls f i a c t v An s Re s
Cha i fNi ke— ng ng 0 c lPh0 ph0 usRe it r s r ss o
CA/J 一 n /qig
Ab ta t sr c
E ed d ei os a ef r a db l igrs t e i e P op ou( —)l yt r mbd e s tr cnb bi t ypa n ii c l h sh rs Pa o f m r s a ce t e sv N k — Ni l o o
r sso s o rn e ic i oa d . — e o ie — lo e it r y i al a e p o r ssa c o e a c s e it r n p i t d c r u tb r s Asd p st d NiP al y r sso st p c l h v o r: it n et lr n e y e
t o e a c sc n ber d e t o tls rti het l r n e a e uc d wi u a e rmmi g n t i a e ,ag o p o a a t r fe tn a r i g h n .I h sp p r r u fp r mee sof ci g p  ̄en n
a d r q iet ni g b o ty t s rti m i o m e ts c fc to s Th o to h e it r a e r d c d i n e u r u n y c sl a e rm ng t e pe ii ai n . e c s ft e r sso sc nb e u e f
t l n n e: u f c o g n s oe a c s r e r u h e s a
在 P B中埋 置无 源 元件 是 整 个系 统封 装 ( i, C S p
S se i-ak g )的 中心 课题 。在有机 基材 上分 立 y tm— p c a e n
路 图形的基材上加成镀镍. 磷。尽管电沉积的镍一 电 磷
Ke r s y wo d
e e d d r ss o s e e t ls ・ l t d Ni a ly r ss n e t l r n e s e t e it i mb d e e i r ; lc r e s pa e - l ; e ia c e a c ; h e ss i t t o - - o p o r vy
集成元件P nert C CB It ae g dP B
印 制 电路信 息 2 1 o 1 0 0N .
镍 一磷 ( P 电阻器 的 N— ) i
电 阻变化 的定 量分 析
蔡 积庆 编译
( 苏 南京 江 20 1 1 0 8)
摘 要 在PBP C _ 镀复形成电阻器的电阻性镍 一磷 (iP 合金可以制造嵌入 电阻器。这样沉积的N -合金 电阻器具 _ N -) IP 有 不 艮的电阻公 差,要求采用 旨在满足规 格的昂贵的激光修整进行调节。如果无须激光调整即可降低公 差,则可降低电 阻器成本 。本文 中,变化影响 图形精 度、镀层和薄膜电阻率 的一组参数 ,以评价 它们对化学镀 N- 电阻器的 电阻公差 的 iP
成 本 等 问题 ,那 么 选 择就 会 受到 制 约 。镍. 系 电 阻 磷
没 有 综 合 理 解 电 阻变 化 来 源 的 情 况 下 ,就 把 电阻 调
节 委托 给 昂贵 的激 光 修整 ( ae r L sr i n )。 T mmig 影 响 埋 置 电 阻 器 的 电 阻 的 因 素 电 阻 关 系 式 见 式 ( )。 1 d s etrss vt sweev re v laetere e t ftesb taeo h e ss vt c u ais pai n h e e i ii e r a dt e au t h i f c u srt n s e t e i ii n t i i o o h r t y
阻器 已经 采 用许 多年 ,但 是 在 文 献 中 却很 少 涉 及 关
于 镀 层 电阻 器 的 电阻变 化 来 源 方 面 的 综合 分 析 。在
元 件 和 埋 置元 件 的适 当 组合 可 以获 得 较 小 的封 装 尺 寸 ,较 好 的 电性 能 和 较 低 的成 本 。尽 管 埋 置 电阻 器 的选 择 范 围 较 宽 ,但 是 一 旦考 虑 到 制 造 ,可靠 性 和
影响。还表征 了 基材对薄膜 电阻率变化 的影响。还讨论 了无须激光调整可以获得低公差 的NI电阻器的设计指 南。 iP 关键 词 嵌入电阻器 ;化 学镀NiP — 合金 ;电阻公差 ;薄膜 电阻率公差 ;表面粗糙度 ;激 光调 整
中图分类号 :T 4 N 1 文献标识码 :A 文章编号 :1 0 — 0 6( 0 0) — 0 2 0 0909 21 103—5
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