TFT LCD 不良分析介绍 2

缺陷发生率
0.50% 0.40% 0.30% 0.20% 0.10% 0.00%
0.29% PRA005
8.1-8.21 QHL 不良与PI PR 号机差
0.43%
0.46%
PRA006
PR号机
PRA08
0.35% PRA013
四、不良解析与工作报告
PI short1(片状）不良与PI WET 存在号机差分布与QHL不良的号机差基本一致
8.1-8.21QHL不良与D1WE号机差
0.52%
0.50%
WED002
WED003
WED 号机
WED004
0.43% WED005
四、不良解析与工作报告
6．Map依存性：PI short1(片状)不良,占有率45.8%, 有map依存性，一 般发生在sheet的周边位置
image
全号机
#5
#6
占QHL的比重不大有关．
缺陷发生率
0.80% 0.60% 0.40% 0.20% 0.00%
0.48% DEI001
8.1-8.21 QHL不良与DEI 号机差
0.58%
0.51%
DEI002
DEI号机
DEI003
0.47% DEI004
缺陷发生率
0.63% 0.42% 0.21% 0.00%
0.57%
0.49%
WEI004
0.52%
WEI001
WEI002 WEI 号机
WEI003
WEI004
缺陷发生率
四、不良解析与工作报告
5、a-Si残留(片状)不良号机差：DEI 和WED工程均存在号机差
缺陷个数／Lot
a-si 残留１（片状）与DEI的号机差
0.5
0.4
0.3
0.2
0.2
0.1
0.0
DEI001
观察Array（TFT）侧画素部状态
Mura等
同点、线 缺陷等观 察作业
追加观察 1.配向膜剥离 2.送到专门分析机构去分析 3.其他
点、线缺陷等
金属 显微 镜
SEM ＋ EDX
线幅 测定
白色 光观 察
绿色 光观 察
根据上述解析步骤、解析方法，推测不良 发生的原因、工程，并联系对应发现缺陷 的工程
根据需要判断是否需 要测定或观察
1000
800
600
400
200
0 OF 0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300
7.结论 1.造成明点不良(QHL)主要原因为PI short1(片状)和a-si残留. 2.加强PI PR和IDE的Particle的控制.
60%
45.8%
40%
20%
17.3% 13.7%
7.1% 7.1%
1.8% 1.8% 1.2% 1.2% 0.6% 0.6% 0.6% 0.6% 0.6%
0%
明点连续不良种类
四、不良解析与工作报告
3.不良mode分类
四、不良解析与工作报告
4.PI short1(片状)号机差: PI PR,PI WET工程存在号机差
2.结果
发生Mode解析：占有率最高的Mode为PI short1(片状),占 45.8%,第二位是a-si残留,占17.3%
不良种类 Total
PI Short1（片状） a-Si残留1（片状）
其他 PI Short3（线状） G绝缘膜/三层片状异常 a-Si残留1（线状）
G图形异常1
ITO缺损1 PI CVD异物
四、不良解析与工作报告
PR水滴
发生原因是不是D/I工程PR涂布不 良，导致刻蚀液渗入
PR针形
发生原因：PR 涂布不良，thinner 溶解PR导致Ｄ线刻断
四、不良解析与工作报告
CVD异常放电
发生原因是D/I工程Reactor内电极 板异常放电
三层异物
发生原因是D/I工程三层CVD成膜前 Particle造成断线
四、不良解析与工作报告
G－Sputter异常放电
发生原因是G工程成膜室靶材异常 放电
模糊状
发生原因是D/I工程Sputter成膜前 Particle在成膜中脱落造成断线
四、不良解析与工作报告
三角
发生原因是刻蚀洗净Unit的入口 Shower及液切风刀有Ce的结晶物 析出，结晶物随药液或气流破坏基 板表面光刻胶造成断线
缺陷个数／Lot
1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0
0.60% 0.40% 0.20% 0.00%
0.7 WEI001
0.57%
PI short 1(片状）不良与PI WET号机差
0.9
0.4
1.1
WEI002
WEI 号机
WEI003
8.1-8.21 QHL不良与WEI 号机差
0.53%
Mura
调整VgON、VgOFF、Vcom，进行 Up/Down的操作，将其表示特征记 录下来 需要注意的几点：
缺陷的表示状态； 注意缺陷同条件之间是否有依 存性；
四、不良解析与工作报告
将Array（TFT）侧的偏光板剥离 用金属显微镜对发生不良的部位进行确认
如 果 有 必 要 的 话 ， 对 Panel 解 体 ， 注 意 要 在 TFT玻璃基板上用记号笔标注点、线缺陷
PI short1(片状）不良与PI PR 存在号机差分布与QHL不良的号机差一致．
缺陷个数／Lot
1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0
0.4 PRA005
PI short1(片状）不良与PI PR的号机差
1.2
0.9
PRA006
PRA 号机
PRA008
0.6 PRA013
Thinner 液 原因是在C-PR时，缺陷处光刻胶 被异常剥落，G层绝缘膜SiN被刻 蚀掉，导致ITO湿刻时刻蚀液将G 线刻断，形成G断线。
四、不良解析与工作报告
3.D断mode分类
PR异物
发生原因是D/I工程PR洗净涂布单元内 的异物,导致D线断开
PR渗入型
发生原因是在D/I工程PR洗净单元 Brush造成基板表面膜层划伤
CH无（缺损） PI Short4 sputter异物
PA片状异常 D线异常
Contact hole缺失
缺陷数 168 77 29 23 12 12 3 3
2 2 1 1 1 1 1
百分比 100.0% 45.8% 17.3% 13.7%
7.1% 7.1% 1.8% 1.8%
1.2% 1.2% 0.6% 0.60% 0.6% 0.6% 0.6%
0.4 0.3
DEI002
DEI 号机
DEI003
0.1 DEI004
缺陷个数／Lot ot
a-si 残留１（片状）与WED 号机差
0.8
0.5
0.4
0.3
0.0 WED002
0.1
0.2
WED003
WED004
WED 号机
0.6 WED005
四、不良解析与工作报告
8.1-8.20 QHL不良与DEI,D1WE号机差不明显，可能是a-si造成的明点不良
静电破坏
发生原因：基板在脱离电极板时产 生静电造成GD击穿
四、不良解析与工作报告
划伤
发生原因：装置异常作业及碎基板 等
DG交叉部渗入 发生原因：光刻胶密着性差
四、不良解析与工作报告
4、15型明点不良解析报告
1.目的
调查明点连续发生原因，从8/11-8/18期间对P检检出的15型Lot中抽取了168 Panel确认了明点连续原因。
四、不良解析与工作报告
2.G断Mode分类
CDE异物
在 C-DE时，缺陷处光刻胶被剥落，G 层绝缘膜SiN被刻蚀掉，导致ITO湿刻 时刻蚀液将G线刻断，形成G断线。
PR水滴 该模式产生的原因是在 G-PR时，缺陷 处光刻胶被剥落，导致G刻蚀液将G线刻 断，形成G断线。
四、不良解析与工作报告
三层异物 原因是在G工程结束后，在CVD成 膜时有异物入，导致刻蚀液将G线 刻断，形成G断线。
1000 800 600 400 200 0 OF 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300
1000
800
600
400
200
0 OF 0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100 1200 1300
TFT LCD 不良分析介绍
四、不良解析与工作报告
1、不良解析的流程
Panel检查的结果
从不良Panel入手
再次确认不良 Panel的表示状态
线缺陷、点缺陷
对各种检查画面进行确认，对 不良部分用记号笔以点、线标 注，以方便之后的解析。 Panel 检 查 时 需 要 注 意 的 几 点 ： 缺陷的表示状态； 有几个画素缺陷单元及其分布； 缺陷画素部分是全部显示为不 良还是只有部分不良显示等；
#8
1000
800
600
400
200
0 OF 0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300
1000
800
600
400
200
0 OF 0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100 1200 1300
#13
百分比
PI Short1（片状） a-Si残留1（片状）
其他 PI Short3（线状） G绝缘膜/三层片状异常 a-Si残留1（线状）
G图形异常1 ITO缺损1
PI Short2) CVD异物 CH无（缺损）
PI Short4 sputter异 物 PA片状异常 D线异常
Contact hole缺失