三种译码方法.ppt

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译码允 许信号
Y0#
G1 Y1#
G2A Y2# G2B Y3#
Y4#
地址信号
A Y5# B Y6#
C Y7#
片选信号输出
(接到不同的 存储体上)
74LS138的真值表:(注意:输出低电平有效)
可以看出,当译码允许信号有效时,Yi是输入A、B、C的 函数,即 Y=f(A,B,C)
G1 G2A G2B C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 1 0 00 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 00 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 00 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 00 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 01 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 01 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 01 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 其他值 X X X 1 1 1 1 1 1 1 1
低位地址
存储器

芯片

地 址
译 码
高位 器
片选 信号
地址
全地址译码例
• 6264芯片的地址范围:F0000H~F1FFFH 111100000……00 ~ 111100011……11
A19
A18
高位地址 A17 线全部参 A16 加译码 A15
A14 ≥1 A13
A12 ~ A0
&
D7 ~ D0
6264
译码方法(补充)
• 将输入的一组二进制编码变换为一个特定 的控制信号,即:
将输入的一组高位地址信号通过变换,产 生一个有效的控制信号,用于选中某一个 存储器芯片,从而确定该存储器芯片译码信号,使 得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯 一的内存地址。
应用举例(续):
下图中A18不参与译码,故 6264的地址范围为:
D0~D7 A0
A12 MEMW MEMR
A17 A16 A15 A19 A14 A13
✓38000H~39FFFH ✓78000H~79FFFH
•••
& &
G1 G2A Y0
G2B
D0~D7
A0
••• A12
6 2
WE 6
OE 4
A12-A0 #OE #WE
#CS1
D7-D0
部分地址译码
• 用部分高位地址信号(而不是全部)作为 译码信号,使得被选中得存储器芯片占有 几组不同的地址范围。
• 下例使用高5位地址作为译码信号,从而使 被选中芯片的每个单元都占有两个地址, 即这两个地址都指向同一个单元。
部分地址译码例
• 同一物理存储器占用两组地址:
F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH
A18不参与译码A19
A17
到 6264
A16
&
CS1
A15
A14
≥1
A13
应用举例
• 将SRAM 6264芯片与系统连接,使其地址范 围为:38000H~39FFFH和78000H~79FFFH。
• 选择使用74LS138译码器构成译码电路
74LS138逻辑图:
CS1 CS2
C
B
+5V
A
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