英特尔拟将太阳能CPU技术用于图形和内存芯片

阿里巴巴平头哥 RISC-V 处理器架构和玄铁 CPU IP 介绍说明书

扫码注册平头哥OCC 官网观看各类视频及课程阿里云开发者“藏经阁”海量电子手册免费下载平头哥芯片开放社区交流群扫码关注获取更多信息平头哥RISC-V 系列课程培训扫码登录在线学习目录RISC-V处理器架构 (5)1.RISC-V架构起源 (5)2.RISC-V架构发展 (5)3.RISC-V架构与X86、ARM在商业模式上的区别 (6)4.RISC-V架构现状和未来 (7)5.RISC-V处理器课程学习 (9)平头哥玄铁CPU IP (10)1.概述 (10)2.面向低功耗领域CPU (10)3.面向中高端服务器CPU (16)4.面向高性能领域CPU (23)5.玄铁CPU课程学习 (26)无剑平台 (27)1.无剑100开源SoC平台 (27)2.无剑600SoC平台 (28)平头哥RISC-V工具链 (34)1.RISC-V工具链简介 (34)2.剑池CDK开发工具 (37)3.玄铁CPU调试系统 (44)4.HHB (51)5.剑池CDK开发工具课程学习 (54)平头哥玄铁CPU系统 (55)1.YoC (55)2.Linux (56)3.Android (62)RISC-V玄铁系列开发板实践 (67)1.基于玄铁C906处理器的D1Dock Pro开发实践 (67)2.基于玄铁E906处理器的RVB2601开发实践 (82)RISC-V应用领域开发示例 (100)1.基于D1Dock Pro应用开发示例 (100)2.基于RVB2601应用开发示例 (106)RISC-V未来探索 (116)1.平头哥开源RISC-V系统处理器 (116)2.平头哥对RISC-V基金会贡献 (117)3.高校合作 (117)RISC-V处理器架构1.RISC-V架构起源RISC-V架构是一种开源的指令集架构。

最早是由美国伯克利大学的Krest教授及其研究团队提出的，当时提出的初衷是为了计算机/电子类方向的学生做课程实践服务的。

两位年轻中国芯片科学家的雄心：全新材料实现存算一体化突破AI

两位年轻中国芯片科学家的雄心：全新材料实现存算一体化突破AI算力瓶颈作者：来源：《海外星云》2020年第19期近日，瑞士洛桑联邦理工学院的研究团队在Nature上发表了题为《通过原子厚度半导体材料构建存储和计算单元》的论文。

该研究成果通过一种单一体系结构将逻辑运算和数据存储两种功能模块有效整合到了一起，这或许为更高效计算机的出现铺平了道路。

值得注意的是，这项技术尤其适合用于人工智能计算。

来自中国的博士生赵雁飞、王震宇等亦参与了本次论文写作。

论文通讯作者Andras Kis及论文作者之一赵雁飞，她表示，本次研究由瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）纳米级电子和结构实验室（LANEs）的Andras Kis教授最先发起并指导，同时Andras Kis也是该论文的通讯作者，博士生Guillherme Migliato Marega在赵雁飞等人的协作下，一起完成了上述新型計算存储二合一芯片的制备。

关于计算和存储，目前业界流行的做法是尽量缩短存储单元与计算单元的通信“路径”。

以目前排名第一的日本超算“富岳”所搭载的A64FX为例，其芯片就采用了融合CPU+GPU的通用架构，并且内置了7nm的HBM2存储器，每个芯片的内存带宽高达1024GB/s。

但问题依旧没有从根本上解决，这些存储单元和计算单元仍然是割裂开的，那么有没有可能将它们“合二为一”呢？我们目前用的计算机通常会在CPU处理数据，然后把数据传递到硬盘、或固态硬盘进行存储。

该模式已经运行几十年，但显然存在着更高效的方式，比如人类大脑。

它被称为是世界上最强大的计算机，大脑中的神经元，就可以同时处理和存储信息。

基于此，Andras Kis教授试图通过模仿人类大脑，来研发出存储单元和计算单元合二为一的芯片。

思路确定后，该团队采用二硫化钼（MoS2）作为通道材料，并将其用于开发基于浮栅场效应晶体管（FGFETs）的存储器中逻辑器件和电路。

在演示可编程或非门之后，FGFETs 作为适用于可重构逻辑回路的构建模块，可应用在更复杂的可编程逻辑上。

英特尔Ivy Bridge处理器

今天我的题目是：跟随当今电子发展的脚步--寻找机遇与挑战，主要从三个方面讲解，分别是处理器，显示屏和EDA工具三个方面各自的一些最新情况。

下面开始从处理器讲解，首先介绍的是英特尔22纳米Ivy Bridge处理器问世半导体产业进入3D晶体管时代，介绍这款处理器之前我们先看看在这之前的一些消息：英特尔中止25款CPU，为Ivy Bridge让道，英特尔通知硬件合作伙伴称公司将逐步停止25款桌面CPU的生产，为将于今年4月上市的22纳米Ivy Bridge处理器让道。

据该公司的台湾硬件合作伙伴表示。

英特尔在第二季度彻底停产前，将减速生产酷睿i5-661/660、酷睿i3-530、奔腾E5700和赛扬E3500处理器。

此外英特尔应该也会在2012年第二季度停止生产酷睿i7-960/950/930/870/880S/870S、酷睿Core i5-2300/680/670、酷睿E7500/E7600、奔腾G960、E6600/E550以及赛扬E3300处理器。

而酷睿i7-875K/860S、酷睿i5-760/750S/655K和赛扬450/430处理器在第一季度就会停产。

由此我们可以看到英特尔已经开始下一代处理器生产前的一系列准备，下面我们就来认识下这款即将上市的处理器，Ivy Bridge是首款正式推出的基于22nm制程的处理器，应用了FinFET 技术，这种晶体管采用垂直的硅片结构，这一技术将能保持摩尔定律的持续有效。

随着晶体管尺寸的不断缩小，传统的平面工艺已经无能为力，因此3D工艺成为必须。

据报道，Ivy Bridge芯片包括针对桌面电脑的四核处理器和针对“超极本”的双核处理器。

lvy Bridge芯片的处理速度比上一代芯片提高了37%，并且在耗电量减半的情况下就能达到与之相当的性能。

下面我们就具体介绍几个这款处理器的特点英特尔22nm 3D晶体管技术，续写摩尔定律Ivy Bridge处理器的22纳米技术芯片，是英特尔首个采用3D工艺的产品。

2023年英特尔Atom处理器报道分析

2.英特尔Atom处理器，4核心，支持超线程，集成图形核心
3.Atom处理器功耗控制出色，适合移动设备和消费电子设备
Atom处理器介绍
Introduction to Atom processors
英特尔Atom处理器，灵活高效，适用于平板、手机、智能家居
Atom处理器在处理日常任务时表现出色，但在处理复杂的多线程应用和大型文件时性能受限
HDMI、USB和DDR3
智能节能技术
性能比较
英特尔Atom处理器：性能与功耗平衡
英特尔Atom处理器功耗低，适合电池供电设备
英特尔Atom处理器低功耗优势明显，但性能相对较低
英特尔Atom处理器：性能与功耗平衡
英特尔Atom处理器，低功耗、高性能，主宰消费电子市场
英特尔Atom处理器：高效图形媒体、快速内存访问、优化微架构
1.英特尔Atom处理器用于消费电子产品，具备低延迟、高能效特点
2.Atom处理器低功耗适合电池设备，快速性能满足日常需求
3.Atom处理器性能不佳，不估电子设备性能和节能潜力的重要手段
低功耗处理器
英特尔Atom处理器
40纳米工艺技术
多核CPU和GPU
4. 智能穿戴设备Atom处理器可以用于各种智能穿戴设备，如智能手表、智能手环等。它可以提供高性能和低功耗的特性，让穿戴设备更加舒适和实用。
5. 车载设备Atom处理器可以用于各种车载设备，如车载导航、车载娱乐系统等。它可以提供高性能和低功耗的特性，让车载设备更加智能化和安全化。
Atom处理器应用场景
英特尔Atom处理器功耗提升，电池续航时间更长
英特尔优化Atom处理器，迎接5G和物联网新时代
发展趋势
Atom处理器应用场景

超越摩尔定律

敬请登录网站在线投稿(t o u g a o.m e s n e t.c o m.c n)2021年第5期1超越摩尔定律作者S t u a r t C o r d i n g(德国)译者君谦引言英特尔再次引起关注,其在2020年7月份的财报电话会议上告知投资者,7纳米制造工艺现在比其内部预期目标晚了12个月[1]㊂此消息一出,在消费者和金融媒体中产生了强烈反响㊂这很容易让人感到,摩尔定律永无止境的前进将是半导体行业创新的唯一途径㊂但是,没有什么比事实更现实了,正如我们看到的,半导体创新范围很广,不仅限于硅材料㊂向摩尔定律进军英特尔的联合创始人戈登㊃摩尔(G o r d o n M o o r e)提出了每个芯片的晶体管数量随时间增长的经验关系[2]㊂1965年,他预计每年增长率将翻番,并在1975年将其降低到每两年翻一番㊂实际上,他的说法更多是一种预测,但是在新兴的半导体行业中应用开来,并被称为一种定律㊂正因如此,它成为了一个应验的预言㊂可以肯定的是,当我们从大型机转移到台式机㊁笔记本电脑,再到智能手机和平板电脑时,摩尔定律为我们提供了很好的服务,从而确保了在不断缩小的塑料包装壳中拥有更丰富的内存和处理性能㊂对于处理器大型供应商(例如英特尔和AM D)㊁图形处理单元(G P U)供应商(例如N v i d i a)以及D R AM制造商(例如三星㊁美光和S K海力士),通过利用技术的前沿优势使它们在今天如虎添翼㊂但是,盲目追求摩尔定律对于半导体行业的快速发展并无多大的意义㊂那么,他们该如何创新,预期达到什么目标以及结果如何呢?全部都在封装中经常被忽略的是摩尔的清算日 / D a y o f r e c k o n i n g 预言[3],它清楚地表明,我们应该问自己在什么情况下应该建造这种塞满零件的设备㊂它还指出:用那些独立打包并互相连接的较小的功能模块构建大型系统可能更经济㊂从那以后,这一直是半导体行业所面临的挑战,正如摩尔(M o o r e)所预言的那样,模拟电路从光刻技术的改进中受益的程度要小于数字电路㊂例如,物理学清楚地表明:电容器的电容取决于其极板的重叠区域面积㊂D R AM行业试图解决此类问题,因为他们试图在21世纪将存储位的单元尺寸减小到100n m㊂这涉及开发具有足够电容的低泄漏电容器,与此同时,其并不需要大面积的平面型组件㊂通过使用沟槽存储或堆叠电容器进入第三维,可以将管芯的表面积与存储单元的面积分离[4]㊂因此,某些类型的应用比其他应用更适合这些制造过程㊂近年来,芯片广泛应用了这种方法㊂这种方法的假设是,某些功能(例如存储器㊁F P G A技术和模拟接口)最好在符合其需求的半导体制造工艺上制造,然后在封装阶段将硅芯片集成在一起㊂通过与封装基板相结合,将单个管芯聚集在一起以构成一个完整的器件㊂例如,可以将模拟串行器/解串器(S E R D E S)小芯片直接放置在与其相连的封装球上方㊂这可以潜在地改善电磁兼容性(E M C),并减少电路板设计人员的布局问题㊂如果在单片芯片中发现问题,将很难再进行更改㊂这种小芯片方法还可以对成本产生积极影响,因为随着晶圆尺寸的减小,每片晶圆的良率提高[5]㊂因此,与尝试生产同一产品的单片版本相比,许多较小的芯片对多芯片器件的良率产生了积极影响㊂这是英特尔采用基于S t r a t i x10芯片的体系结构[6]所采用的方法㊂因为它们的核心是F P G A㊂然后,F P G A核心的周围是D R AM小芯片㊁高速收发器或客户可能需要的任何其他功能模块㊂供应商和客户还可以从缩短的设计时间中受益,与多个复杂的模拟和数字知识产权(I P)块集成到单个制造过程相比,将多芯片设计的系统推向市场要容易得多㊂英特尔采用的一种有趣的方法是使用嵌入式多管芯互连桥(E M I B)[7]㊂这些是嵌入封装基板中的微小芯片桥,可在管芯和功率传输之间提供电信号路由㊂此外,它还被允许将以不同几何形状和不同工艺技术制造的模具包装在单个系统级封装(S i P)中㊂标准的微型凸块用于将芯片的信号连接线连接到E M I B,翻转芯片凸块用于电源连接㊂与其他多芯片2.5D封装中使用的硅通孔(T S V)相比,该方法具有更高的良率和更大的灵活性㊂唯一的办法就是拓展维度就像之前提供的D R AM示例一样,非易失性闪存行业也经历了类似的挑战:如何将更多的位封装到有限的裸片区域中㊂显然,要想装的更多,唯一的方法是进入第三2M i c r o c o n t r o l l e r s &E m b e d d e d S ys t e m s 2021年第5期w w w .m e s n e t .c o m .c n维并进行拓展㊂在最好的光刻工艺中,闪存会受到单元间噪声和干扰的影响,因此,遵循摩尔定律,使用掺杂的多晶硅平面N A N D 方法,并不能满足存储密度的预期需求㊂K i o x i a(以前是东芝)使用氮化硅的电荷陷阱单元开发了3D B i C S F l a s h (位列堆叠)N A N D 存储,然后垂直堆叠其存储位㊂如果将其可视化,最终的结构看起来很像一系列密集的办公楼㊂最新的第五代3D B i C S F l a s h 包括112层,而上一代是96层㊂在不久的将来会创建1T b(128G B )单芯片闪存[8]㊂维度拓展并不止于此㊂尽管多管芯封装并不是什么新鲜事物,但传统上它们是通过传统的焊线链接在一起的连接方式堆叠在一起的㊂这与将管芯粘结到封装引脚的方法基本相同㊂由于寄生效应,信号频率不断提升会带来相应的挑战㊂随着闪存和闪存存储(例如S S D 和嵌入式闪存)转移到具有更高带宽的接口(例如N VM e ㊁P C I e 和U F S ),这一问题急需解决㊂由于其统一的尺寸㊁制造技术和功能,T S V 允许堆叠的管芯互连并与封装的基板键合,与引线键合方法相比,数据速率提高了一倍㊂提高内存容量的最后诀窍是每个单元多存储一位㊂早期的闪存使用单级单元(S L C )架构,但此后一直在每个单元中存储2个(多级单元,M L C )或3个(三级单元,T L C )位㊂这意味着,不是将数据简单地实现为1或0的高电压或低电压,而是将4个或8个电压电平存储在每个单元格,分别代表值0到3或0到7㊂这种优势是以增加磨损为代价的,这意味着它并不适合任意一种类型的应用㊂S L C 设备或使用S L C 的分区通常保留在要求最高可靠性的应用程序部分中,例如设备的引导程序㊂转向S i C 和G a N在过去的50年中,硅已成为半导体产品的主要支柱,但人们一直在努力寻找有助于改善其某些局限性的替代品㊂在电源转换领域,涵盖电源㊁电池充电器㊁电机逆变器和太阳能逆变器,其目标是通过改进I G B T 和MO S F E T 等开关器件来提高效率㊂这使设计人员可以将更多的功率包装到更小的体积中,消除了使用风扇强制冷却的需要,并最终由于节省能耗而降低每台设备的解决方案价格,或降低了总拥有成本(T C O )的价格㊂例如,降低导通电阻(R D S (O N ))的体积可以减少开关中的损耗,从而减少需要散发的热量㊂开关频率的增加允许使用较小的磁性元件,从而导致更高功率密度更紧凑的设计㊂碳化硅(S i C )和氮化镓(G a N )所属的宽禁带(W B G )半导体比硅器件(24e V 对11.5e V )具有更高的带隙㊂对于设计师来说,这意味着可以实现更高的工作温度㊁频率和电压㊂当在最高功率密度下实现最高系统效率时,G a N 晶体管比其他替代品更具优势㊂由于具有零反向恢复(Q r r )特性,它们可以几乎无损耗地切换,因此它们具有较低的R D S (O N )电阻损耗,并且可以在较高的切换频率下工作㊂与使用最新的基于硅的设计相比,这为提高功率供给提供了一个机会,即可以提升额外的百分比效率或者使系统的功率密度加倍[9]㊂S i C MO S F E T 相对于基于硅的解决方案而言既能提高效率和功率密度,也具有更高的耐用性㊁更高的电压操作性,此外,比硅或G a N 更易于使用㊂此外,可以使用与具有S i C 器件的硅MO S F E T 相同的栅极驱动器,从而使从硅到S i C 的转换相对更简单㊂但是,应该注意的是,它们确实需要比硅MO S F E T 稍高的栅极驱动电压(18V 对15V ),才能达到其数据手册中的R D S (O N )电阻消耗值㊂S i C MO S F E T 随着温度的升高,R D S (O N )的增加量在不断变小㊂由于电源开关在约100ħ的温度下工作,因此,这意味着工作期间其损耗更低,效率更高㊂较低的Q O S S (漏极源极电荷)也意味着它们可用于硬开关连续导通模式(C C M )功率因数校正(P F C )设计中,而这是使用硅MO S F E T 无法实现的㊂它可以实现99%的P F C 效率,这是提高功率转换器设计总体效率的重要标志㊂旧技术在新时代重焕生机:虽老但是好用大多数行业似乎都经历了几十年后重新出现的周期性趋势,旧的想法被重新改造为新一代㊂乙烯基正在卷土重来,近年来推动了对唱片公司的需求,时尚行业通过改变过去的趋势来创造财富㊂半导体行业也遵循这种趋势㊂自成立以来,电机控制一直是电子行业的主要业务㊂消费类应用中的小型直流电动机已成为一项大的产业,特别是随着录像机等设备的普及㊂为确保磁带可以被接收和弹出,必须对关联的电动机进行双向控制㊂当时,该功能需要高度集成到单个设备中,从而推动了单芯片H 桥电机控制器的开发㊂T A 7291具有4个双极型晶体管,而其简单的两针接口提供了顺时针和逆时针控制,并具有制动功能,该制动功能利用电机的反电动势使电机快速减速[10]㊂该器件提供多种封装,可在4.5~20V 的电源范围内处理高达2A 的电流㊂除电机控制功能外,它还提供热关断和过流保护㊂自成立以来,随着许多应用都转向了更高效的无刷直流(B L C D )电动机㊂尽管如此,每年仍然有大量的有刷直流应用开发㊂同时,效率的重要性也在增长,这是由于对电池供电设备性能需求的增加,以期尽可能长时间地运行㊂此外,小型化已成为人们关注的重点,只有极小的封装才能集成到紧凑的电路板中㊂这种H 桥电机驱动器的最新化身是T B 67H 450F N G [11]㊂通过使用B i C D (B i po l a r ,C M O S ,D M O S )工艺,开关电阻已从4.75Ω降至仅0.6Ω㊂新的包装意味着该设备的重量大敬请登录网站在线投稿(t o u g a o.m e s n e t.c o m.c n)2021年第5期3大减轻,而且可以使用包装底部的小金属条来实现散热,而不是通过刀片从顶部伸出来散热㊂制造技术的改进还意味着可以考虑实现更强解决方案的其他额外功能㊂这样,保护功能与以前相同,但是增加了欠压锁定,同时还增加了新的恒定电流控制模式㊂该设备现在可以在高达50V的电压下运行,并且可以驱动高达3.5A的电流㊂超越光刻尽管每秒万亿次浮点运算和数以泽它字节成为消费者媒体的头条新闻,而金融投资者则将利润归结于光刻技术的进步,但这并不是半导体行业进行创新的唯一方式㊂的确,更精细的光刻技术可以制造更小的裸片,而更大的晶圆意味着每个晶圆拥有更多的裸片,这两者都可以降低技术价格㊂然而,半导体厂商的创新范围要更广㊂新的制造工艺和技术改进继续使硅MO S F E T和晶体管越来越接近完美的开关,而S i C和G a N等宽禁带器件则有潜力实现硅基材料所不能达到的目标㊂即使光刻技术保持不变,封装㊁管芯互连和小芯片方法在保持芯片创新方面也起到重要作用㊂最后,一些创新只是来自采用功能完善的产品(例如电机驱动器),并对它们进行了重新设计以应对下一个时代的挑战㊂相关链接[1]I n t e l s7n m I s B r o k e n,C o m p a n y A n n o u n c e s D e l a y U n t i l 2022,2023:h t t p s://w w w.t o m s h a r d w a r e.c o m/n e w s/i n-t e l-a n n o u n c e s-d e l a y-t o-7n m-p r o c e s s o r s-n o w-o n e-y e a r-b e h i n d-e x p ec t a t i o n s.[2]M o o r e s L a w:h t t p s://e n.w i k i p e d i a.o r g/w i k i/M o o r e% 27s_l a w.[3]C r a mm i n g M o r e C o m p o n e n t s o n t o I n t e g r a t e d C i r-c u i t s:h t t p s://h a s l e r.e c e.g a t e c h.ed u/P u b l i s he d_p a-p e r s/T e c h n o l o g y_o v e r v i e w/g o r d o n_m o o r e_1965_a r t i-c l e.pd f.[4]C h a l l e n g e s a n d F u t u r e D i r e c t i o n s f o r t h e S c a l i n g o fD y n a m i c R a n d o m-A c c e s s M e m o r y(D R A M):h t t p s:// w w w.r e s e a r c h g a t e.n e t/p u b l i c a t i o n/220497584_C h a l l e n-g e s_a n d_f u t u r e_d i r e c t i o n s_f o r_t h e_s c a l i n g_o f_d y n a m i c_ r a n d o m-a c c e s s_m e m o r y_D R A M.[5]C h i p l e t:h t t p s://e n.w i k i c h i p.o r g/w i k i/c h i p l e t.[6]H e t e r o g e n e o u s3D S y s t e m-i n-P a c k a g e I n t e g r a t i o n:h t-t p s://i n t e l.l y/2C X P97m.[7]E m b e d d e d M u l t i-D i e I n t e r c o n n e c t B r i d g e:h t t p s://w w w.i n t e l.c o m/c o n t e n t/w w w/u s/e n/f o u n d r y/e m i b.h t m l.[8]K I O X I A E u r o p e G m b H U n v e i l s5t h-G e n e r a t i o n B i C SF L A S H:h t t p://b i t.l y/k i o x i a-e i m.[9]W h y G a N W i l l B e K e y t o F e e d i n g P o w e r-H u n g r y5G N e t w o r k s:h t t p://b i t.l y/i n f i n e o n-e i m.[10]T A7291P,T A7291S/S G,T A7291F/F G B r i d g e D r i v-e r:h t t p s://t o s h i b a.s e m i c o n-s t o r a g e.c o m/i nf o/d o c ge t.j s p d i d=16128&p r o d N a m e=T A7291S.[11]T B67H450F N G:P WM C h o p p e r T y p e D C B r u s h e dM o t o r D r i v e r:h t t p://b i t.l y/t o s h i b a-e i m.本文授权来自本刊的合作伙伴E l e k t o r媒体集团,如果希望免费订阅E l e k t o r的英文在线内容,请访问h t t p s://w w w.e l e k t o r m a g a z i n e.c o m/㊂成都电子信息产业生态圈深圳推介会暨中国(西部)电子信息博览会发布会成功举办4月9日,由成都电子信息产业生态圈联盟和中电会展与信息传播有限公司主办,成都电子信息产业功能区㊁成都新经济活力区㊁成都科学城㊁金牛高新技术产业园区㊁成都芯谷和新津区牧山数字新城六个功能区协办,成都电子信息产业生态圈深圳推介会暨中国(西部)电子信息博览会发布会在深圳会展中心成功举办㊂成都市经信局通用电子产业处处长黄剑㊁新津区副区长叶尚敏以及成都高新区电子局副局长周志㊁金牛高新技术产业园区管委会主任王琦漪㊁郫都区现代工业港管委会主任景硕等领导出席会议,成都电子信息产业生态圈联盟理事长肖斌㊁中国半导体照明/L E D产业与应用联盟秘书长关白玉㊁深圳汽车电子行业协会副秘书长吴翊等六家行业组织负责人,以及创维㊁康佳㊁天马㊁麒麟㊁飞腾㊁永达㊁优必选等40余家深圳企业参会㊂此次会议是成都圈区首次联动开展的产业生态圈发展理念和建设成效的宣传推介,旨在进一步提升成都电子信息产业的国际标识度和品牌影响力㊂值得一提的是,会议现场还发布了成都电子信息场景应用需求和公共服务平台清单102条;四海万联汽车A I o T生态集成项目㊁精密结构件及模具项目等进行了现场签约,投资额近5亿元㊂成都市经信局相关负责人在致辞中表示:成都坚持以践行新发展理念的公园城市示范区为统领,推动成渝地区双城经济圈建设;以抓好四件大事㊁实施幸福美好生活十大工程为抓手,统筹做好高质量发展攻坚年各项工作;以产业生态圈构筑城市比较优势,以产业功能区重塑产业经济地理,推动经济组织方式和城市发展方式全方位变革,优化提升14个产业生态圈,规划布局66个产业功能区,建设2800万平方米高品质科创空间㊂。

英特尔服务器主板 S3000AH 说明书

Consignes de sécurité
Lisez attention toutes les consignes de sécurité et les mises en garde indiquées dans ce document avant de suivre toute instruction. Consultez Intel Server Boards and Server Chassis Safety Information sur le Intel® Server Deployment Toolkit 2.0 CD ou bien rendez-vous sur le site /support/motherboards/server/sb/cs010770.htm.
英特尔 ® 服务器主板 S3000AH 用户指南
Hale Waihona Puke vvi英特尔 ® 服务器主板 S3000AH 用户指南
前言
关于本手册
感谢您购买和使用英特尔 ® 服务器主板 S3000AH。本手册面向负责对该服务器主板进行故障排除、升级和修复的系统技术人员。本文档概述了主板 / 机箱的功能、提供了附件或您可能需要的其他组件的列表、故障排除信息以及有关如何在文档标题上添加和更换组件的说明。若要获取本手册的最新版本，请访问 /support/cn/motherboards/server/S3000AH/
其他信息和软件
如果您需要有关本产品的更多信息，或有关本服务器主板可用附件的信息，请使用以下资源。可从 /support/cn/motherboards/server/S3000AH/ 获得这些文件。除非在下表中另有说明，否则，请在该 Web 页屏幕左侧的搜索栏中键入文档名称或软件名称，然后选择搜索 “本产品”的选项。表 1. 其他信息和软件

内存条在人工智能(AI)领域的应用前景

内存条在人工智能（AI）领域的应用前景人工智能（AI）作为一项引领未来科技发展的重要技术，正在改变着我们的生活方式和产业格局。

在AI应用的过程中，内存条作为存储器件的重要组成部分，发挥着关键的作用。

它不仅能够提供高速的数据处理能力，还具备较大的存储容量和可靠性，为AI应用的发展提供了有力的支持。

本文将针对内存条在人工智能领域的应用前景展开讨论。

首先，内存条在AI领域的应用可以极大地提高数据的读写速度和计算效率。

人工智能技术需要处理大量的数据，而内存条的高速读写能力可以使得数据的传输速度更快，从而加快计算速度和提升实时性。

例如，在图像和语音识别领域，通过使用高性能内存条，可以实现更快的图像处理和语音分析，为智能驾驶、人脸识别等应用提供更快更准确的数据处理能力。

其次，内存条可以提供更大的存储容量，满足日益增长的数据需求。

人工智能应用需要庞大的数据集进行训练和运算，而传统的内存容量往往难以满足这样的需求。

而现在，内存条的容量正在不断增加，以至于现在已经可以提供数T的存储空间，有力地支持了复杂的AI算法和模型的运算。

有效的存储能力使得机器能够处理更加复杂的任务，提高了人工智能的精度和应用范围。

此外，内存条的可靠性也是在AI应用中至关重要的因素。

AI在许多领域中已经取得了突破性进展，例如医疗诊断、金融预测等。

然而，这些应用需要高度可靠和稳定的内存设备来确保数据的完整性和准确性。

通过使用高品质的内存条，可以减少系统崩溃和数据丢失的风险，提高数据处理的稳定性和可靠性，从而更好地保障AI应用的效果和安全性。

最后，内存条的持续创新和技术进步将为AI应用带来更多机遇和挑战。

随着AI技术的不断发展和应用场景的不断拓宽，对内存条的需求也在不断增加。

因此，内存条制造商需要持续创新并提供更高性能的产品，以满足AI应用的需求。

例如，有些公司已经开始研发采用新型材料和结构的内存条，以提高存储和计算能力。

同时，与AI技术相结合的新兴技术，如量子计算、云计算等，也将对内存条的性能和规格提出更高的要求。

英特尔与美光联合推出34纳米闪存芯片

英特尔与美光联合推出34纳米闪存芯片据《电子产品世界》2009年第9期报道,英特尔和美光科技日前发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。

这两家公司称,他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片,存储容量为每个储存单元3比特。

这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术,从而将实现高容量的存储设备。

据悉,美光目前提供这种芯片的样品,大批量生产将在今年第四季度。

江　兴　摘安森美半导体推出带集成ES D保护的共模扼流圈EM I滤波器安森美半导体(ON Se m iconductor)推出新型共模扼流圈及静电放电(ES D)保护集成电路(I C),这种新型的静电放电(ES D)保护集成电路(I C)可应用于高速数据线路。

新的NU C2401M N结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ES D保护功能。

这些综合的特性,使得这一方案远远优于典型的电磁干扰(E M I)滤波器及分立可选方案,同时有助于显著减少元件数量。

这种新器件可以让设计人员实现优异的滤波及保护性能,且节省空间及成本,并提高总体可靠性,非常适用于基于高速差分数据线路的广泛应用,包括U S B2.0、IEEE1394、低压差分信令(LVD S)、移动行业处理器接口(M IP I)及移动显示数字接口(M DD I)。

NU C240I M N在尺寸仅为2.0mm×2.2mm的D FN封装中集成了等同于5个分立元件的电路,结合共模EM I滤波及符合IEC610002422接触放电业界标准的±12千伏(kV)ES D保护。

机器模型(MM)及人体模型(HB M)ES D额定值分别为1.6kV及16kV。

这器件额定遵从1级湿敏等级(M S L1),工作温度范围为-40°C～85°C。

由于NU C2401M N是集成方案,可帮助减少寄生电感,从而提供更出色的共模滤波。

共模噪声消减的截止频率为40M H z、100M H z及500M H z频率时的典型共模阻抗分别为200及5008。

HLW8012用户手册

模拟输入（所有通道）
共模信号
模拟输入
满量程时对电压通道的串扰（50, 60Hz）输入电容
等效输入阻抗
电流通道电压通道
等效输入噪声
电流通道电压通道
电源供给
电流消耗
IA+ID
功耗
(VDD = 5 V)
掉电检测低压阈值
掉电检测高压阈值
符号 PActive IRMS VRMS
IC EII NI
PC PMLO PMHI
版本 REV 1.0 REV 1.1 REV 1.2 REV 1.3
REV 1.3
1/9

HLW8012 1 芯片功能说明
HLW8012 为单相多功能计量芯片，其提供高频脉冲 CF 用于电能计量和高频 CF1 用于指示电流有效值或者电压有效值。本芯片采用 SOP8 封装。
2.2 模拟特性
符号 VDD TA
最小值 4.5 -40
典型值 5.0 -
最大值 5.5 +85
单位 V ℃
VDD = 5 V ± 10%；GND = 0 V
参数
精度
有功功率
全增益范围
输入范围 0.1%~100%
电流有效值
全增益范围
输入范围 0.2%~100%
电压有效值
全增益范围
输入范围 0.2%~100%
最小值典型值最大值单位
-
±0.2
-
%
-
±0.5
-
%
-
±0.5
-
%
-1
-
1
V
-
-100
-
dB
-
6.4
-
pF

英特尔发布至强可扩展Skylake处理器采用28核心56线程设计

英特尔发布至强可扩展Skylake处理器采用28核心
56线程设计
电子发烧友早八点讯：7月12日，英特尔举办发布会正式推出至强可扩展处理器，该系列产品被英特尔定义为十年来最大的革新，将广泛应用于数据中心、服务器。

我们所处的时代正在发生翻天覆地的变化，身边越来越多的设备正在成为智能的设备，它们产生了丰富的数据和信息，也导致了数据的爆炸式增长。

对于政府和各行各业的企业来说，如此巨量的数据爆炸带给他们的是发展机遇，也成为巨大的挑战。

作为数据中心、服务器的核心产品，英特尔处理器需要针对这一现状产生变化，带给企业和政府更具计算力的产品，于是我们今天看到了至强可扩展。

新的至强可扩展代号Skylake，它体现了英特尔十年以来数据中心平台领域最大的技术进步，为了凸显出产品的变革和巨大影响，英特尔一改从前使用E系列作为命名的方式，而是采用了全新的至强可扩展作为新产品的命名。

至强可扩展处理器可以为计算、网络和存储带来更具有针对性的负载优化。

可以说可扩展的特性为下一代云基础设施提供了硬件基础。

包括数据分析、人工智能、自动驾驶、高性能计算和网络转型在内的各类应用都将可以从至强可扩展当中受益。

英特尔已开发用于云计算服务器至强处理器

个应用商店。
比如一位用户使用设备来现场直播现实中的物体，
纽瓦克一弗兰奇表示：随着开发者越来越关注营收 “
和成本两方面问题，歌必须积极采取措施来应对。研谷 ” 究显示，Ｓ用户２１年平均将下载８ｉＯ０１３个应用，而这类用户也更乐意购买价格较高的应用。
量比例从３％下降至２％。是Ａｄｏｄ平台所占份额６８这ｎｒｉ
作为下一波技术解决方案，云技术能够通过一个数
字网络（网站）安全的环境下把多台服务器当作一台在服务器使用，能够访问广泛的应用程序和工具以减少ＩＴ
Ｆｒ的最新研究显示，ｌｒｕｙ今年前两个季度，Ｓ正吸ｉＯ
引第三方开发者的更多关注。不过，并不是因为开发这者对Ａｄｏｄ平台不满，更多是由于苹果推出了Ｖｒｎｒｉｅｉ —
ｚｎ版ｉｈｎｏＰｏｅ和ｉａ。Ｐｄ２
日本手机市场一直以来都保持着自给自足的状态，
向那些买不起ＩＴ基础设施并且雇佣人员运行ＩＴ基础
设施的小企业提供这种服务。
Ｋｕｆｒ出，据我们对云计算的多年展望，ｎｐｆ指ｅ根云数
据中心将是无缝和安全连接的并且完全是自动化的。这些数据中心将向从智能手机到强大的笔记本电脑的广泛的设备提供安全的访问和优化的体验。

英特尔大连芯片厂十月投产采用65纳米工艺

（ｘｅｌａｖｌ，Ｕ微影设备，全球六个ＥｔｍｅＵｔ — ｉｅＥＶ）ｒｒｏｔ是
取得这项设备的客户伙伴之一。这项设备将安装于
ＴＭＣ的超大晶圆厂（ｉＦｂ）台积十二厂，以ＳＧｇａ一ａ用
发展新世代的工艺技术。ＴＭＣ也将成为全球第一Ｓ
准备工作有条不紊，生产设备已陆续安装调试到位，而２０多人的外籍专家团队和在美国培训的中国员０１也已经回归大连，保十月份Ｔ厂投产。二确
Ｔ艺的产品，其一代产品功耗更低、积更小。较体凭借该款产品，泰景信息科技将继续把创新和领先
时尚的手机设计。
富士通微电子
ＵＢ３ＯＳＴＳ．－ＡＡ桥接芯片获得认证ＴＭ取得ＡＭＳＣＳＬ超紫外光微影设备
以研发新世代工艺
ＴＭＣ与ＡＭＬ公司共同宣布，ＳＳＳＴＭＣ将取得
ＡＭＬ公司ＴＮＣＮＮ：１０一超紫外光ＳＷＩＳＡＸＥ３０富士通微电子（海）限公司近日宣布富士上有通微电子的ＵＢ３一ＡＡ桥接芯片已通过美国Ｓ．ＳＴ０
生产３０毫米芯片组。据悉，英特尔大连芯片厂的０
泰景推出第三代模拟移动电视接收芯片
日前，移动电视接收芯片提供商泰景信息科技宣布，该公司研发出的第二代模拟移动电视接收ＣＳ芯片ＴＧ１２是泰景第一款基于６ＭＯ单Ｌ１１５纳米

intel unison 原理

intel unison 原理全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：Intel Unison是Intel（英特尔）公司最新的一种处理器技术，通过将多个不同类型的处理器集成在一起，以实现更高效的计算和处理能力。

该技术结合了CPU、GPU和FPGA等多种处理器的优势，旨在提高计算机性能和能效，并加快应用程序的执行速度。

本文将从原理、构造和优势等方面介绍Intel Unison技术。

一、Intel Unison的原理Intel Unison的原理是将不同类型的处理器集成在一起，形成一个统一的处理器系统。

这些处理器包括传统的CPU、图形处理器GPU和可编程逻辑门阵列FPGA等。

通过这种集成方式，不同类型的处理器可以相互协作，共同完成计算任务。

CPU可以处理序列化的任务，GPU 可以处理并行化的图形任务，FPGA可以执行按需重构的任务。

这种协作计算方式可以充分发挥各种处理器的优势，提高计算效率和能效。

Intel Unison技术的构造主要由三类处理器构成，分别是CPU、GPU和FPGA。

CPU是计算机的中央处理器，负责执行指令和控制计算机的运行，具有通用计算能力。

GPU是图形处理器，专门用于处理图形和并行化计算任务，具有高并发和高吞吐量。

FPGA是可编程逻辑门阵列，可以根据应用程序需要实时重构电路结构，具有灵活性和高性能。

这三类处理器通过高速互联通道连接在一起，形成一个整体的处理器系统。

CPU作为主控制器，负责协调和调度不同类型的处理器，实现协同计算。

GPU和FPGA则作为协处理器，执行特定类型的计算任务。

整个处理器系统的构造旨在充分发挥各种处理器的优势，提高计算性能和能效。

Intel Unison技术具有多方面的优势，主要包括以下几点：1. 高性能：Intel Unison集成了多种处理器，可以充分发挥各种处理器的优势，提高计算性能。

CPU可以处理通用计算任务，GPU可以处理图形和并行计算任务，FPGA可以处理特定任务，协同工作使得计算效率更高。

英特尔45纳米处理器发布功耗效率提升30%

当前互联网从业者的健康状况堪忧。
该调查对象包括从事ＩＴ行业、媒体编辑、
时常感觉体困易倦。免疫力明显下降。
息时间、注重锻炼。这些都是预防和改善亚
此外。被调查者出现心理问题的比例也引人健康状态的要素。
设计师、计算机工程人员、互联网广告人员等注目除１％的被调查者认为长期从事互联网５
维普资讯
业界Ｉ
■
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
朋黼功
用了铪，以有效地解决电泄漏的问题。可使处理３２ｚ之间，级缓存为１ＭＢ。今年ＧＨ二２断缩小，电泄漏也更加严重。导致处理器发热和５０服务器处理器，主频最高为２０
■ 受厶■ 联行致问网八访为互业者成．从盒认■ 一
机工作，他们的身心健康比一般网民更容易受到焦躁、感觉网络与现实生活的分离感等都得电脑和互联网的影响。 “ 每天面对电脑。皮肤明显变差了！” “ 、长期到大批被调查者的共鸣。专家认为。长期承受电脑辐射、坐姿不
颈。
Ｃｏｅ２ＥｔｍｅＱＸ６Ｏ处理器。英特ｒｘｒｅ９５
英特尔数字企业集团主管斯蒂芬・密斯尔新型服务器处理器的售价在１７美史７
面向服务器和高端ＰＣ。这些产品采用了更先进的（ｔｐｅｍｉ）示，ｅｒｎ处理器的最大功元到１７ＳｅｈｎＳｔ表ｈＰｎｙ２９美元之间，具体价格取决于４５纳米生产工艺。其中最复杂的一款拥有８２亿耗不会超过１Ｏ瓦。将于明年第一季度上市的型号、主频、功能等参数；ｏｅ２Ｅ — ＿２Ｃｒｘ个晶体管。英特尔上一代产品主要采用６５纳米生Ｐｎｙｅｒｎ笔记本处理器的功耗为２５瓦，而当前ｔｍｅＱＸ６０的售价为９９美元。英ｒ９５ｅ９产工艺。最复杂的一款处理器拥有５８．２亿个晶体６５纳米笔记本处理器的功耗为３５瓦。据史密特尔将分阶段地推出４５纳米Ｐｎｙｅｒｎ管。随着生产工艺的不断提升，英特尔可以在处理斯称，ｅｒｎ处理器加入了用于加速图像处理处理器。２０Ｐｎｙ０８年第一季度，英特尔将推器上部署更多晶体管。而提升处理器性能。降和高清晰视频编码的新指令。同上一代产品相出４从并５纳米Ｃｒｏｅ２四核和Ｃｏｅ２双核ｒ比，ｅｒｎ处理器的视频和图形性能有４％到桌面处理器。同一季度。英特尔将推出ＰｎｙＯ英特尔表示。其新一代处理器已经不再使用６％的提升。得益于硬件的增强，０虚拟机的性能Ｃｒｘｒｍｅ和Ｃｏｅ２Ｄｏ笔记本ｏｅ２Ｅｔｅｒｕ铅作为原料，预计到２００８年将停止使用卤素。通也提升了７％。５过这些举措，英特尔处理器对于环境的危害将大

Intel与NEC合作开发超级计算机

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200 9 年 11 月 4
京日，北
—
—
刚刚结
束访华的英特尔总裁兼首席执行官保
罗欧德宁在北京表示，摩尔定律将继续
根据协议，N E C 会在未来的、基于英特尔@ 至强@ 处理器的超级计算系统中引入双方合作开发的技术，从而将它们推向市场。 N E C 在高性能计算领域积累的专业知识与英特尔⑩至强 ⑩处理器的卓越性能及该处理器未来将采用的向量计算加速功能 ( 如 A V X 指令集 )结合后，将有助于开发出性能更高的高性能计算系统，满足客户对英特尔@ 架构高性能计算产品的性能需求。
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-一
e r F o r u m ， ID F )上，欧德宁还展示了世界
上第一款基于 2 2 纳米制程技术的可工
作芯片的硅晶圆，标志着英特尔遵循摩尔定律，继续推动产业的发展。
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定
创
尔定律，让最终用户受益。彳
24
我们的宗旨是：O A 设备与耗材从贵族走向平民深入中小企业进入千家万户
亍义不别。新

英特尔发布新款环保型处理器

嘉、惠普、／Ｍ、微星、ＮＣ广达、ｇｃａｅｙｔｍ、Ｓｎｃｏｙｔｍ、超微、Ｔａ和Ｖｒｒ。全新５０系列ＢＥ、ａｋＮＳｓｅｓｕＭｉｓｓｅｓｒｙｎｅａｉ等４０处理器现已推出，Ｘ２７将于今年秋季推出。５０
旦鲤星星
电力信息安全专家
浏览器￣Ｂ／方式。如图３示。ｇＳＮ
通过采用Ｂ／结构，解决了以往访问Ｓ数据库因系统负担过大所引起的瓶颈
条件地向外部开放公共信息，具有高
为８０Ｗ，而主频则高达３５Ｈ。更加多样化的产品可以充分满足使用工作站、高性能计算系统、刀片服务器和．Ｇｚ
主流服务器的各类客户的需求。
目前，多家系统厂商均宣布支持这些新款处理器，其中包括华硕、戴尔、富士通、富士通一西门子、技
效的检索功能。
４结论
Ｉｔｒｅ／ｎｒｎ￣ｎｅｎｔＩｔａｅ术的发
问题，同时也减轻了系统开发人员的
编程和维护工作量。基于Ｂ／结构的Ｓ
参考文献：
【黄束，节．种基３ＢＳ式ＭＳ１】杨春一：／摸Ｉ系统
展，为Ｅ系系统的设计ＲＰ

光计算机不再是空谈!英特尔混合硅激光技术

易受到外界影响，因此很容易就能够实现超高速传输以及极低的传送延迟。如果能将光传输技术用于计算机系统内部，作为芯片间数据传
送的渠道，么计算机系统内部将能实现Ｔ量级的超高速传送，片那Ｂ芯
时，以满足计算机产业要求的大批量、难低
、
激光技术跨越电子传输的极限
在要求高速度的远距离通讯网络中，光技术早已获得普遍的应激用。比传统的电缆传输方式，缆传输有着超高速度和低延迟的优相光点，在进入实用阶段后便快速发展，成为今天互联网络的连接枢纽。并另外在高速城域网络中，纤通信也应用得非常普遍。光传输的原光激理非常容易理解：发送端将二进制数据调制到激光信号上，些携在这
一． Biblioteka 放大，它并不能有效发光，但因此产生激
光信号必须借助专用的激光器。而光纤通信系统中采用的磷化铟激光器需要逐一进行组合和校准，仅相当昂贵而且十分费不
让硅晶体管可直接产生并接收光学数据信号，制造硅光子混合型芯片由
＞小知识：＞
光计算机的研究历程
人类对光计算机的研究最早可以追溯到甲
１６年．国麻省理工学院的科学家们开始探索９９美开放光计算机的可能性。９２．国赫罗特一１８年英

英特尔微博发布神秘芯片图片网友猜是14nm++++

英特尔微博发布神秘芯片图片网友猜是14nm++++
1月3日英特尔中国微博发布了一张“神秘芯片”的图片，并让网友猜是什幺。

有网友猜是5G芯片，还有人猜是14nm++++，但也有专业的网友看出它其实是第二代神经计算棒Movidius2的VPU。

查看微博原图可以看到芯片上的文字，芯片上面写着“Movidius2 MA2845 Myriad X”。

据悉，英特尔在收购以色列科技公司Movidius后，发布了Movidius Myriad 2视觉处理器（VPU）的下一代新产品“Myriad X”。

据介绍，这款新品针对电脑视觉技术进行主要的重新设计，并借由内建神经运算引擎导入全新更复杂的深度学习（DL）能力，据称可以让大量终端装置如机器人、无人机（Drone）、虚拟实境（VR）装置等，在未来也能具备人类般的视觉及思考模式。

眼看隔壁AMD 7nm 新品CPU来势汹汹，然而英特尔则还要发布。

英特尔高管：5年后电脑会变成纽扣大小

英特尔高管：5年后电脑会变成纽扣大小
在台北电脑展上，谈到刚刚宣布的收购Altera，英特尔高级副总裁施浩德说，他们配合英特尔的业务，协助英特尔发挥摩尔定律的效率。

事实上，这条诞生于50年前的定律仍然在影响今天的英特尔产业决策，其已数字计算转化为创新引擎。

施浩德展示了一系列新形态的PC产品，其中包括一个纽扣型的超级电脑原型。

他说，到2020年，电脑会变成纽扣大小，这就是摩尔定律的厉害。

作为出席此次台北电脑展，英特尔职位最高的发言人，施浩德把今年英特尔的技术热点再次做出强调，并发布了一些新的芯片产品。

但谈到与合作伙伴的关系是否会受到补贴的降低或取消影响是，他告诉腾讯科技，客户并未离开。

我们解决了电池续航时间、应用兼容性以及生产效率的问题，过去可能要用几个月，但现在5-6个星期就可以让合作伙伴的新产品上市，并且降低了整体成本。

集成电路的发展

集成电路发展历史以及趋势的探讨前言历史上第一个晶体管于60年前—1947年12月16日诞生于美国新泽西州的贝尔实验室(Bell Laboratories)。

发明者威廉·肖克利(William Shockley)、约翰·巴丁(John Bardeen)和沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)为此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。

固态半导体(solid-state)的发明使得之后集成电路的发明成为可能。

这一杰出成就为世界半导体产业的发展奠定了基础。

之后的60年里，半导体技术的发展极大地提升了劳动生产力，促进了世界经济的发展，改善了人们的生活水平。

美国半导体协会(SIA)总裁乔治·斯卡利思(George Scalise)曾经说过：“60年前晶体管的发明为这个不断发展的世界带来了巨大的变革，这一历史性的里程碑式的发明，意义不容小觑。

晶体管是无数电子产品的关键组成部分，而这些电子产品几乎对人类生活的各个方面都带来了革命性的变化。

2007年，全世界的微电子行业为地球上每一个男人、女人和小孩各生产出9亿个晶体管—总计达6,000,000,000,000,000,000(六百亿亿)个, 产业销售额超过2570亿美元”。

回顾晶体管的发明和集成电路产业的发展历程, 我们可以看到，60年前晶体管的发明并非一个偶然事件，它是在世界一流的专业技术人才的努力下，在鼓励大胆创新的环境中，在政府的鼓励投资研发的政策支持下产生的。

同时，我们也可以看到集成电路产业从无到有并高速发展是整个业界相互合作和共同创新的结果。

1.１发现半导体技术1833年，英国物理学家迈克尔·法拉第(Michael Faraday)在研究硫化银晶体的导电性时，发现了硫化银晶体的电导率随温度升高而增加这一“特别的现象”。

这一特征正好与铜和其他金属的情况相反。

迈克尔·法拉第(Michael Faraday)的这一发现使人们对半导体效应开始有了认识。