ULSI制备中铜布线的两步抛光技术

ULSI制备中铜布线的两步抛光技术
王弘英;刘玉岭;郝景晨;魏碧华
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2003(24)4
【摘要】在超大规模集成电路 (U L SI)铜布线工艺中 ,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性 ,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散 .为了达到全局平面化 ,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光(CMP)速率的不同 .通过研究和一系列试验 ,采用两步抛光 ,初抛中采用高化学作用 ,终抛中采用高机械作用 ,达到较好的全局平面化效果 ,并提出了初抛的 CMP模型 .【总页数】5页(P433-437)
【关键词】ULSI;铜布丝;抛光技术;阻挡层;多层布线;超大规模集成电路;制造工艺【作者】王弘英;刘玉岭;郝景晨;魏碧华
【作者单位】中国电子科技集团电子第十三所;河北工业大学微电子研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN47
【相关文献】
1.ULSI制备中铜布线化学机械抛光技术的研究与展望 [J], 王胜利;刘玉岭
2.ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究 [J], 刘玉岭;梁存龙
3.ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究 [J], 刘玉岭; 李嘉席; 檀柏梅; 梁存龙
4.ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究 [J], 刘玉岭; 李嘉席; 檀柏梅; 梁存龙
5.ULSI制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究 [J], 刘玉岭;王弘英;王新因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。