提供可定制Cu2Se3晶体Ag2Te晶体MnBi4Te7晶体基片磁性拓扑绝缘体

提供可定制Cu2Se3晶体Ag2Te晶体MnBi4Te7晶体基片磁
性拓扑绝缘体
磷化镓的第一布里渊区为截角八面体，导带极小值位于<100>方向，电子有效质量为0.35m，m为电子惯性质量；价带极大值约位于布里渊区中心，重空穴和轻空穴有效质量分别为0.86m和0.14m，为间接带隙半导体。

室温时，禁带宽度为2.26eV，本征载流子浓度为2.7×106/m3。

较纯晶体的电子和空穴迁移率分别为 1.5×10-2m2/(v·s)和1.2×10-2m2/(v·S)。

掺入Ⅱ族、Ⅳ族或Ⅵ族原子可获得p 型或n型材料，还具有等电子陷阱。

少数载流子寿命约为10-3～10-4μs。

其熔点1467℃，可用区熔或直拉法制备单晶，还可用气相外延、液相外延、分子束外延，金属有机物化学气相淀积法制备。

晶体尺寸：>10平方毫米
晶体种类：磁性拓扑绝缘体
[单晶纯度]:> 99.99%
[传导类型]：N型；半绝缘型
[抛向]：单抛或双抛
[可用表面积]：> 90%
我们可提供一系列晶体基片，AgTaS3晶体、Ag3Sb晶体、Ag2Te晶体、Bi4Pb7Se13晶体、Cu2Se3晶体、AgInP2S6晶体、AgInP2Se6晶体、Cr2S3晶体、CrTe2晶体、CuBi3PbS6晶体、CuInP2Se6晶体、CuInS2晶体、GaGeTe晶体、GaPS4晶体、GeBi2Te4晶体、GeBi4Te7晶体、GeSb4Te7晶体、GeT e晶体、HfS3晶体、HgPSe3晶体、In2GaBi2S6晶体、In2P3S9晶体、In2Te5晶体、In3SbTe2晶体、InSb晶体、InSiTe3晶体、MnBiSe 晶体、MnSbTe 晶体、Nb3GeTe6晶体、NbTe4晶体、NiCoSe2晶体、NiTe2晶体、NiT e晶体、Pb2Bi2Se5晶体、Pb2Bi2Te5晶体、PbBi4Te7晶体、PbBi6Te10晶体、PbSb2Te4晶体、PbSe晶体、PbS 晶体、Sb2Te2Se晶体、Sb2TeSe2晶体、Sb2Te晶体、Sb16Te3晶体、SiTe2晶体、SnBi2Te4晶体、SnBi4Te7晶体、SnPS3晶体、
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