p沟道mos管工作原理

p沟道mos管工作原理
P沟道MOS管是一种基于MOS（金属-氧化物半导体）技术
的半导体器件。

它的工作原理与N沟道MOS管类似，但是由
于材料性质的不同，它的载流子是正电荷。

当漏极得到负电压时，荷载注入到P沟道中，形成了一个正
电荷区。

当控制电压施加在栅极上时，此时栅极与沟道中的荷载形成导体-绝缘体-导体（MOS）结构，栅极与正电荷相吸引，电场形成顺着P沟道的方向弯曲。

一旦电场弯曲到一个特定
的临界值，它会形成沟道处的反向PN结，从而导致P沟道中
电子的注入。

注入电子的数目和栅极电压之间存在一个相对线性关系，这就是P沟道MOS管在其线性区域的工作原理。

P
沟道MOS管也有饱和区域，此时沟道上的电荷是饱和的。

P沟道MOS管是一种低功耗的器件，与N沟道MOS管相比，它的公用元件电容较小，这意味着它的切换速度可以更快。

与此同时，由于它使用的是正电荷载流子，因而它可以达到更高的特征电流密度。

总之，P沟道MOS管的工作原理可简要概括为：施加负漏极
电阻，形成P沟道中的负载荷，施加正栅・极电压，并控制
栅电压以形成MOS结构，从而在P沟道中形成反向PN结及
注入电子，进而控制沟道导通和截止。