LHA674-KM中文资料

Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
1998-11-12
Maßzeichnung
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
SIDELED® Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
Besondere Merkmale q Gehäusefarbe: weiß q Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie q besonders hohe Lichtstärke q als optischer Indikator einsetzbar q zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung q für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet q gegurtet (12-mm-Filmgurt) q Störimpulsfest nach DIN 40839
10 3
ΙF mA
D= t P
T
tP T
OHL01686
ΙF
D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1
10 2 0.2
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
60
OHL01661
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Symbol Symbol
(typ.) λpeak
(typ.)
(typ.) λdom
(typ.)
(typ.) ∆λ (typ.)
2ϕ
(typ.) VF (max.) VF
(typ.) IR (max.) IR
(typ.) C0
(typ.) tr (typ.) tf
Werte Values 660
645
Features q color of package: white q double heterojunction in GaAIAs technology q superior luminous intensity q for use as optical indicator q for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses q suitable for all SMT assembly and reflow soldering methods q available taped on reel (12 mm tape) q load dump resistant acc. to DIN 40839
red hyper-red
40
20
0
400
450
500
550
600
650 nm 700
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
ϕ 1.0
OHL01660
50˚
0.8
60˚
70˚
80˚ 90˚
100˚
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Bestellnummer
Ordering code
Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832
Semiconductor Group
1
1998-11-12
LH A674
Grenzwerte Maximum Ratings
Bezeichnung Parameter
Betriebstemperatur Operating temperature range
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
(2.4)
LH A674
4.2 3.8 0.7
2.4
2.8
1.1
(2.85)
2.54
0.9
Cathode
spacing
Anode
Cathode marking
(1.4)
(0.3) 3.8 3.4
colorless clear
Lichtstärke
Luminous Intensity
IF = 10 mA IV (mcd)
6.3 ... 32 10.0 ... 20 16.0 ... 32 10.0 ... 50
Lichtstrom
Luminous Flux
IF = 10 mA
ΦV (mlm) 45 (typ.) 75 (typ.) -
Durchlaßspannung Forward voltage
IF = 10 mA
Sperrstrom Reverse current
VR = 3 V
Kapazität Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten: Switching times:
IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
Sperrspannung Reverse voltage
Verlustleistung Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Montage auf PC-Board*) (Padgröße je ≥ 16 mm2) mounted on PC-Board*) (pad size ≥ 16 mm2 each)
Semiconductor Group
2
1998-11-12
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission
10
08
06
04
Semiconductor Group
0.6 0.4 0.2 0
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 4
80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-12
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
LH A674
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Symbol Symbol
Top Tstg Tj IF IFM
VR Ptot
Rth JA
*) PC-board: FR4
Werte Values – 55 … + 100 – 55 … + 100 + 100 30 0.5
3 90
430
Einheit Unit ˚C ˚C ˚C mA A
V mW
K/W
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge Dominant wavelength
IF = 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV
LH A674
VPL06880
Typ
Type
LH A674-KM LH A674-L LH A674-M LH A674-LN
Emissionsfarbe Color of Emission
hyper-red
Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area
(2.9)
(R1)
4.2 3.8
Kathodenkennzeichnung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
GPL06880
Semiconductor Group
7
1998-11-12
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
% Ι rel
80 Vλ
60Βιβλιοθήκη OHL01698blue pure-green green yellow
orange super-red
Ι F mA
50
40
30
5 0.5
20
DC 10
10 1 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 s 101 tp
00
20 40 60 80 ˚C 100
TA
Semiconductor Group
5
1998-11-12
LH A674
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Lagertemperatur Storage temperature range
Sperrschichttemperatur Junction temperature
Durchlaßstrom Forward current
Stoßstrom Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
22
120 1.75 2.6 0.01 10 25
140 110
LH A674
Einheit Unit nm
nm
nm
Grad deg. V V µA µA pF
ns ns
Semiconductor Group
3
1998-11-12
LH A674
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA