中芯国际推出0.18μm电可擦除只读存储器工艺技术
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中芯国际推出0.18μm电可擦除只读存储器工艺技术
佚名
【期刊名称】《机电一体化》
【年(卷),期】2006(12)1
【总页数】1页(P15-15)
【关键词】可编程只读存储器;电可擦除;工艺技术;国际;0.18μm;微控制器;专用芯片设计;数字信号处理;智能模块;设计平台
【正文语种】中文
【中图分类】TN929;TP31
【相关文献】
1.电擦除可编程只读存储器及其在电卡电度表中的应用 [J], 钟炎平
2.64kB电可擦除只读存储器研究与设计 [J], 杜支华;陶宇峰;王晓玲;陈芳
3.DS2430A 256位一线电可擦除只读存储器 [J], 刘江一;李刚
4.中芯国际采用安捷伦EDA软件——中芯国际增加新的ADS设计套件安捷伦EDA软件入选中芯国际0．18μm CMOS工艺 [J],
5.中芯国际发布0．18微米电可擦除只读存储器工艺技术及智能模块设计平台 [J],因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。