2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计(英文)
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2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计(英文)
张海清;章倩苓
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2003(24)11
【摘要】用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字 CMOS工艺设计了一个全集成的 2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件 1/ f噪声的影响 .为了减少高频噪声的影响 ,采用了在片 L C滤波技术 .可变电容采用增强型 MOS可变电容 ,取得了 2 3%的频率调节范围 .采用单个 16边形的对称片上螺旋电感 ,并在电感下加接地屏蔽层 ,从而减少芯片面积 ,优化 Q值 .取得了在离中心频率 1MHz处 - 118d Bc/ Hz的相位噪声性能 .电源电压为 3.3V时的功耗为 4 m A.
【总页数】5页(P1154-1158)
【关键词】2.5GHz;LC;VC0;相位噪声;增强型可变电容;片上集成螺旋电感
【作者】张海清;章倩苓
【作者单位】复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN753.9
【相关文献】
1.CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计 [J], 李智群;王志功;张立国;徐勇
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