《半导体物理学》习题库
半导体物理课后习题
半导体物理学课后习题第一章 半导体的电子状态1. [能带结构计算]设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量)(k E c 和价带极大值附近能量)(k E v 分别为()()02120223m k k m k k E c -+= ()022021236m k m k k E v -= 式中，0m 为电子惯性质量，a k /1π=，nm a 314.0=。
试求： ① 禁带宽度；② 导带底电子有效质量； ③ 价带顶电子有效质量；④ 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
解：①先找极值点位置()023201202=-+=m k k m k dk dE c 得出，当143k k =时，0212(min)4m k E c =同理由0=dk dE v 得当0=k 时，0212(max)6m k E v = 所以禁带宽度0212(max)(min)12m k E E E v c g =-==0.636eV ②830222*m dk E d m c nc== ③60222*m dk E d m v nv-==④由①可知，准动量的变化为)(109.7834301291--⋅⋅⨯-=-=⨯-⨯=∆=-=∆s m kg ahk k P P P c v2. [能带动力学相关]晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107V/m 的电场时，试分别计算电子能带底运动到能带顶所需要的时间。
解：设晶格常数为a ，则电子从能带底到能带顶过程中准动量的变化为ak π=∆，因为dt dk qE f==，所以qEdt dk =所以所需要的时间为：E =∙∆=∆=∆qa qE k dtdk k t π，当m V /102=E 时，s t 81028.8-⨯=∆ 当m V /107=E 时，s t 131028.8-⨯=∆第二章 半导体中杂质和缺陷能级1. [半导体、杂质概念]实际半导体与理想半导体的主要区别是什么？ 解：杂质和缺陷的存在是实际半导体和理想半导体的主要区别。
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。
A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。
A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。
A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。
A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。
答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。
答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。
答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。
答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。
答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。
掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。
2. 描述PN结的工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。
在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。
由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。
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一.填空题1.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的的作用。
（二阶导数.内部势场）2.半导体导带中的电子浓度取决于导带的（即量子态按能量如何分布）和（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。
（状态密度.费米分布函数）3.两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带电.达到热平衡后两者的费米能级。
（正.相等）4.半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于半导体。
（[100].间接带隙）5.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为;形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为。
（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷）6.在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为.高于费米能级2kT能级处的占据概率为。
（1/2.1/1+exp（2））7.从能带角度来看.锗、硅属于半导体.而砷化稼属于半导体.后者有利于光子的吸收和发射。
（间接带隙.直接带隙）8.通常把服从的电子系统称为非简并性系统.服从的电子系统称为简并性系统。
（玻尔兹曼分布.费米分布）9.对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于的大小。
（温度.禁带宽度）10.半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于结构；与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成和纤锌矿等两种晶格结构。
（金刚石.闪锌矿）11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为禁带半导体.否则称为禁带半导体。
（直接.间接）12.半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有、、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
（电离杂质的散射.晶格振动的散射）13.半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类：的直接复合和通过禁带内的进行复合。
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半导体物理学题库半导体物理学是研究半导体材料物理性质和内部微观过程的学科，它对于现代电子技术的发展起着至关重要的作用。
为了帮助大家更好地学习和掌握这门学科，我们精心整理了一份半导体物理学题库。
一、选择题1、以下哪种材料不是常见的半导体？（）A 硅B 锗C 铜D 砷化镓答案：C解析：铜是导体，不是半导体。
硅、锗和砷化镓都是常见的半导体材料。
2、半导体中载流子的主要类型有（）A 电子和空穴B 正离子和负离子C 质子和中子D 原子和分子答案：A解析：在半导体中，参与导电的载流子主要是电子和空穴。
3、本征半导体的电导率主要取决于（）A 温度B 杂质浓度C 晶体结构D 外加电场答案：A解析：本征半导体的电导率主要由温度决定，温度升高，本征激发增强，载流子浓度增加，电导率增大。
4、施主杂质在半导体中提供（）A 电子B 空穴C 电子和空穴D 既不提供电子也不提供空穴答案：A解析：施主杂质能够释放电子，从而增加半导体中的电子浓度。
5、受主杂质在半导体中提供（）A 电子B 空穴C 电子和空穴D 既不提供电子也不提供空穴答案：B解析：受主杂质能够接受电子，从而增加半导体中的空穴浓度。
二、填空题1、半导体的能带结构中，导带和价带之间的能量间隔称为________。
答案：禁带宽度2、常见的半导体晶体结构有________、＿_______和________。
答案：金刚石结构、闪锌矿结构、纤锌矿结构3、本征半导体中，电子浓度和空穴浓度的乘积是一个________。
答案：常数4、半导体中的扩散电流是由________引起的。
答案：载流子浓度梯度5、当半导体处于热平衡状态时，费米能级的位置在________。
答案：禁带中央附近三、简答题1、简述半导体的导电机制。
答：半导体的导电机制主要依靠电子和空穴两种载流子。
在本征半导体中，温度升高时，价带中的电子获得能量跃迁到导带，形成电子空穴对，从而产生导电能力。
在外加电场作用下，电子和空穴分别向相反的方向移动，形成电流。
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《半导体物理学》习题库完整第1章思考题和习题1. 300K时硅的晶格常数a=5.43?，求每个晶胞所含的完整原⼦数和原⼦密度为多少？2. 综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。
3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。
4. 以硅为例，简述半导体能带的形成过程。
5. 证明本征半导体的本征费⽶能级E i位于禁带中央。
6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。
7. 室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,κT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV，如果忽略禁带宽度随温度的变化，求：（a）计算77K、300K、473K 3个温度下的本征载流⼦浓度。
（b） 300K本征硅电⼦和空⽳的迁移率分别为1450cm2/V·s和500cm2/V·s，计算本征硅的电阻率是多少？8. 某硅棒掺有浓度分别为1016/cm3和1018/cm3的磷，求室温下的载流⼦浓度及费⽶能级E FN的位置（分别从导带底和本征费⽶能级算起）。
9. 某硅棒掺有浓度分别为1015/cm3和1017/cm3的硼，求室温下的载流⼦浓度及费⽶能级E FP的位置（分别从价带顶和本征费⽶能级算起）。
10. 求室温下掺磷为1017/cm3的N+型硅的电阻率与电导率。
11. 掺有浓度为3×1016cm-3的硼原⼦的硅，室温下计算：（a）光注⼊△n=△p=3×1012cm-3的⾮平衡载流⼦，是否为⼩注⼊？为什么？（b）附加光电导率△σ为多少？（c）画出光注⼊下的准费⽶能级E’FN和E’FP(E i为参考)的位置⽰意图。
（d）画出平衡下的能带图，标出E C、E V、E FP、E i能级的位置，在此基础上再画出光注⼊时，E FP’和E FN’，并说明偏离E FP的程度是不同的。
12. 室温下施主杂质浓度N D=4×1015 cm-3的N型半导体，测得载流⼦迁移率µn=1050cm2/V·s，µp=400 cm2/V·s,κT/q=0.026V,求相应的扩散系数和扩散长度为多少？第2章思考题和习题1．简述ＰＮ结空间电荷区的形成过程和动态平衡过程。
半导体物理 习题
解:
由题意：T=300K，μn＝1450cm2/V· S，μp＝500 cm2/V· S
则
=1.5×1010×1.602×10-19×(1450+500)=4.68×10-6S/cm 掺入As 浓度为 杂质全部电离 n0=ND=5.0×1016 p0=ni2/n0=4.5×103<<n0 依题意，此时un=900cm2/V· S 所以 =5×1016×1.602×10-19×900=7.2S/cm =7.2/(4.68×10-6)=1.54×106
所以，300k时，
0.67 1.6 10 19 nT 300 (1.05 10 5.7 10 ) exp( ) 2 1.38 10 23 300 1.96 1013 cm 3
19 18
0.76 1.6 10 19 nT 77 (1.365 10 7.4110 ) exp( ) 23 2 1.38 10 77 1.094 107 cm 3
解：
练习1
第三章 半导体中载流子的统计分布
设二维正方各自的晶格常数为a，若电子能量可表示为
E (k )
2 * 2 2 2 mn ( k x k y )
试求能态密度。
解：能量为E的等能面方程式 可以写成： 圆的半径
k k
2 x 2 y
2
* 2mn E
* 2 mn E
2
R(
* 2 mn E 1/ 2 ， 2
解: 须先求出本征载流子浓度ni，即
代入数据得，ni=1.86 ×1013cm-3 根据电中性条件有 p0+ND+=n0+NA-
ni
q( n p )
i
半导体物理练习题（ＰＤＦ）
b） 结的耗尽区宽度主要在 N 型侧 c）流过 结的反向电流成分中没有复合电流 d）降低 N 区的掺杂浓度可以提高 结的反向击穿电压 4. 下面四块半导体硅单晶，除掺杂浓度不同外，其余条件均相同，由下面给出的数 据可知：电阻率最大的是（ ），电阻率最小的是（ ）
a）
b）
，
c）
d）
5. 下列叙述正确的是（ ） a）非平衡载流子在电场作用下，在寿命 时间内所漂移的距离叫牵引长度 b）非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离称为扩散长度 c）使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量叫电子亲和
A.禁带中心能级 Ei
B.施主或受主能级
C.费米能级 EF
10.对于某 n 型半导体构成的金－半阻挡层接触，加上正向电压时，随着电压增加，
阻挡层的厚度将逐渐（）。
A. 变宽
B. 不变
C. 变窄
综合练习题三
一、单项选择题（总分 16 分，每小题 2 分）
1. 若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（ ）
1. 关于霍耳效应，下列叙述正确的是（ ）。
a）n 型半导体的霍耳系数总是负值。 b）p 型半导体的霍耳系数可以是正值，零或负值。
c）利用霍耳效应可以判断半导体的导电类型。 d）霍耳电压与样品形状有关。 2. 下列（ ）不属于热电效应。
a）塞贝克效应 b）帕耳帖效应
c）汤姆逊效应 d）帕斯托效应
3. 半导体 pn 结激光的发射，必须满足的条件是（ a）形成粒子数分布反转
a） 不含施主杂质
b）不含受主杂质
c）本征半导体
d）处于绝对零度
2. 半导体中载流子扩散系数的大小决定于其中的（ ）
a） 散射机构
b） 能带结构
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半导体物理学题库Prepared on 21 November 2021一．填空题1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________，引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。
（二阶导数，内部势场）2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和_________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。
（状态密度，费米分布函数）3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电，达到热平衡后两者的费米能级________。
（正，相等）4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于_________半导体。
（[100]，间接带隙）5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。
（弗仑克耳缺陷，肖特基缺陷）6．在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________，高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。
（1/2，1/1+exp(2)）7．从能带角度来看，锗、硅属于_________半导体，而砷化稼属于_________半导体，后者有利于光子的吸收和发射。
（间接带隙，直接带隙）8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统，服从_________的电子系统称为简并性系统。
（玻尔兹曼分布，费米分布）9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。
（温度，禁带宽度）10. 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。
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6． 在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级 2kT 能级处的占据概率为_________。（1/2.1/1+exp(2)）
A. exp(− ED − Ec ) B. exp(− Ec − ED ) C. exp(− Ec − EF ) D. exp(− EF − Ec )
k0T
k0T
k0T
k0T
13. 如在半导体中以长声学波为主要散射机构是.电子的迁移率 n 与温度的（ B ）。
A. 平方成正比 C. 平方成反比
B. 3 次方成反比 2
（ A ）。
A. 1/n0
B. 1/ △ n
C.
1/p0
D. 1/△p
6. 在 Si 材料中掺入 P.则引入的杂质能级（ B ） A. 在禁带中线处 B. 靠近导带底 C. 靠近价带顶 D. 以上都不是
7．公式 = q / m* 中的τ是半导体载流子的（ C ）。
A. 迁移时间 C. 平均自由时间
B. 寿命 D. 扩散时间
8. 对于一定的 n 型半导体材料.温度一定时.减少掺杂浓度.将导致（ D
A. Ec
B. Ev
C. Eg
D. EF
）靠近 Ei。
9. 在晶体硅中掺Leabharlann 元素（A. 锗B. 磷
B ）杂质后.能形成 N 型半导体。
C. 硼
D. 锡
.
.
2
学海无涯
10. 对大注入条件下.在一定的温度下.非平衡载流子的寿命与（ D ）。
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。
A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。
A、电子和空穴B、空穴C、电子3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。
A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。
A、受主B、深C、浅D、复合中心E、陷阱5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。
A、相同B、不同C、无关6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。
A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变大，变大。
7、砷有效的陷阱中心位置(B )A、靠近禁带中央B、靠近费米能级8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、等于09、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。
A、多子积累B、多子耗尽C、少子反型D、平带状态10、金属和半导体接触分为：( B )。
A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。
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《半导体物理学》习题库《半导体物理学》习题库它们之间的异同7。
ICBO、IEBO和ICEO的逆流是如何定义的？写出iceo和icbo的关系并讨论。
8。
如何定义反向击穿电压bucbo、buceo、buebo？写下布奇奥和布奇博之间的关系，并进行讨论。
9.高频时晶体管电流放大系数降低的原因是什么？10。
描述晶体管的主要频率参数是什么？它们各自的含义是什么？11.影响特征频率的因素有哪些？如何描述频率ft？12。
绘制晶体管共基极高频等效电路图和共发射极高频等效电路图13.大电流下晶体管β 0和傅立叶变换减小的主要原因是什么？14。
简述了大注入效应、基极扩展效应和发射极电流边缘效应的机理15。
晶体管最大耗散功率是多少？这与什么因素有关？如何降低晶体管热阻？16。
画出晶体管的开关波形，表示延迟时间τd、上升时间tr、存储时间ts和下降时间tf，并解释其物理意义17。
解释晶体管的饱和状态、关断状态、临界饱和和深度饱和的物理意义18。
以NPN硅平面为例，当发射极结正向偏置而集电极结反向偏置时，从发射极进入的电子流分别用晶体管的发射极区、发射极结势垒区、基极区、集电极结势垒区和集电极区的传输过程中哪种运动形式(扩散或漂移)占主导地位来解释619。
尝试比较fα、fβ和ft的相对大小20。
画出晶体管饱和状态下的载流子分布，并简要描述过剩储存电荷的消失过程21。
画出普通晶体门的基本结构图，简述其基本工作原理22.有一种低频低功率合金晶体管，它使用N型锗作为衬底，电阻率为1.5？通过燃烧铟合金制备发射极区和集电极区。
两个区域的掺杂浓度约为3×1018/cm3，ro (Wb=50？m，Lne=5？m)23。
一个对称的P+NP+锗合金管，其底部宽度为5？基区杂质浓度为5×1015cm-3，基区腔寿命为10？秒(AE=AC=10-3cm2)计算UEB = 0.26伏和UCB =-50伏时的基极电流IB？得到了上述条件下的α0和β0(r0≈1)。
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《半导体物理学》2014年一、选择题1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。
A. 金刚石型和直接禁带型B. 闪锌矿型和直接禁带型C. 金刚石型和间接禁带型D. 闪锌矿型和间接禁带型2、简并半导体是指（ A ）的半导体。
A、(E C-E F)或(E F-E V)≤0B、(E C-E F)或(E F-E V)≥0C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（ B ）半导体A. 本征B. n型，C. p型4、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ D ）。
A. 施主B. 受主C.复合中心D.两性杂质5、一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。
A.1/4 ；B.1/e ；C.1/e2；D.1/26、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（ A ）移动.A.Ev ；B.Ec ；C.Ei；D. E F7、把磷化镓在氮气中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（ D ）。
A.改变禁带宽度；B.产生复合中心；C.产生空穴陷阱；D.产生等电子陷阱。
8、对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（ C ）。
A.非平衡载流子浓度成正比；B.平衡载流子浓度成正比；C.非平衡载流子浓度成反比；D.平衡载流子浓度成反比。
9、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ B ）。
A.变大，变小；B.变小，变大；C.变小，变小；D.变大，变大。
10、在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（ A ）。
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22.锗的晶格结构和能带结构分别是（C）。
A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型
23.如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（D）。
A.施主B.复合中心C.陷阱D.两性杂质
A.变大，变小B.变小，变大C.变小，变小D.变大，变大
20.与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（A）。
A.比半导体的大B.比半导体的小
C.与半导体的相等D.不确定
21.一般半导体它的价带顶位于_________，而导带底位于_________。（D）
A.波矢k=0或附近，波矢k≠0B.波矢k≠0，波矢k=0或附近
7．从能带角度来看，锗、硅属于_________半导体，而砷化稼属于_________半导体，后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙，直接带隙）
8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统，服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布，费米分布）
9.对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度，禁带宽度）
俘获电子：和导带电子浓度和空穴复合中心浓度有关。
发射电子：和复合中心能级上的电子浓度。
俘获空穴：和复合中心能级上的电子浓度和价带空穴浓度有关。
发射空穴：和空的复合中心浓度有关。
5．漂移运动和扩散运动有什么不同？两者之间有什么联系？
答：漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动，而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定向运动。前者的推动力是外电场，后者的推动力则是载流子的分布引起的。
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。
A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。
A、电子和空穴B、空穴C、电子3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。
A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。
A、受主B、深C、浅D、复合中心E、陷阱5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。
A、相同B、不同C、无关6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。
A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变大，变大。
7、砷有效的陷阱中心位置(B )A、靠近禁带中央B、靠近费米能级8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、等于09、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。
A、多子积累B、多子耗尽C、少子反型D、平带状态10、金属和半导体接触分为：( B )。
A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。
《半导体物理学》试题与及答案
练习1-课后习题7
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
锑化铟的禁带宽度E g = 0.18 e V ，相对介电常数 εr = 17 ，电子的 有效质量mn∗ = 0.015 m0， m 0为电子的惯性质量，求 ⅰ）施主杂质的电离能， ⅱ）施主的弱束缚电子基态轨道半径。
解：
练习2
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
)
得，Ei
EF
k0T ln
p0 ni
代入数据，计算得 Si1 Ei-EF=0.37eV,即p型半导体的EF在禁带中线下0.37eV处； Si2 Ei-EF=0，位于禁带中心位置 Si3 Ei-EF=0.35eV， 在禁带中线上0.35eV处。
作业-课后习题14
第三章 半导体中载流子的统计分布
1、Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge晶体中为（ ）能级杂质。
（浅）
2、受主杂质向价带提供（）成为（）电中心。
（空穴；负）
3、杂质处于两种状态：（ ）和（
）。
4、空位表现为（
（束缚态/中性态；离化态） ）作用，间隙原子表现为（ ）作用。
（受主；施主）
5、以Si在GaAs中的行为为例，说明Ⅳ族杂质在Ⅲ—Ⅴ化合物中可能出现 的双性行为。
p0=NA-ND=2×1015cm-3 n0=ni2/p0=1.125×105cm-3 NA>ND,
电中性条件：NA=ND+p0, 所以，电中性方程：NA=ND+NVexp[(EV-EF)/KT] 即， EF=Ev-KTln[(NA-ND)/NV] =Ev-KTln[p0/NV]
代入数据，可得EF-EV=0.224eV，即费米能级在价带顶上0.224eV处
解:
(1) 根据载流子浓度乘积公式：n0p0=ni2可以求出n0=ni2/p0
半导体物理学题库
一、选择题1、下列截图中哪项是硅的能带图 【 】A B C D2、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为 【 】A. 变化量B.常数C. 受主杂质浓度D. 施主杂质浓度 3、公式*/m q τμ=中的τ是半导体载流子的 【 】A. 迁移时间B. 寿命C. 平均自由时间D. 漂移时间4、在下列半导体中，费米能级最高的是 【 】A. 强P 型B. 弱P 型C. 强N 型D. 弱N 型5、用来描述载流子在电场中做漂移运动难以程度的物理量是 【 】A. 电导率B. 迁移率C. 产生率D. 复合率6、晶体内部结构的周期性意味着对于不同原胞的对应点，晶体的电子势能函数 【 】A. 相同B. 局部相同C. 不同D. 无法确定7、选出下列不同于其他三项的一项 【 】A. 空间电荷区B. 势垒区C. 耗尽区D. 中性区8、下面哪项对温度不敏感 【 】A. 扩散电流B. 产生电流C. 复合电流D. 隧道电流9、实际太阳电池中的分流电阻来源于 【 】A. 体电阻B. 接触电阻C. 薄层电阻D. 漏电流10、被誉为第三代半导体材料的是 【 】A. GaAsB. SiC. GeD. GaN11、能带理论指出，如果一个晶体具有不满的能带存在，则该晶体具有 【 】A. 导电性B.绝缘性C. 超导特性D. 半导体特性12、从下面的能带图我们可以断定此半导体为 【 】A. 非本征半导体B. 简并半导体C. N 型半导体D. P 型半导体（第2题图）13、电离杂质散射随着温度的降低和杂质浓度的增加，散射概率【】A. 减小B. 增大C.先增后减D.先减后增14、当PN结处于热平衡状态时，PN结内部下列哪项会相等【】A.电子浓度B. 空穴浓度C. 载流子浓度D. 费米能级15、载流子在运动过程中，会不断地与晶格、杂质、缺陷等发生碰撞从而改变其运动方向，即发生了【】A. 跃迁B. 偏转C. 激发D. 散射16、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为【】A. 复合中心B. 发光中心C. 陷阱D. 两性杂质17、与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量【】A. 更大B. 更小C. 相等D. 无法确定18、半导体中载流子迁移率的大小主要取决于【】A. 复合机构B. 散射机构C. 能带结构D. 晶体结构19、人眼看到的发光器件发出光的颜色所对应的波长为【】A. 峰值波长B. 长波长C. 短波长D. 主波长20、PN结正偏时不会出现的电流成分是【】A. 扩散电流B. 产生电流C. 复合电流D. 隧道电流21、下列哪项不是空穴的特征【】A. 荷正电B. 分布在导带C. 浓度表示为pD. m p*= - m n*22、关于晶体硅的叙述下列哪项不正确【】A. E g= 1.12eV（300K）B. E g有负温度系数特性C.直接能带结构D. 灰黑色二填空题1、主要由空穴导电的半导体称为半导体。
半导体物理学题库
半导体物理学题库1．固体材料可以分为晶体和非晶体两大类，它们之间的主要区别是。
2．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。
这种杂质称施主杂质；相应的半导体称 N 型半导体。
3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。
前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。
4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。
5．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末，为非简并条件；为弱简并条件；简并条件。
6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指：；7．施主杂质电离后向带释放，在材料中形成局域的电中心；受主杂质电离后带释放，在材料中形成电中心；8．半导体中浅能级杂质的主要作用是；深能级杂质所起的主要作用。
9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。
10.施主杂质电离后向半导体提供，受主杂质电离后向半导体提供，本征激发后向半导体提供。
11.对于一定的n 型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致靠近Ei 。
12.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与和有关，而与、无关。
A. 杂质浓度B. 杂质类型C. 禁带宽度D. 温度12. 指出下图各表示的是什么类型半导体？13．n o p o =n i 2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？不变；当温度变化时，n o p o 改变否？改变。
14．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p 型和强n 型材料，小注入时寿命τn 为，寿命τp 为 .15．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 qnn 0=μ ，称为爱因斯坦关系式。
半导体物理学_西安交通大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
半导体物理学_西安交通大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.在价带中越往上空穴的能量越高。
参考答案:错误2.电子占据费米能级的几率是（）（保留一位小数）参考答案:0.53.已知非平衡载流子寿命为10微秒，以激发因素消失时刻为计时起点，40微秒时非平衡载流子浓度变化为初始时刻的（）%（保留一位小数）参考答案:1.84.pn结电容分为势垒电容和（）电容。
参考答案:扩散5.为了概括半导体内部势场对电子的作用，我们引入了的概念，它将便于我们描述晶体中电子的运动状态。
参考答案:有效质量6.以下哪个物理量受温度影响不大参考答案:载流子饱和漂移速度7.扩散系数与温度有关，与掺杂浓度无关。
参考答案:错误8.以下具有耿氏效应的半导体材料是参考答案:GaAs9.半导体材料硅、锗的晶格结构是？参考答案:金刚石结构10.利用回旋共振实验测量硅的导带电子有效质量时，如果磁场沿[100]方向，可以测到几个吸收峰？参考答案:211.求解连续性方程可以获得载流子的时空分布。
参考答案:正确12.半导体的本征激发对应于以下哪个过程？参考答案:电子从价带顶跃迁到导带底13.在外加电场的作用下，半导体中导带和价带不再具有统一的费米能级。
参考答案:正确14.最有效的复合中心位于禁带中线附近。
参考答案:正确15.通过功函数差的设计，可以在实际的金半接触中形成反阻挡层从而实现欧姆接触。
参考答案:错误16.当能量远小于费米能级时，费米分布可以用玻尔兹曼分布近似。
参考答案:错误17.p型半导体的费米能级高于n型半导体的费米能级。
参考答案:错误18.随着温度的升高，多数载流子与少数载流子之间的浓度差异会减小。
参考答案:正确19.弗仑克耳缺陷属于线缺陷。
参考答案:错误20.在300 K温度下，Ge中掺入P发生了简并，此时费米能级恰好与导带底重合。
已知电离能为0.012 eV，此时杂质电离度为%（答案保留两位有效数字）参考答案:24。
半导体物理学练习题
半导体物理学练习题第⼀章半导体中的电⼦状态例1.证明:对于能带中的电⼦，K状态和-K状态的电⼦速度⼤⼩相等,⽅向相反。
即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么⽆外场时，晶体总电流等于零。
解：K状态电⼦的速度为：（1）同理，－K状态电⼦的速度则为：（2）从⼀维情况容易看出：（3）同理有：（4）（5）将式（3）（4）（5）代⼊式（2）后得：（6）利⽤（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电⼦占据某个状态的⼏率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电⼦占有k状态和-k状态的⼏率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电⼦电流相互抵消，晶体中总电流为零。
例2.已知⼀维晶体的电⼦能带可写成：式中，a为晶格常数。
试求：（1）能带的宽度；（2）能带底部和顶部电⼦的有效质量。
解：（1）由E(k)关系（1）（2）令得：当时，代⼊（2）得：对应E(k)的极⼩值。
当时，代⼊（2）得：对应E(k)的极⼤值。
根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。
故：能带宽度（3）能带底部和顶部电⼦的有效质量：习题与思考题：1 什么叫本征激发？温度越⾼，本征激发的载流⼦越多，为什么？试定性说明之。
2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
3 试指出空⽳的主要特征。
4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。
5 某⼀维晶体的电⼦能带为其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。
求：（1）能带宽度；（2）能带底和能带顶的有效质量。
6原⼦中的电⼦和晶体中电⼦受势场作⽤情况以及运动情况有何不同？原⼦中内层电⼦和外层电⼦参与共有化运动有何不同？7晶体体积的⼤⼩对能级和能带有什么影响？8描述半导体中电⼦运动为什么要引⼊“有效质量”的概念？⽤电⼦的惯性质量描述能带中电⼦运动有何局限性？9 ⼀般来说，对应于⾼能级的能带较宽，⽽禁带较窄，是否如此？为什么？10有效质量对能带的宽度有什么影响？有⼈说：“有效质量愈⼤，能量密度也愈⼤，因⽽能带愈窄。
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《半导体物理学》习题库它们之间的异同7。
ICBO、IEBO和ICEO的逆流是如何定义的？写出iceo和icbo的关系并讨论。
8。
如何定义反向击穿电压bucbo、buceo、buebo？写下布奇奥和布奇博之间的关系，并进行讨论。
9.高频时晶体管电流放大系数降低的原因是什么？10。
描述晶体管的主要频率参数是什么？它们各自的含义是什么？11.影响特征频率的因素有哪些？如何描述频率ft？12。
绘制晶体管共基极高频等效电路图和共发射极高频等效电路图13.大电流下晶体管β 0和傅立叶变换减小的主要原因是什么？14。
简述了大注入效应、基极扩展效应和发射极电流边缘效应的机理15。
晶体管最大耗散功率是多少？这与什么因素有关？如何降低晶体管热阻？16。
画出晶体管的开关波形，表示延迟时间τd、上升时间tr、存储时间ts和下降时间tf，并解释其物理意义17。
解释晶体管的饱和状态、关断状态、临界饱和和深度饱和的物理意义18。
以NPN硅平面为例，当发射极结正向偏置而集电极结反向偏置时，从发射极进入的电子流分别用晶体管的发射极区、发射极结势垒区、基极区、集电极结势垒区和集电极区的传输过程中哪种运动形式(扩散或漂移)占主导地位来解释619。
尝试比较fα、fβ和ft的相对大小20。
画出晶体管饱和状态下的载流子分布，并简要描述过剩储存电荷的消失过程21。
画出普通晶体门的基本结构图，简述其基本工作原理22.有一种低频低功率合金晶体管，它使用N型锗作为衬底，电阻率为1.5？通过燃烧铟合金制备发射极区和集电极区。
两个区域的掺杂浓度约为3×1018/cm3，ro (Wb=50？m，Lne=5？m)23。
一个对称的P+NP+锗合金管，其底部宽度为5？基区杂质浓度为5×1015cm-3，基区腔寿命为10？秒(AE=AC=10-3cm2)计算UEB = 0.26伏和UCB =-50伏时的基极电流IB？得到了上述条件下的α0和β0(r0≈1)。
24.已知γ0=0.99，BUCBO = 150V伏，Wb=18.7？m，基极区中的电子寿命ηb = 1us(如果忽略发射极结的空间电荷区复合和基极区表面复合)，找到α0、β0、β0*和BUCEO(设置Dn=35cm2/s)。
25。
NPN双扩散外延平面晶体管是已知的，集电极区电阻率ρc = 1.2ω·cm，集电极区厚度Wc=10？m，硼扩散表面浓度NBS=5×1018cm-3，结深Xjc=1.4？m分别计算集电极偏置电压为25V和2V时基极扩展效应的临界电流密度26。
已知的P+NP晶体管的发射极区杂质浓度为5×1018cm-3，基极区杂质浓度为2×1016cm-3，集电极区杂质浓度为1×1015cm-3，基极宽度Wb=1.0？当发射极结上的正向偏置电压为0.5V，集电极结上的反向偏置电压为5V时，计算如下:(1)中性基极区的宽度？(2)发射结少数载流子浓度？27.对于练习26中的晶体管，发射极区、基极区和集电极区7d中少数载流子的扩散系数分别为52cm2/s、40cm2/s和115cm2/s，相应的少数载流子寿命分别为10-8s、10-7s和10-6s。
计算晶体管的电流分量？28。
使用在练习26和练习27中获得的结果，获得晶体管的端子电流IE、IC和1B获得了晶体管的发射极效率、基极传输系数、共基极电流增益和共发射极电流增益，并讨论了如何提高发射极效率和基极传输系数。
29.判断以下两个晶体管最大电压的机制是通过:晶体管1:BuCBO = 105V；BUCEO = 96VBUEBO = 9VBUCES = 105V伏(BUCES为基极-发射极短路时的集电极-发射极击穿电压)晶体管2: BUCBO = 75伏；BUCEO = 59VBUEBO=6V30。
已知NPN晶体管共发射极电流增益低频值β0=100，电流增益|β|=60，在20兆赫兹下测量当工作频率升至400兆赫时，β下降多少？计算管道的成本？贝塔和？T31。
分别绘制了小注入和大注入下NPN晶体管的基区少子分布，并简要描述了两者的区别。
32。
硅氮磷平面晶体管的外延厚度为10μm，掺杂浓度为1015厘米-3。
当|UCB|=20V时，计算了有效基极扩展效应的临界电流密度33.当晶体管处于饱和状态时，关系式IE=IC+IB是真的吗？画出少数载流子的分布和电流传输图，并加以说明。
34。
对于具有相同几何形状、杂质分布和少数载流子寿命的硅和锗PNP和NPN晶体管，哪个晶体管具有最快的开关速度？为什么？35。
硅氮磷平面管的基本杂质是高斯分布。
发射极区表面的受主浓度为1019 cm-3，发射极结构深度为0.75μ m，集电极结深度为1.5μ m，集电极区的杂质浓度为1015 cm-3。
尝试找到最大集电极电流浓度？36。
硅晶体管的集电极区的总厚度为100微米，面积为10-4平方厘米。
当集电极电压为10V，电流为100毫安时，结温和外壳温度之间的差值是多少度(忽略其他介质的热阻)？37。
硅氮磷晶体管的平均基极杂质浓度为5×1017cm-3，基极宽度为2，发射极带宽度为12微米，β=50。
如果基极横向电压降为kT/q，计算发射极最大电流密度38。
练习37中的晶体管？t为800兆赫，工作频率为500兆赫。
如果通过发射极的电流浓度是3000安/平方厘米，发射极的有效宽度是多少？第4章提问和练习1。
当UG =0时，尝试在p衬底上绘制二氧化硅栅极金属氧化物半导体的能带图2.尝试画出理想的P型衬底MOS二极管的能带图和电荷分布图，对应不同偏置电压下拦截器的积累、耗尽和强反转3.试画二氧化硅-硅体系的电荷分布图4有什么区别。
n沟道和p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管？总结其基本工作原理5.用于制造N沟道增强型MOS管的衬底材料的电阻率和用于制造N沟道耗尽型MOS管的衬底的电阻率中的哪一个应该更高，为什么？6。
什么因素影响金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压？哪个最重要？7。
MOS场效应晶体管的输出特性曲线可以分为哪些区域？每个区域的工作状态如何？8。
9P沟道金属氧化物半导体器件的漏电流表达式由推导N沟道金属氧化物半导体器件漏电流表达式的方法导出。
9。
为什么金属氧化物半导体场效应晶体管的饱和电流没有完全饱和？10.金属氧化物半导体场效应晶体管跨导的物理意义是什么？11.如何改善金属氧化物半导体场效应晶体管的频率特性？12。
哪些因素与金属氧化物半导体场效应晶体管的开关特性有关？如何提高其切换速度？13。
短沟道效应对金属氧化物半导体场效应晶体管的特性有什么影响？14。
已知p沟道金属氧化物半导体器件的衬底杂质浓度nd为5× 1015 cm-3，栅氧化层厚度tox为100 nm，栅电极材料为金属铝，器件的测量值电压Ug=-2.5V尝试计算正电荷密度QOX在二氧化硅中；如果加上衬底偏置电压UBS=10V，电压漂移值是多少？当UBS分别为0V和10V时，计算最大耗尽层宽度？15。
已知n沟道金属氧化物半导体器件的衬底杂质浓度na为5× 1015 cm-3，栅极为金属铝，栅极氧化物厚度tox为150 nm，二氧化硅中的正电荷密度qox为1× 1022 q/cm2 (q为电子电荷)。
试着找出试管的阈值电压。
并解释它是耗尽还是增强。
16。
如果UT=0V，UGS=4V，IDS=3mA对于一个金属氧化物半导体场效应晶体管，金属氧化物半导体晶体管在饱和区工作吗？为什么？17。
在掺杂浓度为1015厘米-3P的硅衬底上制作了两个N沟道金属氧化物半导体晶体管。
栅极二氧化硅层的厚度分别为100纳米和200纳米。
如果UGS-UFB=15V，UDS是多少，漏极电流达到饱和？18。
众所周知，n沟道金属氧化物半导体器件具有以下参数:na = 1×1016 cm-3，μn = 500 cm2/v·s，tox = 150 nm，l = 4μ m，沟道宽度w = 100μ m，ut = 0.5第1章，试题和练习| a=5.43，硅在1991.300k？每个晶胞中包含的原子总数和密度是多少？2。
概述了半导体材料的基本特性以及硅和GaAs的晶格结构和特性。
3.画出绝缘体、半导体和导体的简化能带图，并给出它们的导电特性的定性解释4。
以硅为例，简述了半导体能带的形成过程。
5。
证明了本征半导体的本征费米能级Ei位于禁带中心。
6.简要描述迁移率和扩散长度的物理意义7。
室温下有效态密度Nc=2.8×1019cm-3，κT=0.026eV，禁带宽度Eg=1.12eV。
如果忽略禁带宽度随温度的变化，则找到(a)来计算77K、300K和473k下的本征载流子浓度300 K本征硅的电子和空穴迁移率分别为1450 cm2/V·s和500 cm2/V·s。
计算出的本征硅电阻率是多少？8。
硅棒分别掺杂有浓度为1016/cm3和1018/cm3的磷。
计算室温下的载流子浓度和费米能级EFN的位置(分别从导带底部和本征费米能级计算)。
9.硅棒分别掺杂有浓度为1015/cm3和1017/cm3的硼。
计算室温下的载流子浓度和费米能级EFP的位置(分别从价带顶部和本征费米能级计算)。
10.计算室温下掺入1017/cm3磷的N+型硅的电阻率和电导率11.掺硼浓度为3×1016cm-3的硅，室温下计算:(a)光注入△n=△p=3×1012 cm-3是小注入吗？为什么？1(b)的附加光学电导率△σ是多少？(c)画出准费米能级在光注入下的位置示意图(d)绘制了平衡状态下的能带图，标记了电子能谱、电子伏特、电子荧光强度和电子能量指数的位置，并在此基础上绘制了光注入时的电子荧光强度和EFN，并解释了与电子荧光强度的偏离程度不同。
12。
对于室温下施主杂质浓度ND=4×1015 cm-3的N型半导体，测量了载流子迁移率μN = 1050 cm2/V·s，μp = 400 cm2/V·s，κ t/q = 0.026 V。
相应的扩散系数和扩散长度是多少？第2章思考问题和练习1。
简述PN结空间电荷区的形成过程和动态平衡过程2。
绘制并比较平衡PN结、正向PN结和反向PN结的能带图3。
如图2-69所示，当向前方向的注入很小时，尝试分析5个区域中的电子和空穴的运动4。
仍然如图2-69所示，当PN结被反向偏置时，尝试分析电子和空穴在5个区域中的运动。
5试画正负PN结少数载流子浓度分布示意图，写出边界少数载流子浓度和少数载流子浓度的分布，并进行比较6。
通过平衡PN结的净孔等于零，导出了突变结的接触电动势差UD表达式。
7。
正反向PN结电流转换和传输机制简介8。