模电课件第10章

➢VDD作用: ▪保证工作在恒流区 ▪提供能源
U GS U DS UGS(th) U DS U GS U GS(th)
1. 基本共源放大电路
➢ Q点的计算(I)—图解法 输入回路: UGSQ=VGG (栅-源间绝缘) 输出回路: 负载线 uDS=VDD-iDRd 与输出特性曲线(UGS=VGG) 交点
T
直流通路
交流通路
➢ 发射极在输入回路,集电极在 为输出回路
2. 静态工作点的计算
e
c
b
I EQ
VBB
U BEQ Re
I BQ
I EQ
1
UCEQ UCBQ U BEQ VCC ICQ Rc U BEQ
3. 动态分析 (求电压放大倍数, 输入电阻与输出电阻)
交流等 效电路
Au
Uo Ui
DSS
(1
U
uGS
GS (off
)
)2
恒流区电流方程
iD
I
DO
( uGS UGS (th)
1) 2
关键电压:夹断电压
以N沟道结型场效应管为例,三种接法的交流通路见下图
共源电路
共漏电路
共栅电路
1. 基本共源放大电路
➢工作区: 恒流区
➢工作条件: VGS>UGS(th) UGD<UGS(th)
N沟道增强型MOS管
IbRc
1 IbRe Ibrbe
Rc
1 Re rbe
Ri
Ui Ii
Ui Ie
1 IbRe Ibrbe 1 Ib
Re
rbe
1
Ro Rc
注:等效电路的电流方向与书中(P114)不同
4. 共基放大电路结论
Au
1
Rc
Re
rbe
Ri
Re
rbe
1
Ro Rc
➢ 无电流放大能力, 而当Re=0时, 有电压放大能力,与阻容耦合 共射放大电路的数值相同, 从而可实现功率放大 ➢ 与共射电路相比, 输入电阻小,而输出电阻相同 ➢ 用途: 频率响应好, 频带宽, 用于无线电通讯
2∞.和7电R路L＝如3k图ΩP时2.的7所Q示点，、A晶u 、体R管i 和的Ro＝。80，rbb=' 100Ω.分别计算RL＝
I BQ
VCC
U BEQ Rb
U BEQ RS
22 μ A
ICQ IBQ 1.76mA
rbe
rbb'
(1
)
26mV I EQ
1.3k
空载时:
U CEQ VCC I CQ Rc 6.2V
A u
Rc
rbe
308
Ri Rb ∥rbe rbe 1.3k
Ro Rc 5k
RL＝3kΩ时:
U CEQ
RL Rc RL
VCC
I CQ (Rc
∥ RL )
2.3V
A u
RL'
rbe
115
Ri Rb ∥rbe rbe 1.3k
Ro Rc 5k
❖2.5.1 基本共集放大电路 ❖2.5.2 基本共基放大电路 ❖2.5.3 三种接法的比较
交流等 效电路
Au
Uo Ui
Ib
Rb
(1 )IbRe
rbe (1 )IbRe
1
共集电路无电压放大能力,但能放大电流, 仍有功率放大作用
3. 动态分析 (求电压放大倍数, 输入电阻与输出电阻)
交流等 效电路
Ri
Ui Ii
Rb
rbe
1 Re
与共射电路相比, 共集电路的输入电阻要大的多
1. 电路组成
直流通路
交流通路
➢ 输出电压从发射极获得, 也称 为射极输出器
2. 静态工作点的计算 ▪ 输入回路
IBQ
VBB U BEQ
Rb 1 Re
▪ 晶体管方程 IEQ 1 IBQ
▪ 输出回路
UCEQ VCC I EQ Re
3. 动态分析 (求电压放大倍数, 输入电阻与输出电阻)
共射电路
共集电路
共基电路
电压(流) 较大的电压(流) 电压放大倍数接近 电压放大倍数与 放大倍数 放大倍数 1,有电压跟随性质 共射电路差不多
输入(出) 电阻
输入(出) 电阻适中
输入电阻最大 输出电阻最小
输入电阻小
应用
低频放大电路 的输入级,中间
级,输出级
放大电路的输入级, 功率输出级
频率特性好,用于 宽频带放大器
Uo Io
Re
//
Rb rbe
1
通常输出电阻小到几十欧
4. 共集放大电路结论
➢ 共集电路的电压放大放大倍数近似为1 ➢ 与共射电路相比, 输入电阻 , 说明从信号源索取的电流小 ➢ 与共射电路相比, 输出电阻 , 说明带载能力强 ➢ 用途: 多级放大电路的输入级(输出级), 或连接电路
1. 电路组成
共射电路输入电阻 :
Ri
Ui Ii
Rb
rbe
共射放大电路的动态分析：
Ri
Ui Ii
Rb
rbe
Au
Uo Ui
Rc
Rb rbe
3. 动态分析 (求电压放大倍数, 输入电阻与输出电阻)
求输出 电阻
Io IRe Ie
IRe Uo Re
Ie 1 Ib
Ib
Uo Rb rbe
Ro
➢ FET与Leabharlann BaiduJT一样能实现信号的控制,所以也能组成放大电路. 常用做高输入阻抗放大器的输入级 ➢ 与晶体管电路接法相似,场效应管电路接法有三种: 共源,共 漏, 共栅放大电路 ➢ 本书重点介绍共源, 共漏两种放大电路
回顾场效应管相关知识 结型
增强型 MOS管
耗尽型 MOS管
恒流区电流方程
iD
I
➢ Q点的计算(II)—公式法 利用场效应管的电流方法求IDQ
I DQ
I DO
UGSQ UGS (th)
2 1
U DSQ VDD I DQ Rd
(UGSQ VGG )