总结 近代材料研究方法-浙江大学研究生课件
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¾图谱信息的产生机理¾仪器构成及特点
¾实际应用
1、图谱解读
2、研究方案设计
俄歇电子谱（AES）
¾俄歇电子的产生机制及其能量特征
¾AES的定性、定量以及化学状态分析
¾AES的点分析、线扫描、面扫描以及深度分析
俄歇电子能量（谱峰位置）：定性分析和化学状态分析俄歇电子数目（谱峰强度）：定量分析
6570758085
9095
俄歇动能 / eV 计数 / 任意单位纯 Si 88.5 eV
SiO 2
72.5 eV 样品表面
Si 基底界面 A
界面 B
低能电子衍射（LEED）
¾衍射图案是如何产生的？
¾用LEED能研究什么？
1λO′
设实际晶格位于O，以O为球心，为半径作一球面。以矢量的终点为二维倒易晶格的原点，画出二维倒易晶格点阵。通过各倒易晶格点作垂线垂直于倒易晶格平面。这些垂线与球面的交点预示着衍射的方向，衍射方向从O点指向交点。
因为衍射方向决定于倒易晶格垂线与反射球的交点，若样品处于荧光屏的球心，则荧光屏上LEED图案是二维倒易晶格的投影。
当入射电子能量改变时，电子波长发生变化，LEED图案随之变化。当电子能量变大时，衍射点之间距离变小，而(00)位置是不变的，这个规律可以用来判断那个斑点是(00)点，并且可以判断原电子束是否垂直入射。
b a b *
a *
b a b *
a *
b a b *a *正方长方长方面心
（菱形）
六角
平行四边形
b
a
b*
a*
120o60o
b
a
b*
a*
θ
180o－θ
a s=3a a s*=a*/3
b*b a*
a
**
2s a a =2s a a
=