盲孔之填孔技术分析解析28页PPT
盲埋孔技术
b.L1L5- 盲孔电镀: b.L1-2 & L5-6盲孔电镀: 根据lot卡及MI要求,选择电镀盲孔方法( lot卡及MI要求 根据lot卡及MI要求,选择电镀盲孔方法(lot 卡及MI会指明),根据板厚及盲孔孔径一般有 卡及MI会指明),根据板厚及盲孔孔径一般有 MI会指明),根据板厚及盲孔孔径 三种方法可选择: 三种方法可选择: - L1-2 & L5-6全铜面与盲孔一起板电. L1L5- 全铜面与盲孔一起板电. L1,L6面贴膜 整面干膜曝光(不用菲林), 面贴膜, - L1,L6面贴膜,整面干膜曝光(不用菲林), L2,L5大铜面与盲孔一起板电 大铜面与盲孔一起板电. L2,L5大铜面与盲孔一起板电. L1,L6贴干膜 用盲孔开窗点菲林曝光, 贴干膜, - L1,L6贴干膜,用盲孔开窗点菲林曝光,冲 影后,L2,L5大铜面与盲孔一起板电 大铜面与盲孔一起板电. 影后,L2,L5大铜面与盲孔一起板电.
一.常见主要类型盲/埋孔板 常见主要类型盲/
1. 一次盲孔板(所有盲孔层只需同时经过一次 一次盲孔板( 钻盲孔→沉铜→电镀盲孔” “钻盲孔→沉铜→电镀盲孔”流程即可完成 盲孔制作). 盲孔制作).
4L
6L
6L
二次盲孔板(需经过两次“钻盲孔→沉铜→ 2. 二次盲孔板(需经过两次“钻盲孔→沉铜→ 电镀盲孔”流程才可以完成盲孔制作). 电镀盲孔”流程才可以完成盲孔制作).
(3).流程解析: (3).流程解析: 流程解析 a.钻L1-2&L7- 盲孔: a.钻L1-2&L7-8盲孔: L1-2&L7- 盲孔钻带须加补偿. - L1-2&L7-8盲孔钻带须加补偿. 板边须有层数标志. - 板边须有层数标志. b.L1-2&L7-8盲孔电镀: b.L1-2&L7- 盲孔电镀: 与正常图电要求可能不一样,须依lot lot卡 - 与正常图电要求可能不一样,须依lot卡 MI要求做 要求做. 及MI要求做.
全面盲孔之填孔技术.ppt
课件
光剂分解物对填孔的影响
在生产过程中，光泽剂分解后会在槽液中不断 的累积，使得填孔能力不断的下降；
停机过程中产生的化学分解； 操作过程中产生的电化学的分解； 通常有机副产物多半呈钝态，不影响镀铜的效
果；但是某些光泽剂的副产物(BPU)却会在电 化反应中展现活性，影响填充电镀效果。
课件
光剂分解物对填孔的影响
课件
D/C与PPR区别
DC填孔
优点：
☺传统整流 ☺操作方便
缺点：
厚板通孔之分布力不 足
板面图形分布力差
PPR填孔
优点：
☺厚板深孔之分布较佳 ☺板面图形之分布与外 形较好 ☺经由波形调整的协助 而有较好的填孔能力
缺点：
控制参数增多 须使用PPR专用之供
电设备
课件
结论
现行填孔镀铜无论是采用DC或PPR,均已获得可 靠又稳定的效果;各种添加剂系统亦可按照客户的 需求而适当调整,使得量产的伸缩空间很大;
A
B
课件
填孔的原理
以直流方式加速盲孔内镀铜而使之填平， 其主要机理是得自有机添加剂的参与；
电镀过程中，刻意让孔内的光泽剂(加速镀 铜者)浓度增加，让板面之光泽剂浓度减少， 如此将使得孔内铜厚超过面铜，凹陷区域 得以填平；
课件
填孔的原理
运载剂： 主要是聚氧烷基式大分子量式化合
物，协同氯离子一起吸附在阴极表 面高电流区，降低镀铜速率. 光泽剂： 主要是含硫的小分子量化合物,吸附 在阴极表面低电流区，可排挤掉已 附着的运载剂,而加速镀层的沉积. 整平剂： 主要是含氮的杂环类或非杂环类芳 香族化学品,可在突出点高电流区赶 走已着落的光泽剂粒子,从而压抑该 区之快速镀铜,使得全板面铜厚更为 均匀.
盲孔之填孔技术流程 PPT
化学铜对填孔的影响
化学铜面氧化也会对填孔不利，为了清楚明了 此种影响起见，刻意将完成化铜的盲孔板，先 放在120℃的烤箱里烘烤5H,之后进行填孔镀铜 到0.2mil时，取出试镀板检查盲孔底部镀铜层 向上填起的效果，结果全无填镀的出现；
填孔前的板子存放时间与环境也对填孔能力有 很大的影响，研究者刻意将待填孔板存放在未 做温湿度管控的环境下3周，发现此种老化板 比完全相同的全新板，在填孔能力方面的确相 差很多。
困难度也随之增加;
填孔填孔最佳参数
D/C填孔参数
Normal镀铜参数
光剂分解物对填孔的影响
在生产过程中，光泽剂分解后会在槽液中不断 的累积，使得填孔能力不断的下降；
停机过程中产生的化学分解；
操作过程中产生的电化学的分解； 通常有机副产物多半呈钝态，不影响镀铜的效
基材对填孔的影响
无玻纤补强者其填孔 能力优于有玻纤者， 且当玻纤已经突出孔 壁者，更会对填镀造 成负面影响。
玻纤突出在化铜时同 样会产生不良，导致 填孔整体填满度上受 影响。
填孔可靠度测试
实心填满之镀铜其导通可靠度自然绝佳，以下为 互连用途的通孔及盲孔在三种不同信赖度测试结 果：
D/C与PPR区别
果；但是某些光泽剂的副产物(BPU)却会在电 化反应中展现活性，影响填充电镀效果。
光剂分解物对填孔的影响
有活性光泽剂副产物(BPU),刻意以不同浓度的 方式加入全新的镀铜液中,发现当副产物浓度越 高时,填孔能力越差;
待镀板的影响
盲孔是否能够完整又可靠的填平,除了盲孔孔径 与孔深影响以外,还有以下会影响:
大家学习辛苦了，还是要坚持
继续保持安静
制程化学参数
镀铜液中无机物成份： 硫酸铜 硫酸 氯化物(HCL)
盲孔之填孔技术分析解析
制程化学参数
镀铜液中无机物成份： 硫酸铜 硫酸 氯化物(HCL)
硫酸铜浓度提升时,填孔的 效果比较好.但是对于通孔 的分布力确刚好相反,也就 是当硫酸铜浓度增加时,通 孔铜厚的分布反而下降.
2006/06/10 Prepared By Level
2006/06/10
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光剂分解物对填孔的影响
有活性光泽剂副产物(BPU),刻意以不同浓度的 方式加入全新的镀铜液中,发现当副产物浓度越 高时,填孔能力越差;
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待镀板的影响
盲孔是否能够完整又可靠的填平,除了盲孔孔径 与孔深影响以外,还有以下会影响:
薄
厚
从上图来看,当板厚增加、电流密度增大时，可以 明显看出PPR的分布力要优于DC;反之则DC又会 比PPR来的更好。
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D/C与PPR区别
DC填孔
优点：
传统整流 操作方便
PPR填孔
优点：
厚板深孔之分布较佳 板面图形之分布与外 形较好 经由波形调整的协助 而有较好的填孔能力
2006/06/10
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填孔的原理
运载剂： 主要是聚氧烷基式大分子量式化合 物，协同氯离子一起吸附在阴极表 面高电流区，降低镀铜速率. 光泽剂： 主要是含硫的小分子量化合物,吸附 在阴极表面低电流区，可排挤掉已 附着的运载剂,而加速镀层的沉积. 整平剂： 主要是含氮的杂环类或非杂环类芳 香族化学品,可在突出点高电流区赶 走已着落的光泽剂粒子,从而压抑该 区之快速镀铜,使得全板面铜厚更为 均匀.
盲孔电镀填平不良改善研究
盲孔电镀填平不良改善研究雷华山;于永贞;刘彬云;肖定军【摘要】The reasons which led to the quality defects of void, dimple value too large, un-iflling and so on were analyzed deeply in the process of microvia iflling for the VCP bath .At the same time, they were veriifed by using the relevant test methods and experiment.The results showed that the electrical conductivity of collect was poor and some nozzles were blocked, which was the main reason led to the void, dimple value too larger causing the un-iflling phenomenon related to the bubble in bath.%针对VCP槽填孔过程中出现的空洞、凹陷值偏大、漏填等品质缺陷问题，对其产生原因进行深入分析，并通过组织相关测试手段及试验进行验证，试验结果表明：导电性不良，喷嘴堵塞是造成空洞、凹陷值偏大的主要原因。
漏填现象发生跟槽液中的气泡有关。
【期刊名称】《印制电路信息》【年(卷),期】2014(000)012【总页数】4页(P19-22)【关键词】填孔;空洞;凹陷值;漏填【作者】雷华山;于永贞;刘彬云;肖定军【作者单位】广东东硕科技有限公司，广东广州510245;广东东硕科技有限公司，广东广州 510245;广东东硕科技有限公司，广东广州 510245;广东东硕科技有限公司，广东广州 510245【正文语种】中文【中图分类】TN411 前言随着时尚消费类电子产品的不断更新换代，给PCB行业带来了更大的发展机遇。
通孔埋孔盲孔
通孔埋孔盲孔简介：导通孔（VIA）：⼀种⽤于内层连接的⾦属化孔，其中并不⽤于插⼊元件引线或其它增强材料。
盲孔（BIIND VIA）：从印制板内仅延展到⼀个表层的导通孔。
（从字⾯意思理解，看不穿看不透的孔，⽐如⼀个6层板，钻孔只从1层到4层，这样的就叫盲孔）埋孔（BURIED VIA）：未延伸到印制板表⾯的⼀种导通孔。
（埋孔两头都不通的孔，⽐如⼀个6层板，钻孔只从3层到4层通，这样的就埋孔）过孔（THROUGH VIA）：从印制板的⼀个表层延展到另⼀个表层的导通孔。
元件孔（COMPONENT HOLE）：⽤于元件固定于印制板及导电图形电⽓连接的孔。
摘要：在⾼速PCB 设计中，过孔设计是⼀个重要因素，它由孔、孔周围的焊盘区和POWER 层隔离区组成，通常分为盲孔、埋孔和通孔三类。
在PCB 设计过程中通过对过孔的寄⽣电容和寄⽣电感分析，总结出⾼速PCB 过孔设计中的⼀些注意事项。
关键词：过孔；寄⽣电容；寄⽣电感；⾮穿导孔技术⽬前⾼速PCB 的设计在通信、计算机、图形图像处理等领域应⽤⼴泛，所有⾼科技附加值的电⼦产品设计都在追求低功耗、低电磁辐射、⾼可靠性、⼩型化、轻型化等特点，为了达到以上⽬标，在⾼速PCB 设计中，过孔设计是⼀个重要因素。
1、过孔过孔是多层PCB 设计中的⼀个重要因素，⼀个过孔主要由三部分组成，⼀是孔；⼆是孔周围的焊盘区；三是POWER 层隔离区。
过孔的⼯艺过程是在过孔的孔壁圆柱⾯上⽤化学沉积的⽅法镀上⼀层⾦属，⽤以连通中间各层需要连通的铜箔，⽽过孔的上下两⾯做成普通的焊盘形状，可直接与上下两⾯的线路相通，也可不连。
过孔可以起到电⽓连接，固定或定位器件的作⽤。
过孔⽰意图如图1 所⽰。
过孔⼀般⼜分为三类：盲孔、埋孔和通孔。
盲孔，指位于印刷线路板的顶层和底层表⾯，具有⼀定深度，⽤于表层线路和下⾯的内层线路的连接，孔的深度与孔径通常不超过⼀定的⽐率。
埋孔，指位于印刷线路板内层的连接孔，它不会延伸到线路板的表⾯。
内孔的加工讲解27页PPT
① 整体式； ② 镶齿套式 ； ③ 硬质合金可转位式 。
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3、铰孔 特点：铰孔一般作为未淬硬小孔的精加工方法。精 度可达精度可达IT8～IT6，Ra1.6～0.4μm。手铰和机铰 两种。机铰时，铰刀与机床采用浮动连接。铰孔只能提 高孔本身的尺寸精度及形状精度，但不能校正孔的位置 精度。注意：钻孔、扩孔和铰孔是加工小孔常用的方法。
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四、磨孔与孔的精密加工 1 磨孔工艺特点：属于孔的精加方法。精度可达IT7， Ra1.6～0.4 μm。 磨孔不仅能获得较高的尺寸精度和表面质量，而且 还可以提高孔的位置精度和孔的轴线的直线度。与外圆 磨削相比，工作条件较差：砂轮直径小，刚性差，排屑 和散热困难，生产率低。对于淬硬零件中的孔加工，磨 孔是主要的加工方法。 内孔为断续圆周表面（如有键槽或花键的孔）、阶 梯孔及盲孔时，常采用磨孔作为精加工。
滚柱滚压 是最简单最常用的冷压强化方法。单滚柱 滚压压力大且不平衡，这就要求工艺系统有足够的刚度； 多滚柱滚压可对称布置滚柱以滚压内孔或外圆，减小了 工艺系统的变形。
3)离心转子滚压 离心转子滚压是利用离心力进行滚 压的方法滚球和滚柱的重量、转子直径及转速决定了滚 压力的大小，一般成正比关系。
在研具与工件加工表面之间加入研磨剂，在一定压 力下 表面作复杂的相对运动，使磨粒在工件表面上滚动 或滑动，起切削、刮擦和挤压作用，从加工表面上切下 极薄的一层材料，得到尺寸精度和表面粗糙度极低的表 面。按研磨方式可分为手工研磨和机械研磨两种。
研磨前，将套上工件的研磨棒安装在车床上，涂上 研磨剂，调整研磨棒直径使其对工件有适当的压力，即 可进行研磨。研磨时，研磨棒旋转，手握工件往复移动。 固定式研磨棒多用于单件生产
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磨孔时砂轮的尺寸受被加工孔径尺寸的限制，一般 砂轮直径为工件孔径的 0.5—0.9 倍，磨头轴的直径和 长度也取决于被加工孔的直径和深度。故磨削速度低， 磨头的刚度差，磨削质量和生产率均受到影响。
盲孔之填孔技术
可能是清洗不干净、填孔材料与盲孔内壁结合不牢或后处 理不当所致。解决方案是重新清洗盲孔、更换合适的填孔 材料或加强后处理措施。
盲孔变形或损坏
可能是填孔过程中用力过猛或操作不当所致。解决方案是 掌握正确的填孔技巧和力度，避免对盲孔造成损坏。
04
填孔材料选择与性能要求
Байду номын сангаас
常见填孔材料介绍
03
填孔工艺流程与操作要点
工艺流程简介
01
02
03
04
前处理
对盲孔进行清洗和干燥，去除 油污和杂质，确保填孔材料与
盲孔内壁的良好结合。
填孔材料选择
根据盲孔的尺寸、形状和用途 ，选择合适的填孔材料，如金
属、塑料、陶瓷等。
填孔操作
将选定的填孔材料填充至盲孔 中，确保填满并压实，同时避
免产生气泡和空隙。
发展阶段
随着电子技术的不断进步，填孔技术也得到了快速发展。出现了多种先进的填孔方法，如 电镀填孔、化学镀填孔等。这些方法具有填充效果好、导电性能优异等特点，逐渐在电子 制造领域得到广泛应用。
未来趋势
随着5G、物联网等新兴技术的快速发展，电子产品对高性能、高可靠性的需求不断提升 。未来填孔技术将继续向更高精度、更高效率的方向发展，同时还将探索新的填充材料和 工艺方法，以满足不断升级的市场需求。
不同填孔技术的比较与选择
加工精度
加工效率
机械填孔和化学填孔的加工精度较高，而 激光填孔的加工精度相对较低。
机械填孔和化学填孔的加工效率较低，而 激光填孔的加工效率较高。
适用材料
成本
机械填孔适用于各种材料，化学填孔适用 于导电材料和耐腐蚀材料，而激光填孔适 用于各种金属和非金属材料。
填孔上课资料
Plating Process
電流密度對填孔效果之影響
低 C.D. 可以降低表銅的沉積速率及電鍍效率。理論上低電流密度有利於Cu2+即時 傳輸到盲孔底部(尤其在Cu2+濃度較低時)，且不易發生有機添加劑裂解現象。
面銅厚：22μm 凹 孔 陷：10.02μm 徑：118.07μm
面銅厚：22μm 凹 孔 陷：12.78μm 徑：123.12μm
Plating Process
2. 填孔電鍍原理
由於電性的特性，Cu 的沉積會依循高電流至低電流，由高至低去沉積 ，尤其在孔邊轉角的沉積特別明顯，但為了使盲孔能獲致完整的填孔效 果，必須降低孔邊轉角的沈積速度，才能使底部有機會沈積 Cu 層。
3. 填孔電鍍添加劑特點
（1）載運劑 提供良好的藥浴貫孔性 （2）整平劑 能有效抑制高電流的沈積 （3）光澤劑 能促進結晶的細緻，加速孔內銅之沉積
Schlötter
Schlötter
TRIALLIAN TRIALLIAN CORP. CORP.
HDI Copper Copper Plating PlatingTechnology Technology
Plating Process
HDI 填孔電鍍製程
SCHLOETTER
Schlötter
Schlötter
Plating Process
（5） Brightener ( 光澤劑 ) 提供細緻的組織結晶， 降低陰極過電壓，加速銅離子沉積
（6） Leveller ( 整平劑 ) 抑制孔角高電流區銅離子沉積速率，協助銅離子於孔內沉積
Schlötter
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TRIALLIAN TRIALLIAN CORP. CORP.
PICC置管技术盲穿法课件
文档仅供参考，不能作为科学依据，请勿模仿；如有不当之处，请联系网站或本人删除。
7、穿刺，置管 文档仅供参考，不能作为科学依据，请勿模仿；如有不当之处，请联系网站或本人删除。
❖ 主要有肘部静脉：
头静脉
贵要静脉----首选（>90%）
肘正中----次选
头静脉----第三选择肘正中静脉
贵要静脉
置管静脉的选择 文档仅供参考，不能作为科学依据，请勿模仿；如有不当之处，请联系网站或本人删除。
贵要静脉
❖ 90%的PICC放置于此。 ❖ 直、粗，静脉瓣较少。 ❖ 当手臂与躯干垂直时，为最直和
血流量 2000~2500ml/mi n 800ml/min
800ml/min 333供参考，不能作为科学依据，请勿模仿；如有不当之处，请联系网站或本人删除。
❖皮肤完整、柔软、 表潜外周静脉，走行顺 直、阻力小、粗直、有 弹性、充盈、易触及、 易固定，无静脉瓣
11、穿刺后宣教 文档仅供参考，不能作为科学依据，请勿模仿；如有不当之处，请联系网站或本人删除。
❖ 穿刺后24小时内伤口停止渗血前，减少穿刺上肢的活动，可适当做握 拳松指动作.
❖ 穿刺侧上肢的日常生活不受影响. ❖ 出现以下情况应及时通知护士：手臂出现红肿热痛活动障碍；伤口渗
血渗液较多或有红肿，化脓；敷料污染潮湿或脱落；导管渗水，脱出 或打折。 ❖ 置管后如无输液每周得上医院冲管换药一到两次 ，发现贴膜被污染， 潮湿，脱落或危 及导管时应随时更换。 ❖ 如有胸闷、气促、心慌要及时通知医护人员。
❖ 1.检查导管刻度，将导管摆至合适的位置。注意减压套筒 处导管不能打折，以免损伤导管。
充填法技术交流PPT课件
2020/4/10
3、铁矿山充填意义及特点
充填采矿的经济平衡
相关研究表明：充填法单方充填工序成本为80～ 100元/m3，当矿石吨矿价值为250元/t、采矿回收 率提高8％时，矿山充填可实现效益平衡。
保守估计，程潮铁矿采用充填法开采可以提高矿石 回收率5～6％，同时降低贫化率15～20%，基本上 可以抵消充填带来的成本增加。
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2020/4/10
分段凿岩、阶段出矿、阶段充填采 矿方法标准图
21
2020/4/10
南京铅锌矿示范工程
矿区地表不建 造尾矿库和废 石场，实现固 体废料“零排 放”，达到矿 产资源开发与 生态环境和谐 协调的目标
22
2020/4/10
三零排放开采系统
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2020/4/10
5、项目研究内容及计划
(1)充填采矿法的回收率控制在90%以上，贫化率控制在10%以下； (2)通过综合比较分析，确定深部最优充填采矿方法； (3)组织国内充填法相关矿山考察学习； (4)提交阶段报告，完成全部研究工作。
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22001200//044/1/208
5、项目研究内容及计划
阶段一 深部充填法开采前期关键技术研究
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-690～ -1007
矿体主要为含铜磁铁矿、 矿 石 f=9 ， 坚
含 铜 蛇 纹 石 和 含 铜 矽 卡 岩 。硬 稳 固 ； 大 理
矿体直接顶板主要为大理 岩 f=9 ； 粉 砂
岩，矿体底板主要为粉砂 岩f=12 ；石 英
岩和石英闪长岩。
闪长岩f=12。
矿块垂直走向布置，长为矿体水 平厚度。一个矿块划分为矿房和 矿 柱 ， 其 中 矿 房 宽 18m ， 矿 柱 宽 15m，阶段高度60m。