第2章思考题及习题2参考答案

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《电力系统分析》第2章习题答案

第二章思考题及习题答案2-1 架空线路的参数有哪些？这几个参数分别由什么物理原因而产生？答：架空线路的参数有电阻、电抗、电导和电纳。

电阻反映线路通过电流时产生的有功功率损失效应；电抗反映载流导线周围产生的磁场效应；电导反映电晕现象产生的有功功率损失效应；电纳反映载流导线周围产生的电场效应。

2-2 分裂导线的作用是什么？如何计算分裂导线的等值半径？答：分裂导线可使每相导线的等效半径增大，并使导线周围的电磁场发生很大变化，因此可减小电晕损耗和线路电抗。

分裂半径计算公式为ni ni eq d r r 12=∏=2-3 电力线路一般以什么样的等值电路来表示？答：短线路一般采用一字型等值电路，中等长度线路采用π型等值电路，长线路采用修正值表示的简化π型等值电路。

2-4 双绕组和三绕组变压器一般以什么样的等值电路表示？变压器的导纳支路与电力线路的导纳支路有何不同？答：双绕组和三绕组变压器通常采用Γ型等值电路，即将励磁支路前移到电源侧。

变压器的导纳支路为感性，电力线路的导纳支路为容性。

2-5 发电机的等值电路有几种形式？它们等效吗？答：发电机的等值电路有两种表示形式，一种是用电压源表示，另一种是以电流源表示，这两种等值电路是等效的。

2-6 电力系统负荷有几种表示方式？答：电力系统负荷可用恒定的复功率表示，有时也可用阻抗或导纳表示。

2-7 多级电压电网的等值网络是如何建立的？参数折算时变压器变比如何确定？答：在制定多电压等级电力网的等值电路时，必须将不同电压级的元件参数归算到同一电压级。

采用有名制时，先确定基本级，再将不同电压级的元件参数的有名值归算到基本级。

采用标幺制时，元件标幺值的计算有精确计算和近似计算两种方法。

精确计算时，归算中各变压器的变比取变压器的实际额定变比；近似计算时，取变压器两侧平均额定电压之比。

2-8 有一条110kV 的双回架空线路，长度为100km ，导线型号为LGJ-150，计算外径为16.72mm ，水平等距离排列，线间距离为4m ，试计算线路参数并作出其π型等效电路。

《电力电子技术》习题解答(高职高专第5版) 第2章习题答案

第2章思考题与习题2.1 什么是整流？它与逆变有何区别？答：整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为逆变，它是对应于整流的逆向过程。

2.2 单相半波可控整流电路中，如果：(1)晶闸管门极不加触发脉冲；(2)晶闸管内部短路；(3)晶闸管内部断开；试分析上述三种情况负载两端电压u d和晶闸管两端电压u T的波形。

答：（1）负载两端电压为0，晶闸管上电压波形与U2相同；（2）负载两端电压为U2，晶闸管上的电压为0；（3）负载两端电压为0，晶闸管上的电压为U2。

2.3某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电，在流过负载电流平均值相同的情况下，哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些?答：带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。

由于具有电感，当其电流增大时，在电感上会产生感应电动势，抑制电流增加。

电阻性负载时整流输出电流的峰值大些，在流过负载电流平均值相同的情况下，为防此时管子烧坏，应选择额定电流大一些的管子。

2.4某电阻性负载的单相半控桥式整流电路，若其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断，试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。

解：设α=0，T2被烧坏，如下图：2.5相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率，为什么?带大电感负载时，负载电阻R d 上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率，为什么?答：相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上的平均功率d d d I U P =不等于负载有功功率UI P =。

因为负载上的电压、电流是非正弦波，除了直流U d 与I d 外还有谐波分量Λ,,21U U 和Λ,,21I I ，负载上有功功率为Λ+++=22212P P P P d >d d d I U P =。

相控整流电路带大电感负载时，虽然U d 存在谐波，但电流是恒定的直流，故负载电阻R d 上的U d 与I d 的乘积等于负载有功功率。

第2章思考题和习题集解答

第2章负荷计算2-1 什么叫负荷曲线？有哪几种？与负荷曲线有关的物理量有哪些？答：负荷曲线是表征电力负荷随时间变动情况的一种图形，反映了用户用电的特点和规律。

负荷曲线按负荷的功率性质不同，分有功负荷和无功负荷曲线；按时间单位的不同，分日负荷曲线和年负荷曲线；按负荷对象不同，分用户，车间或某类设备负荷曲线。

与负荷曲线有关的物理量有：年最大负荷和年最大负荷利用小时；平均负荷和负荷系数。

2-2 什么叫年最大负荷利用小时？什么叫年最大负荷和年平均负荷？什么叫负荷系数？答：年最大负荷利用小时是指负荷以年最大负荷P持续运行一段时间后，消耗的电能恰m ax好等于该电力负荷全年实际消耗的电能，这段时间就是最大负荷利用小时。

年最大负荷P指全年中负荷最大的工作班内（为防偶然性，这样的工作班至少要在负m ax荷最大的月份出现2～3次）30分钟平均功率的最大值，因此年最大负荷有时也称为30分钟最大负荷P。

30负荷系数K是指平均负荷与最大负荷的比值。

L2-3 什么叫计算负荷？为什么计算负荷通常采用30min最大负荷？正确确定计算负荷有何意义？答：计算负荷是指导体中通过一个等效负荷时，导体的最高温升正好和通过实际的变动负荷时产生的最高温升相等，该等效负荷就称为计算负荷。

导体通过电流达到稳定温升的时间大约为(3~4)τ，τ为发热时间常数。

对中小截面的导体，其τ约为10min左右，故截流倒替约经30min后达到稳定温升值。

但是，由于较大截面的导体发热时间常数往往大于10min，30min还不能达到稳定温升。

由此可见,计算负荷 Pc 实际上与30min 最大负荷基本是相当的。

计算负荷是供电设计计算的基本依据。

计算负荷的确定是否合理，将直接影响到电气设备和导线电缆的选择是否合理。

计算负荷不能定得太大，否则选择的电气设备和导线电缆将会过大而造成投资和有色金属的浪费;计算负荷也不能定得太小，否则选择的电气设备和导线电缆将会长期处于过负荷运行，增加电能损耗，产生过热，导致绝缘体过早老化甚至烧毁。

单片机原理及应用(张毅刚-第三版)课后习题答案(全)

第1章思考题及习题1参考答案一、填空1. 除了单片机这一名称之外，单片机还可称为或。

答：微控制器，嵌入式控制器.2.单片机与普通微型计算机的不同之处在于其将、、和三部分，通过内部连接在一起，集成于一块芯片上。

答：CPU、存储器、I/O口、总线3. AT89S52单片机工作频率上限为 MHz。

答：33 MHz。

4. 专用单片机已使系统结构最简化、软硬件资源利用最优化，从而大大降低和提高。

答：成本，可靠性。

二、单选1. 单片机内部数据之所以用二进制形式表示，主要是A．为了编程方便B．受器件的物理性能限制C．为了通用性D．为了提高运算速度答：B2. 在家用电器中使用单片机应属于微计算机的。

A．辅助设计应用B．测量、控制应用C．数值计算应用D．数据处理应用答： B3. 下面的哪一项应用，不属于单片机的应用范围。

A．工业控制 B．家用电器的控制 C．数据库管理 D．汽车电子设备答：C三、判断对错1. STC系列单片机是8051内核的单片机。

对2. AT89S52与AT89S51相比，片内多出了4KB的Flash程序存储器、128B的RAM、1个中断源、1个定时器（且具有捕捉功能）。

对3. 单片机是一种CPU。

错4. AT89S52单片机是微处理器。

错5. AT89C52片内的Flash程序存储器可在线写入，而AT89S52则不能。

错6. 为AT89C51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89C51直接用芯片AT89S51替换。

对7. 为AT89S51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89S51直接用芯片AT89S52替换。

对8. 单片机的功能侧重于测量和控制，而复杂的数字信号处理运算及高速的测控功能则是DSP的长处。

对四、简答1. 微处理器、微计算机、微处理机、CPU、单片机、嵌入式处理器它们之间有何区别？答：微处理器、微处理机和CPU它们都是中央处理器的不同称谓，微处理器芯片本身不是计算机。

而微计算机、单片机它们都是一个完整的计算机系统，单片机是集成在一个芯片上的用于测控目的的单片微计算机。

第2章思考题参考答案_58809914

第二章思考题参考答案1．工质膨胀时是否必须对工质加热？工质边膨胀边放热可能否？工质边被压缩边吸入热量可以否？工质吸热后内能一定增加？对工质加热，其温度反而降低，有否可能？答：由闭口系统热力学第一定律关系式：Q U W =∆+规定吸热0Q >，对外做功0W >。

(1) 不一定；工质膨胀对外做功，0W >，由于可以使0U ∆<，因此可能出现0Q <，即对外放热；(2) 能，如(1)中所示；(3) 能；工质被压缩，对内做功，0W <，由于可以使0U ∆>，因此可能出现0Q >，即吸入热量；(4) 不一定；工质吸热，0Q >，由于可以使0W >，即工质对外做功，因此可能出现0U ∆<，即工质内能减小；(5) 可能；对工质加热，0Q >，由于可以使0W >，即工质对外做功，因此可能出现0U ∆<，对于理想气体，其内能仅为温度的单值函数，因此对于理想气体来说温度可能降低。

2．一绝热刚体容器，用隔板分成两个部分，左边贮有高压气体，右边为真空。

抽去隔板时，气体立即充满整个容器。

问工质内能、温度将如何变化？如该刚体容器为绝对导热的，则工质内能、温度又如何变化？答：对于绝热刚体容器，以高压气体为对象。

由闭口系统热力学第一定律：Q =∆U +W （式1）。

其中容器绝热，则Q=0；且右边为真空，高压气体没有对外做功对象，即自由膨胀，有0W =。

所以：∆U ＝0，即工质的内能不发生变化。

如果工质为理想气体，那么其温度也不变；如果工质为实际气体，则温度未必不变。

如果该刚体容器为绝对导热，那么初始状态下容器内工质与外界环境等温，而自由膨胀过程终了时容器内工质仍旧与外界环境等温。

当外界环境温度不发生变化时，容器内工质温度在整个自由膨胀过程中温度不变。

自由膨胀0W =，所以Q =∆U 。

如果工质为理想气体，其温度不变则内能也不变，∆U ＝0，所以Q ＝0；如果工质为实际气体，Q =∆U ，无法进一步推断。

单片机原理及接口技术第版张毅刚习题及答案

单片机原理及接口技术第版张毅刚习题及答案文件管理序列号：[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688]《单片机原理及接口技术》（第2版）人民邮电出版社第2章 AT89S51单片机的片内硬件结构思考题及习题21．在AT89S51单片机中，如果采用6MHz晶振，一个机器周期为。

答：2μs2．AT89S51单片机的机器周期等于个时钟振荡周期。

答：123．内部RAM中，位地址为40H、88H的位，该位所在的字节地址分别为和。

答：28H，88H4．片内字节地址为2AH单元最低位的位地址是；片内字节地址为88H单元的最低位的位地址为。

答：50H，A8H5．若A中的内容为63H，那么，P标志位的值为。

答：06．AT89S51单片机复位后，R4所对应的存储单元的地址为，因上电时PSW= 。

这时当前的工作寄存器区是组工作寄存器区。

答：04H，00H，0。

7. 内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 H～ H。

答：00H，1FH8. 通过堆栈操作实现子程序调用时，首先要把的内容入栈，以进行断点保护。

调用子程序返回指令时，再进行出栈保护，把保护的断点送回到，先弹出的是原来中的内容。

答：PC, PC，PCH9．AT89S51单片机程序存储器的寻址范围是由程序计数器PC的位数所决定的，因为AT89S51单片机的PC是16位的，因此其寻址的范围为 KB。

答：6410．判断下列说法是否正确？A．使用AT89S51单片机且引脚EA=1时，仍可外扩64KB的程序存储器。

错B．区分片外程序存储器和片外数据存储器的最可靠的方法是看其位于地址范围的低端还是高端。

错C．在AT89S51单片机中，为使准双向的I/O口工作在输入方式，必须事先预置为1。

对D．PC可以看成是程序存储器的地址指针。

对11．判断下列说法是否正确？A．AT89S51单片机中特殊功能寄存器（SFR）占用片内RAM的部份地址。

对B．片内RAM的位寻址区，只能供位寻址使用，而不能进行字节寻址。

第2章习题及答案

导水系数：渗透系数与承压含水层的乘积，它的物理含义是水力坡度等于1时，通过整个含水层厚度上的单宽流量 [2-5] 写出层状岩层的水平等效渗透系数Kp和垂直等效渗透系数Kv，并证明Kp>Kv。解：水平等效渗透系数Kp：；垂直等效渗透系数Kv：另：由题，,, K1=K2时等号成立，故Kp>Kv [2-6] 流网为什么只在稳定流问题中才有实际意义？解：由于流网为流线和等势线互相正交所形成的网状图形；在非稳定刘中，流线是不断变化的，只能给出某一瞬间的流线图，因此，只有对稳定流问题中，流线才恒定，流网才有实际意义。 [2-7] 如图2.5.1所示的铅直圆筒，筒内装满了粒径为0.5mm的砂子，已知砂柱体长度l＝120cm，横截面积为200cm2，孔隙度为0.36，渗透系数为 20m/d，温度为10℃的水从圆筒内流过，当进水口与出水口之间的水头差为120cm时，试求：（1）达西定律能否适用？（2）沿圆筒轴向的水力坡度J；（3）总流量Q；（4）渗流速度v；（5）实际平均流速。解：如图:
第二章思考题与习题 [2-1] 写出下列压缩系数的表达式，并说明其含义：（1）水的压缩系数；（2）多孔介质的压缩系数、多孔介质固体颗粒压缩系数、多孔介质孔隙压缩系数。解：（1）水的压缩系数表达式为：，单位压力变化时引起的液体单位体积的变化量；（2）多孔介质的压缩系数：；多孔介质固体颗粒压缩系数，表示固体颗粒本身的压缩性多孔介质孔隙压缩系数，表示孔隙的压缩性 [2-2] 什么是贮水率，其物理意义是什么？什么是贮水系数，其物理意义又是什么？弹性释水的物理意义实质是什么?和重力疏干排水有何区别? 解：贮水率为单位面积、单位厚度的含水层在水头降低一个单位时释放的水量，物理意义：当水头变化一个单位时，饱和岩土单位体积重释放（或增加）的水的体积；把贮水率乘上含水层厚度M，称为贮水系数或释水系数，表示在面积为1个单位、厚度为含水层全厚度M的含水层柱体中，当水头升高1个单位时贮存的水量；由于水头降低引起的含水层释水现象称为弹性释水，表示面积为1m2、厚度为1m （即体积为1m3）的含水层，考察当水头下降lm时释放的水量；一般假设弹性释放是在瞬时完成的，并假设μ* 不随时间变化。潜水含水层的重力疏干则不同，地下水位下降所引起的水量释放有一个过程。 [2-3] 渗流和渗透有何区别，从流量、水头、过水断面、流速大小和水流运动方向等方面列表表示之。解

第2章思考题 (参考答案)

第2章思考与练习题（参考答案）填空题:1. S7-300 PLC一个机架最多可安装_____8____个信号模块，最多可扩展_____3____个机架，机架之间的通讯距离最大不超过___10m___，最大数字量I/O点数__1024__，2. 确定机架0的6号槽上SM323 DI8/DO8的地址范围_I8.0-8.7/Q9.0-9.7以及５号槽上SM334 AI4/AO2的地址范围_PIW272-278/PQW280、PQW282。

3. 高速、大功率的交流负载，应选用_晶闸管_输出的输出接口电路。

思考题：1. S7-300系列PLC的硬件系统由哪几部分组成?S7-300系列的PLC采用紧凑的、无槽位限制的模块结构，电源模块（PS）、CPU、信号模块（SM）、功能模块（FM）、接口模块（IM）和通信模块（CP）都安装在导轨上。

硬件系统主要由各种模板及人机界面（HMI），根据控制要求进行广泛的组合和扩展。

2. S7-300 数字模块的地址如何确定？I／O模块的地址与模块所在的机架号和槽位号有关，数字模块的位地址与信号线接在模块上的哪一个端子有关。

S7-300系列PLC的CPU为每个槽位的数字量I／O模板分配了4 个字节（32个I／O点）的地址范围。

依据数字模板的安装位置和类型,确定模块的地址。

数字量模板的地址:存储区标识符(输入-I、输出-Q）+字节地址+位地址。

（字节地址取决于其模块所在槽位的起始地址）3. 请填写以下配置的SIMATIC S7-300的可编程控制器的I/O地址。

0架4槽8路模拟量输入地址：PIW256, …，PIW 270；0架5槽8路模拟量输出地址：PQW272，…，PQW 286；0架6槽16点数字量输入地址：I8.0，…，I8.7，I9.0，…，I9.7；0架7槽32点数字量输出地址：Q12.0~12.7；Q13.0~13.7，Q14.0~14.7；Q15.0~15.7；0架8槽16点数字量输出地址：Q16.0，…，Q16.7，Q 17.0，…，Q17.7；4. S7-300的CPU314/CPU315 /CPU315-2DP 最多可扩展几个机架?用哪个接口模块连接?P19-20: S7-300的CPU314/CPU315 /CPU315-2DP 最多可扩展4个机架;用SM360/SM361接口模块连接5. 一个控制系统如果需要12点数字量输入、30点数字量输出、10点模拟量输入和2点模拟量输出，则问：(1) 如何选择输入/输出模块?(2) 各模块的地址如何分配?0架4槽 SM321 16点数字量输入地址：I0.0，…，I0.7， I1.0，…，I1.7；0架5槽 SM322 32点数字量输出地址：Q4.0~4.7；Q5.0~5.7，Q6.0~6.7；Q7.0~7.7； 0架6槽 SM331 8路模拟量输入地址：PIW288, …，PIW 302；0架7槽 SM334 模拟量4路输入/2路输出地址：PIW304, …，PIW310；PQW312，PQW 314；槽 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11①。

《材料科学与工程基础》习题和思考题及答案

《材料科学与工程基础》习题和思考题及答案《材料科学与工程基础》习题和思考题及答案第二章2-1.按照能级写出N、O、Si、Fe、Cu、Br原子的电子排布（用方框图表示）。

2-2.的镁原子有13个中子，11.17%的镁原子有14个中子，试计算镁原子的原子量。

2-3.试计算N壳层内的最大电子数。

若K、L、M、N壳层中所有能级都被电子填满时，该原子的原子序数是多少？2-4.计算O壳层内的最大电子数。

并定出K、L、M、N、O 壳层中所有能级都被电子填满时该原子的原子序数。

2-5.将离子键、共价键和金属键按有方向性和无方向性分类，简单说明理由。

2-6.按照杂化轨道理论，说明下列的键合形式：（1）CO2的分子键合（2）甲烷CH4的分子键合（3）乙烯C2H4的分子键合（4）水H2O的分子键合（5）苯环的分子键合（6）羰基中C、O间的原子键合2-7.影响离子化合物和共价化合物配位数的因素有那些？2-8.试解释表2-3-1中，原子键型与物性的关系？2-9.0℃时，水和冰的密度分别是1.0005g/cm3和0.95g/cm3，如何解释这一现象？2-10.当CN=6时，K+离子的半径为0.133nm(a)当CN=4时，半径是多少？(b)CN=8时，半径是多少？2-11.(a)利用附录的资料算出一个金原子的质量？(b)每mm3的金有多少个原子？(c)根据金的密度，某颗含有1021个原子的金粒，体积是多少？(d)假设金原子是球形(rAu=0.1441nm),并忽略金原子之间的空隙，则1021个原子占多少体积？(e)这些金原子体积占总体积的多少百分比？2-12.一个CaO的立方体晶胞含有4个Ca2+离子和4个O2-离子，每边的边长是0.478nm，则CaO的密度是多少？2-13.硬球模式广泛的适用于金属原子和离子，但是为何不适用于分子？2-14.计算（a）面心立方金属的原子致密度；（b）面心立方化合物NaCl的离子致密度（离子半径rNa+=0.097，rCl-=0.181）；（C）由计算结果，可以引出什么结论？2-15.铁的单位晶胞为立方体，晶格常数a=0.287nm，请由铁的密度算出每个单位晶胞所含的原子个数。

大学物理教程第2章习题答案

⼤学物理教程第2章习题答案思考题2.1 从运动学的⾓度看，什么是简谐振动？从动⼒学的⾓度看，什么是简谐振动？答：从运动学的⾓度看，弹簧振⼦相对平衡位置的位移随时间按余弦函数的规律变化，所作的运动就是简谐振动。

从动⼒学的⾓度看，如果物体受到的⼒的⼤⼩总是与物体对其平衡位置的位移成正⽐，⽽⽅向相反，那么该物体的运动就是简谐振动。

2.2 弹簧振⼦的振幅增⼤到2倍时，其振动周期、振动能量、最⼤速度和最⼤加速度等物理量将如何变化？答：弹簧振⼦的运动⽅程为0cos()x A t ω?=+，速度为0sin()v A t ωω?=-+，加速度的为)cos(02?ωω+-=t A a ，振动周期2T =221kA E =。

所以，弹簧振⼦的振幅A 增⼤到2倍时，其振动周期不变，振动能量为原来的4倍，最⼤速度为原来的2倍，最⼤加速度为原来的2倍。

2.3 下列运动是否为简谐振动？（1）⼩球在地⾯上作完全弹性的上下跳动；（2）⼩球在半径很⼤的光滑凹球⾯底部作⼩幅度的摆动；（3）曲柄连杆机构使活塞作往复运动；（4）⼩磁针在地磁的南北⽅向附近摆动。

答：（2）、（4）为简谐振动，（1）、（3）、不是简谐振动。

2.4 三只相同的弹簧（质量忽略不计）都⼀端固定，另⼀端连接质量为m 的物体，它们放置情况不同，其中⼀个平放，⼀个斜放，另⼀个竖直放。

如果它们振动起来，则三者是否均为简谐振动，它们振动的周期是否相同？答：三者均为简谐振动，它们振动的周期也相同。

2.5 当谐振⼦作简谐振动的振幅增⼤为原来的2倍时，谐振⼦的什么量也增⼤为原来的2倍？答：最⼤速度和最⼤加速度。

2.6 ⼀弹簧振⼦作简谐振动，其振动的总能量为E 1。

如果我们将弹簧振⼦的振动振幅增加为原来的2倍，⽽将重物的质量增加为原来的4倍，则新的振⼦系统的总能量是否发⽣变化？答：弹簧振⼦212E kA = ，所以新的振⼦系统的总能量增加为原来的4倍。

2.7 ⼀质点作简谐振动，振动频率为n，则该质点动能的变化频率是多少？答：该质点动能的变化频率是2n。

过程控制工程2-4章答案(孙洪程著)

第二章思考题及习题2.1 与单回路系统相比，串级控制系统有些什么特点?答：串级控制方案具有单回路控制系统的全部功能，而且还具有许多单回路控制系统所没有的优点。

因此，串级控制系统的控制质量一般都比单回路控制系统好。

(1) 串级控制系统具有更高的工作频率；(2) 串级控制系统具有较强的抗干扰能力；(3) 串级控制系统具有一定的自适应能力2.2 为什么说串级控制系统主控制器的正、反作用只取决于主对象放大倍数的符号，而与其他环节无关?答：主控制器的正、反作用要根据主环所包括的各个环节的情况来确定。

主环内包括有主控制器、副回路、主对象和主变送器。

控制器正、反作用设置正确的副回路可将它视为一放大倍数为“正”的环节来看待。

这样，只要根据主对象与主变送器放大倍数的符号及整个主环开环放大倍数的符号为“负”的要求。

即Sign{G 01(s )}Sign{G 02’(s )}Sign{G m1(s )}Sign{G c1(s )}=-1就可以确定主控制器的正、反作用。

实际上主变送器放大倍数符号一般情况下都是“正”的，再考虑副回路视为一放大倍数为“正”的环节，因此主控制器的正、反作用实际上只取决于主对象放大倍数的符号。

当主对象放大倍数符号为“正”时，主控制器应选“负”作用；反之，当主对象放大倍数符号为“负”时，主控制器应选正作用。

2.3 串级控制系统的一步整定法依据是什么?答：一步整定法的依据是：在串级控制系统中一般来说，主变量是工艺的主要操作指标，直接关系到产品的质量，因此对它要求比较严格。

而副变量的设立主要是为了提高主变量的控制质量，对副变量本身没有很高的要求，允许它在一定范围内变化，因此在整定时不必将过多的精力放在副环上，只要主变量达到规定的质量指标要求即可。

此外对于一个具体的串级控制系统来说，在一定范围内主、副控制器的放大倍数是可以互相匹配的，只要主、副控制器的放大倍数K c1与K c1的乘积等于K s (K s 为主变量呈4：1衰减振荡时的控制器比例放大倍数)，系统就能产生4：1衰减过程(下面的分析中可以进一步证明)。

2习题参考答案

2习题参考答案⾼分⼦化学第⼆章习题参考答案思考题1、简述逐步聚合和缩聚、缩合和缩聚、线形缩聚和体形缩聚、⾃缩聚和共缩聚的关系。

参考答案：2、略举逐步聚合的反应基团类型和不同官能团的单体类型5例。

参考答案：逐步聚合的反应基团类型：羧基；羟基；氨基；酰氯基；异氰酸酯基；环氧基；酚羟基。

羧基可以与羟基、氨基反应；羟基可以与酰氯基、异氰酸酯基；环氧基反应；氨基可以与羧基、酰氯基和异氰酸酯基反应。

3、⼰⼆酸与下列化合物反应，哪些能形成聚合物？a、⼄醇；b、⼄⼆醇；c、⽢油；d、苯胺；e、⼰⼆胺参考答案：⼰⼆酸可以与⼄⼆醇、⽢油、⼰⼆胺反应形成聚合物。

4、写出并描述下列缩聚反应所形成的聚酯结构，b-d聚酯结构与反应物配⽐有⽆关系？参考答案：a、HO—RCOOH以为重复单元的线形聚酯。

b、HOOCRCOOH＋HOR’OH等摩尔⽐时得为重复单元的线形聚酯。

所得的数均聚合度X n 与两官能团摩尔数之⽐r（r≤1）和反应程度P之间有：关系。

c、HOOCRCOOH＋R“（OH）3两基团等摩尔⽐时可形成体型⽹状结构，当羧基远⼤于羟基时，得到羧端基的低聚物，当羧基远⼩于羟基时，得到羟端基的低聚物。

d、HOOCRCOOH＋HOR’OH＋R“（OH）3两基团等摩尔⽐时可形成体型⽹状结构当羧基远⼤于羟基时，得到羧端基的低聚物，当羧基远⼩于羟基时，得到羟端基的低聚物。

5、下列多对单体进⾏线型缩聚：⼰⼆酸和⼰⼆醇，⼰⼆酸和⼰⼆胺，⼰⼆醇和对苯⼆甲酸，⼄⼆醇和对苯⼆甲酸，⼰⼆胺和对苯⼆甲酸，简明点出并⽐较缩聚物的性能特征。

参考答案：⼰⼆酸和⼰⼆醇的缩聚物⽐⼰⼆酸和⼰⼆胺的缩聚物的熔点低，强度⼩，其原因是前者缩聚物之间没有氢键；⼰⼆酸和⼰⼆醇的缩聚物⽐⼰⼆醇和对苯⼆甲酸缩聚物的熔点低，强度⼩，其原因是后者分⼦链中引⼊了苯环；⼰⼆酸和⼰⼆醇的缩聚物⽐⼄⼆醇和对苯⼆甲酸缩聚物的熔点低，强度⼩，其原因是后者分⼦链中引⼊了苯环，⽽且后者的⼄⼆醇⽐⼰⼆醇的碳原⼦数⼩；⼰⼆醇和对苯⼆甲酸的缩聚物⽐⼰⼆胺和对苯⼆甲酸缩聚物的熔点低，强度⼩，其原因是后者分⼦链中有酰胺键，分⼦链间有氢键。

电力系统第2章参考答案

第二章思考题参考答案1-7 综合用电负荷、供电负荷和发电负荷这三者的区别是什么？答：综合用电负荷：电力系统中工业、农业、邮电、交通、市政、商业以及城乡居民等用户所消耗功率的总和。

供电负荷：各发电厂提供给综合用电负荷和网络中损耗的功率之和。

发电负荷：系统中各发电厂的发电机为供电负荷和发电厂厂用电供电所发出的功率之和。

区别：发电负荷包括发电厂厂用电、网络中的功率损耗和综合用电负荷；供电负荷包括网络中的功率损耗和综合用电负荷，而不包括厂用电。

1-13 说明图1-27所示220kV 线路在空载时有无电流，以及送、受端电压是否相等。

图1-27 220k V 输电线答：空载时线路中有电流，受端电压高于送端电压。

线路的П型等值电路如图所示，U B图中，222y BB S P jQ S j U=+=∆=- 。

电压降落的纵分量2BBB X U P R Q X U U+∆==-，横分量2BBBR U P X Q R U U δ-==220kV 线路，X >>R ，则 U U δ∆>>，电压相量图如图所示：B可见B A U U >，即受端电压高于送端电压。

1-17 改变变压器分接头，其参数会发生变化吗？答：由于变压器低压侧只有一个接头，而高（中）压侧有多个分接头，因此，当改变变比，归算到低压侧的参数不变，而归算到高（中）压侧的参数将发生变化。

1-18 在升压和降压三相三绕组变压器中，哪一绕组的漏电抗很小，可视为零值？为什么？答：升压三绕组变压器低压绕组的漏抗很小，降压三绕组变压器中压绕组的漏抗很小。

三绕组变压器按三个绕组的排列方式分为升压结构和降压结构。

升压结构变压器的中压绕组最靠近铁芯，低压绕组居中，高压绕组在最外层；降压结构变压器的低压绕组最靠近铁芯，中压绕组居中，高压绕组在最外层。

以升压结构变压器为例，由于高、中压绕组相隔最远，二者间的漏抗最大，从而短路电压%)21(-k U 最大，而%)32(-k U 、%)13(-k U 较小，因此低压绕组的短路电压%)%%(21%)21()13()32(3----+=k k k k UUUU 最小，从而低压绕组的漏抗最小。

第二章复习思考题及参考答案

第二章复习思考题及参考答案一、解释下列术语1. 电离辐射答：能引起物质电离的射线称之为电离辐射。

电离辐射可分为电磁辐射和粒子辐射两大类。

2. 电磁辐射答：以互相垂直的电场和磁场，随时间变化而交变振荡，形成向前运动的电磁波。

3. 粒子辐射答：粒子辐射是一些高速运动的粒子，它们通过消耗自己的动能把能量传递给其它物质。

主要的粒子辐射有α粒子、β粒子（或电子）、质子、中子、负π介子和带电重离子等。

4. 电离作用答：生物组织中的分子被粒子或光子流撞击时，其轨道电子被击出，产生自由电子和带正电的离子，即形成离子对，这一过程称为电离作用。

5. 激发作用答：当电离辐射与组织分子相互作用，其能量不足以将分子的轨道电子击出时，可使电子跃迁到较高能级的轨道上，使分子处于激发态，这一过程称为激发作用。

6. 水的原发辐解产物答：在水的电离与激发过程中所产生的各种自由基和分子统称为水的原发辐解产物。

总起来可以下式表示电离辐射-•++•eHOOHHOH−→+H++−−O−2水合322e的负电荷平衡。

式中的H3O+（水化氢离子）为H+存在方式之一，与式中-水合7. 传能线密度答：是指直接电离粒子在其单位长度径迹上消耗的平均能量。

其单位为J/m。

一般用keV/µm 表示。

8. 相对生物效能答：X或γ射线引起某一生物效应所需剂量与所观察的电离辐射引起相同生物效应所需剂量的比值，即为该种电离辐射的相对生物效能。

9. 自由基答：能够独立存在的，带有一个或多个不成对电子的原子、分子、离子或原子团。

10. 活性氧答：从强调氧对机体不利一面的角度出发，将那些较氧的化学性质更为活跃的氧的代谢产物或由其衍生的含氧物质统称为活性氧。

11. 直接作用答：电离辐射的能量直接沉积于生物大分子上，引起生物大分子的电离和激发，导致机体的核酸、蛋白质和酶类等分子结构的改变和生物活性的丧失，这种直接由射线造成的生物大分子损伤效应称为直接作用。

12. 间接作用e、答：电离辐射首先直接作用于水，使水分子产生一系列原初辐射分解产物（·OH、H·、水合H2和H2O2等），然后通过水的辐射分解产物再作用于生物大分子，引起后者的物理和化学变化，这种作用方式称为间接作用。

第2章习题与答案

思考题1．为什么说力学性能是机械零件设计时首先要考虑的性能?解：所谓力学性能是指金属在力或能的作用下，材料所表现出来的性能。

力学性能包括强度、塑性、硬度、冲击韧性及疲劳强度等，机械零件在加工过程或使用过程中，都要受到不同形式外力的作用，而力学性能反映了金属材料在各种外力作用下抵抗变形或破坏的某些能力，是选用金属材料的重要依据，因此是机械零件设计时首先要考虑的性能。

2．塑性和强度都是金属材料的一种能力。

金属材料的塑性对零件制造有什么特殊意义?金属材料的强度对零件使用有什么特殊意义?解：金属材料的断后伸长率（A）和断面收缩率（Z）数值越大，表示材料的塑性越好。

塑性好的金属可以发生大量塑性变形而不破坏，易于通过塑性变形加工成复杂形状的零件。

当零件工作时所受的应力，低于材料的屈服强度或规定残余延伸强度，则不会产生过量的塑性变形。

材料的屈服强度或规定残余延伸强度越高，允许的工作应力也越高，则零件的截面尺寸及自身质量就可以减小。

零件在工作中所承受的应力，不允许超过抗拉强度，否则会产生断裂。

R m也是机械零件设计和选材的重要依据。

3．通过拉伸试验绘制的力—伸长曲线表达了金属材料在静拉伸力作用下的强度行为、塑性行为等。

请就力-伸长曲线思考下列问题：(1)哪一段曲线表达了材料的弹性变形能力和抗弹性变形能力(刚度)?(2)哪一段曲线表达了材料的塑性变形能力和抗塑性变形能力?(3)哪一段曲线表达了材料的塑性变形后强度得到提高的能力(形变强化能力)?解：(1)op——弹性变形阶段(2)p点后的水平或锯齿状线段——屈服阶段(3)屈服后至m点——强化阶段4．强度判据R e L、R m、R r0.2都是机械零件选材和设计的依据，应用场合有何不同?解：R e L——有明显屈服现象的金属材料。

R r0.2——无明显屈服现象的金属材料。

R m——承受的最大应力，零件在工作中所承受的应力，不允许超过R m，否则会产生断裂。

5．抗拉强度与硬度之间有没有一定的关系？为什么？解：有。

第2章习题与思考题

第2章思考题与习题一、思考题1、搅拌釜式反应器主要有哪些装置组成？釜盖上有哪些部件？其结构简图如何？2、从主要材质上考虑，搅拌反应釜可以分成哪几类？3、搪玻璃设备有哪些优点？4、搪玻璃反应釜的主要工作特性？5、反应釜的轴封装置有哪二种密封方式？6、反应釜的夹套加热可分为哪几种加热方式？7、反应釜的搅拌器有哪几种型式？8、提高混和效果有哪些措施？9、在导流筒安装方面，螺旋桨搅拌器和涡轮式搅拌器有什么区别？10、导流筒的直径一般为多少？11、高转速搅拌器主要有哪些？大叶片低转速搅拌器主要有哪些？12、如何选择合适的搅拌器？13、搅拌器放大时有哪些常用准则？14、搅拌器的功率曲线？15、实际设备中，如何对搅拌功率进行校正？16、如何用通气准数来关联通气～搅拌功率的影响？17、温度对反应速度的影响？18、温度对选择性的影响？19、搅拌釜的传热装置有哪几种型式？20、蛇管传热的特点？21、转化率、收率和选择性的定义？22、设备之间的平衡，主要有哪几种情况？23、对于一级不可逆的CSTR，稳定操作点如何选择？24、对于CSTR的稳定操作点的基本条件是什么？二、习题1．六叶直叶因盘涡轮搅拌器，d = 0.1m，n = 16 rps，液体粘度µ = 0.08 Pa·s，密度ρ = 900 kg ／m3，有挡板，用查图法求搅拌功率。

答：166 W2．搅拌釜内装六叶弯叶圆盘涡轮搅拌器D = 1.83 m、d = 0.61 m，搅拌器离釜底0.61 m，釜内装深度为1.83 m，浓度为50％的碱液，在65℃下搅拌，粘度为0.012 Pa · s，密度为1498 kg／m：，搅拌转速为90 rpm，釜内装挡板，用查表和查图两种方法计算搅拌功率。

答：2.05 kW3．中试时推进式搅拌器的直径为0.1m，转速为800 rpm，放大后采用的搅拌器直径为0.8 m，求在不同相似情况下放大后的转速。

第2章思考题和习题

2
；
(2) 三相桥式全控整流电路，当负载为电阻性负载时，其晶闸管角的
移相范围为 0
2 ； 3
当负载为电感性负载时，其晶闸管角的移相范围为 0

2
；
7.三相半波可控整流电路带电阻性负载，如在自然换流点之前加入窄触发脉冲，会出现什么现象？画出 ud 的波形。解：如图所示，当触发脉冲 ug1 触发 a 相晶闸管，则 a 相晶闸管导通。当 ug2 触发 b 相晶闸管时，由于 a 相电压高于 b 相电压，a 相晶闸管继续导通，b 相晶闸管因承受反压而不导通。过了自然换相点后，尽管 b 相电压高于 a 相电压，但 b 相晶闸管的触发脉冲 ug2 已消失，所以 b 相晶闸管仍不导通。a 相晶闸管导通到过零点结束。接着导通的是 c 相晶闸管。由此可以看出，由于晶闸管间隔导通而出现了输出波形 ud 相序混乱现象，这是不允许的。
2 I d = 44.91A； 3
(4) 变压器次级容量 S = 3U2I2 = 3*94*44.91 = 12.67kVA； (5) ＝0时，电路功率因数 P I d2 Rd 0.955 ； S S
(6) 因为 Ud = 2.34U2cosα，所以当＝0时，Ud = 0，即触发脉冲距离对应次级相
解：因为 Ld = 0.2H，Rd = 4Ω，所以 ωLd = 2*50*π*0.2 = 62.8Ω≫Rd = 4Ω，所以可
以认为该整流电路的输出电流连续。 (1) 求取变压器二次侧相电压有效值时，应考虑上限情况，即 Ud = 220V
Ud 94V ； 2.34 cos
因为 Ud = 2.34U2cosα，所以 U 2
(2) 整流输出电压 Ud = 0.9U2cosα = 127.28V；电流平均值 Id =