MSOP-08封装ESD静电保护器
esd器件选用大全
ESD保护器件选型建议ESD保护器件的分类ESD保护元件应该保持在不动作状态，同时不会对电子系统的功能造成任何影响，这可以通过维持低电流以及足以在特定数据传输速率下维持数据完整性的低电容值来达成。
而在ESD 应力冲击或者说大电流冲击条件下，ESD 保护元件的第一个要求就是必须能够正常工作，要有够低的电阻以便能够限制受保护点的电压；其次，必须能够快速动作，这样才能使上升时间低于纳秒的ESD 冲击上升时间。
众所周知，对于电子系统而言，它必须能够在IEC 61000-4-2 标准测试条件下存续。
ESD器件一般有以下几种：1、以硅技术为代表的过ESD器件,如瞬态电压抑制器TVS管2、以陶瓷技术为代表的ESD器件，如多层压敏电阻MLV, 金属氧化物压敏电阻MOV等3、以聚合物技术为代表的ESD器件在这几种保护元件中，压敏电阻在低电压时，呈现出高电阻，其中的每个小型二极管两端的电压都相当低，同时电流也相当小；而在较高电压时，其中的独立二极管开始导通，同时压敏电阻的电阻会下降。
从表1 中我们也可以看出压敏电阻为双向保护元件。
压敏电阻采用的是物理吸收原理，每经过一次ESD 事件，材料就会受到一定的物理损伤，形成无法恢复的漏电通道；而且，要达到更好的吸收效果，就要使用更多的材料，使其体积增加，进而限制了在今天小型化产品当中的应用。
而对于带导电粒子的聚合物而言，在正常电压下，这些材料拥有相当高的电阻，但当发生ESD 冲击时，导电粒子间的小间隙会成为突波音隙阵列，从而形成低电阻路径。
瞬态电压抑制器(TVS)则为采用标准与齐纳二极管特性设计的硅芯片元件。
TVS元件主要针对能够以低动态电阻承载大电流的要求进行优化，由于TVS 元件通常采用集成电路(IC)方式生产，因此我们可以看到各种各样的单向、双向及以阵列方式排列的单芯片产品。
压敏电阻介绍压敏电阻器简称VSR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。
普通电阻器遵守欧姆定律，而压敏电阻器的电压与电流则呈特殊的非线性关系。
奥伟斯科技为您提供GS8051_GS8052_GS8054系列聚洵高速运算放大器
GS8051/GS8052/GS8054描述：GS8051 / 1N（单），GS8052 / 2N（双），GS8054（四）是轨到轨输出电压反馈放大器，具有易用性和低成本。
它们具有通常在电流反馈放大器中发现的带宽和压摆率。
GS8051系列均具有宽的输入共模电压范围和输出电压摆幅，因此易于在低至2.5V的单电源上使用。
尽管成本较低，但GS8051系列仍具有出色的整体性能。
它们提供250MHz（G = +1）的宽带宽，以及高达52MHz（G = +2）的0.1dB平坦度，并提供典型的2.8mA /放大器低功耗。
GS8051系列具有低失真和快速建立的特点，非常适合于缓冲高速A / D或D / A转换器。
GS8051 / 2N具有掉电禁用功能，可将电源电流降至50µA。
这些功能使GS8051 / 2N成为尺寸和功耗至关重要的便携式和电池供电应用的理想选择。
所有参数均在-40至+125扩展温度范围内指定。
特点：+ 2.5V〜+ 5.5V单电源供电GS8051提供SOT23-5和SC70-5封装•轨到轨输出GS8052提供SOP-8和MSOP-8封装•-3dB带宽（G = + 1）：250MHz（典型值）GS8054提供SOP-14和TSSOP-14封装•低输入偏置电流：1pA（典型值）GS8051N提供SOT23-6和SC70-6封装•静态电流：2.8mA /放大器（典型值）GS8052N采用MSOP-10封装•工作温度：-40°C〜+ 125°C•小包装：Features•+ 2.5V〜+ 5.5V单电源供电轨到轨输出-3dB带宽（G = + 1）：250MHz（Typ。
）低输入偏置电流：1pA（典型值）静态电流：2.8mA /放大器（典型值）工作温度：-40°C〜+ 125°C 小包装：GS8051提供SOT23-5和SC70-5封装GS8052提供SOP-8和MSOP-8封装GS8054提供SOP-14和TSSOP-14封装GS8051N提供SOT23-6和SC70-6封装GS8052N采用MSOP-10封装:General DescriptionGS8051 / 1N（单），GS8052 / 2N（双），GS8054（四）是轨到轨输出电压反馈放大器，具有易用性和低成本。
ESD保护策略解析
要点三
保障操作人员安全
ESD保护不仅对电子设备本身重要， 还可以减少操作人员遭受静电危害的 风险，保障生产过程的安全性。
ESD保护的基本原理
抑制静电产生
01
通过在地线和信号线等部位增加抑制元件，如TVS二极管等，
以抑制静电的产生和传播。
提前泄放静电
02
通过在器件的某个部位设置导电通路，让静电提前从泄放口泄
05
ESD保护实例分析
基于二极管的ESD保护实例
总结词
简单、成熟、可靠性高、成本低
详细描述
基于二极管的ESD保护器件是最常见的保护方案，其结构简单，成本低，可靠 性高，适用于各种电路和系统。当ESD冲击来临时，二极管能够迅速响应并泄 放电流，从而保护电路不受损坏。
基于MOSFET的ESD保护实例
衬底触发不仅需要能够启动ESD保护机制，还需要能够控制ESD保 护机制的运行。
04
ESD保护策略优化
工艺优化
总结词
降低成本、提高性能
详细描述
工艺优化包括改进制造过程和采用更先进的工艺技术，以降低生产成本和提高性 能。例如，使用更先进的纳米工艺技术可以提高芯片的集成度和性能，同时降低 功耗和成本。此外，优化工艺参数也可以提高芯片的稳定性和可靠性。
钳位电路的响应速度
钳位电路需要在ESD冲击到来时，迅速、准确地启动保 护机制，以避免ESD损害。
衬底触发设计
衬底触发的敏感度
衬底触发需要能够在ESD冲击到来时，迅速、准确地启动ESD保 护机制。
衬底触发的稳定性
衬底触发在设备生命周期内应始终保持稳定，不能出现误触发或 漏触发的情况。
衬底触发的控制能力
其他ESD保护器件
放电管（GDT）
优恩半导体ESD静电保护器目录表
Part Number (Reference) ESD3.3V52D-A ESD05V52D-A ESD08V52D-A ESD12V52D-A ESD15V52D-A ESD24V52D-A ESD05V52D-C ESD12V52D-CInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5 8 12 15 24 5 9Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 110 70 60 50 25 10 5 450 200 30 100 75 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 120 120 120 120 120 120 100 100 320 320 100 320 320 320 200 5 5 5 5 5 1 1 40 10 1 1 1 1SOD-5234 6 8.5 13.3 16.6 26.7 6 10.2 4 6 6 13.3 16.7 26.7SOD-523 ESD03V32D-C ESD05V32D-C ESD0501V32D-C ESD12V32D-C ESD15V32D-C ESD24V32D-C 3 5 5 12 15 24SOD-323ESD3.3V32D-LA ESD05V32D-LA SOD-323 ESD03V32D-LC ESD05V32D-LC ESD08V32D-LC ESD12V32D-LC ESD15V32D-LC ESD24V32D-LC3.3 5.04 60.4 0.4350 35020 5SOD-3233.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.04.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.71.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2350 350 350 350 350 35020 5 2 1 1 1ESD05V14TLC SOT-1435.06.01.23005Part Number (Reference) ESD03V23T-2A ESD05V23T-2A ESD05V23T-2AL ESD08V23T-2A ESD12V23T-2A ESD15V23T-2A ESD24V23T-2A ESD36V23T-2AInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.0Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 400 300 30 250 150 100 88 60Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 300 300 100 300 300 300 300 300 100 10 0.1 1 1 1 1 1SOT-234.0 6.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.7 40.0ESD05V23T-2L SOT-23 Pin 3 to Pin1/Pin2 SM712 Pin 3 to Pin1/Pin2 ESD3.3V23T-1A ESD05V23T-1A ESD08V23T-1A ESD12V23T-1A ESD15V23T-1A ESD24V23T-1A ESD36V23T-1A SOT-235.06.01350177.555400107 3.3 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.013.3 4.0 6.0 8.5 13.3 16.7 24.0 40.055 5 5 5 5 5 5 5400 500 500 500 500 500 500 5001 40 5 5 1 1 1 1SOT-23SLVU2.8 SOT-232.83.034001ESD05V26T-4 SOT-265.06.01.23501Part Number (Reference) ESD05V26T-4L ESD12V26T-4L ESD15V26T-4L ESD24V26T-4LInternal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 90 70 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 350 350 350 350 5 1 1 15.0 12.0 15.0 24.0 SOT-266.0 13.3 16.7 26.7ESD05V26T-5L ESD12V26T-5L ESD15V26T-5L ESD24V26T-5L SOT-265.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.7200 90 70 50350 350 350 3505 1 1 1ESD05V36T-4L SOT-3635.06.021501ESD05V36T-5L SOT-3635.06.0501001ESD05V56T-2L SOT-5635.06.00.9501ESD05V56T-4L SOT-5635.06.0301001ESD05V56T-5L SOT-5635.06.0301001Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD12V56T-2C SOT-5639.010.031001SLVU2.8-4 SO-082.83.024005SLVU2.8-8 SO-08 ESD06V08S-4L SO-082.83.0560056.06.825200020ESD05V08S-4L SO-08 LCDA05C-4 LCDA12C-4 LCDA15C-4 LCDA24C-45.06.0550010SO-085.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1LCDA05C-8 LCDA12C-8 LCDA15C-8 LCDA24C-8 SO-165.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD05VDFN-C DFN10065.06.0101001ULC0524P DSON-105.06.00.81501ULC0528P5.06.50.52000.5MSOP-08ESD05V10S-4L MSOP-105.06.00.51251Cell Phone CCD Camera LinesEE0504K LWSON-085.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5Cell Phone CCD Camera LinesESD0506K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-12Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)Cell Phone CCD Camera LinesEE0508K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-16EE0508DFN5.06.0171DFN3014Differential Mode vs. Common Mode4345256162 of 211232011/3/31Curves of CharacterizationBAV99 vs TVS ARRAYS直接將突波導入到 Vcc -- 這種方式非 非 常不安全, 易導致 Vcc損害.直接將突波導入到 GND -- 這種方式非 非 常安全. 因為接地 區域有較大阻抗可 以分散突波.4 of 212011/3/31Parasitic InductanceESD ProtectorESD Protector不妥當的方式 : 無法將保護元件直接貼 在信號線上. 會產生寄 生電感. 造成保護能力 被寄生的電感減弱.安全的方式 : 將保護元件直接貼在信 號線上. 讓保護能力全 力發揮.Fine Layout vs Parasitic InductanceFine Layout -- Without Parasitic InductanceNOT recommation -- Parasitic Inductance7 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance直接將保護ESD保護能力元件貼在信號線上--不會產生寄生電感問題.可以完全發揮8 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance3-PIN產品的應用9 of 212011/3/31USB 3.0 Interface ProtectionMSOP-0810 of 212011/3/31HDMI Interface ProtectionSLP2510P8(2.5x1.0x0.5mm)11 of 212011/3/31USB 3.0 Interface Protection12 of 212011/3/31GR-1089 Lighting Protection for T-Carrier Interface13 of 212011/3/3110/1000 Gigabit Ethernet Protection14 of 212011/3/31。
ESD基础知识
2023-11-07•esd概述•esd基本原理•esd器件类型•esd电路保护元件•esd设计原则目•esd在电子系统中的应用•esd的未来发展趋势及挑战录01 esd概述esd定义能源服务认证（ESCO）ESCO认证是指对ESCO所提供的能源服务进行审核和评估，以确保其符合相关标准和要求。
ESCO服务ESCO服务包括能源审计、能源管理、能源效率改造、能源供应等服务。
能源服务公司（ESCO）ESCO是提供能源审计、能源管理、能源效率改造等服务的企业。
esd的重要性降低能源成本ESCO能够为企业提供能源效率改造和优化方案，从而降低企业的能源成本，提高企业的竞争力。
保护环境ESCO所提供的能源服务能够有效地减少能源消耗和排放，从而减少对环境的污染和破坏。
提高能源效率通过ESCO提供的能源服务，可以有效地提高能源效率，降低能源消耗，减少能源浪费。
esd的应用场景工业领域ESCO可以为工业领域提供全面的能源服务，包括能源审计、能源管理、能源效率改造等，帮助企业提高能源效率、降低能源成本、保护环境。
建筑领域ESCO可以为建筑领域提供建筑能源审计、节能诊断、节能改造等服务，帮助建筑企业降低能源消耗、减少能源浪费、提高建筑能效。
公共机构ESCO可以为政府机构、学校、医院等公共机构提供能源管理、节能改造等服务，帮助公共机构提高能源效率、降低能源成本、保护环境。
02 esd基本原理电容是存储电荷的物理元件，其大小由电极面积、间距和介质决定。
定义工作原理类型在交流电作用下，电容器的电荷会不断充放电，形成电流。
电容包括铝电解电容、钽电解电容、陶瓷电容等。
03电容020103类型电感包括空芯电感、磁芯电感、铁氧体电感等。
01定义电感是存储磁场能量的物理元件，其大小由线圈的匝数、直径和线圈的材料决定。
02工作原理当电流通过线圈时，会产生磁场，从而感应出电动势，阻碍电流的变化。
1 2 3电阻是导体对电流的阻碍作用，其大小由导体的长度、截面积和材料决定。
启珑微电子产品手册说明书
产品手册PRODUCT MANUAL(北京︶有限公司并一直致力于为工业智能控制、医疗设备、轨道交通、智能交通以及智能家居等领域提供更优质的产品与服务。
公司具有深厚的文化底蕴，由多位有欧美留学、工作经历的归国人员创办，坚实的理论功底和丰富的芯片设计经验奠定了启珑微电子的高起点和高水准，并迅速成长为业内具有自主知识产权的中国IC设计品牌之一。
产品手册01序号产品型号封装形式产品概述兼容型号1CLM811HST-AXC TQFP-48SL811HST-AXC 2CLCP82C55AZ DIP-40CP82C55AZ 3CLIP82C55AZ DIP-40IP82C55AZ 4CLCS82C55AZ PLCC-44CS82C55AZ 5CLIS82C55AZ PLCC-44IS82C55AZ 6CLCQ82C55AZ MQFP-44CQ82C55AZ 7CLIQ82C55AZ MQFP-44IQ82C55AZ 8CLID82C55AZ DIP-40ID82C55A 9CLMD82C55A/B DIP-40MD82C55A/B 10CLMD82C55QA DIP-40MD82C55QA 11CLM65HVD230D SOIC-8SN65HVD230D 12CLM65HVD230QD SOIC-8SN65HVD230QD 13CLM65HVD231D SOIC-8SN65HVD231D 14CLM65HVD231QD SOIC-8SN65HVD231QD 15CLM65HVD232D SOIC-8SN65HVD232D 16CLM65HVD232QD SOIC-8SN65HVD232QD 17CLM65HVD233D SOIC-8具有待机模式和环回功能的 3.3V SN65HVD233D 18CLM65HVD233HD SOIC-8具有待机模式和环回功能的 3.3V SN65HVD233HD 19CLM65HVD233QDRQ1SOIC-8具有待机模式和环回功能的 3.3V SN65HVD233QDRQ120CLM65HVD233MDREP SOIC-8具有待机模式和环回功能的 3.3V SN65HVD233MDREP产品手册02序号产品型号封装形式产品概述兼容型号21CLM65HVD234D SOIC-8SN65HVD234D 22CLM65HVD234QDRQ1SOIC-8SN65HVD234QDRQ123CLM65HVD235D SOIC-8SN65HVD235D 24CLM65HVD235QDRQ1SOIC-8SN65HVD235QDRQ125CLM75176BPS SOIC-8SN75176BPSR 26CLM75176BDR SOIC-8SN75176BDR 27CLM75176ADR SOIC-8SN75176ADR 28CLM75176AP DIP-8SN75176AP 29CLM76176BP DIP-8SN75176BP 30CLM75179BPS SOIC-8SN75179BPS 31CLM75179BDR SOIC-8SN75179BDR 32CLM75179AP DIP-8SN75179AP 33CLM75179BP DIP-8SN75179BP 34CLM65HVD08D SOIC-8SN65HVD08D 35CLM65HVD08P DIP-8SN65HVD08P 36CLM65HVD75D SOIC-8具有IEC ESD保护功能和20Mbps的SN65HVD75D 37CLM65HVD75DGK VSSOIC-8具有IEC ESD保护功能和20Mbps的SN65HVD75DGK 38CLM65HVD75DRBT VDFN-8具有IEC ESD保护功能和20Mbps的SN65HVD75DRBT 39CLM3085CPA+DIP-8(10Mbps)、限摆率RS-485/MAX3085CPA+40CLM3085EPA+DIP-8(10Mbps)、限摆率RS-485/MAX3085EPA+产品手册03序号产品型号封装形式产品概述兼容型号41CLM3085EEPA DIP-8(10Mbps)、限摆率RS-485/MAX3085EEPA 42CLM3085CSA+T SOIC-8(10Mbps)、限摆率RS-485/MAX3085CSA+43CLM3085ECSA+T MSOIC-8(10Mbps)、限摆率RS-485/MAX3085ECSA+T 44CLM3085ESA+T SOIC-8(10Mbps)、限摆率RS-485/MAX3085ESA+45CLM3085EESA+T SOIC-8(10Mbps)、限摆率RS-485/MAX3085EESA+46CLM3088CSA+T SOIC-8MAX3088CSA+T 47CLM3088ECSA+T SOIC-8MAX3088ECSA+T 48CLM3088ESA+T SOIC-8MAX3088ESA+T 49CLM3088EESA+T SOIC-8MAX3088EESA+T 50CLM3088CPA+DIP-8MAX3088CPA+51CLM3088ECPA+DIP-8MAX3088ECPA+52CLM3088EPA+DIP-8MAX3088EPA+53CLM3088EEPA+DIP-8MAX3088EEPA+54CLM485CPA+DIP-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX485CPA+55CLM485ECPA+DIP-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX485ECPA+56CLM485EPA+DIP-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX485EPA+57CLM485EEPA+DIP-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX485EEPA+58CLM485CSA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX485CSA+59CLM485ESA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX485ESA+60CLM485EESA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX485EESA+产品手册04序号产品型号封装形式产品概述兼容型号61CLM3490CSA+SOIC-8 3.3V供电、10Mbps、限摆率、真MAX3490CSA+62CLM3490ECSA+SOIC-8 3.3V供电、10Mbps、限摆率、真MAX3490ESA+63CLM3490ESA+SOIC-8 3.3V供电、10Mbps、限摆率、真MAX3490ESA+64CLM3490EESA+SOIC-8 3.3V供电、10Mbps、限摆率、真MAX3490EESA+65CLM3491CSD SOP-14 3.3V供电、10Mbps、限摆率、真MAX3491CSD+66CLM3491ECSD+SOP-14 3.3V供电、10Mbps、限摆率、真MAX3491ECSD+67CLM3491ESD+SOP-14 3.3V供电、10Mbps、限摆率、真MAX3491ESD+68CLM3491EESD+SOP-14 3.3V供电、10Mbps、限摆率、真MAX3491EESD+69CLM490CSA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX490CSA+70CLM490ECSA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX490ECSA+71CLM490ESA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX490ESA+72CLM490EESA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX490EESA+73CLM490CPA+DIP-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX490CPA+74CLM490ECPA+DIP-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX490ECPA+75CLM490EPA+DIP-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX490EPA+76CLM490EEPA+DIP-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX490EEPA+77CLM488CSA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX488CSA+78CLM488ECSA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX488ECSA+79CLM488ESA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX488ESA+80CLM488EESA+SOIC-8低功耗、限摆率、RS-485/RS-422MAX488EESA+产品手册序号产品型号封装形式产品概述兼容型号81CLM488CPA+DIP-8MAX488CPA+82CLM488ECPA+DIP-8MAX488ECPA+83CLM488EPA+DIP-8MAX488EPA+84CLM488EEPA+DIP-8MAX488EEPA+85CLM232CSE SOIC-16MAX232CSE+T86CLM232ECSE SOIC-16MAX232ECSE+87CLM232ESE SOIC-16MAX232ESE+T88CLM232EESE SOIC-16MAX232EESE+T89CLM232CPE DIP-16MAX232CPE+90CLM232ECPE DIP-16MAX232ECPE+91CLM232EPE DIP-16MAX232EPE+92CLM232EEPE DIP-16MAX232EEPE+93CLM232CWE SOIC-16MAX232CWE+T94CLM232ECWE SOIC-16MAX232ECWE+T95CLM232EWE SOIC-16MAX232EWE+T96CLM232EEWE SOIC-16MAX232EEWE+T97CLM232ACWE SOIC-16MAX232ACWE+T98CLM232AEWE SOIC-16MAX232AEWE+99CLM3232CSE SOIC-16MAX3232CSE+T 100CLM3232ECSE SOIC-16MAX3232ECSE+T05产品手册06序号产品型号封装形式产品概述兼容型号101CLM3232ESE SOIC-16MAX3232ESE+T 102CLM3232EESE SOIC-16MAX3232EESE+T 103CLM1302S SOIC-8DS1302S+T&R 104CLM1302SN+SOIC-8DS1302SN+T&R 105CLM1302Z+T SOIC-8DS1302Z+T&R 106CLM1302ZN+SOIC-8DS1302ZN+T&R 107CLM1302+DIP-8DS1302+108CLM1302N+DIP-8DS1302N+109CLM307Z+SOIC-8DS1307Z+T&R 110CLM1307ZN+SOIC-8DS1307ZN+T&R 111CLM1307+DIP-8DS1307+112CLM1307N+DIP-8DS1307N+113CLM4717EUB+MSOP-10拟开关MAX4717EUB+114CLM231N/NOPB DIP-8LM231N/NOPB 115CLM231AN/NOPB DIP-8LM231AN/NOPB 116CLM331N/NOPB DIP-8LM331N/NOPB 117CLM331AN/NOPB DIP-8LM331AN/NOPB 118CLM298N Multiwatt-15L298N 119CLM298P POWERSO-20L298P 120CLM2543CDW SOIC-20TLC2543CDW产品手册07序号产品型号封装形式产品概述兼容型号121CLM2543IDW SOIC-20TLC2543IDW 122CLM2543CDB SSOP-20TLC2543CDB 123CLM2543IDB SSOP-20TLC2543IDB 124CLM2543CN DIP-20TLC2543CN 125CLM2543IN DIP-20TLC2543IN 126CLM1543CDW SOIC-20TLC1543CDW 127CLM1543IDW SOIC-20TLC1543IDW 128CLM1543CN DIP-20TLC1543CN 129CLM1543IN DIP-20TLC1543IN 130CLM5615CDGK VSSOIC-8趋稳时间为12.5us并具备上电复位功能的10位、单通道、低功耗DAC TLC5615CDGK 131CLM5615IDGK VSSOIC-8趋稳时间为12.5us并具备上电复位功能的10位、单通道、低功耗DAC TLC5615IGGK 132CLM5615CD SOIC-8趋稳时间为12.5us并具备上电复位功能的10位、单通道、低功耗DAC TLC5615CD 133CLM5615ID SOIC-8趋稳时间为12.5us并具备上电复位功能的10位、单通道、低功耗DAC TLC5615ID 134CLM5615CP DIP-8趋稳时间为12.5us并具备上电复位功能的10位、单通道、低功耗DAC TLC5615CP 135CLM5615IP DIP-8趋稳时间为12.5us并具备上电复位功能的10位、单通道、低功耗DAC TLC5615IP 136CLM3616-00SOP-14IW3616-00137CLM3616-01SOP-14IW3616-01138CLM3617-00SOP-14IW3617-00139CLM3617-01SOP-14IW3617-01140CLM3630-00SOP-14IW3630-00产品手册序号产品型号封装形式产品概述兼容型号141CLM1100-0001BGA-128ASIC从站控制ET1100-0001142CLM1100-0002BGA-128ASIC从站控制ET1100-0002143CLM1100-0003BGA-128ASIC从站控制ET1100-0003144CLM1200-0001QFN-48ASIC从站控制ET1200-0001145CLM1200-0002QFN-48ASIC从站控制ET1200-0002146CLM1200-0003QFN-48ASIC从站控制ET1200-0003147CLM8656ARZ SOIC-8AD8656ARZ148CLM8656ARMZ MSOIC-8AD8656ARMZ149CLM1040T/CM,118SOIC-8TJA1040T/CM,118 150CLM1042T/CM,118SOIC-8TJA1042T/CM,118 151CLM1050T/CM,118SOIC-8TJA1050T/CM,118 152CLM1051T/CM,118SOIC-8TJA1051T/CM,118 153CLM82C250T/YM SOIC-8PCA82C250T/YM 154CLM82C251T/YM SOIC-8PCA82C251T/YM 155CLMEE80C196KC20PLCC-68EE80C196KC20 156CLMEN80C196KC20PLCC-68EN80C196KC20 157CLMN80C196KC20PLCC-68N80C196KC20 158CLMTN80C196KC20PLCC-68TN80C196KC20 159CLMEE87C196KC20PLCC-68EE87C196KC20 160CLMEN87C196KC20PLCC-68EN87C196KC2008产品手册09序号产品型号封装形式产品概述兼容型号161CLMN87C196KC20PLCC-68N87C196KC20162CLMTN87C196KC20PLCC-68TN87C196KC20163CLM8051F020-GQ TQFP-100C8051F020-GQ 164CLM8051F021-GQ TQFP-64C8051F021-GQ 165CLM8051F330-GM VFQFN-20C8051F330-GM 166CLM8051F500-IQ TQFP-48C8051F500-IQ 167CLM8051F500-IM VFQFN-48C8051F500-IM 168CLM8051F502-IQ LQFP-32C8051F502-IQ 169CLM8051F502-IM QFN-32C8051F502-IM170CLM08D1500CIYB/NOPB HLQFP-128ADC08D1500CIYB/NOPB 171CLM083000CIYB/NOPB HLQFP-128ADCADC083000CIYB/NOPB 172CLM10AQ190AVTPY EBGA-38010位5GSPS ADC EV10AQ190AVTPY 173CLM9680BCPZ-1250LFCSP-64双通道14位1GSPS ADC AD9680BCPZ-1250174CLM9739BBCZ BGA-16014位、2.5 GSPS、RF数模AD9739BBCZ 175CLM9779ABSVZ TQFP-100双通道16位1GSPS DAC AD9779ABSVZ 176CLM12DS130AVZPY FPBGA-19612位3GSPS DAC EV12DS130AVZPY 177CLM12DS460AVZP FPBGA-19612位6.4GSPS DAC EV12DS460AVZP 178CLM9434BCPZ-370LFCSP-5612位370MSPS ADC AD9434BCPZ-370179CLM9434BCPZ-500LFCSP-5612位500MSPS ADC AD9434BCPZ-500180CLM4149IRGZTVQFN-4814位250MSPS ADCADS4149IRGZT产品手册10序号产品型号封装形式产品概述兼容型号181CLM9467BCPZ-200LFCSP-7216位200MSPS ADC AD9467BCPZ-200182CLM9467BCPZ-250LFCSP-7216位250MSPS ADC AD9467BCPZ-250183CLM9656BCPZ-125LFCSP-56四通道16位125MSPS ADC AD9656BCPZ-125184CLM9245BCPZ-40LFCSP-3214位40MSPS ADC AD9245BCPZ-40185CLM9245BCPZ-65LFCSP-3214位65MSPS ADC AD9245BCPZ-80186CLM9245BCPZ-80LFCSP-3214位80MSPS ADC AD9245BCPZ-80187CLM9783BCPZ LFCSP-72双通道16位500MSPS DAC AD9783BCPZ 188CLM7656BSTZ-REEL LQFP-64六通道16位250KSPS ADC AD7656BSTZ-REEL 189CLM7960BCPZLFCSP-3218位2MSPS ADC AD7960BCPZ190CLM128S102CIMTX/NOPB TSSOP-1612位1MSPS ADC ADC128S102CIMTX/NOPB 191CLM5638IDR SOIC-8DACTLV5638IDR 192CLM7606BSTZ LQFP-64AD7606BSTZ 193CLM9625BBPZ-2.5BGA-19612位2.6GSPS ADC AD9625BBPZ-2.5194CLM9164BBCZ BGA-16516位12GSPS DAC AD9164BBCZ 195CLM9154BCPZ LFCSP-88四通道16位2.4GSPS DAC AD9154BCPZ 196CLM2160IUK#PBF QFN-4816位25MSPS ADC LTC2160IUK#PBF 197CLM9652BBCZ-310BGA-144双通道16位310MSPS ADC AD9652BBCZ-310198CLM7779ACPZ-RL LFCSP-6424位16KSPS ADC AD7779ACPZ-RL 199CLM9208BBPZ-3000BGA-196双通道14位3GSPS ADCAD9208BBPZ-3000200CLM320VC33PGE120LQFP-144TMS320VC33PGE120产品手册序号产品型号封装形式产品概述兼容型号201CLM320VC33PGEA120LQFP-144TMS320VC33PGEA120 202CLM320VC33PGE150LQFP-144TMS320VC33PGE150203CLM320VC5402PGE100LQFP-144TMS320VC5402PGE100 204CLM320F28335PGFA LQFP-176TMS320F28335PGFA205CLM320LF2406APZA LQFP-100TMS320LF2406APZA206CLM320LF2406APZS LQFP-100TMS320LF2406APZS207CLM320LF2407APGES LQFP-144TMS320LF2407APGES208CLM320LF2407APGEA LQFP-144TMS320LF2407APGEA 209CLM320C6713BPYP200HLQFP-208TMS320C6713BPYP200 210CLM320C6713BZDP225BGA-272TMS320C6713BZDP225 211CLM320C6713BGDP225BGA-272TMS320C6713BGDP225 212CLM320C6713BZDP300BGA-272TMS320C6713BZDP300 213CLM320C6713BGDG300BGA-272TMS320C6713BGDP30011邮箱：*******************。
浅析常见ESD保护器
浅析常见ESD保护器(2010-10-19 15:48:06) /s/blog_634c1a400100m28y.html时代的发展让我们每个人手中都会有几件时尚电子产品，如播放器、智能手机以及其他便携式产品等。
这些设备都很容易受到静电放电（ESD）的影响。
在智能手机、电脑和电视机中，半导体器件越来越小，其外的氧化膜越来越薄，对瞬变的敏感度越来越高，器件越来越容易受到损坏。
这些都给电子设备带来同一个问题，那就是设备对电路瞬变过程的影响更加敏感，这给电路保护市场带来了巨大市场价值。
根据Paumanok Publications公司统计，2003年到2008年片式压敏电阻大部分被用于手机ESD保护。
2011年和2012年，因为面临电信基础设施的又一轮建设，声音和数据转换、基站和调制解调器的保护方面也需要消耗大量晶闸管、浪涌电阻排和保护二极管，对电路保护器件来说又是一个快速发展的好时期。
电路保护器件总体上有两种工作方式：过压保护和过流保护。
当电路中出现过压或者过流现象时，这些器件会做出断开或箝位动作，以抑制电压或电流突变，保护其他昂贵的半导体器件免受破坏。
本文主要讨论静电放电（ESD）保护器件。
不管是过压保护还是过流保护，从ESD器件采用的技术方面来说，主要有硅技术、陶瓷材料、聚合材料和玻璃陶瓷四种。
硅技术的ESD器件以硅技术为代表的厂商很多，如村田制作所、Vishay、LittleFuse以及安森美，相关的产品也最多，应用也极为广泛。
常见的硅技术ESD器件如TVS（瞬变电压消除器）。
TVS通常并联于被保护电路，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。
当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压。
由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点。
该产品在手机、机顶盒、复印机等领域得到广泛认可。
国际ESD体系及标准
腕带、鞋类、离子静电消除器、工具、设备、移动设备 • EPA的建立：接地及连接要求、静电场控制、EPA检查和验收 • 现场工作和EPA作业
IEC61340-5-1标准主要内容
（HBM） • IEC61340-3-2：静电影响模拟方法——静电放电模拟——机器模型
（MM） • IEC61340-3-3：静电影响模拟方法——静电放电模拟——带电器件模
型（CDM） • IEC61340-4-1：特别应用的测试——安装地板及地面覆盖物的静电特
性 • IEC61340-4-2：待考虑 • IEC61340-4-3：特别应用的测试——防静电鞋类的特性 • IEC61340-5-1：电子器件的静电保护——一般性要求 • IEC61340-5-2：电子器件的静电保护——用户指南
• EIA下设工程部、政府关系部和公共事务部三个部门委员 会和若干个电子产品部、组及分部。部门委员会为EIA成 员提供市场统计及其他数据、技术标准、法律法规信息、 政府关系、公共事务方面的技术支持。其中，技术标准的 制定工作由工程委员会承担，工程委员会下设专业委员 会。
•
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EIA有关情况
ESD SP10.1-2000
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术语、方法及技术要求
• 术语：ESD ADV1.0 • 标识：ANSI/ESD S8.1 • 接地：ANSI/ESD S6.1 • 工作站：ESD ADV53.1 • 包装：ANSI/ESD S541 • 操作指南：ESD ADV2.0（手册）
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耗散工作台8る3 4ら ESDň?м?の蔨╰ ?蚌? 接地连接须牢固，不建议使用鳄鱼夹； 敏感器件仓储区除非存放完整包装的敏感 器件，否则按EPA对待； 符合性验证要求； 拿取器件的培训要求； 减少静电的措施推荐：湿度控制、离子 化、防护服、手套/指套的防静电；
全方位静电保护ESD和过温保护
全方位静电保护(ESD)和过温保护LED照明系统中的保护元件2014年8月21日© Getty Images 在LED照明系统的有效期内，若要发挥它们的潜能，降低系统维护成本，提高系统的可靠性，需对其进行静电和过温保护。
爱普科斯(EPCOS)保护元件为LED阵列、及其电源和控制电路提供有效以及高性价比的保护。
LED为降低室内、外灯具能耗做出了决定性贡献。
与传统光源，如荧光灯和HID灯相比，不仅 LED的能耗更少，而且其最大使用寿命更长——理想情况下长达80000小时甚至更长。
因此，在一盏LED灯的正常使用寿命期内，传统照明系统的灯具将被更换多次。
这意味着LED照明系统的维护成本更低，其整体系统的运行成本也更低。
影响LED照明系统可靠性的关键因素有：高低能量的静电释放(ESD)事件，包括雷电q瞬态过流事件和浪涌q热插拔过程中的电流和电压达到峰值q反向电压作用q温度过高q因此，若想LED照明系统同LED本身一样可靠耐用，系统的所有部件及其子系统必须得到有效防护以避免以上危害因素，这些危害因素在系统的组装、维护和操作过程中经常遇到。
LED照明系统的体系结构LED灯具由LED引擎(LED阵列、阵列的LED驱动器及其控制单元)、LED电源和电网连接件组成。
为了最大限度地提高效率和照明质量，确定灯具的状态，实现灯具的远程控制和维护，公司和设备管理人员正在部署越来越多的智能联网照明系统。
也就是将通信电源和通信接口集成到灯具中。
每个子系统承受ESD事件和浪涌的能量等级决定了LED照明系统需要采用哪些保护装置，以确保系统的整体可靠性。
图1即为LED照明系统各子系统及其适用保护装置的概略图。
图 1:LED照明系统的基本结构及其必要的保护装置在一个完整的LED照明系统中，爱普科斯(EPCOS)的多种不同的保护装置都适用于过压和过温保护。
高能量浪涌保护通常情况下，爱普科斯(EPCOS) 的SIOV®压敏电阻一直以来是过压保护的首选方案。
ESD保护管
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静电保护器件
ESD保护管
LRC ESD保护管满足的行业标准
IEC 61000-4-2 (ESD) ±15KV (空气放电)
IEC 61000-4-2 (ESD) ± 8 KV (接触放电) IEC 61000-4-4 (EFT) IEC 61000-4-5 (雷电) 40A (5/50ns)
漏极
栅极 栅极
漏极
源极
源极
N-Channel
P-ChanLeabharlann elIC网络超市www.ic-
MOSFET
MOSFET的放大原理：MOSFET的放大原理同三极管的放大原理类似，所不同的 是，MOSFET是电压控制型器件，靠栅-源的电压VGS变化来控制漏极电流ID的 变化；三极管是电流控制型器件，靠基极电流IB的变化来控制集电极电流IC 的变化。通过这种效应，我们可以在栅-源极加入微弱的信号，通过VGS控制 ID加强信号，从而实现信号的放大。
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静电保护器件
ESD保护管
VRWM (Reverse Peak Working Voltage) ：指 ESD保护管最大连续工作的直流 或脉冲电压。当这个反向电压加在 ESD保护管的两极间时，它处于反向关断 状态，流过它的电流应小于或等于最大反向漏电流；当 ESD保护管两端的电 压继续上升，但还没有到达击穿电压 VBR 时， ESD保护管可能继续呈现高 阻状态。使用时 VRWM 不低于被保护电路的正常工作电压。设计时可选 VRWM ＝ 0.9VBR 。 VBR (Reverse Breakdown Voltage): 在指定测试电流下 ESD保护管发生雪崩 击穿时的电压，它是 ESD保护管最小的击穿电压。在该状态发生时， ESD保 护管的阻抗将变得很小。 VBR 会受到结温的影响而有所变化。
静电防护(ESD)
苏州新亚电通有限公司
静电控制（HOW）
环境控制
温度和湿度：
生产制造和维修区域属于静电高风险区域： 温度：20~30℃
相对湿度(RH)：45~75%
其它防静电工作区环境的温湿度一般要求： 温度：20~30℃
相对湿度(RH)：30~75%
注：产品物料对环境温湿度有特殊要求时，应根据需要和实际 条件采取相应的局部环境保证措施。
BOB.HU
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人员规范
作业过程的防静电指引
进入EPA区域前，测试腕带和人体电阻，测试通过并做好记录 方可进入；
接触ESSD及组件之前应戴好防静电腕带，防静电腕带插入香 焦插孔中接地，要保证腕带与皮肤接触良好；
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高静电敏感器件失效原因排序
EOS/ESD 59% 电子测试 3% 氧化/钝化 3% 导体失效 3% 硅片断裂 4% 引脚短路/开路 7% 引脚连接 15% 其他 6%
EOS/ESD 引起的失效 排在第一位
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硬损伤：器件直接不能工作. 软损伤：ESD 减弱了器件或单板 的性能，但仍能通过测试。单板 或器件的特性变差，最终失效.
ECA:ESD Control Area (ESD控制区域)
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静电的历史及影响
• • • • 闪电 600BC-Thales发现用毛皮摩擦过的橡胶可 以吸起羽毛。 公元1400年，欧洲人在黑火药的生产过 程中采用了静电控制。 公元1600年，William Gilbert 重复了 Thales 的实验，并观察到干燥天气的影响 。
ESD知识介绍
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THANKS
挑战
ESD防护产品的发展也面临着一些挑战，如技术门槛高、研 发周期长、市场竞争激烈等。此外，消费者对ESD防护产品 的认知度还需要进一步提高，需求也需要进一步挖掘。
06
esd防护前沿技术
材料的研发进展
01
02
03
高分子材料
研发具有高导电性、高弹 性、高耐久性的高分子材 料，用于制作ESD防护器 件。
esd保护器件的型号对照
根据不同的应用场景和需求， ESD保护器件分为多种型号， 如二极管、场效应管、气体放
电管等。
不同型号的ESD保护器件具有 不同的参数特性和适用场景， 需要根据具体需求进行选择。
各生产商均会提供其ESD保护 器件的型号对照表，以方便客
户进行选择和使用。
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esd保护方案的应用
国外市场现状
全球ESD防护产品市场已经进入快速发展阶段，越来越多的企业开始重视ESD防护，投入更多的研发 资源和市场资源。在国外，消费者对ESD防护产品的认知度相对较高，需求量也较大。
esd防护产品的市场发展趋势
技术创新
随着技术的不断发展，ESD防护产品将不断进行技术创新，提高 产品的性能和可靠性，满足客户更高的需求。
esd保护方案的实施步骤
风险评估
对生产过程中可能 出现的ESD事故进行 风险评估，识别出 高风险环节和薄弱 环节。
制定方案
根据风险评估结果 ，制定针对性的ESD 保护方案，明确保 护目标、措施、责 任人等。
方案审批
ESD保护方案需经过 相关部门审批，确 保方案的可行性和 有效性。
方案实施
按照审批通过的ESD 保护方案，各部门 分工合作，落实各 项措施。
常用的esd保护方案
常用的ESD保护方案引言ESD（Electrostatic Discharge，静电放电）是在两个物体之间发生电荷平衡的过程中，产生突发电流的现象。
ESD不仅会对电子设备产生瞬时的电压冲击，还可能引起电子设备的破坏、故障或降低其可靠性。
为了保护电子设备免受ESD的影响，需要采取适当的ESD保护方案。
本文将介绍几种常用的ESD保护方案，以帮助开发者选择适合自己产品的保护措施。
1. ESD保护器件ESD保护器件是最常见和最简单的ESD保护方案之一。
其工作原理是通过引入具有高电阻的元件来快速放电，从而使ESD电流得以释放，保护电子设备不受损坏。
常见的ESD保护器件包括二极管、MOSFET和TVS二极管。
•二极管：二极管是一种常见的ESD保护器件，其工作原理是在一定的电压范围内使电流流过。
具有良好的电流导通特性，并能承受ESD事件产生的高电压。
•MOSFET：MOSFET是一种半导体器件，具有良好的电压和电流控制能力。
在ESD事件发生时，MOSFET可以快速响应，引导电流流向接地，从而保护后端电路。
•TVS二极管：TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管是一种专门用于抑制瞬变电压的保护器件。
TVS二极管具有快速响应和高耐压能力，可以有效地限制ESD电流和过电压。
选择合适的ESD保护器件需要根据设备的特点和应用环境来确定。
2. PCB布局设计PCB（Printed Circuit Board）布局设计是另一个重要的ESD保护方案。
通过合理的布局设计，可以减少ESD电流对电子设备的影响。
以下是一些常见的PCB布局设计技巧：•地线和电源线布局分离：将地线和电源线布局分开，避免ESD电流通过电源线传导到其他电路。
•引入电流传输阻隔：在PCB布局中引入电流传输阻隔，限制ESD电流的传播范围，减少对其他电路的影响。
•增加电压隔离区域：在PCB布局中增加电压隔离区域，将高压区域与低压区域分开，有效降低ESD事件对其他电路的干扰。