场效应管万用表检测
场效应管怎么测量好坏
场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法：
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。
场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S （源极）。
将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。
方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。
黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。
然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。
然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。
这说明，此场效应管已被触发导通了。
在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。
这说明，此场效应管是完好的。
如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。
一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。
用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。
检测MOS管五种方法
检测MOS管五种⽅法MOS管是⾦属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是⾦属—绝缘体—半导体。
MOS管因导通压降下，导通电阻⼩，栅极驱动不需要电流，损耗⼩，价格便宜等优点在电⼦⾏业深受⼈们的喜爱与追捧。
但是⼀些⼚商的技术不成熟导致MOS管市场良莠不齐。
那么如何对MOS 管进⾏检测呢？华碧实验室为⼤家分享检测MOS管的5种⽅法。
⼀、⽤测电阻法判别MOS管的电极根据MOS管的PN结正、反向电阻值不⼀样的现象，可以判别出MOS管的三个电极。
具体⽅法：将万⽤表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为⼏千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对MOS管⽽⾔，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万⽤表的⿊表笔(红表笔也⾏)任意接触⼀个电极，另⼀只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则⿊表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很⼤，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且⿊表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很⼩，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，⿊表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换⿊、红表笔按上述⽅法进⾏测试，直到判别出栅极为⽌。
⼆、⽤测电阻法判别MOS管的好坏测电阻法检测MOS管是⽤万⽤表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管⼿册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体⽅法：⾸先将万⽤表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在⼏⼗欧到⼏千欧范围(在⼿册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值⼤于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是⽆穷⼤，可能是内部断极。
然后把万⽤表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为⽆穷⼤，则说明管是正常的;若测得上述各阻值太⼩或为通路，则说明管是坏的。
MOS管如何检测S、D、G集,如何判别好坏
MOS管如何检测S、D、G集，如何判别好坏
一、定性判断场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
二、判断结型场效应管的电极
将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。
如表针向左侧大。
QF13N50H场效应管好坏判断
QF13N50H场效应管好坏判断一、用指针式万用表对场效应管进行判别。
（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不-一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在RX1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一“个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于RX10或RX100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于RX10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的RX100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
图解使用数字万用表测量场效应管MOS管
场效应管英文缩写为FET。
可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS 管。
而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。
下图为MOS管的标识
我们主板中常用的MOS管GDS三个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D极S极！如下图：
用二极管档对MOS管的测量，首先要短接三只引脚对管子进行放电。
1然后用红表笔接S极。
黑表笔接D极。
如果测得有500多的数值，说明此管为N沟道。
2黑笔不动，用红笔去接触G极测得数值为1。
3红笔移回到S极。
此时管子应该为导通。
4然后红笔测D极。
而黑笔测S极。
应该测得数值为1。
(这一步时要注意。
因为之前测量时给了G极2。
5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常，寻修网建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先)
5然后红笔不动。
黑笔去测G极，数值应该为1
到此我们可以判定此N沟道场管为正常。
有的人说后面两步可以省略不测，不过我习惯性把五个步骤全用上，呵呵，个人习惯问题！！！当然。
对P沟道的测量步骤也一样，只不过第一步为黑表笔测S极。
红表笔测D 极，可以测得500多的数值。
场效应管检测方法
场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
如何识别场效应管晶体管的管脚
如何识别场效应晶体管的管脚？新闻出处：电子市场发布时间：2008年09月02日测量场效应晶体管的管脚可以用万用表R X 1K电阻挡位进行测试。
试探结型场效应管的哪个管脚为栅极的方法是：将万用表中的红表笔接一个管脚，黑表笔分别去接另外两个管脚。
如果两次测出的结果相同，所测的阻值都很大或所测的阻值都很小，则可判断出红表笔所测的管脚为栅极。
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
k3799场效应管参数代换好坏测量
k3799场效应管参数代换好坏测量k3799场效应管的极性判定：方法：指针万用表（1）将万用表置于RX1K档：（2）将红(黑）表笔中的任意一只固定，另-一只黑（红）表笔去接触其余两只引脚，测其阻值。
当出现两次阻值近似或相等时，则红（黑〉所接的是栅极。
，其余分别为漏极口和源板S。
如果没有出现两次近似或相等，则换电极重新测试。
(3）将两只表笔分别接在口和S上，测其阻值，然后调换表笔，所得阳值较小的一次(一般为儿千欧至十几千欧），对于N沟道：黑笔接的是源极5，红笔接的是漏极D：对于P沟道：黑笔接的是漏极S，红笔接的是源极D。
场效应管的极性判定：（一般为儿千欧至十几千欧），对于N沟道：黑笔接的是源极5，红笔接的是漏极D：对于P沟道：黑笔接的是漏极S，红笔接的是源极D。
N 沟道：将万用表置于“二极管”档，红笔接5，黑笔分别接G、口所得值《500 左右）应该相同。
p沟道：将万用表置于“二极管”档，黑笔接S，红笔分别接G、口所得值(500左右〕应该相同。
k3799场效应管的检测方法：[须开路测试]方法一：<开路测试）〔数字万用表）：（1）将数字万用表置于“二极管”档，然后将场管三个引脚短接放电。
(2）接着用两表笔分别接触场管三个号脚中的两个，测量三组数据：G、S与G、D之间的数值应为“1”；D、S之间的数值应为500 (300-800）（N沟道：红接S，黑接D；P沟道：红接D，黑接5：管），则说明场管正常；如果有数据为“0”或蜂鸭声，则场管被击穿。
方法二：(软击穿)：极控制电压不正常。
功率可代功率小的。
(1）场管不受G极控制，当G极有电压时，DS 就导通。
代换方法：(1）N沟道代换N 沟道，P沟道代换P沟道。
(3）技嘉主板中给CPU 主供电的场管要原值代换。
方法：指针。
场效应管检测方法
场效应管检测方法
场效应管（也叫MOSFET）的检测方法如下：
1. 使用万用表检测场效应管的极性。
将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。
如果万用表的示数没有变化或者非常小，说明场效应管是P型的；如果示数明显有变化，说明场效应管是N型的。
2. 使用万用表检测场效应管导通。
将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。
如果万用表的示数为低阻值，说明场效应管导通；如果示数为高阻值，说明场效应管截止。
3. 使用数字万用表或示波器检测场效应管的漏极/集电极电压和栅极/基极电压。
将黑表笔接触到场效应管的TO（源/栅/发射）引脚，将红表笔依次接触到场效应管的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。
通过读取数字万用表上的电压示数或示波器上的波形变化，可以确定场效应管所处的工作区域（截止、饱和或放大）。
以上是常用的场效应管检测方法，具体方法可以根据具体的测试设备和需求进行适当的调整。
用万用表测量场效应管
用万用表测量（试）VMOS功率场效应管
1、判断引脚极性（电极）
万用表置R×1k档，分别测试三个电极间的阻值，如果其中—脚与另两脚间的电阻为无穷大，且交换表笔测试仍—样．说明这—脚为栅极G。
由图1(b)可以看出，源、漏极之间相当于一个PN结，测其正、反向电阻，以阻值较小(约几千欧)的那次为准，黑表笔接的是源极(P型)S，红表笔接的就是漏极(N型)D，对N沟道VMOS管判断相反。
一般VMOS 管曲面极D与外壳(或散热片)是连在一起的，这就是更容易区分漏、源两电极了。
图1VMOS功率场效应管外形及内部结构示意图
2、判断好坏
①万用去置R×1k档，先短路一下栅－源极，泄放掉栅极上感应的电荷，然后用黑表笔接S，红表笔接D，如测出的阻值在几千欧，再短接—下G、S后交换表笔测得阻值为无穷大，说明管子漏、源极间PN结是好的。
②用导线将G、S短路起来，万用表置R×1档，黑表笔接S，红表笔接D，如测得的阻值在几欧姆，说明管子是好的，并且阻值越小，还说明管子的放大能力越强。
其判断理由是：将G、S极短路并用黑表笔接源极S时，就相当于给栅极加上了正偏压，这个正电压产生的电场会把源极N+型和P沟道区内的电子吸附到氧化膜的表面，从而分离出大量的空穴参予导电，使电流剧增，电阻减小。
③万用表置R×10档，分别测量G－S、G－D极间的正反向电阻，如果都为无穷大，说明管于是好的，否则说明栅极与漏、源极间有漏电或者击穿损坏。
对于N沟道管交换表笔测试即可。
3、放大能力（跨导）的测量
VMOS管的放大能力(跨导)的测量可参考《绝缘栅场效应管的测量》一文中关于MOS 管放大能力的测试方法。
数字万用判断表场效应管和三极管
用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。
如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。
反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。
但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。
注意事项：（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。
但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。
其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。
（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。
三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。
现在锗合金管已经少见了。
这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。
场效应管(MOS管)如何判断好坏？
（三）VMOS大功率场效应晶体管的检测
1．判别各电极与管型
用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D，而另一引脚为栅极G。
再用万用表R×10k档测量两引脚（漏极D与源极S）之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为2kΩ左右，反向电阻值大于500kΩ。
用万用表R×10档或R×100档，测量场效应晶体管源极S和漏极D之间的电阻值。正常时，正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆。且黑表笔接漏极D、红表笔接源极S时测得的电阻值较黑表笔接源极S、红表笔接D时测得的电阻值要略大一些。若测得D、S极之间的电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿损坏或已开路损坏。用万用表R×10k档，测量其余各引脚（D、S之间除外）的电阻值。正常时，栅极G1与G2、G1与D、G1与S、G2与D、G2与S之间的电阻值均应为无穷大。若测得阻值不正常，则说明该管性能变差或已损坏。
一）结型场效应晶体管的检测
1．判别电极与管型
用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。
2．估测放大能力
用万用表R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时，用手指捏住两个栅极பைடு நூலகம்加入人体感应信号。若加入人体感应信号后，RSD的阻值由大变小，则说明该管有一定有放大能力。万用表指针向右摆越大，说明其放大能力越强。
3．判断其好坏
2．判别其好坏
测量MOS管好坏方法
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
场效应管测量方法
场效应管测量方法1. 引言场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种主要用于放大电信号和控制电流的电子器件。
为了正确测量和评估场效应管的性能，需要掌握一些有效的测量方法。
本文将介绍场效应管的测量方法，以帮助读者更好地理解和应用这一器件。
2. 常用测量工具在场效应管的测量过程中，常用的工具主要有以下几种：2.1 示波器示波器是测量场效应管时最常用的工具之一。
它可以显示电压信号的波形图，帮助我们观察和分析电压的变化情况。
通过连接示波器的通道，可以测量场效应管的输入和输出信号，以及电压的增益和频率响应等参数。
2.2 万用表万用表是一种多功能的测量工具，可以进行电压、电流和电阻的测量。
在场效应管测量过程中，可以使用万用表测量场效应管的电流、电压和电阻等参数，以评估其性能和工作状态。
2.3 函数信号发生器函数信号发生器可以产生不同频率和幅度的信号，用于检测场效应管的频率响应和线性特性。
通过连接函数信号发生器和示波器，可以测量场效应管的截止频率、增益和失真等参数。
3. 测量方法3.1 静态参数测量静态参数测量是评估场效应管性能的重要手段，包括以下几个方面：3.1.1 静态漏极电流（IDSS）静态漏极电流是指在零偏置下，场效应管的漏极电流值。
测量方法为将场效应管的源和漏极短接，通过连接电流表，测量漏极电流的大小。
3.1.2 阀值电压（VTH）阀值电压是指当场效应管工作于放大区时，控制极需要施加的电压。
测量方法为将场效应管的源极接地，在控制极施加连续不断增加的电压，测量当场效应管开始导通时的电压。
3.1.3 饱和电流（IDSAT）饱和电流是指当场效应管工作于饱和区时，漏极电流的最大值。
测量方法为将场效应管的源和漏极短接，通过连接电流表，测量饱和电流的大小。
3.2 动态参数测量动态参数测量主要用于评估场效应管的响应速度和频率范围，包括以下几个方面：3.2.1 截止频率（fT）截止频率是指当场效应管的电流放大倍数降至1时的频率。
图解：数字式万用表检测场效应管
图解：数字式万用表检测场效应管场效应管与普通的三极管检测方法有很大区别。
由于常用的MOS场效应管的D-S极之间都有一个阻尼二极管，因此可以采用数字式万用表的二极管挡来检测D-S极之间的二极管压降，从而判断场效应管的性能，检测方法如下。
将数字式万用表的挡位开关拨至二极管挡，红表笔接S极、黑表笔接D极，此时万用表的屏幕上会显示出D-S极之间二极管的压降值，大功率场效应管的二极管压降值通常在0.4～0.8V之间，小功率场效应管的二极管压降值通常为0.5 5V左右；黑表笔接S极、红表笔接D极以及G极，与其他各引脚之间均应该无压降（以N沟道场效应管为例，P沟道场效应管应该是红表笔接D极、黑表笔接S极才有压降值）。
反之，则说明场效应管已经损坏。
在维修中，场效应管通常为击穿损坏，这时各引脚之间通常呈短路状态，因此各引脚间的压降值也通常为0V。
常用的贴片封装大功率场效应管5N03检测示意图分别如图1、图2所示。
图1 红表笔接S极、黑表笔接D极测量结果图2 红表笔接D极、黑表笔接S极测量结果常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图如图3所示。
图3 常用的小功率场效应管BSP254A检测示意图常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图如图4所示。
图4 常用的大功率场效应管FS10SM18A检测示意图在代换场效应管时，主要应该考虑如下参数：最大漏极功耗PDM（相当于普通三极管的PCM）、极限漏极电流ID、最大漏源电压VDS、导通电阻RDS（ON）。
除了考虑以上参数外，还要考虑引脚排列是否一致，因为场效应管的型号前缀字母与数字即使完全一致，只要后缀字母不相同，则引脚排列也可能不一致，如显示器中常用的行推动管BSP254与BSP254A，引脚排列就完全不一致。
在维修工作中，还要注意绝对不能用N沟道的场效应管代换P沟道的场效应管，反之也一样。
利用数字式万用表不仅能判定场效应管的电极、还可以测量管子的跨导（放大系数）。
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场效应管万用表检测IGBT有三个电极, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。
这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。
先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。
这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。
但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。
第二，此方法对MOS场效应管也适用。
但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极G 允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。
第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。
这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起VGS电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
（4）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D；红表笔所接的为源极S。
用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样。
当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。
此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。
将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。
当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
二、.场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。
如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。
尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。
以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。
因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。
总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。
它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。
因此，VMOS管的并联得到广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。
VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。
由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。
电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。
由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS 场效应管。
国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。
下面介绍检测VMOS管的方法。
1〃判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。
若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2〃判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S 极与D极。
用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3〃测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
4〃检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。
对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。
例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。
适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。
以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。