模拟电子电路基础总复习
27个模拟电路基础知识总结
27个模拟电路基础知识总结01基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫电流定律：在电路任一节点，流入、流出该节点电流的代数和为零。
基尔霍夫电压定律：在电路中的任一闭合电路，电压的代数和为零。
02戴维南定理一个含独立源、线性电阻和受控源的二端电路，对其两个端子来说都可等效为一个理想电压源串联内阻的模型。
其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端子的开路电压，串联的内阻为内部所有独立源等于零时两端子间的等效电阻。
03三极管曲线特性04反馈电路的概念及应用。
反馈，就是在电子系统中，把放大电路中的输出量（电流或电压）的一部分或全部，通过一定形式的反馈取样网络并以一定的方式作用到输入回路以影响放大电路输入量的过程。
反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。
负反馈对放大器性能有四种影响：提高放大倍数的稳定性，由于外界条件的变化（T℃，Vcc，器件老化等），放大倍数会变化，其相对变化量越小，则稳定性越高。
减小非线性失真和噪声。
改变了放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro。
有效地扩展放大器的通频带。
电压负反馈的特点：电路的输出电压趋向于维持恒定。
电流负反馈的特点：电路的输出电流趋向于维持恒定。
引入负反馈的一般原则为：为了稳定放大电路的静态工作点，应引入直流负反馈；为了改善放大电路的动态性能，应引入交流负反馈（在中频段的极性）。
信号源内阻较小或要求提高放大电路的输入电阻时，应引入串联负反馈；信号源内阻较大或要求降低输入电阻时，应引入并联系反馈。
根据负载对放大电路输出电量或输出电阻的要求决定是引入电压还是电流负反馈，若负载要求提供稳定的信号电压或输出电阻要小，则应引入电压负反馈；若负载要求提供稳定的信号电流或输出电阻要大，则应引入电流负反馈。
在需要进行信号变换时，应根据四种类型的负反馈放大电路的功能选择合适的组态。
例如，要求实现电流——电压信号的转换时，应在放大电路中引入电压并联负反馈等。
05有源滤波器和无源滤波器的区别无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成。
《模拟电子技术基础》总复习典型习题解析
2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。
（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。
（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。
（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。
（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适， 的波形要失真；，A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础模拟电子技术基础（一）一、基础概念1. 电路电路是由电子元器件或者电气元件（例如，电阻、电容、电感等）连接而成，构成的电子装置。
电路分为直流电路和交流电路，其中直流电路的电流一般是恒定不变的，而交流电路的电流则是周期性变化的。
2. 元器件元器件是电路中最基本的构成单元，包括电阻、电容、电感等。
不同的元器件对电路中的电信号具有不同的影响。
例如，电阻会阻碍电流的流动，而电容则会将电信号存储下来，并释放出来。
3. 电压、电流和电阻电压是电路中电子流动的驱动力，也称电势差，通常用符号V表示。
电压越高，电流也相应地越大。
电压的单位是伏特（V）。
电流是电子在电路中流动的数量，通常用符号I表示。
电流的单位是安培（A）。
电阻是电路中阻碍电流流动的因素，通常用符号R表示。
电阻的单位是欧姆（Ω）。
电阻的大小越大，则电流通过电路的速度越慢。
4. 电路图电路图是用符号表示电路中各种元器件的图示。
通过电路图，我们可以识别电路中所使用的元器件，并了解电路中各元器件之间的连接关系。
二、基础元器件1. 电阻电阻是电路中最基本的元器件之一，其作用是阻碍电流的流动。
电阻的物理量是电阻值，通常用符号R表示。
电阻的单位是欧姆（Ω）。
电阻分为固定电阻和变阻器两种。
固定电阻一般以芯片电阻或线圈形式存在，主要是用来控制电路中的电流。
变阻器则被用来调节电路中电阻的大小。
2. 电容电容是能够将电能存储在其中的元器件。
电容器的物理量是电容值，通常用符号C表示。
电容的单位是法拉（F）。
电容一般分为电解电容和固体电容。
电解电容主要应用于大电容电路中，而固体电容一般应用于小电容电路中。
3. 电感电感是在电路中产生磁场并由此引起电动势的元器件。
电感的物理量是电感值，通常用符号L表示。
电感的单位是亨利（H）。
电感一般分为线圈电感和铁芯电感两种。
线圈电感主要应用于高频电路中，而铁芯电感则应用于低频电路中。
三、放大器放大器是一种能够放大电子信号的电路。
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图1图2一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最小的电路是 ② ，输出电阻最小的电路是 ③ ，频带最宽的电路是 ② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ① ；只能放大电流，不能放大电压的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流的电路是 ② 。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ，电流放大系数为β，B -E 间动态电阻为r be 。
填空：（1）静态时，I BQ 的表达式为 B BEQCC BQ R U V I -= ，I CQ 的表达式为BQ CQ I I β=； ，U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -=（2）电压放大倍数的表达式为 beL u r R A '-=β ，输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ，输出电阻的表达式为 C R R =0；（3）若减小R B ，则I CQ 将 A ，r bc 将 C ，uA 将 C ，R i 将 C ，R o 将B 。
A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A = 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻u为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。
《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc
《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
模拟电路基础知识大全
一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共集电极）、（共发射极）、（共基极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（交流）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fh-fl ），（1+AF ）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（近似于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调波），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载流信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy ）1、1、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。
模拟电路基础知识点总结
模拟电路基础知识点总结一、电路基本概念1. 电路电路是由电子元件（如电源、电阻、电容、电感等）连接在一起形成的电子装置。
通过这些元件可以实现电能的输送、控制和转换，从而完成各种电子设备和系统的功能。
2. 电流、电压和电阻电流是电子在导体中流动的载体，是电荷的移动速度，通常用符号I表示，单位是安培(A)。
电压是电源推动电荷流动的力量，通常用符号U表示，单位是伏特(V)。
电阻是导体对电流的阻碍，通常用符号R表示，单位是欧姆(Ω)。
3. 串联电路、并联电路和混联电路串联电路是将电子元件连接在同一电路中，依次排列，电流只有一条通路可走。
并联电路是将电子元件连接在同一电路中，相互平行排列，电流可有多条通路走。
混联电路是将电子元件混合连接在同一电路中，既有串联又有并联的特点。
二、基本电路元件1. 电源电源为电路提供驱动力，可以是直流电源或交流电源，根据需要分别选择。
2. 电阻电阻是电路中常用的元件，可以用来控制电流大小，限制电流大小，分压和分流等。
3. 电容电容是储存电荷的元件，可以用来实现一些信号处理和滤波的功能，在交流电路中有重要作用。
4. 电感电感是导体绕制的线圈，可以将电能转换为磁能，反之亦然，对交流信号传输有重要作用。
5. 二极管二极管是一种电子元件，可以将电流限制在一个方向上流动，常用于整流、开关和光电转换等应用。
6. 晶体管晶体管是一种半导体元件，可以放大电流信号，控制电流开关等，是集成电路中最基本的元件之一。
三、基本电路分析1. 基尔霍夫定律基尔霍夫定律是用来分析串联电路和并联电路中电压和电流的分布情况的定律，包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。
2. 电压分压和电流分流电压分压和电流分流是串联电路和并联电路中常见的分析方法，可以通过这些方法来实现电路中电压和电流的控制。
3. 戴维南定理和戴维南等效电路戴维南定理是用来分析电路中电阻和电压之间的关系，戴维南等效电路是用来替代一些复杂电路，简化分析过程的方法。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)
习题1一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V VsD -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e T V V>>，于是T V V s e I I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1e T V V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础知识电路的基本组成与原理
模拟电子技术基础知识电路的基本组成与原理模拟电子技术基础知识：电路的基本组成与原理电子技术是现代科技的基石，而模拟电子技术则是电子技术中的重要一环。
在模拟电子技术中，电路是最基本的组成单位，是实现各种电子设备功能的核心。
一、电路的基本组成电路由电子元件组成，主要包括电源、导线、电阻、电容和电感等。
电路中，电源提供了电流和电压的能量来源，导线用于连接各个电子元件，电阻用于限制电流流动，电容和电感则用于储存和释放电荷。
这些元件的协同作用构成了电路的基本组成。
1. 电源电源是电路中的能量供给装置，通常使用直流电池或交流电源。
直流电源提供恒定的电流和电压，适用于大多数电子设备。
交流电源提供交变的电流和电压，可用于供电和变压等应用。
2. 导线导线用于连接电路中的各个元件，它能够传导电流和电压。
导线通常采用铜线或银线，具有良好的导电性能和导热性能。
3. 电阻电阻是电路中的一个重要元件，用于限制电流的大小。
电阻通常由导电材料制成，常见的有金属电阻、碳膜电阻等。
电阻的大小表示为欧姆（Ω），用来表示电阻对电流的阻碍程度。
4. 电容电容是电路中的一种储能元件，由两个导体之间的绝缘介质分隔开。
当电容上施加电压时，导体之间会积累电荷，形成电场。
电容的容量大小用法拉第（F）表示，表示电容对电荷的储存能力。
5. 电感电感是电路中的另一种储能元件，它由线圈或绕线形成。
当通过电感的电流发生变化时，会在电感中产生感应电动势。
电感的大小用亨利（H）表示，表示电感对电流变化的敏感程度。
二、电路的原理电路的原理基于基本电子组件之间的相互作用。
根据电子元件的不同连接方式，电路可以分为串联电路、并联电路和混合电路。
1. 串联电路串联电路中的元件按照顺序依次连接，电流只能通过一条路径流动。
这意味着串联电路中的元件共享相同的电流。
在串联电路中，电压分布根据元件的阻值来划分，总电压等于各个元件电压之和。
2. 并联电路并联电路中的元件将彼此平行连接，允许电流以不同的路径流动。
模拟电路知识点复习总结
1. 内部载流子的传输过程
发射区：发射载流子
集电区：收集载流子
基区：传送和控制载流子
（以NPN为例）
IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO
放大状态下BJT中载流子的传输过程
2. 电流分配关系
根据传输过程可知 IE=IB+ IC
设
传输到集电极的电流
= 发射极注入电流
即 = InC
IE
通常 IC >> ICBO 则有 IC
iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收
集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。
共射极连接
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
2. 输出特性曲线
(1)虚短
由于运放的电压放大倍数很大，而运放的输出电 压是有限的，一般在10 V～14 V。因此运放的差模输入 电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短 路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接 近相等。
“虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时， 可把两输入端视为等电位，这一特性称为虚假短路，简 称虚短。显然不能将两输入端真正短路。
则 = IC ICEO
IB
当
IC
ICEO 时，
IC IB
是另一个电流放大系数。同样，它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
《模拟电子技术基础》复习题
模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是，输入电阻最小的电路是，输出电阻最小的电路是，频带最宽的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是；只能放大电流，不能放大电压的电路是；只能放大电压，不能放大电流的电路是。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。
填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为（3）若减小R B，则I CQ将，r bc将，A 将，R i将，R o将。
uA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A =；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则u放大电路的输入电阻R i=。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将增大或将减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路，其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振蒎电路。
7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流较大时应采用滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。
电子技术模拟电路知识点总结
电子技术模拟电路知识点总结一、模拟电路基础概念模拟电路处理的是连续变化的信号，与数字电路处理的离散信号不同。
在模拟电路中，电压和电流可以在一定范围内取任意值。
这是理解模拟电路的关键起点。
二、半导体器件1、二极管二极管是最简单的半导体器件之一，具有单向导电性。
当正向偏置时，电流容易通过；反向偏置时，电流极小。
二极管常用于整流电路，将交流转换为直流。
2、三极管三极管分为 NPN 型和 PNP 型。
它具有放大电流的作用，通过控制基极电流，可以实现对集电极电流的控制。
三极管在放大电路中应用广泛。
3、场效应管场效应管分为结型和绝缘栅型。
它是电压控制型器件，输入电阻高，噪声小，常用于集成电路中。
三、基本放大电路1、共射放大电路共射放大电路具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数，但输入电阻较小，输出电阻较大。
2、共集放大电路共集放大电路又称射极跟随器，电压放大倍数接近 1，但输入电阻高，输出电阻小，具有良好的跟随特性。
3、共基放大电路共基放大电路具有较高的频率响应和较好的高频特性。
四、集成运算放大器集成运算放大器是一种高增益、高输入电阻、低输出电阻的直接耦合放大器。
1、理想运算放大器特性具有“虚短”和“虚断”的特点。
“虚短”指两输入端电位近似相等，“虚断”指两输入端电流近似为零。
2、运算放大器的应用包括比例运算电路、加法运算电路、减法运算电路、积分运算电路和微分运算电路等。
五、反馈电路反馈可以改善放大器的性能。
1、正反馈和负反馈正反馈会使系统不稳定，但在某些特定情况下，如正弦波振荡器中会用到。
负反馈能稳定放大倍数、改善频率特性等。
2、四种反馈组态电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈和电流并联负反馈，它们对电路性能的影响各不相同。
六、功率放大电路功率放大电路的主要任务是向负载提供足够大的功率。
1、甲类、乙类和甲乙类功率放大电路甲类功放效率低，但失真小；乙类功放效率高，但存在交越失真；甲乙类功放则是介于两者之间。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电基础知识
模电基础知识文件管理序列号：[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688]模拟电路基础复习资料一、填空题1．在P型半导体中，多数载流子是（空隙），而少数载流子是（自由电子）。
2．在N型半导体中，多数载流子是（电子），而少数载流子是（空隙）。
3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（N）区，电源的负极应接（P）区。
4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（P）区，电源的负极应接（N）区。
4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为本征半导体，当掺入五价微量元素便形成N型半导体，其电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
当掺入三价微量元素便形成P型半导体，其空穴为多子，而电子为少子。
4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
4.3、二极管有一个PN结，它具有单向导电性，它的主要特性有：掺杂性、热敏性、光敏性。
可作开关、整流、限幅等用途。
硅二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V，锗二极管的死区电压约为0.1V、导通压降约为0.2V。
5、三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。
5.1、三极管具有二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都应正偏；截止时：两个结都应反偏。
放大时：发射结应（正向）偏置，集电结应（反向）偏置。
5.2、三极管放大电路主要有三种组态，分别是：共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。
共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。
共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。
且共基接法的输入电阻比共射接法低.5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。
5.4单管共射放大电路中，1.交直流并存，2.有电压放大作用，3.有倒相作用。
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3.2.1 温度对半导体器件及静态工 作点的影响
在外部因素中，对静态工作 点的影响最大的是温度变化，晶 体管是一个温度敏感器件，当温
度变化时，其特性参数（β、 ICBO、UBE）的变化比较显著
48
1、温度对UBE的影响
UBE UBE |t0 25C (t t0 ) 2.2 103V
iB 50ºC 25ºC
uCE
50
3、温度对静态工作点的影响
实验表明：温度每升高1℃，β约增大(0.5～
1)％左右，UBE 减小（2～2.5）mV，温度每升
高10℃，ICBO 约增加一倍。晶体管参数随温度
的变化，必然导致放大电路静态工作点发生漂 移，这种漂移称为温漂。
以基本放大电路为例，当温度t↑升高、 UBE↓、其静态电流ICBO↑、β↑则IC↑↑。
uBE
IB
EC
U BE RB
T
UBE
IB
IC
49
2、温度对 值及ICBO的影响
|t025C [1 (t t0 )]
ICBO ICBO |t0 25C ek (tto )
ICQ IBQ ICBO
总的效果是：
iC
T
、 ICBO
Q´
IC
Q
(0.5 1)%
温度上升 时，输出 特性曲线 上移，造 成Q点上移。
3
载流子浓度差
多子扩散 杂质离子形成空间电荷区
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移 内 电 场 阻 止 多 子 扩 散 扩散运动 多子从浓度大向浓度小的区域运动，称为扩散。
扩散运动产生扩散电流。 漂移运动 少子向对方运动，称为漂移。
漂移运动产生漂移电流。 动态平衡 扩散电流=漂移电流，PN结内总电流为0。
条件较难满足， 可采用专用运放 来近似满足。
6. 失调、漂移和内部噪声为零。
27
理想运放的工作状态
1. 理想运放的同相和反相输入端电流近似为零 2. 理想运放的同相和反相输入端电位近似相等
虚断 由于理想运放的输入电阻非常高，可以把两 输入端视为等效开路——简称虚断。
虚短 虚地
在运算放大器处于线性放大状态时，可以把 两输入端视为假想短路——简称虚短。
44
• 放大电路的分析方法
估算法
放大 电路 分析
静态分析
图解法
动态分析 计算机仿真
微变等效电路法
图解法
45
三极管的微变等效电路 ib
c ic
ib
b
uce
ube
ube rbe
e
ib
b
c
ib
rbe
ic
ib
rce
uce
rce很大， 一般忽略。
e
46
3.2 放大电路的稳定偏置
放大电路静态工作点设置的不合 适，是引起非线性失真的主要原因 之一。实践证明，放大电路即使有 了合适静态工作点，在外部因素的 影响下，例如温度变化、电源电压 的波动等，将引起静态工作点的偏 移，由此同样会产生非线性失真， 严重时放大电路不能正常工作。
FET是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单级型器件。 3. BJT的输入电阻较低，一般102-104； FET的输入电阻高，可达109-1014
场效应管的分类
结型场效应管JFET MOS型场效应管MOSFET
14
N沟道结型结构
基底 ：N型半导体 D漏极
G(栅极)
N PP
两边是P区 导电沟道
uO1)
R4 R3
(1
2R 2 R1
)(u1
u2)
41
第三章 基本放大电路
§3.1 放大电路的组成与技术指标
3.1.1 放大电路的组成 3.1.2 放大电路的技术指标
§ 3.2 放大电路的稳定偏置
3.2.1 温度对半导体器件及静态工作点的影响 3.2.2 分压式偏置电路
3.2.3 电流源偏置电路
rbe的量级从几百欧到几千欧。
11
2) 输出回路 iC 近似平行
iC IC ic (IB ib ) IB ib
所以：ic ib
iC
(1)输出端相当于一个受ib
制的电流源。
控
uCE (2)考虑 uCE对iC的影响，输出端
还要并联一个大电阻rce。
uCE
rce的含义:
rce
uCE iC
• 当运算放大器工作在线性区时，能完成比 例、加法、减法、积分和微分等运算。
• 本节所涉及的运算放大器工作在线性区，
且只考虑理想运放，因此“虚短”和“虚断”
成立。
32
运算电路要求
1. 熟记各种单运放组成的基本运算 电路的电路图及放大倍数公式。
2. 掌握以上基本运算电路的级联组 合的计算。
3. 会用 “虚断(ii=0)‖和“虚短 (u+=u–) ‖分析给定运算电路的放
掺入的三价元素如硼（或铟）， 形成P型半导体
杂质半导体
掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电率大为提高
掺入的五价元素如磷（或锑），
形成N型半导体
2
PN结及半导体二极管 若使P型半导体和N型半导体
“亲密接触”，会发生什么现象？
PN 结的形成
在同一片半导体基片上，分别制造P型半 导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在 它们的交界面处就形成了PN 结。
uo
RF
R1
u2 u u
R1
RF
解出：
uo
RF R1
(u2
u1)
38
• 例：证明
u0
R4 R3
(1
2R 2 R1
)(u1
u2)
39
u R1 u1 u 2
u R1 u O1 u O2 R1 R1 2R 2
u O1
uO2
(1
2R 2 R1
)(u1
u2)
40
uO
R4 R3
(u O2
即： UBE< 死区电压, IB=0 ，IC=ICEO 0
10
电路模型
三极管的微变等效电路
1) 输入回路 当信号很小时，可将输入特
iB
性在小范围内近似线性化。
iB
rbe
uBE iB
ube ib
uuBBEE
对输入的小交流信号而言，
三极管相当于电阻rbe。
rbe
rbb'
rb'e
200() (1
)
26(mV) IEQ (mA)
§ 3.3 各种基本组态放大电路的分析与比较
§ 3.4 放大电路的通频带
42
3.1 放大电路的组成与技术指标
3.1.1 放大电路的组成
输 入 信 号 源
输
输
入
有
出
耦
源
耦
合
器
合
电
件
电
路
路
输 出 负 载
直流电源和相应 的偏置电路
43
3.1 放大电路的组成与技术指标
3.1.2 放大电路的技术指标
对于小信号放大器，通 常用放大倍数、输入阻 抗、输出阻抗、通频带 指标衡量其性能。
S源极 15
工作原理（以P 沟道为例）
PN结反偏，UGS越
大则耗尽区越宽， 导电沟道越窄。
G
D ID P
NN
UGS S
UDS=0V时 UDS
16
N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 ID
ID
I
DSS
(1
U GS UGS (off
)
)2
IDSS
UP
UGS
0
17
N沟道结型场效应管的特性曲线
24
场效应管低频简化微变等效电路模型
G
D
ugs
gmugs uds
S
ID
I
DSS
(1
U GS UGS (off
)
)2
gm
iD uGS
ID
I
DO
( UGS UGS (th)
1)2
25
运算放大器
26
理想运算放大器
理想运放的条件
1. 开环电压增益AVO=∞;
2. 输入电阻Ri =∞;
主要条件
3. 输出电阻Ro=0; 4. 频带宽度BW=∞; 5. 共模抑制比KCMR=∞;
个数，以适应不同的需要。
36
R1 u1
i1
u2
R2
i2
iF
RF
_ +
+
u u 0
i1 i2 iF
uo
RP
uo
( RF R1
u1
RF R2
u2 )
当
R1 R2 R 时
uo
RF R
(u1
u2)
37
• 利用差分式电路构成减法运算电路
RF
u u
u1 R1
u2 R1
_ +
+
RF
uo u u u1
7
BJT的结构
1. 由三层半导体组成，有三个区、三个极、两个结 2. 发射区掺杂浓度高、 基区薄、集电结面积大
C B
E
C
B E
8
三极管各区的作用:
发射区向基区提供载流子 基区传送和控制载流子
集电区收集载流子
发射结加正向电压 集电结加反向电压
三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电 压才能起放大作用
大倍数。
33
反相比例运算电路
iF
RF
i1 i
R1
R’
_
+ +