高电压技术试题第三套

高电压技术试题第三套一、填空题（每空1分，共20分）1：在极不均匀电场中，击穿过程中的极性效应是。

2：使气体分子电离因素有、__________及。

3：提高气体间隙击穿电压的措施有、、、。

4：固体电介质击穿的主要形式有、、。

5：直流电压下电介质仅有所引起的损耗；交流电压下电介质既有损耗，又有损耗。

6：输电线路雷击跳闸率是指输电线路耐雷水平表示7：变电站进线保护段的作用是。

8：局部放电的在线检测分为和两大类。

9：液体电介质的极化形式有电子位移极化和两种。

二：请选出下面各题中的正确答案（将所选择的答案号填在括号内。

每题2分，共28分）1. 电晕放电是局部范围内的（）a.自持放电b.非自持放电c.沿面放电d.滑闪放电2. 变电所中变压器到避雷器的最大允许电气距离与( )a.侵入波的幅值成反比b.避雷器残压成正比c.变压器的冲击耐压值成反比d.侵入波陡度成反比3. 自持放电是指（）a、间隙依靠外界电离因素维持的放电过程。

b、间隙依靠自身的电离过程，便可维持间隙放电过程，去掉外界电离因素，间隙放电仍能持续。

c、间隙放电时，无需外加电压。

4. 绝缘子的污闪是指污秽绝缘子在（）下的沿面闪络a.过电压b.工作电压c.雷电冲击电压d.操作冲击电压5. 棒-板气体间隙，保持极间距不变，改变电极上所施加的直流电压极性，棒为正极时，击穿电压为u棒+；棒为负极时，击穿电压为u棒-，则（）。

a、u棒+ >u棒-b、u棒+＜u棒-c、u棒+＝u棒-6. u 50%表示（ ）a 、绝缘在该冲击电压（幅值）作用下，放电的概率为50% 它反映绝缘耐受冲击电压的能力。

ｂ．绝缘可能耐受的最大冲击电压。

ｃ．绝缘冲击放电电压的最大值。

7． 在大气条件下，空气间隙的击穿电压随空气相对密度的增大而（ ）：ａ．下降 ｂ. 不变 ｃ. 升高 8． 选择合理的绝缘配合（ ）0 0 0S1u gmu gmu gm uuuS2S2S1S1S2ttt(a) (b) (c)S1—被保护设备的伏秒特性，S2—避雷器的伏秒特性，u gm —系统最大工作电压9． 平行板电极间充有两层电介质（沿电场方向叠放），已知两电介质的相对介电系数εｒ1>εｒ2，在外加电压作用下，它们的场强分别为E 1和E 2则（ ）：a ．E 1= E 2 b. E 1> E 2 c. E 1< E 210. 在一般杆塔高度线路防雷设计时采用的雷电流计算波形是（ ） a.斜角波 b.标准冲击波 c.半余弦波d.斜角平顶波11. 一入射波电压从架空线进入电缆时，节点处的（ ）a.电压折射系数>1b.电压折射系数<0c.电压反射系数>1d.电压反射系数<012. 切除空载线路出现操作过电压的原因是 ( ) 。

a. 断路器不是在电流过零开断b. 断路器开断空载线路过程中触头间多次燃弧c. 系统出现谐振过电压13. 测量绝缘电阻不能有效发现的缺陷是( )。

a.绝缘整体受潮b.存在贯穿性的导电通道c.绝缘局部严重受潮d.绝缘中的局部缺陷14. 无穷长直角波作用于末端开路的单相变压器绕组时,若不考虑绕组内的损耗, 绕组上最大电位出现在（）a．绕组首端 b. 绕组中部 c. 绕组末端三. 简答题（每题4分，共12分）1：叙述气体放电过程。

2：试写出单根避雷针的保护范围计算公式。

3：对架空线路绝缘子串，如何确定工作电压其所需绝缘子片数？如何确定操作过电压下其所需绝缘子片数？四：计算题（共40分）1：一固体电介质，其电容量C=2000pF；tanδ=1%；绝缘电阻R=2000MΩ，求：①施加工频电压U=100kV （有效值），介质损耗为多少？②施加直流电压U=100kV ，介质损耗为多少？（10分）2：某变电所母线接线图如下，各路出线波阻抗Z=400Ω，现有一幅值U=500kV 的无穷长直角波由其中一路出线侵入变电所，求变电所母线上电压幅值。

（10分）3: 下图所示平原地区110kV 单避雷线线路，已知避雷线弧垂=g f 2.8m ，导线弧垂=c f 5.3m ，几何耦合系数为0.114，修正后的电晕下的耦合系数为0.143，杆塔电感16.4µH ，雷击杆塔时分流系数为0.9，线路绝缘子U 50%＝700kV ，杆塔冲击接地电阻为7Ω，建弧率为0.85，保护角为25°，击杆率为1/4，试求（1）雷击杆塔时耐雷水平；（2）绕击率及绕击耐雷水平；（3）线路的雷击跳闸率。

（注：雷暴日按40=d T 进行计算，即：雷电流幅值概率88Ilgp =-；百公里线路年落雷次数：()g h b 428.0N +=。

单根避雷线，取b=0代入计算。

导线平均高度：c C c f H h 32-=；避雷线平均高度：g g g f H h 32-=,雷击杆塔耐雷水平：50%10(1)()(1)2.6 2.6ga t c i t c U I h h L hk R k k h h ββ=-+-+-，绕击率：lg 3.986th P αα=-）（20分）ZUZZ Z Z题2图题３图某110kV单避雷线线路杆塔试题答案一、填空题（每空1分，共20分）1：在极不均匀电场中，击穿过程中的极性效应是击穿电压与小曲率半径的电极极性有关/不同极性的高场强电极的电晕起始电压的不同以及间隙击穿电压的不同。

2：使气体分子电离因素有碰撞电离、__光电离__及热电离。

3：提高气体间隙击穿电压的措施有电极形状的改进（增大电极曲率半径、改善电极边缘、使电极具有最佳外形）、空间电荷对原电场的畸变作用、极不均匀场中屏障的采用（放入薄皮固体绝缘材料，如纸或纸板）、提高气体压力的作用、高真空和高电气强度气体SF6的采用（答对任意四个均给分）。

4：固体电介质击穿的主要形式有热击穿、电击穿、电化学/电老化击穿。

5：直流电压下电介质仅有漏导所引起的损耗；交流电压下电介质既有漏导损耗，又有极化损耗。

6：输电线路雷击跳闸率是指在雷暴日数Td=40的情况下，100km 的线路每年因雷击而引起的跳闸次数。

输电线路耐雷水平表示雷击线路时，其绝缘尚不至于发生闪络的最大雷电流幅值或能引起绝缘闪络的最小雷电流幅值，单位kA。

7：变电站进线保护段的作用是限制流经避雷器的雷电流和限制入侵波的陡度。

8：局部放电的在线检测分为电测法和非电测法两大类。

9：液体电介质的极化形式有电子位移极化和偶极子位移极化两种。

二：请选出下面各题中的正确答案（将所选择的答案号填在括号内。

每题2分，共28分）1. 电晕放电是局部范围内的（ a ）a.自持放电b.非自持放电c.沿面放电d.滑闪放电2. 变电所中变压器到避雷器的最大允许电气距离与( d )a.侵入波的幅值成反比b.避雷器残压成正比c.变压器的冲击耐压值成反比d.侵入波陡度成反比3. 自持放电是指（ b ）a、间隙依靠外界电离因素维持的放电过程。

b、间隙依靠自身的电离过程，便可维持间隙放电过程，去掉外界电离因素，间隙放电仍能持续。

c、间隙放电时，无需外加电压。

4. 绝缘子的污闪是指污秽绝缘子在（ b ）下的沿面闪络a.过电压b.工作电压c.雷电冲击电压d.操作冲击电压5. 棒-板气体间隙，保持极间距不变，改变电极上所施加的直流电压极性，棒为正极时，击穿电压为u 棒+；棒为负极时，击穿电压为u 棒-，则（ b ）。

a 、u 棒+ >u 棒-b 、u 棒+＜u 棒-c 、u 棒+＝u 棒-6. u 50%表示（ a ）a 、绝缘在该冲击电压（幅值）作用下，放电的概率为50% 它反映绝缘耐受冲击电压的能力。

ｂ．绝缘可能耐受的最大冲击电压。

ｃ．绝缘冲击放电电压的最大值。

7． 在大气条件下，空气间隙的击穿电压随空气相对密度的增大而（ c ）：ａ．下降 ｂ. 不变 ｃ. 升高 8． 选择合理的绝缘配合（ b ）0 0 0S1u gmu gmu gm uuuS2S2S1S1S2ttt(a) (b) (c)S1—被保护设备的伏秒特性，S2—避雷器的伏秒特性，u gm —系统最大工作电压9． 平行板电极间充有两层电介质（沿电场方向叠放），已知两电介质的相对介电系数εｒ1>εｒ2，在外加电压作用下，它们的场强分别为E 1和E 2则（ c ）：a ．E 1= E 2 b. E 1> E 2 c. E 1< E 210. 在一般杆塔高度线路防雷设计时采用的雷电流计算波形是（ d ）a.斜角波b.标准冲击波c.半余弦波d.斜角平顶波11. 一入射波电压从架空线进入电缆时，节点处的（ d ）a.电压折射系数>1b.电压折射系数<0c.电压反射系数>1d.电压反射系数<012. 切除空载线路出现操作过电压的原因是（ b ）a．断路器不是在电流过零开断b．断路器开断空载线路过程中触头间多次燃弧c．系统出现谐振过电压13. 测量绝缘电阻不能有效发现的缺陷是( d )。

a.绝缘整体受潮b.存在贯穿性的导电通道c.绝缘局部严重受潮d.绝缘中的局部缺陷14. 无穷长直角波作用于末端开路的单相变压器绕组时,若不考虑绕组内的损耗, 绕组上最大电位出现在（c）a．绕组首端 b. 绕组中部 c. 绕组末端三. 简答题（每题4分，共12分）1：叙述气体放电过程。

答：在外施电场作用下，电子崩由阴极向阳极发展，由于气体原子（或分子）的激励、电离、复合等过程产生光电离，在电子崩附近由光电子引起新的子电子崩,电子崩接近阳极时，电离最强,光辐射也强。

光电子产生的子电子崩汇集到由阳极生长的放电通道，并帮助它的发展，形成由阳极向阴极前进的流注（正流注），流注的速度比碰撞电离快。

同时，光辐射是指向各个方向的，光电子产生的地点也是随机的，这说明放电通道可能是曲折进行的。

正流注达到阴极时,正负电极之间形成一导电的通道，可以通过大的电流，使间隙击穿。

如果所加电压超过临界击穿电压（过电压），电子崩电离加强，虽然电子崩还没有发展到阳极附近，但在间隙中部就可能产生许多光电子及子电子崩,它们汇集到主电子崩,加速放电的发展，增加放电通道的电导率，形成由阴极发展的流注（负流注）。

当电子崩头部的电场比外加电压在间隙中形成的均匀电场更强时，电子崩附近电场严重畸变，电离剧烈，放电可以自行发展成流注，从而导致间隙击穿。

2：试写出单根避雷针的保护范围计算公式。

答：单支避雷针 单支避雷针的保护范围如图8-6所示，在被保护物高度h x 水平面上的保护半径r x 应按下列公式计算：当2h h x ≥时 p h p h h r a x x )(=-= 当2h h <时 p h h r )25.1(x x -= 式中： r x ——避雷针在hx 水平面上的保护半径，m ；h x ——被保护物的高度，m ；h ——避雷针的高度，m ；h a ——避雷针的有效高度，m ；P ——高度影响系数，h ≤30m ，P ＝1；30m ＜h ≤120m ，h p /5.5=；当h ＞120m 时，取其等于120m 。