电子技术基础2009

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2009对口高考电子类基础课试题卷含答案

2009对口高考电子类基础课试题卷含答案

2009对口高考电子类基础课试题卷含答案河南省2009年普通高等学校对口招收中等职业学校毕业生考试电子类基础课试题卷考生注意:所有答案都要写在答题卡上,写在试题卷上无效一、选择题(电子技术基础1-12;电工基础13-22。

每小题3分,共66分。

每小题中只有一个选项是正确的,请将正确选项涂在答题卡上)1.在N型半导体中A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有自由电子D.以上答案都不对2.收音机寻找要听的电台,利用的是原理。

A.自激B.调谐C.整流D.稳压3.场效应管是一种控制型电子器件。

A.电流B.电压C.光D.磁4.三端集成稳压器CW7812输出电压为A.﹣12V B.﹣24V C.24VD.12V5.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是A.电阻阻值有误差B.参数受温度影响电子类基础课试题卷第 2 页(共 21 页)电子类基础课试题卷 第 3 页(共 21 页)C .晶体管参数的分散性D .电源电压不稳定 6.引入反馈后,放大器的状态为 A . 静态 B .动态 C .开环状态 D .闭环状态 7.LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为A .LC f10= B .LC f 10= C .LC f π210= D .LCf π210= 8.下列逻辑式中,正确的逻辑公式是 A .AB B A =+ B .B A B A =+C .B A B A +=+D .以上都不对9.以下输入情况,能使“或非”运算结果为逻辑1的是 A .全部输入是0 B .全部输入是1 C .任一输入为0,其他输入为1 D .任一输入为110.当逻辑函数有n 个变量时,共有 个变量取值组合 A .n B .2n C .n 2 D .2n 11.移位寄存器属于 A .组合逻辑电路 B .整形电路 C .波形产生电路 D .时序逻辑电路 12.只读存储器ROM 中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容A.全部改变B.全部为0 C.不可预料D.保持不变13.一根粗细均匀的电阻丝,阻值为25Ω,将其等分成五段,然后并联使用,则其等效电阻是A.1/25ΩB.1/5ΩC.1ΩD.5Ω14.通常电路中的能耗元件是指A.电阻元件B.电容元件C.电感元件D.电源元件15.叠加原理适用于电路A.直流线性B.交流线性C.非线性D.任何线性16.发现有人触电停止呼吸,首先应该A.打电话叫医生B.做人工呼吸C.切断电源D.送医院抢救17.某三相四线制供电电路中,相电压为220V,则火线与火线之间的电压为A.220V B.311V C.380VD.36V18.判断直流电流的磁场方向时,可以用A.楞次定律B.右手定则C.左手定则D.换路定则19.RLC串联交流电路,元件上的电压有效值分别为U R=80V,U L=100V,U C=40V,总电压U为A.100V B.140V C.180VD.220V20.电能的国际单位是A.焦耳B.度C.库仑电子类基础课试题卷第 4 页(共 21 页)D.瓦特21.某铁芯线圈的平均磁感应强度为10T,铁芯截面积为200cm2,则通过铁芯截面积的磁通 为A.2.0Wb B.0.2Wb C.200WbD.2000 Wb22.在交流电路中,接入纯电感线圈,则该电路的A.有功功率等于零B.无功功率等于零C.视在功率等于零D.所有功率皆不等于零电子技术基础(94分)二、判断题(每小题2分,共30分。

电子技术基础电子技术基础(专著)

电子技术基础电子技术基础(专著)
1.1 半导体二极管 1.1.1 半导体二极管符号、特性、参数 1.1.2 二极管单向导电特性应用电路介绍 1.1.3 如何用万用表判别二极管的好坏和正负极 1.1.4 特殊二极管符号、名称、功能介绍 1.1.5 常用二极管型号参数选录
1.2 双极型半导体三极管 1.2.1 三极管的结构、材料、极性和符号 1.2.2 三极管的三个电流及其控制关系 1.2.3 三极管的特性、三种工作状态、参数和检测 1.2.4 三极管的三种组态 1.2.5 基本共射电路的组成及工作过程分析 1.2.6 三极管放大电路的静态工作点 1.2.7 放大器性能参数及对放大器性能的影响 1.2.8 常用三极管单元电路介绍 1.2.9 多级电压放大器几种耦合方式 *1.2.10 图解分析法和微变等效电路法介绍 1.2.11 放大电路的调整和测试 1.2.12 案例所用三极管型号和主要参数
2
前言
本书是在《电子技术基础》第一版的基础上,根据电子工业出版社 2005 年 7 月在杭州召 开的教材会议上提出的“淡化理论,加强技能,拓展广度,重在应用”的要求,修改、补充、 拓展而成的。
第二版教材除补充了一些设计举例,拓展了接口电路、VMOS 管等基础知识外,根据“高 职教学应以就业为导向,培养生产和管理一线技术性、技能性应用人才”的定位和目标,本 教材在修订中,增加了三个综合性案例,其中数控机床驱动器案例是编者根据有针对性的教 学需要,通过亲自解剖、分析了一台数控机床的控制电路,然后再仿照设计、安装、调试成 功后编写的实训指导书的内容,具有实际应用性和当前数控机床控制技术的针对性。对于 PLD 器件,本教材采用了一个经调试成功的,用 CPLD 器件设计制作的数字频率计案例作为该内容 的介绍,以突出应用性。
电子技术基础
第2版

2009年浙江理工大学954电子技术基础(模电、数电)考研真题【圣才出品】

2009年浙江理工大学954电子技术基础(模电、数电)考研真题【圣才出品】

2009年浙江理工大学954电子技术基础(模电、数电)考研真题考试科目:电子技术基础(模电、数电)科目代码:954一、填空题(1分/空,共30分)1.在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体,加入_____元素可形成P型半导体。

2.电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为_____,输入端比较量为_____的负反馈放大器,它使输入电阻_____,输出电阻_____。

3.当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时,石英晶体呈_____;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英品体呈_____;其余情况下石英晶体呈_____。

4.用示波器观察PNP管共射单级放大器输出电压得到图1所示两种失真波形,试指出失真类型a:_______,b:_______,增大基极电源可消除____________失真,增大R b可消除______失真,减小β可同时消除________失真。

图15.在放大电路中测得一个β=150的三极管I B=10uA,I C=1mA,则这个晶体管处于______工作状态。

6.将二进制数(1010101.0011)2分别转换成下列进制数:十进制数_____,八进制数_____,十六进制数_____。

7.在一个CP脉冲作用下,引起触发器两次或多次翻转的现象称为触发器的_____,触发方式为_____式或_____式的触发器不会出现这种现象。

8.TTL与非门电压传输特性曲线分为_____区、_____区、_____区及_____区。

9.数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两类:_____和_____。

10.分别写出RS触发器、JK触发器及T触发器的特性方程_____、_____及_____。

二、分别改正图2所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。

要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

(12分)图2三、电路如图3所示,晶体管的 =80,'r=100Ω。

电子技术基础

电子技术基础

电子技术基础电子技术基础是现代科技的基础之一,是指电子学的基本理论和电子元器件的基本知识。

电子技术基础的主要内容包括电路分析、数字电路、模拟电路、通信电路、微处理器、数字信号处理、电磁场和波导、量子力学等。

本文将对电子技术基础的主要知识点进行详细的介绍。

一、电路分析电路分析是电子技术基础中的一个重要知识点。

电路分析的主要内容包括基本电路定律、戴维南等效电路、史密斯图和电感等。

在电路分析中,需要掌握基本电路定律,包括欧姆定律、基尔霍夫定律和电压-电流特性等。

戴维南等效电路的内容比较复杂,主要是用一个定电源替换一个电路的一部分,从而简化电路分析。

史密斯图是通信工程中常用的一个图形工具,它可以表示阻抗匹配电路和传输线中的反射现象。

学习电路分析还需要了解电感的性质。

电感是指导体中储存磁能量的物理量,具有阻抗变化、滤波、放大和相移等作用。

通过电路分析的知识,可以更好地了解电子电路设计的基本原理和方法。

二、数字电路数字电路是电子技术基础中的另一个重要知识点。

数字电路的主要内容包括布尔代数、逻辑门、触发器和计数器等。

布尔代数是一种基本数学方法,以一种抽象方式描述逻辑表达式的运算。

逻辑门是实现布尔代数运算的电路元件。

常见的逻辑门包括与门、或门、非门、异或门和与或非门等。

触发器是一种逻辑电路元件,由多个逻辑门构成,可以存储和输出1或0的二进制数字信号。

计数器是能够记录电子数据的设备,可以用来计算时间、频率和速度等信息。

数字电路在电子技术中的应用非常广泛,包括数字信号处理、数字逻辑设计、计算机电路和数字通信系统等。

通过数字电路的知识,可以更好地理解和设计数字电子系统。

三、模拟电路模拟电路是电子技术基础中的另一个重要知识点。

模拟电路的主要内容包括放大器、滤波器、振荡器和功率放大器等。

放大器是模拟电路中最常见的元件,有增益、放大和滤波等作用。

滤波器是对信号进行滤波和去噪的电路,可以减少杂音和干扰等。

振荡器是一种元件,可以产生稳定的交流电信号。

华北电力大学【电子技术基础(初试)】华北电力大学(保定)电子技术基础考研试题(真题)

华北电力大学【电子技术基础(初试)】华北电力大学(保定)电子技术基础考研试题(真题)
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华北电力大学(保定)考研资料
2000-2009真题 适用科目:817电子技术基础一 适用专业:通信与信息系统
信号与信息处理 -321打印社
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《电子技术基础》第2章

《电子技术基础》第2章

2.1.2 放大电路的主要性能指标
1.放大倍数 倍数
放大倍数是直接衡量放大电路放大能力的重要指标, 放大倍数是直接衡量放大电路放大能力的重要指标,其值 . . . . Io 为输出量 U o 或 ( )与输入量 U i 或 ( )之比。它实际 I i 之比。 反映了电路在输入信号控制下, 反映了电路在输入信号控制下,将直流电源能量转换为交流输 出信号能量的能力。 出信号能量的能力。 之比, 电压放大倍数是输出电压 U o 与输入电压 U i 之比,即
(3)为什么要设置Q点 )为什么要设置 点
没有设置合适Q点的共发射极基本放大电路 图2-7 没有设置合适 点的共发射极基本放大电路
应当指出, 点合适, 应当指出,当Q点合适,其输入正弦信号 i幅值较小时,则uo 点合适 其输入正弦信号u 幅值较小时, 反相且波形不产生失真; 与ui反相且波形不产生失真; 负半周靠近峰值的某段时间u 当Q点过低时,在ui负半周靠近峰值的某段时间 BE小于开启电 点过低时 晶体管截止 从而使u 波形产生顶部的截止失真 截止, 截止失真; 压Uon,晶体管截止,从而使 o波形产生顶部的截止失真;
(2)确示直流通路图中电流 根据图2–5(b)所示直流通路图中电流,电压关系可得
I BQ
V =
CC
I CQ = βI BQ
U R
b

BEQ
U CEQ = VCC − I CQ RC
在近似估算中常常认为U 为已知量,对于硅管, 在近似估算中常常认为 BEQ为已知量,对于硅管,取 UBEQ=0.6 ~ 0.8V,通常取0.7V;对于锗管,取UBEQ=0.1 0.8V,通常取0.7V 对于锗管, 0.7V; ~ 0.3V,通常取0.2V 。 ,通常取0.2V

2009电子类基础课试题卷B

2009电子类基础课试题卷B

电子类基础课试题卷 第 1 页(共 6 页)河南省2009年普通高等学校对口招收中等职业学校毕业生考试电子类基础课试题卷考生注意:所有答案都要写在答题卡上,写在试题卷上无效一、选择题(电子技术基础1-12;电工基础13-22。

每小题3分,共66分。

每小题中只有一个选项是正确的,请将正确选项涂在答题卡上)1.在N 型半导体中A .只有自由电子B .只有空穴C .有空穴也有自由电子D .以上答案都不对2.收音机寻找要听的电台,利用的是 原理。

A .自激B .调谐C .整流D .稳压3.场效应管是一种 控制型电子器件。

A .电流B .电压C .光D .磁4.三端集成稳压器CW7812输出电压为A .﹣12VB .﹣24VC .24VD .12V5.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是A .电阻阻值有误差B .参数受温度影响C .晶体管参数的分散性D .电源电压不稳定6.引入反馈后,放大器的状态为A . 静态B .动态C .开环状态D .闭环状态7.LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为A .LCf 10=B .LCf 10=C .LCf π210=D .LCf π210=8.下列逻辑式中,正确的逻辑公式是 A .AB B A =+ B .B A B A =+C .B A B A +=+D .以上都不对9.以下输入情况,能使“或非”运算结果为逻辑1的是A.全部输入是0 B.全部输入是1C.任一输入为0,其他输入为1 D.任一输入为110.当逻辑函数有n个变量时,共有个变量取值组合A.n B.2n C.n2D.2n 11.移位寄存器属于A.组合逻辑电路B.整形电路C.波形产生电路D.时序逻辑电路12.只读存储器ROM中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容A.全部改变B.全部为0 C.不可预料D.保持不变13.一根粗细均匀的电阻丝,阻值为25Ω,将其等分成五段,然后并联使用,则其等效电阻是A.1/25ΩB.1/5ΩC.1ΩD.5Ω14.通常电路中的能耗元件是指A.电阻元件B.电容元件C.电感元件D.电源元件15.叠加原理适用于电路A.直流线性B.交流线性C.非线性D.任何线性16.发现有人触电停止呼吸,首先应该A.打电话叫医生B.做人工呼吸C.切断电源D.送医院抢救17.某三相四线制供电电路中,相电压为220V,则火线与火线之间的电压为A.220V B.311V C.380V D.36V 18.判断直流电流的磁场方向时,可以用A.楞次定律B.右手定则C.左手定则D.换路定则19.RLC串联交流电路,元件上的电压有效值分别为U R=80V,U L=100V,U C=40V,总电压U为A.100V B.140V C.180V D.220V 20.电能的国际单位是A.焦耳B.度C.库仑D.瓦特21.某铁芯线圈的平均磁感应强度为10T,铁芯截面积为200cm2,则通过铁芯截面积的磁通 为A.2.0Wb B.0.2Wb C.200Wb D.2000 Wb电子类基础课试题卷第 2 页(共 6 页)电子类基础课试题卷 第 3 页(共 6 页)22.在交流电路中,接入纯电感线圈,则该电路的A .有功功率等于零B .无功功率等于零C .视在功率等于零D .所有功率皆不等于零电子技术基础(94分)二、判断题(每小题2分,共30分。

电工与电子技术基础-第1章直流电路及其分析方法

电工与电子技术基础-第1章直流电路及其分析方法

【例】电路如图所示,U=12V,I= –4A。 试计算元件的电功率。
【解】由电路可知,此题的电压和电流为关联方 向,有 (W)
P UI 12 (4) 48
这说明元件产生功率,而不是吸收功率,相当于电源。
1.1.4 电路的基本元件
理想元件是组成电路模型的基本单元,元 件上电压与电流之间的关系又称为元件的伏安 特性,它反映了元件的性质。电路元件按能量 特性,可分为无源元件和有源元件;按与外部 连接的数目,可分为二端、三端、四端元件等; 按伏安特性,可分为线性元件和非线性元件。
1、电阻的串联
I
1.2.2 电阻串并联
特点: + + 1)各电阻一个接一个地顺序相联; U1 R1 2)各电阻中通过同一电流; – U + 3)等效电阻等于各电阻之和; U2 R 2 R =R1+R2 – – 4)串联电阻上电压的分配与电阻成正比。 两电阻串联时的分压公式: I R1 R2 U1 U U2 + U R1 R2 R1 R2 应用: U R 降压、限流、调节电压等。 –
例:应用欧姆定律对下图电路列出式子,并求电阻R。 + + I I U U R 6V 2A R 6V –2A – – (a) (b)
U 6 解:对图(a)有, U = IR 所 以: R 3Ω I 2 对图(b)有, U = – IR 所以 : R U 6 3Ω I 2
U、I 参考方向相同,P =UI 0,负载; P = UI 0,电源。 U、I 参考方向不同,P = UI 0,电源; P = UI 0,负载。
5.标注参考方向应注意的问题
(1)电压和电流的方向是客观存在的。参考方向是人为规定的 方向,在分析电路时需要先规定参考方向,然后根据这个规定 的参考方向列写方程式。 (2)参考方向一经确定,在整个分析计算过程中必须以此为准, 不能再改变。 (3)不标明参考方向,说某个电压或电流的值为正、为负没有 意义。 (4)参考方向可以任意选取而不影响结果。 (5)电压和电流的参考方向可以分别单独选取。但为了分析方 便,同一段电路的电流和电压的参考方向要尽量一致(电流的 方向从电压的“+”极性端流入,从电压的“–”极性端流出)。

《电子技术基础》第1章

《电子技术基础》第1章

集电结 集电极c
发射结
Collector
基极b Base 发射极e Emitter NPN型
PNP型
晶体管的分类
材料
用途

硅管
锗管 放大管 开关管 低频管
结构
PNP
NPN
不论是硅管还是锗管 都有NPN型和PNP型
频率
高频管
功率

小功率管 中功率管 大功率管
2.晶体三极管的放大原理
晶体三极管具有放大作用,因此常 用它组成放大电路。放大电路框图如图 1-6所示。在输入端加上一个小信号ui, 在输出端可以得到比较大的信号uo。
图1-6 放大电路框图
三极管的三种连接方法
晶体三极管只有三个电极,用它组成放大电路时,一 个电极作为输入端,一个电极作为输出端,剩下的一个 电极作为输入、输出的公共端,所以用三极管组成放大 器时就有三种接法。如图1-7所示。
图1-7 三极管的三种连接方法
(1)晶体三极管具有放大作用的条件
要使三极管能够放大,必须满足一定的外部条件 : 发射结加一个正向电压,习惯上称为正向偏置。 P端电位大于N端电位。 给集电结加一个反向电压,习惯上称为反向偏置 。 P端电位小于N端电位。
晶体二极管特性曲线
击穿电压 门限电压
图1-4 晶体二极管伏安特性曲线
曲线分析
(1)正向特性
① 只有当正向电压超过某一数值 时,才有明显的正向电流,这个电压 数值称为“门限电压”或“死区电压 ”用UT 表示。对于硅管UT 为0.6~0.8 伏; 对于锗管UT 为0.2~0.3伏。一般情 况下,从曲线近似直线部分作切线, 切线与横坐标的交点即为UT。 ② 随着电压u的增加,电流i按照 指数的规律增加,当电流较大时,电 流随着电压的增加几乎直线上升。 ③ 不论硅管还是锗管,即使工作 在最大允许电流,管子两端的电压降 一般也不会超过1.5伏,这是晶体二极 管的特殊结构所决定的。

电子技术基础(含答案)

电子技术基础(含答案)
82.电路如图所示,晶体管的=80, =100Ω。分别计算RL=∞时的Q点、 、Ri和Ro。
83.已知图所示电路中晶体管的=100,rbe=1kΩ。
(1)现已测得静态管压降UCEQ=6V,估算Rb约为多少千欧;
(2)若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV,则负载电阻RL为多少千欧?
84.放大电路如图所示,已知图中Rb1=10kΩ, Rb2=2.5kΩ,Rc=2kΩ,Re=750Ω,RL=1.5kΩ,Rs=10kΩ,Vcc=15V,β=150。设Cl,C2,C3都可视为交流短路,试用小信号分析法计算电路的电压增益AV,源电压放大倍数AVS,输入电阻Ri,输出电阻Ro。
21.如果三极管的发射结反偏,则三极管处于的状态是( )
A.放大B.饱和C.截止D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( )失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率
23.射极输出器的主要特点是( )
A.电压放大倍数无穷大,输出电阻高,输入电阻低
B.电压放大倍数接近1,输出电阻低,输入电阻高
A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
16.以下电路中,可用作电压跟随器的是( )。
A.差分放大电路B.共基放大电路C.共射放大电路D.共集放大电路
17.共模抑制比KCMRR是( )。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
C.除放大电路以外还有信号通道 D.输出与输入信号成非线性的关系
40.对于放大电路,所谓开环是指( )。
A.无信号源 B.无反馈通路 C.无电源 D.无负载
41.整流的目的是( )。
A.将交流变为直流 B.将高频变为低频 C.将正弦波变为方波D.将直流变为交流

电工电子技术教案(封皮第一章)

电工电子技术教案(封皮第一章)

罗定职业技术学院教案2009 ~ 2010学年第 1 学期课程名称电工电子技术授课对象 09级数控技术、09数控设备主讲教师符特教师系室机电工程系数控教研室选用教材《电工电子技术基础》第1版谷立新西南师范大学出版社学时/学分 60学时 / 3学分罗定职业技术学院2009年8月一、课程的性质与任务本课程是高等工科学校非电类专业的一门技术基础课。

电工电子技术发展非常迅速,应用极为广泛,并且日益渗透到其它各学科领域,在我国社会主义现代化建设中占有重要的地位。

通过本课程的实习实训,使学生能在学习理论知识的基础上掌握交直流电路、模拟电路和数字电路的实践操作过程,掌握简单电路的构成和分析方法,为学习后续课程的学习以及从事本专业的工程技术工作和科学研究打下必要的基础。

二、课程教学目标通过本课程的教学,应使学生达到下列基本要求:1、使学生获得电工电子技术的基本理论、基本知识和基本技能;2、使学生了解电工电子技术发展概况和应用前景;3、培养学生分析、解决问题的能力和实践技能。

三、学时分配表四、教材《电工电子技术基础》第1版.谷立新.西南师范大学出版社五、几点说明1、课堂讲授:在多媒体课室利用实物及实物投影仪、多媒体课件和课堂板书等授课。

根据专业特点,理论联系实际,采用简洁、直观、形象的教学方式。

2、考核方式:采用平时考查和期末考试相结合的方式。

3、能力培养要求:着重培养学生的自学能力、分析问题及解决问题的能力。

使学生通过本课程的学习,获得电工电子技术的基本理论、基本知识和基本技能,了解电工电子技术发展概况和应用前景。

罗定职业技术学院教案罗定职业技术学院教案图1-1.平行板电容器:由两块相互平行、靠得很近、彼此绝缘的金属板所组成的电容器,平行板电容器。

是一种最简单的电容器。

右图为平板电容器的示意图。

(二)电容C结合平行板电容器说明:当电容器极板上所带的电量Q增加或减少时,两极板间的电压U也随之增加或减少,但Q与U的比值是一个恒量,不同的电容器,Q/U的值不同。

04730电子技术基础(三)2009年4 月份历年真题

04730电子技术基础(三)2009年4 月份历年真题

2009年4月高等教育自学考试全国统一命题考试电子技术基础(三)试题课程代码:04730一、单项选择题(本大题共15小题,每小题1分,共15分)在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1.两个串联元件A 、B 上的电压与电流参考方向如题1图所示,已知U 1=2V ,I=5A ,U 2=-4V ,则( ) A.元件A 吸收功率10W ,元件B 吸收功率20W B.元件A 产生功率10W ,元件B 产生功率20W C.元件A 产生功率10W ,元件B 吸收功率20W D.元件A 吸收功率l0W ,元件B 产生功率20W2.实际电压源和电流源模型中,其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是( )A.理想电压源与内阻串联,理想电流源与内阻串联B.理想电压源与内阻并联,理想电流源与内阻串联C.理想电压源与内阻串联,理想电流源与内阻并联D.理想电压源与内阻并联,理想电流源与内阻并联 3.若正弦电压)62sin()(11π-π=t U t u m (V ),)32si n ()(22π-π=t U t u m (V),则u 2相位( )A.超前u 1相位3πB.滞后u 1相位3πC.超前u 1相位6πD.滞后u 1相位6π4.某场效应管的转移特性曲线如题4图所示,则可以判断该管为( ) A.P 沟道增强型MOS 管 B.P 沟道耗尽型MOS 管 C.N 沟道增强型MOS 管 D.N 沟道耗尽型MOS 管5.某放大器在1K Ω负载电阻上测得输出电压为1V ,在4.7K Ω负载电阻上测得输出电压为1.65V ,则该放大器的输出电阻等于( ) A.1K Ω B.2K ΩC.4.7KΩD.5.7KΩ6.同相比例运算电路与反相比例运算电路的R if相比较,则( )A.反相比例运算电路的R if大B.同相比例运算电路的R if大C.两者R if一样大D.两者R if不可比较7.在反相比例运算电路中,下列说法错误..的是( )A.同相端接地u+=0B.u-=0C.共模输入u ic=0D.差模输出u0=08.单相桥式整流电路,U2为变压器副边电压有效值,则输出电压平均值U O(A V)为( )A.0.9U2B.U2C.2U2D.3U29.下列集成稳压器中,其输出电压为+6V的是( )A.7906B.79M06C.7806D.780910.A○+B=( )A.BA+BAA+ B.ABBC.ABD.AB11.某逻辑电路真值表如题11表所示,其函数F的表达式是( )A.F=BB.F=AC.F=AD.F=B12.已知波形图如题12图所示,其逻辑函数Y的表达式为( )A.Y=BA+ B.Y=ABC.Y=ABD.Y=A+B13.若要使表达式Y=A○+B○+C○+D为0,则ABCD的取值组合为( )A.0001B.001lC.0111D.111014.题14图所示电路为同步D触发器,设初始状态为0,则经过一个cp脉冲后,其Q端状态为( )A.lB.0C.nQD.nQ15.题15图所示可编程PLA器件中,A和B为输入变量,则输出变量F为( )A.F=A B+ABB.F=AB+A BC.F=AB+BAD.F=A B+A B二、填空题(本大题共15小题,每小题1分,共15分)请在每小题的空格中填上正确答案。

《电子技术基础》电子教案

《电子技术基础》电子教案
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1.1.2 、 N型半导体和P型半导体
1、N型半导体 N型半导体,又称为电子型半导体。是在纯净半导体
中掺入微量的五价元素(如磷元素)制成的,其中含 有数量较多的带负电的自由电子,还有少量的带正电 的粒子(称为空穴)。即在N型半导体中电子是多数 载流子,空穴是少数载流子。 2、P型半导体 P型半导体,又称为空穴型半导体。是在纯净半导体中 掺入微量的三价元素(如硼元素)制成的,其中含有 数量较多的带正电的粒子(称为空穴),还有少量的 带负电的自由电子。即在P型半导体中空穴是多数载流 子,自由电子是少数载流子。
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2.7.1.振荡的基本概念
振荡电路的基本组成 (1)放大电路 没有放大就不可能产生正弦波振荡,
它是满足幅值平衡条件必不可少的电路。放大电路必 须结构合理,静态工作点选择适当,以保证放大电路 具有放大作用。 (2)正反馈电路 其作用主要用来满足自激振荡的相 位条件。 (3)选频电路 起振时,电路中激起的电压和电流的 变化往往是非正弦的,含有各种频率的谐波分量,因 此输出的信号也将是含有不同谐波成分的非正弦波。 (4)稳幅电路 其作用是使振荡幅值稳定,改善波形。
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2.1.1、共发射极基本放大电路
三极管处于放大状态时必须满足发射结 正向偏置、集电结反向偏置的外部条件, 对三极管放大电路来说也是如此。
由三极管V组成的共发射极放大电路(又 称固定偏置电路)。由下图可见电路中 只有一个放大器件,且以三极管的发射 极作为输入回路和输出回路的公共电极, 故称为共发射极放大电路。
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1.3 稳压管
稳压二极管又叫稳压管, 它是用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管,它既具有
普通二极管的单向导电特性,又可工作于反向击穿状态。在 反向电压较低时,稳压二极管截止;当反向电压达到一定数 值时,反向电流突然增大,稳压二极管进入击穿区,此时即 使反向电流在很大范围内变化时,稳压二极管两端的反向电 压也能保持基本不变,实现稳压。其被反向击穿后,当外加 电压减小或消失时,PN结能自动恢复而不至于损坏。但若反 向电流增大到一定数值后,稳压二极管则会被彻底击穿而损 坏。 稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中,常 用的有2CW型和2DW型。

(完整版)电子技术基础(含答案)

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《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为08001)共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型,其中,本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。

一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V,U E=0.5V,U C=3V,该三极管处在()状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是()。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中()。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流I B=10μA时,I C=1mA;而I B=20μA时,I C=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V,U E=2.1V,U C=3.6V,则该管处于()状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。

A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是()。

2009年中国计量学院考研试题 电子技术基础

2009年中国计量学院考研试题 电子技术基础

中国计量学院2009年攻读硕士学位研究生入学试题考试科目名称:电子技术基础考试科目代码: 811考生姓名:考生编号:本试卷共 12 大题,共 5 页。

一、单项选择题。

(共10小题,每题2分,共20分)1.由NPN 型管组成的共射放大电路,输入i v 为正弦波,输出o v 为 波形,则该电路产生了( )A. 频率失真B. 交越失真C. 截止失真D. 饱和失真2.直接耦合多级放大器与阻容耦合多级放大器相比,低频响应( ),而高频响应( )。

A. 差 B. 好 C. 差不多 D. 不确定 3.振荡器的输出信号最初由( )而来的。

A. 基本放大器B. 干扰或噪声信号C. 选频网络D. 反馈网络 4.串联型稳压电路中,用作比较放大器的集成运算放大器工作在( )状态。

A. 线性放大 B. 饱和或截止 C. 开环 D. 正反馈 5.增强型绝缘栅场效应管,当栅极与源极之间电压为零时( )。

A. 能够形成导电沟道B. 不能形成导电沟道C. 漏极电流不为零D. 漏极电压为零 6.差动放大电路对( )有放大作用,对( )起到抑制作用。

A. 差模信号B. 共模信号C. 交流信号D. 直流信号 7.对于TTL 与非门闲置输入端的处理中,错误的为( )。

A.接电源B.通过电阻5k Ω接地C.接地D.与有用输入端并联 8.若在编码器中有50个编码对象,则要求输出二进制代码位数为( )位。

A.5 B.6 C.10 D.509.一个4位二进制码减法计数器的起始值为1001,经过100个时钟脉冲作用之后的值是( )。

A. 1100B. 0100C. 1101D. 010110.为实现将D 触发器转换为T 触发器,下图电路的虚框内应是( )。

QQTCPA. 或非门B. 与非门C. 异或门D. 同或门二、简答题。

(共3小题,每题6分,共18分)1.如图所示,已知5sin (V)i v t ω=,二极管导通电压0.7D =V V 。

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