西安电子科技大学822电磁场与微波技术2003年考研专业课真题试卷
(NEW)西安电子科技大学电子工程学院《822电磁场与微波技术》历年考研真题汇编
目 录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。
西安电子科技大学 2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题
西安电子科技大学2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目代码及名称822电磁场与微波技术考试时间2009年 1月 10日下午（ 3小时）答题要求：所有答案〈填空题按照标号写〉必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!一、（15分） z=0平面将无限大空间分为两个区域:z<0区域为空气，z>0区域为相对磁导率μr =1，相对介电常数εr =4的理想介质，若知空气中的电场强度为14x z E a a =+V/m ，试求:（1）理想介质中的电场强度E 2;（2）理想介质中电位移矢量D 2与界面间的夹角α;（3） z=0平面上的极化面电荷密度ρsp .二、（15分）均匀平面电磁波在相对磁导率μr =1的理想介质中传播，其电场强度的瞬时值为88(,)5sin[2(10)]5cos[2(10)]x v E r t a t z a t z ππ=-+-（mV/m ），试求：（1）该理想介质的相对介电常数εr ;（2）平面电磁波在该理想介质中的相速度V p ;（3）平面电磁波的极化状态。
三、（15分）空气中传播着磁场复矢量振幅(0.80.6)1()(34)12j x z x z H r a a e ππ-+=-mA/m ，的均匀平面电磁波，试求：（1）该平面电磁波的波长λ；（2）该平面电磁波传播方向的单位矢n ；（3）该平面电磁波电场的复振幅矢量 E®。
四、（15分）电场强度复振幅矢量2()24j z i x E r a e ππ-=（mA/m ）的均匀平面电磁波由空气垂直入射到相对介电常数εr =2.25，相对磁导率μr =1的半无限大理想介质的界面（z=0平面），试求:（1）反射波电场强度的振幅E rm ；（2）反射波磁场的复振幅矢量H r (r)；（3）透射波电场的复振幅矢量E t (r)。
五、（20分）己知无耗传输线电长度为θ，特性阻抗Z 0=1。
第五题用图（a ）（1）已知负载阻抗L l l Z r jx =+，求负载驻波比ρL ；（2）求输入驻波比ρin ；（3）求负载反射系数ΓL 。
2008~2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题【圣才出品】
2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a 、b （a>b ），球心距为c （c<a-b ）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b 的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图 二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a ，外导体半径为b ，长度为L ，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在a r b ≤≤，0z L ≤≤区域内的电磁场为ˆsin ˆcos r A E e kz r B H e kz rθ==v v（1）确定A ，B 间的关系；（2）确定k ； （3）求r=a 及r=b 面上的s ρ，s J v 。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为(2)6ˆ3()(/)j x x y E e e V m π-=v试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb ，工作波长λ，写出TE 10波的导波波长λg 。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a ，外半径为b ，画出截面上TEM 波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z 0公式。
六、（15 分）观管Pin 管相当于归一化电阻1R 和2R （正向运用），商管间隔90θ=︒，求输入端匹配时的1R 和2R 的关系式。
第六题用图七、（15 分）矩形谐振腔（axbxc ）如图，画出TE 101模的电场和磁场分布，写出电场与磁场公式。
(NEW)西安电子科技大学电子工程学院《822电磁场与微波技术》历年考研真题汇编
目 录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。
电子科技大学研究生微波工程试题
电⼦科技⼤学研究⽣微波⼯程试题电⼦科技⼤学研究⽣试卷(考试时间：⾄，共120分钟)课程名称微波⼯程教师学时 50 学分 2.5 教学⽅式课堂教学考核⽇期年⽉⽇成绩考核⽅式：__________(学⽣填写)⼀、填空（每空格1分，共36分）(1) 常规空波导中传输的TE 波称为_________波，TM 波称为_________波，它们的相速与光速的关系是______p v c ，称为_________波。
(2) c k 称为_________波数，波的传播条件是_____c k k ，_____c f f 。
(3) 若传输线上⽆反射波存在，则传输线⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；若反射波等于⼊射波，则⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；当01L 时，传输线⼯作于_______状态。
(4) 在E ⾯分⽀波导中，若微波功率从分⽀端（3⼝）输⼊，则在1⼝与2⼝将_______输出；在H ⾯分⽀波导中，若微波功率从1⼝与2⼝等幅反相输⼊，则从分⽀端（3⼝）将_________输出。
(5) 纵向磁场铁氧体微波元件利⽤的是铁氧体的_______效应，⽽利⽤_______效应做成的微波元件则称为横向磁场铁氧体微波元件。
(6) 传输系统的正常⾊散特性是指______________，异常⾊散特性是指________________，⽆⾊散特性是指_______________，微波传输系统的种类⼀般可以分为：______________，_____________________，__________________________。
(7) ⾏波管中电⼦向⾼频场交出能量的条件是：______________________________________，⽽回旋管此条件为：__________________________________________________________。
西安电子科技大学822电磁场与微波技术2007年考研专业课真题答案
a2 P0 4 0 r
a2P0 40r
a2P0l cos 40r 2
3、在远离圆柱区 E ，
∴
E
a2 P0l 4 0
cos ( r2
)
a2 P0l 4 0 r 3
(2 cos
er
sin
eθ
)
二 、解：1、该电磁波传播方向的单位矢量 n 0.6ay 0.8az ； 2、电场强度矢量 E(r) 0 (n) H(r) (0.8ay jax 0.6az )e j (3y4z) (V/m) 3、∵传播常数 k 00 c 5 ，∴ 15 108 rad / s
x
y
2
∴反射波波为左旋圆极化波。
2、反射波电场振幅为 Erm 2 2 (V/m)
反射波磁场强度振幅为 Hrm
Erm 0
2 60
(A / m)
3、投射系数T 1 0.8 ，透射波电场强度振幅 Etm TEim 8 2 V / m
∴透射波磁场强度振幅为 Htm
Etm
2 10
A/m
五、解：1、 L
ZL ZL
Z0 Z0
，
Le j2z
ZL ZL
Z0 Z0
e j2z
2、 1 | | 1 | |
3、对于 TE10 模 g
1 ( )2
2a
4、TE101 模谐振波长为 2al a2 l2
九、解：电基本振子远场区 E
j
Il 2 r
sin e jkr
西安电子科技大学822电磁场与微波技术2010年考研专业课真题试卷
2010年真题10 西安电子科技大学2010年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目代码及名称 822电磁场与微波技术（A ）考试时间 2010年1月10日下午（3小时）答题要求：所以答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!一、（15分）相对介电常数2r ε=的区域内电位()222r x y z φ=-+ (V)，求点（1，1，1）处的：1、电场强度E ；2、电荷密度ρ；3、电场能量密度w e 。
二、（15分）电场强度()()88(,)cos 31024sin 3102t t z t z ππππ=⨯--⨯-x y E r a a （mV/m ）的均匀平面电磁波在相对磁导率1r μ=的理想介质中传播，求：1、电磁波的极化状态；2，理想介质的波阻抗η；3、电磁波的相速度V p 。
三、（15分）磁场复矢量振幅()()()3418660j x z e ππ-+=-+i x y H r a a （mA/m ）的均匀平面电磁波由空气斜入射到海平面（z=0的平面），求：1、反射角θr ；2、入射波的电场复矢量振幅()i E r ；3、电磁波的频率f 。
四、（15分）电场复矢量振幅()10j z e π-=i x E r a (mV/m)的均匀平面电磁波由空气一侧垂直入射到相对介电常数 2.25r ε=，相对磁导率1r μ=的理想介质一侧，其界面为z=0平面，求：1、入射波磁场的瞬时值(),t i H r ；2、射波的振幅E r m ；3、透射波坡印廷（Poynting ）矢量的平均值S av (r ) 。
入射波的振幅反射波的振幅。
电子科技大学(成都)考研历年真题之813电磁场与电磁波2003--2015年考研真题
6．横截面尺寸为 a × b = 25mm × 20mm 的矩形波导中填充介质为空气，当电磁波的工作频率
f = 10GHz ，则此矩形波导中可传播的波型为
7．电偶极子的远区场的电场强度的振幅随距离 r 按
。 变化，随方向按 变化。
二、判断题（每题 1 分，共 10 分；正确的画“ √ ” ， 错误的画“ × ” ） 1. 在静电场中，因为电场能量 We =
2. 如题一.2 图所示， 在半径为 2a 、体电荷密度为 ρ 的均匀带电球体内有一个半径为 a 的偏心 球形空腔，则空腔中心 O′ 处的电场强度 E = 3. 如题一.3 图所示载流导线在圆心 O 处的磁感应强度 B = 。 。
ρ ε1 ε2 U0 a O′ O 2a
I a O
2a
题一.1 图
题一.3 图 题一.2 图
试分析此合成波的传播特点。 4 . 在 a × b( a > 2b) 的矩形波导中，电磁波具有什么传播特点？其主模是什么模式，怎样才能 实现单模传输。
y
四、 （14 分） 电介质透镜可以用来使电场平直化。如题四图所示 右表面为平面。 若在区 的透镜的左表面是半径为 r0 的圆柱面，
r E1
45o
P
r r r 域 1 中的点 P ( r0 , 45 , z ) 处 E1 = ex 5 + e y 3 ， 为了使区域 3 中
r
r
r
r
r
r
8. 由于高斯定理微分形式为 ∇ ⋅ D = ρ ， 因此， 电位移矢量 D 仅由自由电荷产生而与极化电荷 无关。 （ ） ）
r
r
9. 通以恒定电流的长直导体周围既存在磁场也存在电场。 （
r r r 10. 已知均匀导波系统中电磁波沿 ez 方向传播，则 TE 波的电场强度 E 与磁场强度 H 的关系 r r r （ ） 为 H = ez × E / Z TE ，其中 Z TE 为 TE 波的波阻抗。
电磁场与微波技术一至三讲
西安电子科技大学考研《822 电磁场与微波技术》命题规律分析及复习要点精讲主讲：李其强老师1一、考情分析及命题规律总结1、试题构成与特点试题一般分为填空题、分析计算题、论述证明题，试卷总分为150分。
其中，“电磁场理论”部分60分（一般3-4道），“微波技术基础”部分45分（一般3道），“天线原理”部分45分（一般3道）。
试题难度适中，难题、偏题较少。
2、教材基本内容与考题权重分析《电磁场与电磁波基础》部分，考研涉及部分包括：第一章矢量分析与场论；第二章静电场；第三章恒定电流的电场与磁场；第四章静电场的解；第五章时变电磁场；第六章平面电磁场。
一般考研分布为4道题，共计60分。
第一章是贯穿在整个的运算当中的，其余的五章里，静电场和恒定电流场应该会有一道大的计算题；静态场求解关于唯一性定理、镜像法或者是分离变量法应该会有一道大题；时变电磁场应该有一道计算题；平面电磁波关于反射特性也应该会有一2道计算题。
《简明微波》部分，考研涉及部分包括：微波基本概念及理论、传输线理论、波导理论、谐振腔理论。
一般分布为3道题，关于传输线计算的一道；关于波导理论的一道；关于谐振腔理论的一道。
《天线原理》部分，考研涉及部分包括：基本概念和理论、天线特性参数、天线阵方向特性和阻抗特性、典型线天线、典型面天线。
一般分布为2-3道题，考查内容为基本概念、基本公式计算和对天线工作原理的理解。
3、命题规律总结及命题趋势分析本门专业课严格按照考研大纲出题，考察重点较为突出，题量和难度适中，怪题、偏题较少。
预测今后几年的出题趋势，应当会较为稳定，与前几年变化不大。
4、备考与应试策略关于备战复习，要做到“三要三忌”：要抓基础、要注重理解、要3坚持不懈；忌死记硬背、忌眼高手低、忌主次不分明。
补充常识：微波左邻右舍二、要点精讲和复习思路第一章矢量分析1、本章考情分析本章主要介绍了矢量的概念以及相应的一些计算，虽然不会单独的出一道题，但是电磁场所有的计算都会用到这一章的知识，光有思路计算不出结果显然是不行的，所以这一章显得尤为关键。
电子科技大学03-04学年第二学期《电磁场与电磁波》试题与答案
E = er
1 d dϕ (r )=0 ⇒ ϕ = (r ) A ln r + B ( a ≤ r ≤ b) r dr dr 在 r = b 处， ϕ (b) = 0 ⇒ A ln b + B = 0； 在 r = a 处， ϕ ( a ) = U 0 ⇒ A ln a + B = U0 U0 U0 解得 A = − ，B= ln b ln(b a ) ln(b a ) U0 而 ( a ≤ r ≤ b) E = −∇ϕ = er r ln(b a ) 参考评分标准： 正确求出 ϕ (r ) （10 分）正确求出 E (r ) （5 分） 。
− j β0 z
V m 的均匀平面波从空气中垂直入射到 z = 0 处的理想介
（1）说明入射波的 质（相对介电常数 ε r = 4 、相对磁导率 µ r = 1 ）平面上，式中的 β 0 和 Em 均为已知。 极化状态； （2）求反射波的电场强度，并说明反射波的极化状态； （3）求透射波的电场强度，并说明透 射波的极化状态。
系别 密 封
班次 线 以 内
学号 答 题
姓名 无 效
电子科技大学 2003 至 2004 学年第二学期
电磁场与电磁波 课程考试试题(120 分钟)
一 二 三 四 五 六 七 八 Nhomakorabea考试日期：2004 年 7 月 2 日
九 十 总分 评阅老师
一．填空题（共 15 分，每空 1 分） 1． 时变电磁场基本方程的微分形式是 、 对于静电场， 基本方程为 对于恒定磁场， 基本方程则为 、 、 、 ； ； 。 、
西安电子科技大学《电磁场与微波技术》考研真题2011年
西安电子科技大学《电磁场与微波技术》考研真题2011年(总分：150.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)1.如下图所示，半径分别为a、b(a＞b)，球心距为c(c＜a-b)的两球面间有密度为ρ的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
（分数：15.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(为了使用高斯定理，在半径为b的空腔内填充密度为+ρ的体电荷，在半径为a的空腔内填充密度为-ρ的体电荷。
这样，任意一点的电场就相当于带正电的大球体和一个带负电的小球体共同产生。
正、负带电体所产生的场分别用高斯定理来计算。
正电荷在空腔内产生的电场为：[*]负电荷在空腔内产生的电场为：[*]单位向量e r1、e r2分别以大、小球体球心坐标为坐标原点。
考虑到r1e r1-r2e r2=ce x，最后得到空腔内的电场为：[*])解析：二、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在a≤r≤b，0≤z≤L区域内的电磁场为：（分数：15.00）(1).确定A、B间的关系。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(由法拉第电磁感应公式[*]可得： [*] 比较可知[*]，又因为[*]，所以：[*] 其中，η是导体内介质的特性阻抗。
)解析：(2).确定k。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(因为同轴线两端用理性导体板短路，所以两端处即(z=0和z=L处)电场强度为0，则有[*]，所以：[*](m=1，2，3…))解析：(3).求r=a及r=b面上的ρs、J s。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2003年真题
64 西 安 电 子 科 技 大 学
2003年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目代码及名称 431电磁场与微波技术
考试时间 2003年1月19日下午（3小时）
答题要求：所以答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!
一、填空题：（20分）
1．当传输线处于驻波状态时，也称为全反射情况，这时反射系数应该是（ ），驻波比为（ ），全反射的条件是负载接（ ）。
2．微波双口网络的S 参数中，S 11表示（ ），S 12表示（ ）。
互易网络中（ ），无耗网络满足（ ）。
3．同轴线的主模式是（ ），圆波导的主模为（ ），如果一个圆波导的横截面圆的半径为R ，则主模的截止波长为（ ）。
二、（20分）设空气媒介矩形波导宽边和窄边内尺寸分别是a=2.3㎝,b=1.0㎝。
求：
（1）此波导只传播TE 10波的工作频率范围；
（2）如此波导只传播TE 10波，在波导宽边中间沿纵轴测得两个相邻的电场强度波节点相距
2.2㎝，求工作波长。
三、（25分）带线的直角拐角的等效电路如右图所示。
如果设归一化的X=2，B=1，试求其二端口接匹配负载
时的一端口反射系数，对应的驻波比和归一化输入阻
抗。
四、（10分）如果在宽、窄边分别为a、b 的传播TE 10波的矩形波导中分别在z=0和z=l 处放置金属板，求其内部的 电磁场表达式。