应用于半导体器件的掺杂纳米金刚石膜

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-纳米金刚石薄膜

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纳米金刚石薄膜摘要纳米金刚石膜的研究已经成为CVD 金刚石膜研究领域的一个新的热点。

本文重点阐述了纳米金刚石薄膜的制备、表征以及它的性能和应用,最后引出其将来的应用前景。

关键词纳米金刚石薄膜,制备,表征,性能及应用Nanocrystalline diamond filmsABSTRACT Nanocrystalline diamond films have become a new ”hot point”in the development of diamond films prepared by chemical vapor deposition. This article mainly illustrates the preparation, indications , performance and applications about the nanodiamond film. Finally,po tential applications of these films are discussed.KEY WORDS nanocrystalline diamond films, preparation,characterization,property and applications1 引言金刚石是目前自然界中已知硬度最高的物质,在力学、热学、光学、电学和化学等方面拥有许多优异的性能。

但自然界中天然金刚石的含量却非常少,人工制备也比较困难,主要由于低压时金刚石是亚稳相,而石墨为稳相,长期以来,在经典热力学中似乎认为在低压下由石墨相制造金刚石是不可能的。

直到1970年前后,前苏联Deryaguin , Spitsyn和Fedoseev等成功地实现了低压条件下从石墨到金刚石的转变,并在1976年公开发表了非金刚石衬底上气相生长金刚石的美丽晶体照片,人们才改变了低压下不能合成金刚石的传统观点。

纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究

纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究

纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究纳米金刚石薄膜(nanodiamondfilm,NDF)是一种新型的纳米结构材料,具有特殊的电学、磁学、热学、光学性能。

由于其独特的电学性能,它被用来制备各种高端电子产品,如电容器、锂离子储存电池、电子器件和光电器件。

同时,由于NDF可以有效的过滤和吸收外部的紫外线,使得NDF可以用于汽车、船舶的结构材料以及电子设备的防护。

纳米金刚石薄膜的制备有多种方法,主要有溅射、热蒸发、沉积及其他方法。

溅射法是其中比较常用的一种,包括静电溅射、磁控溅射和离子溅射等。

这些方法在原始纳米金刚石颗粒的表面构建自组装的自组织纳米金刚石薄膜。

而热蒸发法则是利用热蒸发装置将原料蒸发,然后将原料蒸发到基片上,形成纳米金刚石薄膜。

纳米金刚石薄膜的场电子发射性能是其功能特性中的一个重要性质。

研究表明,当金刚石薄膜构建在铂基片上时,场电子发射性能极低,但是如果利用其他方法,如热蒸发或溅射,将原料蒸发到基片上,构成纳米金刚石薄膜时,发射特性会有明显的改善,有较高的场电子发射效率。

当纳米金刚石薄膜构建在基片上时,铂基片上的孔径缩小,发射特性得到了改善,使发射效率更高。

此外,研究表明,在离子溅射NDF的发射性能会达到更高的水平,并且有显著的改善。

而热蒸发NDF也可以获得良好的发射性能,其发射效率可以高达70%。

总的来说,纳米金刚石薄膜是一种具有多种功能的新型结构材料,具有独特的电学和光学性能,其场电子发射性能也非常出色,适合制备各类电子产品。

目前,研究人员正在不断改进其制备工艺和性能,以期获得更高效率的发射特性。

由于纳米金刚石薄膜的用途越来越广泛,其研究和发展也有十分重要的意义,以满足市场的需求。

未来,研究人员将继续开展研究,对其制备及场电子发射性能进行进一步的改进,以提高其性能,满足市场的需求。

纳米金刚石薄膜的制备与应用综述

纳米金刚石薄膜的制备与应用综述
机械化工 DOI:10.19392/j.cnki.16717341.201905148
科技风 2019年 2月
纳米范大学 北京 100875
摘 要:本文根据前人的研究,从制备方法,制备过程中的影响因素及应用等方面对纳米金刚石薄膜的相关特性做了总结。 关键词:纳米金刚石薄膜;制备;应用
1.2制备过程中的影响因素 1.2.1生长时间对纳米金刚石薄膜微结构的影响 在其他条件相 同 的 情 况 下,生 长 时 间 越 长,纳 米 金 刚 石 薄 膜的厚度越大。厚度的增加会导致薄膜中纳米金刚石晶粒尺 寸减小、非晶态石墨团簇尺寸增大、有序度提高。另外,薄膜后 幅增加还会导致 sp2碳团簇数量增多或尺寸变大,即薄膜表面 颗粒大小和金刚石含量无较大变化,但金刚石晶粒大小会不断 减小。因此,薄膜厚 度 增 加 会 使 晶 界 的 导 电 网 络 密 度 变 大,对 其的导电性有明显影响。 1.2.2掺氮对纳米金刚石的影响 掺氮会显著改变金刚石薄膜物理特性,目前对于纳米金刚 石薄膜掺氮的研究主要集中在对导电性的影响上。氮杂质使 金刚石多晶膜界面的化学状态改变,从而导致薄膜的能带结构 变化,导电性能提高,使金刚石薄膜导电和场发射性能更好。 1.2.3掺硼对纳米金刚石的影响 随着硼原子浓度的提高,纳米金刚石薄膜的表面粗糙程度 增加,晶粒尺寸 增 大。而 随 着 硼 源 浓 度 的 提 高,纳 米 金 刚 石 薄 膜的表面电导 性 能 呈 现 出 先 迅 速 提 高、再 逐 渐 趋 于 平 衡 的 趋 势。因此,要在保证纳米金刚石薄膜平整度变化不大的前提下 提高其的导电性能,需选择合适的硼源浓度。 2纳米金刚石薄膜的应用 2.1机械领域的应用 由于主体部分是结合强度极高的金刚石晶粒,纳米金刚石 薄膜具有很高的硬度和弹性模量。另外,其的优良物理特性还 包括粘附性能 较 高、表 面 平 滑 度 高 和 摩 擦 系 数 低 等。因 此,作

半导体纳米结构多功能传感器设计及其应用

半导体纳米结构多功能传感器设计及其应用

半导体纳米结构多功能传感器设计及其应用1. 引言半导体纳米结构多功能传感器是近年来发展迅猛的一类传感器技术。

它结合了纳米材料的独特性质和半导体器件的优势,具有高灵敏度、高选择性和多功能等特点,可广泛应用于环境监测、生物医学、工业控制等领域。

本文将介绍半导体纳米结构多功能传感器的设计原理、材料选择、性能优化以及应用案例。

2. 半导体纳米结构传感器设计原理半导体纳米结构传感器的设计原理是基于纳米材料的特殊性质对目标物质进行敏感检测。

常见的设计原理包括表面增强拉曼散射(SERS)、量子点荧光探针、纳米晶体管等。

其中,SERS是一种基于纳米结构表面增强光信号的原理,通过纳米结构表面的局部电场增强了分子的振动模式,从而提高了检测的灵敏度和选择性。

量子点荧光探针则利用半导体纳米颗粒的大小分布和光学性质来检测目标物质。

纳米晶体管是一种基于半导体纳米薄膜的传感器,通过改变纳米薄膜与目标物质接触时的电荷传输特性来检测目标物质。

3. 半导体纳米结构传感器材料选择半导体纳米结构传感器的性能和应用取决于所选用的纳米材料。

常见的纳米材料包括金属纳米颗粒、碳纳米管、量子点、金刚石薄膜等。

金属纳米颗粒具有表面等离子共振现象,能够实现高灵敏度的SERS检测。

碳纳米管具有优良的电导性能和机械性能,可用于纳米晶体管传感器的构建。

量子点具有尺寸可调的荧光特性,可用于荧光探针。

金刚石薄膜具有宽带隙、化学稳定性和生物相容性,可用于生物传感器的设计。

4. 半导体纳米结构传感器性能优化半导体纳米结构传感器的性能优化包括提高灵敏度、选择性和稳定性。

灵敏度的提高可以通过优化纳米结构的形貌、大小和分布来实现,以增加敏感区域和表面积。

选择性的提高可以通过表面功能化来实现,将特异性识别元素引入传感器材料的表面,使其与目标物质发生高度选择性的反应。

稳定性的提高可以通过优化传感器的材料结构和接触界面,减少杂质和氧化物对传感器性能的影响。

5. 半导体纳米结构传感器应用案例半导体纳米结构传感器在环境监测、生物医学和工业控制等领域有着广泛的应用。

纳米金刚石膜——一种新的具有广阔应用前景的CVD金刚石

纳米金刚石膜——一种新的具有广阔应用前景的CVD金刚石
维普资讯
第 3 卷 第 2期 l
2 ∞ 年 4月 0

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J p , O S NI 3I C YS & S 0U L+ x AL F Y HE ' C R ' L L
纳 米 金 刚石膜 —— 一种 新 的具 有 广 阔 应 用前 景 的 C D 金 刚石 V
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cvd纳米金刚石涂层工艺流程

cvd纳米金刚石涂层工艺流程

CVD纳米金刚石涂层工艺流程一、概述CVD (化学气相沉积)纳米金刚石涂层工艺是一种先进的表面涂层技术,通过在基材表面沉积纳米级厚度的金刚石薄膜,可以显著提高材料的硬度、耐磨性和耐腐蚀性。

本文将详细介绍CVD纳米金刚石涂层的工艺流程,包括材料选择、表面处理、沉积工艺、质量控制等环节。

二、材料选择1. 基材材料:金属、陶瓷、塑料等材料均可用于CVD纳米金刚石涂层。

常用的基材包括硬质合金、不锈钢、钛合金等。

2. 基材形状:CVD纳米金刚石涂层工艺适用于各种形状的基材,包括平板、管材、复杂形状零件等。

3. 表面粗糙度:基材表面粗糙度对涂层的质量有重要影响,一般要求基材表面粗糙度在Ra<0.4um。

三、表面处理1. 清洗:将基材进行去油、除尘、去氧化处理,以保证涂层与基材之间的良好结合。

2. 粗糙化处理:对于一些表面平整的基材,可以采用砂喷或喷丸处理,增加表面粗糙度,有利于涂层附着。

3. 防粘接处理:在表面处理之后,可以在基材表面进行一些特殊的处理,以增强涂层与基材之间的黏附力。

四、CVD纳米金刚石涂层工艺1. 基材预热:将基材置于CVD反应室中进行预热,通常温度在800-1000摄氏度之间。

2. 气氛控制:在反应室中控制好气氛,通常使用氢气和甲烷混合气体,通过精确控制气氛比例和流量来控制沉积速率和涂层质量。

3. 沉积过程:在预热后的基材表面开始沉积金刚石薄膜,通过化学气相反应在基材表面沉积碳原子,形成金刚石晶粒,不断沉积形成厚度可控的金刚石薄膜。

4. 控制工艺参数:沉积过程中需要严格控制温度、压力、气氛比例、沉积时间等工艺参数,以确保获得高质量的纳米金刚石涂层。

五、质量控制1. 涂层厚度检测:使用X射线衍射仪、激光剥蚀仪等设备对涂层厚度进行检测。

2. 显微结构分析:通过光学显微镜、扫描电子显微镜等设备对涂层显微结构进行分析。

3. 涂层性能测试:对涂层的硬度、耐磨性、耐腐蚀性等性能进行测试,确保涂层符合要求。

科技成果——纳米金刚石膜涂层及工业应用

科技成果——纳米金刚石膜涂层及工业应用

科技成果——纳米金刚石膜涂层及工业应用成果简介纳米金刚石的金刚石晶粒尺寸在100nm以下,表面极其光滑平整,摩擦系数极低(可小于0.05),因此是十分理想的工具(模具)涂层和光学涂层材料,同时在MEMs(微机电系统)和高性能大屏幕(场发射)显示技术等领域也有非常好的应用前景。

本项目组采用微波等离子体CVD和DC Arc Plasma Jet CVD两种工艺方法,在玻璃、硅、钼和硬质合金等衬底材料上成功制备了纳米金刚石膜。

在玻璃衬底上制备的纳米金刚石膜晶粒平均尺寸小于100nm,表面粗糙度小于Ra5nm,采用纳米力学探针测量的显微硬度高达8000kg/mm2,在可见及近红外区域具有非常好的透过特性,紫外喇曼光谱(在新加坡国立南洋理工大学测试)显示薄膜几乎为纯净的金刚石纳米晶粒组成。

在其它衬底上的纳米金刚石膜的组织结构和性能测试正在进行之中。

应用领域纳米金刚石膜涂层硬质合金工具:其中最有前景的是纳米金刚石膜涂层硬质合金微型钻头;纳米金刚石膜涂层光学应用:包括诸如“永“永不磨损钻石涂层玻璃眼镜片”及ZnS、不磨损钻石涂层玻璃表壳”、Ge、Si等重要红外军事光学材料的抗(雨滴、沙粒)冲刷涂层;微机电系统(MEMs)的微机械构件:如微型齿轮、轴、轴承等;高性能大屏幕显示器件。

经济效益及市场分析1、纳米金刚石膜涂层硬质合金微型钻头硬质合金合金微型钻头广泛用于集成电路板(ICB)的加工,工作部分直径仅为0.1-0.5mm左右,工作转速高达数万转/分,加工精度要求非常高。

通常的CVD金刚石膜涂层技术已不可能采用,而纳米金刚石膜涂层技术可能是唯一的解决方案。

我国目前已经成为集成电路印刷电路板的生产大国,预计2000年产值超过300亿元,其中微型钻头消耗占10-15%)。

如能研究开发出纳米金刚石涂层硬质合金微型钻头,市场前景极佳。

2、纳米金刚石膜涂层玻璃表壳和玻璃眼镜片目前我国手表年产数亿只以上。

中低挡手表表壳均为光学玻璃制造,表面容易划伤或长期佩带后因表面磨损失透。

金刚石薄膜技术及其应用

金刚石薄膜技术及其应用

金刚石薄膜技术及其应用金刚石是一种硬度极高的天然矿物,于20世纪60年代起被学界广泛研究。

随着材料科学技术的不断进步,金刚石薄膜技术也逐渐成为研究的热点之一。

本文将从金刚石薄膜技术的原理、制备方法及其应用的方面进行阐述。

一、金刚石薄膜技术原理金刚石薄膜技术主要利用化学气相沉积(CVD)的方式在基材表面生长金刚石薄膜。

这种方法通常需要高温(在800℃以上)和高气压的气氛下进行,需要一些特殊的条件。

CVD是一种利用热分解气体在表面形成固体物质的工艺。

在CVD法生长金刚石薄膜的过程中,应先将气流中的气体分离出不含杂质、单质态的纯氢气,在高温下将氢气还原出单质氢原子,在这些氢原子的作用下,金刚石的碳原子就会在基材表面上生长。

二、金刚石薄膜技术制备方法金刚石薄膜的制备方法主要分为两大类:基于低压CVD技术和基于高压CVD技术。

基于低压CVD技术中,使用的气体通常是甲烷和氢气的混合物,在真空条件下进行反应。

将这些气体通过高温反应炉,使得甲烷分解成纯碳离子。

碳离子被氢气还原后,随后沉积在准备好的表面上,形成一层金刚石薄膜。

而基于高压CVD技术,则是在准备好的基板中,使用气压较高的气体进行反应。

这种方法通常能够得到更厚的金刚石薄膜。

三、金刚石薄膜技术的应用金刚石薄膜技术的应用场景非常广泛,以下将介绍一些典型的应用场景和案例:1. 电子技术领域金刚石薄膜是一个重要的电学材料,在电子技术领域有着广泛的应用价值。

例如,金刚石薄膜是一种优秀的绝缘材料,可以用于制造高性能半导体元件、纳米晶体管和高功率器件。

2. 机械工业领域由于金刚石薄膜极其硬度极高和耐磨性能强,在机械工业领域也有着广泛的应用价值。

例如,在高速切削和精细加工方面,金刚石薄膜的应用能够明显提高加工效率和加工精度。

另外,金刚石薄膜也可以用于制造高强度、高硬度的刀具和轴承零部件。

3. 生命科学领域除此之外,金刚石薄膜技术在生命科学领域也有另外一些应用场景。

例如,金刚石薄膜可以被用作人工眼视网膜和人工髋关节等器官的材料。

纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究

纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究

纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究纳米金刚石薄膜是近年来发展迅速的新型纳米材料之一。

它是由一层螺旋状的金刚石碳纳米管,这些碳纳米管组成一层,形成一种新型的结构。

它具有超强的电子发射性能、导电性能和耐热性能,可用于显示器、电脑硬盘和其他多种电子应用。

因此,研究纳米金刚石薄膜的制备技术和其在电子学领域的应用是重要的。

研究指出,金刚石薄膜的制备主要依赖于高效的分子蒸镀技术,即利用激光分子束技术合成金刚石材料的过程。

主要步骤是:1)准备碳源,选用沉积材料;2)激光分子束蒸镀,在潜热处理温度下沉积纳米金刚石;3)镀膜处理,使得纳米金刚石具有高纯度、平整和良好的电学性质。

研究表明,在制备纳米金刚石薄膜的过程中,有三个关键因素影响着薄膜的性能:1)激光分子束能量:当激光分子束能量增加时,碳源的沉积量会增加,从而提高薄膜的电学性质;2)碳源的种类:不同碳源沉积不同的金属元素,影响着薄膜的性能;3)调节潜热处理温度:潜热处理温度过高或过低可能导致薄膜有缺陷,影响其电学性质。

此外,在工程上,纳米金刚石膜在多种电子应用中表现出了良好的电子性能。

这种膜具有高导电性、高热稳定性和高电子发射性能,可以用来制作显示器、磁盘驱动器、芯片以及其他任何电子元件。

另外,由于其超小尺寸和低功耗,纳米金刚石薄膜也可用于各种微型电子应用。

此外,纳米金刚石薄膜还可以用于控制电子发射。

研究表明,金刚石薄膜可以产生强大的电子发射,这使得其应用于电子显示器,广泛用于显示屏。

特别是,纳米金刚石薄膜可以高于1000 cd / m的亮度发射,这大大提高了用户体验,可用于各种先进的电子显示应用。

总之,纳米金刚石薄膜具有广泛的应用前景,为电子发射、显示屏等技术提供了潜力。

未来,将不断改进纳米金刚石薄膜的制备技术,加快其在电子学领域的应用,为人类发展提供更多可能性。

金刚石薄膜在电子设备中的应用

金刚石薄膜在电子设备中的应用

金刚石薄膜在电子设备中的应用随着电子科技的不断发展,电子设备一代比一代智能化,体积也越来越小,功能也越来越强大。

而金刚石薄膜的出现,则为电子设备的创新应用带来了无限的可能性。

金刚石薄膜具有硬度极高、耐磨损、耐腐蚀、导热性能好等优点,被广泛地应用在各种电子设备中。

1. 金刚石薄膜在显示和光电子学中的应用金刚石薄膜在显示和光电子学中的应用十分广泛,可以用于制作LED,FLD以及其他光学元件。

金刚石薄膜的导热特性和光学性质可以极大地提高电子元件的性能,从而使设备具有更高的可靠性和长寿命。

例如,在LED制造中,金刚石薄膜可以提高LED 灯的亮度、发光效率和寿命;在FLD制造中,金刚石薄膜还可以增强其稳定性和耐久性。

2. 金刚石薄膜在散热中的应用金刚石薄膜具有极高的导热性能,因此在高性能的电子设备中可以被用作散热材料。

利用金刚石薄膜的导热特性,可以将设备内的热量有效地散发出去,确保设备运转时的稳定性和可靠性。

同时,金刚石薄膜还可以抑制高温下电子设备的退化和损伤。

3. 金刚石薄膜在传感器中的应用传感器在现代电子设备中发挥着越来越重要的作用,而金刚石薄膜的硬度和抗腐蚀性能可以使得传感器具有更长的使用寿命和更好的性能表现。

同时,金刚石薄膜在传感器的制造中还可以起到光学和电学的作用,从而增强传感器的精度和灵敏度。

4. 金刚石薄膜在MEMS领域中的应用MEMS技术(微电子机械系统)可以将微型机械系统与电子技术相结合,产生大量的微小元件。

金刚石薄膜作为MEMS器件中的材料之一,可以提高其机械强度和耐磨损性能,使得器件更加稳定和可靠。

例如,金刚石薄膜可以用于惯性传感器制造中,提高其灵敏度和响应速度,同时在机械强度和耐磨损性方面也可以起到很好的作用。

总之,金刚石薄膜在电子设备制造中具有广泛的应用前景和很好的经济性以及環保性。

尽管目前金刚石薄膜的制造仍然存在成本高、技术瓶颈等问题,但随着技术不断的发展和完善,相信金刚石薄膜在未来一定能够得到更加广泛的应用,为电子设备的进一步发展和创新提供支持和保障。

汇总一种掺杂类金刚石薄膜

汇总一种掺杂类金刚石薄膜

∙一种掺杂类金刚石薄膜及其制备方法∙[发明专利] CN201510292141.X_ 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 2015年5月30日∙本发明提供一种掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其包括如下步骤:a根据第一性原理计算模拟金属原子与碳原子的成键特征,筛选出与碳原子具有反键特征的掺杂金属元素;b通过离子束法形成类金刚石薄膜,并在类金刚石薄膜的成膜过...查看全文- 下载全文- 导出∙ 2 一种LED发光单元的制备方法∙[发明专利] CN201410522187.1_ 佛山市国星光电股份有限公司 2014年9月30日∙本发明公开一种LED发光单元的制备方法,包括如下步骤:1)在蓝宝石衬底上生长一层类金刚石薄膜;2)在类金刚石薄膜上制备电极通孔;3)在所述类金刚石薄膜裸露的一面制备电极通孔阵列,同时在电极通孔内壁上电镀一层金属,并在...查看全文- 下载全文- 导出∙ 3 DLC光能污水净化方法及其装置∙[发明专利] CN201510313230.8_ 刘南林 2015年6月5日∙本发明是应用DLC(类金刚石薄膜英文缩写)纳米新材料技术、太阳能利用技术、有机化工催化反应填充柱技术设计的新型污水净化方法及其装置。

其原理为:类金刚石薄膜表面在太阳光照射下,吸收紫外光,形成加速有机物降解反应的催...查看全文- 下载全文- 导出∙ 4 基于类金刚石薄膜的纳米孔测量系统及其制备方法∙[发明专利] CN201410707203.4_ 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 2014年11月28日∙本发明公开了基于类金刚石薄膜的纳米孔测量系统,包括纳米孔系统、盐溶液腔室和电流监测系统,所述纳米孔系统包括衬底和复合在衬底上表面的类金刚石薄膜I,所述衬底和类金刚石薄膜I表面包覆有绝缘保护层,该衬底刻蚀有锥形...查看全文- 下载全文- 导出∙ 5 一种常温、低电压条件下电沉积类金刚石薄膜的方法∙[发明专利] CN201510298974.7_ 常州大学 2015年6月3日∙本发明属于类金刚石薄膜制备技术领域,特别涉及一种液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法。

金刚石薄膜分类

金刚石薄膜分类

金刚石薄膜分类
金刚石薄膜是一种重要的功能材料,在许多领域有广泛的应用,如信息技术、生命科学、能源储存等。

根据制备方法、结构特征、性能表现等方面,可以将金刚石薄膜分为不同的类别。

其中,常见的几种金刚石薄膜分类如下:
1. 晶体金刚石薄膜:晶体金刚石薄膜是用气相沉积等方法在基底上生长的金刚石晶体。

这种薄膜具有优异的热导率、硬度、化学稳定性和机械性能,是一种理想的高温、高压和高频电子器件材料。

2. 纳米金刚石薄膜:纳米金刚石薄膜是由纳米尺度的金刚石颗粒组成的薄膜。

这种薄膜具有高比表面积、优异的化学稳定性、生物相容性和光学性能,是一种重要的生物传感器、光学波导和催化剂材料。

3. 多层金刚石薄膜:多层金刚石薄膜是由多个金刚石薄膜层组成的复合材料。

这种薄膜具有优异的耐磨、耐腐蚀和抗刮擦性能,是一种理想的涂层材料,广泛应用于机器制造、汽车工业和航空航天领域。

4. 氢化金刚石薄膜:氢化金刚石薄膜是在金刚石薄膜表面加氢处理后形成的。

这种薄膜具有高的光学透过率、低的摩擦系数和压电效应,是一种理想的光学透镜、摩擦材料和传感器材料。

5. 氮化金刚石薄膜:氮化金刚石薄膜是在金刚石薄膜表面氮化处理后形成的。

这种薄膜具有优异的导电性、光学性能和生物相容
性,是一种重要的半导体材料、生物传感器和光电器件材料。

以上就是金刚石薄膜的一些常见分类,不同类别的金刚石薄膜在不同领域具有广泛的应用前景和发展潜力。

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应 用于半导体器件的掺杂纳米金刚石膜
苏 汪 华 , 礼威 , 江 含 , 建 熊 刘鹏飞 , 川
(. 1 武汉 工程 大学湖 北省 等 离子体化 学 与新材料 重 点 实验 室, 武汉 4 0 7 ; 3 0 4
2 中 国科 学 院等 离子 体物 理研 究所 , 肥 2 0 3 ) . 合 3 0 1
可 以实 现金 刚 石 薄 膜 的硼 掺 杂. 硼 金 刚石 薄膜 掺
的研 究 也 已经 非 常 成 熟 , 用 同质 外延 生 长法 得 采
到的硼 掺杂金 刚石 薄膜 的研 究 中 , ma a a等l Ya n k _ 5 ] 测 量其 霍 尔 迁 移 率 达 到 18 0 e 4 m。・( ・s _ . V )。
1 金 刚 石 掺 杂 类型 的研 究
采用微 波 等离子 体化 学 气相 沉 积 ( co v Mi wa e r
pa mac e c l a o e o io , C ls h mi p rd p s in MP VD) 合 av t 法
难 题. 种 理 论 和 实 践 研 究 都 没 能 很 好 的 证 明 哪 各 种施 主原子 能够 产 生 足够 浅 的能 级 , 室 温 下 能 在 产生 电子使 之导 电. 现将 可能 使金 刚石 薄膜 产 生 n
纳米 金 刚石 薄 膜进 行掺 杂 研究 也成 为金 刚石 薄膜 材料 研究 领域 的一个 新 的热点 方 向.
迁 移率 , 别得 到 了室 温 电子迁 移 率 45 0e ・ 分 0 m
( ・ ) , 穴迁移 率 38 0c ・ V ・ ) 。 V s~ 空 0 m ( s _. 1 2 金 刚石薄膜 的 n型掺 杂 . 金 刚石 薄 膜 的 n型 掺杂 是 世界 各 国研究 开 发 的最热 门 的课 题 之 一 , 是 被公 认 的 尚未解 决 的 也
0 引 言
金刚石 有 着 宽 的 禁 带 宽 度 和 高 的 热 导 率 , 有
着最 高 的介 质 击 穿 场 强 和 载 流 子 迁 移 率 , 这些 优
阻率 , 了实现金 刚 石 的半 导体 应 用 , 为 必须 对 其 进
行 掺杂 形成 杂 质 半 导 体 , 即合 成 P型 和 n型 导 电 材料 , 实现 P —n结 . 要 方 法 是 向 金 刚 石 薄 膜 中 主
摘 要 : 刚 石 膜 有 着 高 的 热 导 率 、 禁 带 、 的介 质 击 穿 场强 、 的 载 流 子 迁 移 率 等 优 点 , 非 常 理 想 的半 导 金 宽 高 高 是
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
体 材 料 . 文 介 绍 了 掺 杂 纳 米 金 刚 石 薄 膜 作 为 半 导 体 器 件 工 作 层 的 优 点 , 述 了金 刚 石 P型 掺 杂 和 n型 掺 杂 本 综 的研 究 现状 , 对 影 响 纳 米 金 刚 石 薄 膜 生 长 的 因 素 进 行 了 探 讨 . 出 了金 刚 石 膜 在 半 导 体 器 件 的 应 用 趋 势 , 并 指 并
对其应用前景进行展望.
关键 词 : 米 金 刚 石 膜 ; 导体 器 件 ; 杂 纳 半 掺
中图分类号 : TQ1 7 5 7. 文献 标 识 码 : A d i1 . 9 9 jis . 6 4 2 6 . 0 1 1 . 1 o :0 3 6 /.sn 1 7 — 8 9 2 1 . 0 0 6
厚 膜表 面金 刚 石 晶粒 与 晶界 的性 能 存 在 差 异 , 很
大 程度 上影 响 了金 刚石 半 导 体 器件 的性 能 . 由于
纳 米金 刚石 薄 膜 在各 个 区域 的 高度 一致 性 , 不 且
存 在 微米 级 金 刚石 中常 见 的较 大缺 陷 和应 力 的 问 题 , 而更 易 消 除 普 通 多 晶金 刚石 膜 中较 大 的 晶 从
J Ib r 等 测 量 单 晶金 刚 石 P 结 的低 场 漂移 .s eg —i
界 的 影 响. 因此 , 米 金 刚 石 薄 膜 在许 多方 面 , 纳 如
高功 率 、 频 、 热 导 率 电子 元 器 件 等领 域 , 备 高 高 具
更 优 异 的性 能 和更 好 的应 用 前 景 , 随着 人 们 对 高 功率 半导体 、 频半 导 体器 件 等要 求 越来 越 高 , 高 对
掺入 可 能 的受 主元 素使 之产 生 空穴 导 实现 金 刚石 P型导 电 , 向金 刚石 薄膜 中掺 入可 能的施 主杂质 使
之产 生 电子 导 电实 现 金 刚石 n型 导 电 , 目前 国 内
异 的特 性使 得 金 刚石在 半 导体 器 件领 域具 有 极 大
的应 用前 景口 . ] 目前 国 内外 对金 刚石 的研究 一 直 局 限于金 刚 石 电极 领 域 , 金 刚 石 膜 的半 导 体 性 对 能 应用研 究 较 少 , 方 面 是 因 为 单 晶 金 刚 石 膜 的 一 制 备技 术不 够成 熟 , 以制 备 出高 质 量 、 难 大面 积 的 异 质外延 金 刚 石 膜 , 另一 方 面 是 由于 多 晶 金 刚 石
外在 金 刚石 的 P型掺杂 和 n型掺 杂方 面都 进行 了
大量 的研 究. 1 1 金 刚石薄 膜 的 P型 掺杂 . 在金 刚石 薄 膜 的 P型掺 杂 中 , 原 子 是 研 究 硼 的最 多 的掺 杂 原 子 , 金 刚石 薄 膜 的生 长 过 程 中 在 在反 应 室里 加 入 硼 源 ( 常 是 B 0。 B H 等 ) 通 。 ,。 就
第3 3卷 第 1 期 O
21 0 1年 1 O月








V0 . 3 No 1 13 .0
0c . t 2 1 O1
J W u a I s. Teh . hn n t c.
文章 编 号 : 6 4— 8 9 2 1 ) 0 0 8— 5 1 7 2 6 ( 0 1 1 —0 6 0
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