《微电子学概论》--B02

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微电子学概论

微电子学概论

微电子学概论微电子学是一门研究微观世界中的电子行为和器件的学科,是电子工程的重要分支。

它主要研究微小尺寸下电子元器件(例如晶体管和集成电路)的制造和运作原理。

微电子学可以追溯到20世纪50年代,随着科技的发展,它逐渐成为电子工程中的重要学科。

在微电子学中,主要研究以下几个方面:微电子器件的设计和制造、电子器件的特性和行为、器件的集成和封装、微电子系统的设计和应用等。

微电子学的研究对象都是小于1微米的尺度,因此需要运用微细加工技术和各种先进的材料制造技术。

微电子学的发展离不开半导体材料的研究和应用。

半导体材料的特性使得它可以在电导性上有所区别,有导电和绝缘两种状态。

这种特点使得半导体材料成为微电子学中最重要的材料之一、半导体材料通过掺杂、结构设计和制造工艺等方式可以制造D型、N型和P型半导体材料。

在半导体中,N型电子和P型空穴可以在特定条件下合并,形成PN结构,利用PN结可以制造晶体管和二极管等微电子器件。

微电子学的应用非常广泛。

几乎所有的电子设备都离不开微电子学的应用,例如计算机、手机、电视等消费电子产品都需要微电子技术来制造高性能的集成电路芯片。

此外,微电子技术还应用于医疗设备、航天器件、军事装备等高技术领域。

微电子技术的发展使得计算机和通信技术得以飞速发展,推动了人类社会的科技进步。

然而,微电子学也面临一些挑战和问题。

首先,微电子器件的尺寸越来越小,工艺复杂度逐渐增加,这对制造和测试带来了困难。

其次,尺寸越小,器件的故障率越高,如何提高器件的可靠性和稳定性是微电子学研究的重要方向之一、此外,微电子技术对纳米材料和量子效应等新兴领域的研究和应用也面临着挑战。

总结来说,微电子学作为电子工程的一个重要学科,研究微观世界中的电子行为和器件。

它与半导体材料密切相关,应用广泛,推动了现代科技的发展。

随着科技的进步,微电子学在器件制造、工艺和应用等方面仍然面临许多挑战和问题,需要通过不断地研究和创新来推动其发展。

《微电子学概论》大规模集成电路基础-PPT精品文档

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与非门:Y=A1A2
河南工业大学 电气工程学院
3.3 影响集成电路性能的因素和发展趋势
• • • • • 有源器件 无源器件 隔离区 互连线 钝化保护层
• 寄生效应:电容、有源器件、 电阻、电感
河南工业大学 电气工程学院
3.4 影响集成电路性能的因素和发展趋势
器件的门延迟: 迁移率 沟道长度 电路的互连延迟: 线电阻(线尺寸、电阻率) 线电容(介电常数、面积) 途径: 提高迁移率,如GeSi材料 减小沟道长度 互连的类别: 芯片内互连、芯片间互连 长线互连(Global)
漏极
n+
n+
P型硅基板
半 导
河南工业大学 电气工程学院


MOSFET的工作原理
源极(S) 栅极(G)
MOS晶体管的基本结构
漏极(D) 源极
栅极(金属)
绝缘层(SiO2)
漏极
n+
n+
P型硅基板

导 体 基
MOS晶体管的动作
板 MOS晶体管实质上是一种使
河南工业大学 电气工程学院 电流时而流过,时而切断的 开关
中等线互连
短线互连(Local)
河南工业大学 电气工程学院
减小互连的途径:
增加互连层数
增大互连线截面
Cu互连、Low K介质 多芯片模块(MCM) 系统芯片(System on a chip)
减小特征尺寸、提高集成度、Cu互连、系统优化设计、SOC
河南工业大学 电气工程学院
源极(S) 栅极(G)
源极
栅极
漏极
漏极(D)
源极 漏极
VG=0 VS=0 VD=0
栅极电压为零时,存储在 源漏极中的电子互相隔离

微电子学概论PPT课件

微电子学概论PPT课件
的分类 微电子学
的特点
集成电路的分类
导论
晶体管的 发明
集成电路 发展历史
集成电路 的分类
微电子学 的特点
集成电路的分类
器件结构类型 集成电路规模 使用的基片材料 电路形式 应用领域
器件结构类型分类
导论
晶体管的 发明
集成电路 发展历史
集成电路 的分类
微电子学 的特点
集成电路(IC)产值的增长率(RIC)高于电子 工业产值的增长率(REI)
电子工业产值的增长率又高于GDP的增长率 (RGDP)
一般有一个近似的关系
RIC≈1.5~2REI REI≈3RGDP
微电子学发展情况
导论
晶体管的 发明
集成电路 发展历史
集成电路 的分类
微电子学 的特点
世界GDP和一些主要产业的发展情况
晶体管的 发明
集成电路 发展历史
集成电路 的分类
微电子学 的特点
1947年12月13日 晶体管发明 1958年 的一块集成电路 1962年 CMOS技术 1967年 非挥发存储器 1968年 单晶体管DRAM 1971年 Intel公司微处理器
摩尔定律
导论 晶体管的
发明 集成电路
发展历史 集成电路
高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电 子学发展的方向
微电子学的渗透性极强
它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的 交叉学科,例如微机电系统(MEMS)、生物芯 片等
作业
微电子学?
导论 晶体管的
微电子学核心?
发明 微电子学主要研究领域?
集成电路 发展历史
微电子学特点?
集成电路 集成电路?
的分类
例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等

微电子学概论复习(知识点总结)

微电子学概论复习(知识点总结)

第一章 绪论1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2.集成电路分类情况如何?答:3.微电子学的特点是什么?答:微电子学:电子学的一门分支学科微电子学以实现电路和系统的集成为目的,故实用性极强。

微电子学中的空间尺度通常是以微米(μm, 1μm =10-6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。

微电子学是信息领域的重要基础学科微电子学是一门综合性很强的边缘学科涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路BiCMOS BiMOS 型BiMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向微电子学的渗透性极强,它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科,例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等第二章半导体物理和器件物理基础1.什么是半导体?特点、常用半导体材料答:什么是半导体?金属:电导率106~104(W∙cm-1),不含禁带;半导体:电导率104~10-10(W∙cm-1),含禁带;绝缘体:电导率<10-10(W∙cm-1),禁带较宽;半导体的特点:(1)电导率随温度上升而指数上升;(2)杂质的种类和数量决定其电导率;(3)可以实现非均匀掺杂;(4)光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率;半导体有元素半导体,如:Si、Ge(锗)化合物半导体,如:GaAs(砷化镓)、InP (磷化铟)硅:地球上含量最丰富的元素之一,微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。

《微电子学概论》课件

《微电子学概论》课件
《微电子学概论》PPT课 件
欢迎来到《微电子学概论》PPT课件,本课程将深入探讨微电子学的定义、作 用以及在生活中的应用。我们将通过丰富的教学方法和资源,一同探索微电 子学的发展趋势,了解其研究和实验。课程结束后,我们还将回答一些常见 问题。
微电子学的定义和作用
微电子学是研究和制造微小尺寸电子元件的科学和技术。它在现代科技中发挥着重要作用,驱动着无数创新产 品和解决方案的发展。
可穿戴健康追踪器
了解可穿戴设备中使用的微电子 学传感器,用于监测身体活动和 健康数据。
电动汽车
学习电动汽车技术中的微电子学 应用,如电池管理系统和充电控 制。
微电子学教学方法和资源
实验室课程
通过实际操作和测量,深入了解微电子学原理, 并加深对电子器件的理解。
模拟设计软件
使用专业的模拟设计软件,进行电路设计和性 能验证。
3
更智能
人工智能和机器学习技术将与微电子学相结合,创造更智能的设备和系统。
Hale Waihona Puke 微电子学的研究和实验研究项目
参与微电子学研究项目,探索 新颖的电子器件和技术。
实验室实践
在实验室中进行微电子学实验, 学习电子器件的制造和测试。
仿真模拟
使用电路仿真软件,模拟电子 器件和电路的性能。
常见问题和答疑
1 为什么微电子学如此重要?
微电子学的基本原理
1 半导体物理
探索半导体材料的电子结 构和导电特性,理解电子 在材料中的行为。
2 电子器件
了解常见的电子器件,如 晶体管和集成电路,并学 习它们的操作原理。
3 电路设计
学习设计和分析微电子电 路,包括放大器、滤波器 和数字逻辑电路。
微电子学在生活中的应用

微电子学概述

微电子学概述
现在集成电
1962年Wanlass、C. T. Sah——CMOS技术 路产业中占95%以上 1967年Kahng、S. Sze ——非挥发存储器 1968年Dennard——单晶体管DRAM
1971年Intel公司微处理器——计算机的心脏
• 目前全世界微机总量约6亿台,在美国每年由计算机完成的工作量超过 4000亿人年工作量。美国欧特泰克公司认为:微处理器、宽频道连接和 智能软件将是21世纪改变人类社会和经济的三大技术创新
据美国半导体协会(SIA)预测
GDP≈50万亿美元
电子信息服务业 30万亿美元 相当于1997年全世界GDP总和
电子装备 6-8万亿元
2012年
集成电路产值 1万亿美元
根据IMF RIC≈1.7REI REI≈3RGNP
3%
9%
15%
From S.M.SZE
世界GDP增长与世界集成电路产业增长情况比较(资料来源:ICE商业部)
集成电路芯片生产厂大致上可分为三类
• 通用电路生产厂,典型——生产存储器和CPU • 集 成 器 件 制 造 商 (IDM—Integrated Device Manufactory Co.), 产品主要用于自己的整机和系统 • 标准工艺加工厂或称代客加工厂,即Foundry • Foundry名词来源于加工厂的铸造车间,无自己产品 • 优良的加工技术(包括设计和制造)及优质的服务为客 户提供加工服务 • 客户群初期多为没有生产线的设计公司,但是随着技 术的发展,现在许多IDM公司也将相当多的业务交给 Foundry加工
• 2016
– – – – – – – – 0.022 micron 28.8 GHz on chip clock 10 wiring levels 1320-7100 pins Vdd=0.4-0.9V 3.0W / 158W / 288W DRAM: 68.72 Gb/chip, 238 mm^2, 28.85 Gb/cm^2 MPU 3092 Mtrans/chip, 140 mm^2, 2209 Mtrans/cm^2

《微电子学概论》半导体物理学半导体及其基本特性

《微电子学概论》半导体物理学半导体及其基本特性

自由电子的运动
▪ 微观粒子具有波粒二象性
p m0u
p2 E
2m0
(r, t) Aei(Krt)
p K
E hv
半导体中电子的运动
▪ 薛定谔方程及其解的形式
V (x) V (x sa)
2
2m0
d 2(x) dx2
V (x)(x)
E(x)
k (x) uk (x)eikx
布洛赫波函数
uk (x) uk (x na)
金刚石结构
金刚石晶体结构
半 导 体 有: 元 素 半 导 体 如Si、Ge
闪锌矿晶体结构
金刚石型
闪锌矿型
半 导 体 有: 化 合 物 半 导 体 如GaAs、InP、ZnS
▪ 电子壳层
原子的能级
▪ 不同支壳层电子
➢ 1s;2s,2p;3s,2p,3d;…
▪ 共有化运动
Si原子的能级
▪ 电子的能级是量子化的
固体材料的能带图
固体材料分成:超导体、导体、半导体、绝缘体
半导体、绝缘体和导体
半导体的能带
▪ 本征激发
半导体中E(K)与K的关系
E(k)
E(0)
1 2
(d2E dk 2
)k 0
k2

1
2
(
d2E dk 2
)k
0
1 mn*
代入上式得
E(k) E(0) 2k 2 2mn*
自由电子的能量
▪ 微观粒子具有波粒二象性

10、判断对错并不重要,重要的在于正确时获取了多大利润,错误时亏损了多少。00:48:3500:48:3500:489/14/2021 12:48:35 AM

第二章--微电子概论

第二章--微电子概论

耗尽层(depletion layer) 耗尽层 多子扩散电流 少子漂移电流
补充耗尽层失去的多子,耗尽层窄, 补充耗尽层失去的多子,耗尽层窄,E 少子飘移 又失去多子,耗尽层宽, 又失去多子,耗尽层宽,E 多子扩散
内电场E
P型半导体 - - - - - - - - - - -
耗尽层
N型半导体 + + + + + + + + +
j = σE =
E
ρ
半导体的电导率(电阻率) 半导体的电导率(电阻率)与载流子浓度 (concentration )(掺杂浓度)和迁移率 有关。 (掺杂浓度)和迁移率(mobility )有关。 有关
半导体的迁移率( 半导体的迁移率(mobility) )
迁移率是指载流子(电子和空穴)在单位电场 是指载流子(电子和空穴)
半导体的特性
热敏性:当环境温度升高时,导电能力明显 热敏性:当环境温度升高时, 増强。 増强。 光敏性:当受到光照时, 光敏性:当受到光照时,其导电能力明显 变化。 可制成各种光敏元件,如光敏电阻、 变化。(可制成各种光敏元件,如光敏电阻、 光敏二极管、光敏三极管、光电池等) 光敏二极管、光敏三极管、光电池等)。 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质, 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质, 使其导电能力明显改变。 使其导电能力明显改变。
PN结及其单向导电性 结及其单向导电性
1 . PN结的形成 结的形成
PN结合 PN结合 →因多子浓度差 →多子的扩散 →空间电荷区 阻止多子扩散,促使少子漂移。 →形成内电场 →阻止多子扩散,促使少子漂移。 内电场E
P型半导体 空间电荷区 N型半导体 - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +

微电子概论

微电子概论

《微电子学概论》1.晶体管是谁发明的?肖克利、巴丁和布拉顿2.集成电路的分类?·按结构分:单片集成电路:它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路在半导体集成电路中最常用的半导体材料是硅,除此之外还有GaAs等混合集成电路:厚膜集成电路薄膜集成电路·按功能分:数字集成电路(Digital IC):它是指处理数字信号的集成电路,即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路模拟集成电路(Analog IC):它是指处理模拟信号(连续变化的信号)的集成电路线性集成电路:又叫做放大集成电路,如运算放大器、电压比较器、跟随器等非线性集成电路:如振荡器、定时器等电路数模混合集成电路(Digital - Analog IC) :例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等 ·⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路BiCMOS BiMOS 型BiMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路3.微电子的特点?↗微电子学以实现电路和系统的集成为目的,故实用性极强。

↗微电子学中的空间尺度通常是以微米(μm, 1μm=10-6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。

↗微电子学是一门综合性很强的边缘学科↗微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向↗微电子学的渗透性极强,它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科,例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等4.什么是半导体集成电路?集成电路就是将电路中的有源元件,无源元件以及他们之间的互连引线等一起制作在半导体的衬底上,形成一块独立的不可分的整体电路。

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SIMOX材料 CMOS/SOI电路(航天 科技集团) 大于3GC的GeSi/Si分 频器
嵌入式微处理器(8、 16位) 建库技术、IP库建立 嵌入式芯片设计技术
与IC的兼容设计 MEMS工艺标准化 MEMS封装技术
安全保密芯片 红外焦平面读出芯片 机顶盒芯片
传感MEMS器件 信息MEMS器件 生物MEMS器件
12
集成电路产业的发展是市场牵引和技术推动的结果。不 同的产业发展阶段,产业结构可以有不同的形式
IC(IDM) 制造商 通用电路 制造商
~ 1980
前两类厂家, IDM
1980 ~ 1990
与整机、系统用户相结合, IP模块和 Chipless 相对分散设计;以标准工 艺(标准单元库和IP库) Co.出现 为接口,相对集中加工。 IP:知识产权 这就导致了Fabless Co. 和Foundry的出现。 (Intellectual Property)
5
1998 ~ 2010年世界半导体市场增长预测(亿美元)
1997 1998 1999 2000 2001 2005 2010 总销售额 增长率(%) 1370 1346 1577 1846 2214 3872 8956 -1.8 17.2 17 20 15 15
6
1998-2003年世界及四大市场IC增长率和份额统计/预测表
40.00% 30.00% 20.00% 10.00% 0.00% -10.00% -20.00% 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 ÑÑ ÑÑ ú · ÑÑ Ñ± Ñ ÑÑ ò
亚太地区第一
市场增长率
35% 30% 25% 20% 15% 10% 5% 0% 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 ÑÑ · ÑÑ Ñ± Ñ ÑÑ ú
27
北京大学微电子所概 况 北京大学微电子所
前身是1955年黄昆院士领导下的我国第一个半导体 专门化 1978年成立微电子学研究室,1986年转制为微电子 所
学位授予权情况
学士学位:微电子学 硕士学位:微电子学与固体电子学,电路与系统 博士学位:微电子学与固体电子学,电路与系统 博士后流动站:微电子学与固体电子学 工程硕士学位:集成电路工程
1999
2012
Foundry类加工芯片数量占世界集成电路芯片总产量的比例
(资料来源:Dataquest)
因此美国著名的预测与咨询公司Dataguest:
未来属于Foundry
17
我国微电子 发展概况
18
我国微电子学的历史
1955年5所学校在北大联合创建半导体 专业
北京大学、南京大学、复旦大学、吉林 大学、厦门大学 教师:黄昆、谢稀德、高鼎三、林兰英 学生:王阳元、许居衍、陈星弼
1977年在北京大学诞生第一块大规模 集成电路
19
我国微电子学的历史
1982年,成立电子计算机和大规模集 成电路领导小组
主任:万里
80年代:初步形成三业分离的状态
制造业 设计业 封装业
20
我国年微电子发展展望
我国IC骨干企业地区分布及销售情况
13%
3% ÑÑ ÑÑ ±Ñ ÑÑ
171世纪,要求移动处理信息,随时随 地获取信息、处理信息成为把握先机 而制胜的武器。 如果前20年PC是集成电路发展的驱动 器的话,后20年除PC要继续发展外, 主要驱动器应该是与Internet结合的可 移动(Mobile)、袖珍的(Portable) 实时信息处理设备。 核心电路是数字信号处理器(DSPDigital Signal Processor)
学生
博士研究生:15 ~ 20 人/年 硕士研究生:25 ~ 30 人/年 工程硕士:30人 本科生:60 人/年
30
北大微电子所的研究基地建设
微米纳米加工技术国家级重点实验室
1996年10月原国防科工委批准建设 1998年5月4日通过评审和验收 2000年底通过评估 已为国内外近30家单位提供了加工服务
10
集成电路产业的发展是市场牵引和技术推动的结果。 不同的产业发展阶段,产业结构可以有不同的形式
IC(IDM) 制造商 通用电路 制造商
~ 1980
前两类厂家, IDM
1980 ~ 1990
与整机、系统用户相结合, 相对分散设计;以标准工 艺(标准单元库和IP库) 为接口,相对集中加工。 这就导致了Fabless Co. 和Foundry的出现。 制图:李柏毅、Mabel IP模块和 Chipless Co.出现
• 到2010年总投资量600亿美元,建成20 ~ 40条
生产线,200个设计公司及20家封装/测试厂 • 带动上海700亿美元相关产业发展,成为第一 大产业
22
我国年微电子发展展望
北京微电子研讨会:S + 1
上一个月召开 10 ~ 20条集成电路生产线 零地租30年 政府跟进总投资的15%
28
北京大学微电子学研究所架构
微电子学系
D epart ent of M i m croel roni ect cs
微电子学研究院
I iut of M i nstt e croel roni ect cs




国家和部委级 重点实验室
国家级微米/纳米 重点实验室 新工艺新器件国家 专项实验室 北京市软硬件协同 设计重点实验室
去离子水、高纯 气体保障部
多目标芯片教学 实验室
微电子分析测试 教学实验室
微电子科学技术 工艺实验室
C A E实验室
北大-Synopsys 公司联合实验室
测试实验室
29
教师
北京大学微电子所概 况
中国科学院院士:1人(王阳元院士) 博士生导师:12人 教授:19人 拥有博士学位人员:26人
11
资料来源: Digitimes整理 2000/
集成电路设计滞后现象
微米
10
10G
芯片复杂度
1 栅长 58%/年
1G 100M
差距增大
0.1 0.01
1980 1985 1990 1995 2000 2005
10M 1M
设计产率
20%/人年
100K 10K 1K 2010
集成电路设计能力增长不能跟上芯片复杂度的增长速 率
8
产业格局与产业结构
集成电路的生命力在于它可以大批量、低 成本和高可靠地生产出来。
集成电路芯片价格:101 ~ 102美元 生产线的投资: 109美元 (8”、0.25微米) 要想赢利:年产量~108
集成电路芯片是整机高附加值的倍增器, 但不是最终产品,如果不能在整机和系统 中应用,那它就没有价值和高附加值 决定集成电路产业的建设必须首先考虑整 机和系统应用的发展,即市场的需求
4
第一个周期(1975-1984,CAGR=20.4%): 国防工业、工作站、大型电脑和消费类 电子; 4和5 ; 产值在几百亿美元
第二个周期(1985-1995,CAGR=20.8%): 中小型电脑、PC机;8 ;产值突破1000 亿美元
第三个周期(1996-2005,CAGR=15.6%): 除PC机外,网络和通讯装备,特别是移 动通讯装备; 8 和12 ; 产值3000亿美元
35
集成电路分类
36
集成电路分类
集成电路的分类
器件结构类型 集成电路规模 使用的基片材料 电路形式 应用领域
37
按器件结构类型分类
双极集成电路:主要由双极晶体管构成
NPN型双极集成电路 PNP型双极集成电路
15
18%
2%
Asia North America Japan 67% Europe
13%
2000年Foundry业务地区分布 (Semico Research Corp., 2-2000,counrtesy of Amkor Wafer Fabrication Services)
16
50% 45% 40% 35% 30% 25% 20% 15% 10% 5% 0%
天津 深圳
23
我国年微电子发展展望
上海中芯国际: 14.76亿美元,8英寸,0.25微米,4.2万 片/月 上海宏力 16.37亿美元,8英寸,0.25微米,4万片 /月 北京华夏半导体 13亿美元,8英寸,0.25微米 天津Motorola MOS17 14.75亿美元,8英寸,0.25微米,6000 片/周 24
21
我国年微电子发展展望
上海IC产业发展战略目标
Ä〃 êÄ 2000 Ä Ä Ä Ä (Ä Ä Ä ) ú Ä 7 5Ä Ä Ä ê ù %Ä Ä Ä Ä ICÄ Ä Ä Ä Ä Ä Ä ú Ä 2% ú ÄÄÄÄÄÄÄ 0.43% úú ÄÄÄÄÄÄÄ 8"/0.35 2005 2010 2015 15Ä Ä Ä ê 30 165 500 2300 34 41 25 33 9% 30% 50% 1% 3% 5% 8"/0.18 12"/0.10 12"/0.05
微电子学概论
张 兴
北京大学微电子学研究所
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集成电路市场和 产业结构的发展规律
市场及其发展规律 产业格局与结构 Foundry建设
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市场及其发展规律
30多年来,集成电路市场的成长迅速, 基本上是一条指数发展规律。
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资料来源:WSTS. 00/5 制图:黄逸平、Mabel
同时,集成电路市场又是高度变动的,约 十年为一个涨落周期。
MEMS技术
微系统设计方法、建 模、数据库和仿真 三维加工、材料、封 装组装和可靠性研究
基 础 研 究
关 键 技 术 应 用 开 发
系统芯片中新器件新 工艺基础研究 亚50纳米器件机理、 模型、结构和工艺 纳米电子器件物理
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