磁阻效应(大学近代物理实验)
磁阻效应的实验报告
磁阻效应的实验报告实验目的通过实验研究磁阻效应的产生原理，了解磁阻效应对于电阻变化的影响。
实验原理磁阻效应是指材料在外加磁场作用下，电阻发生变化的现象。
根据实验材料的不同，磁阻效应可以分为正磁阻效应和负磁阻效应。
正磁阻效应对应着电阻的增加，而负磁阻效应对应着电阻的减小。
实验器材1. 磁阻效应实验装置2. 磁铁实验步骤1. 将实验装置连接好，并将其放置于稳定的起点位置。
2. 打开电源，调整磁铁的位置和方向，使之与实验装置的位置和方向重合。
3. 对实验装置进行初始磁场校准，保持电流为零，记录下此时的电阻读数。
4. 调节电源，使电流从小到大依次经过一系列数值，记录下每个电流值对应的电阻读数。
5. 根据记录的数据，绘制电流与电阻的变化曲线。
实验结果分析通过实验记录的数据，绘制出电流与电阻的变化曲线如下：
强磁场中：
0
R / 在角频率w的弱正弦波交流磁场中， ΔR/R(0)正比于B平方，电阻R 随2w作周期变化，即磁阻传感器有交流电倍频性能。若外界交流磁 场的磁感应强度B为 B B0 cost 2 设在弱磁场中， R / R(0) kB 假设电流恒定为 I ，由上式可得
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概述
磁阻效应：材料的电阻会因外加磁场而增加或减 少，电阻的变化量称为磁阻。一定条件下，导电 材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁 阻效应。 磁阻应用：目前，磁阻效应广泛用于磁传感、磁 力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、 GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领 域。 磁阻器件的特点：灵敏度高、抗干扰能力强。 在众多的磁阻器件中，锑化铟（InSb）传感器最 为典型，它是一种价格低廉、灵敏度高的磁阻器 件，在生产生活应用广泛。
实验仪器
磁阻效应试验仪面板图
磁阻效应 试验仪连 接图
实验内容
测量电路图
1、测量励磁电流 I M 与磁感应强度 B的关系： 绘制电磁铁B线 VH 磁场B= KI S
I M 关系磁化曲
IS
IM
2、测量电磁铁气隙磁场沿水平方 向的分布 调节励磁电流 I M =500mA，I S =5.00mA时，测量霍尔输出电 压 与水平位置X的关系。根 VH 据数据做B-X关系曲线。 3、测量磁感应强度和磁阻变化的 关系，根据数据做B- R / R(0) 关系曲线
实验目的
1、了解磁阻现象与霍尔效应的关系与区别。 2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的 关系。
3、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强
度的关系曲线。
实验原理
电、磁 力 B I
S
磁电阻效应实验报告
一、实验目的1. 理解磁电阻效应的基本原理和现象。
2. 掌握磁电阻效应实验的基本操作和数据处理方法。
3. 分析磁电阻效应在不同材料中的表现，了解其应用前景。
二、实验原理磁电阻效应是指当金属或半导体材料受到磁场作用时，其电阻值发生变化的现象。
根据磁电阻效应的原理，本实验主要分为以下三个部分：1. 磁阻效应：当磁场垂直于电流方向时，电阻值随磁场强度的增加而增加。
2. 巨磁电阻效应（GMR）：在多层膜结构中，由于电子的隧穿效应，当相邻两层膜的磁化方向相反时，电阻值显著降低。
3. 隧道磁电阻效应（TMR）：在隧道结中，当电子隧穿穿过绝缘层时，电阻值随磁场强度的变化而变化。
三、实验仪器与材料1. 实验仪器：磁电阻效应实验仪、磁场发生器、电流表、电压表、信号发生器、示波器、计算机等。
2. 实验材料：磁阻材料、多层膜材料、隧道结材料等。
四、实验步骤1. 磁阻效应实验：（1）将磁阻材料放置在磁场发生器中，调整磁场强度；（2）使用电流表和电压表测量电阻值；（3）记录不同磁场强度下的电阻值；（4）分析磁阻效应。
2. 巨磁电阻效应（GMR）实验：（1）将多层膜材料放置在磁场发生器中，调整磁场强度；（2）使用电流表和电压表测量电阻值；（3）记录不同磁场强度下的电阻值；（4）分析巨磁电阻效应。
3. 隧道磁电阻效应（TMR）实验：（1）将隧道结材料放置在磁场发生器中，调整磁场强度；（2）使用电流表和电压表测量电阻值；（3）记录不同磁场强度下的电阻值；（4）分析隧道磁电阻效应。
五、实验数据与结果1. 磁阻效应实验数据：磁场强度（T）电阻值（Ω）0.1 1000.2 1500.3 2000.4 2500.5 3002. 巨磁电阻效应（GMR）实验数据：磁场强度（T）电阻值（Ω）0.1 1000.2 500.3 200.4 100.5 53. 隧道磁电阻效应（TMR）实验数据：磁场强度（T）电阻值（Ω）0.1 1000.2 500.3 200.4 100.5 5六、实验分析与讨论1. 磁阻效应实验结果表明，随着磁场强度的增加，磁阻材料的电阻值逐渐增加。
磁阻效应实验报告
磁阻效应实验报告磁阻效应实验报告引言：磁阻效应是指当磁场作用于导体时，导体内的电阻会发生变化的现象。
这一现象在工业和科学领域中具有重要的应用价值。
本实验旨在通过测量磁场强度和电阻的变化关系，探究磁阻效应的原理和应用。
实验装置：本实验所用装置包括磁场发生器、导线、电流表、电压表和电源等。
磁场发生器用于产生磁场，导线则用于连接电源、电流表和电压表。
实验过程：1. 首先，将磁场发生器放置在实验台上，并连接电源。
2. 将导线绕在磁场发生器的铁芯上，确保导线与磁场发生器之间的接触良好。
3. 将电流表和电压表分别连接到导线的两端，以测量电流和电压的变化。
4. 通过调节电源的电压，使得电流表读数在合适的范围内。
5. 用磁铁靠近磁场发生器，观察电流表和电压表的读数变化。
实验结果：实验中我们记录了不同磁场强度下的电流和电压变化。
结果显示，在磁场强度增加的情况下，电流表的读数逐渐减小，而电压表的读数则逐渐增加。
这一结果表明了磁阻效应的存在。
讨论和分析：根据实验结果，我们可以得出以下结论：1. 磁阻效应是由磁场对导体内电子运动的影响所引起的。
当磁场增强时，磁场对电子的作用力也增强，从而导致电子在导体内运动的受阻，导致电流减小。
2. 磁阻效应的大小与导体的材料和几何形状有关。
不同材料和形状的导体对磁阻效应的响应程度不同。
3. 磁阻效应在实际应用中具有广泛的用途。
例如，磁阻效应可用于制造磁阻传感器，用于测量磁场强度和位置。
此外，磁阻效应还可应用于磁存储器、磁记录和磁传感等领域。
结论：通过本实验，我们深入了解了磁阻效应的原理和应用。
磁阻效应是磁场对导体内电子运动的影响，导致电流减小的现象。
磁阻效应在工业和科学领域中具有重要的应用价值，例如磁阻传感器、磁存储器等。
通过进一步研究和应用，我们可以不断发掘磁阻效应的潜力，为技术创新和进步做出贡献。
总结：本实验通过测量磁场强度和电阻的变化关系，探究了磁阻效应的原理和应用。
实验结果表明，在磁场强度增加的情况下，电流减小，电压增加，验证了磁阻效应的存在。
【大学物理实验(含 数据+思考题)】巨磁电阻效应及其应用
实验4.21 巨磁电阻效应及其应用一、实验目的（1）了解GMR效应的现象和原理（2）测量GMR的磁阻特性曲线（3）用GMR传感器测量电流（4）了解磁记录与读出的原理和方法二、实验仪器ZKY-JCZ巨磁电阻效应及应用实验仪ZKY-JCZ基本特性组件三、实验原理物质在磁场中电阻发生变化的现象，称为磁阻效应。
磁性金属和合金材料一般都有这种现象。
一般情况下，物质的电阻在磁场中仅发生微小的变化。
在某种条件下，电阻值变动的幅度相当大，比通常情况下高十余倍，称为巨磁阻(Giant magneto resistance，简称GMR)效应。
巨磁阻效应是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。
这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。
当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻;当铁磁层的磁矩相互反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。
根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和晶格中的原子发生碰撞(又称散射)，每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规则散射运动的叠加。
电子在两次散射之间走过的平均路程称为电子的平均自由程。
电子散射概率小，则平均自由程长，电阻率低。
一般把电阻定律R=ρl/S中的电阻率ρ视为与材料的几何尺度无关的常数，这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程(例如铜中电子的平均自由程约为34nm)，可以忽略边界效应。
当材料的几儿何只度小到纳米量级，只有几个原子的厚度时(例如，铜原子的直径约为0.3nm)，电子在边上的散射概率大大增加，可以明显观察到厚度减小电阻率增加的现象。
电子除携带电荷外，还具有自旋特性。
自旋磁矩有平行和反平行于外磁场两种取向。
英国物理学家诺贝尔奖获得者N.F.Mott指出，在过渡金属中，自旋磁矩与材料的磁场方向平行的电子，所受散射概率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子。
磁阻效应综合实验实验报告
磁阻效应综合实验实验报告1. 通过实验了解磁阻效应的基本原理及它在实际中的应用；2. 通过实验测量出磁阻效应的大小，并和理论值进行对比；3. 通过实验研究磁场对材料电阻的影响，进一步理解材料的磁阻特性。
实验原理：磁阻效应是指材料导电性随着外加磁场的增大而发生变化的现象。
根据磁阻效应的不同特点，可以将其分为纵向磁阻效应和横向磁阻效应两种。
纵向磁阻效应是指材料电阻沿着磁场方向的变化，横向磁阻效应是指材料电阻垂直于磁场方向的变化。
实验器材：1. 一块磁阻材料样品；2. 磁场强度可调的恒磁场设备；3. 数字万用表；4. 直流电源。
实验步骤：1. 打开恒磁场设备并调整磁场强度为一定值；2. 通过导线连接磁阻材料样品和数字万用表，测量样品的电阻值；3. 调节磁阻材料样品的位置，使其与磁场垂直或平行；4. 分别记录样品在不同位置下的电阻值，并计算出磁阻效应的大小；5. 将实验数据整理成表格和图形，并与理论值进行对比分析。
实验结果：通过实验测得的数据，我们可以计算出磁阻效应的大小，并与理论值进行对比。
实验结果显示，随着磁场的增大，磁阻效应也随之增大。
并且在不同位置下，磁阻效应的大小有所差异。
在垂直于磁场方向时，磁阻效应较大；而在平行于磁场方向时，磁阻效应较小。
实验讨论：实验结果与理论值的差异可以通过以下原因进行解释：1. 实验中可能存在测量误差，例如导线接触不良、仪器误差等；2. 磁阻材料的实际性能与理论值有所差异；3. 实验条件可能与理论模型假设不完全一致，例如理论模型假设材料处于完全均匀磁场中，而实验中存在局部磁场分布。
实验总结：通过本次实验，我们对磁阻效应有了更深入的了解。
实验结果表明，磁阻效应的大小与磁场强度、材料的位置有关。
实验结果与理论值的较小差异可能是由于测量误差、材料性能差异和实验条件等原因所致。
为了准确测量磁阻效应，我们还可以在实验中考虑进一步优化测量方法，减小系统误差。
此外，我们还可以通过更多的实验研究，深入探究磁场对材料电阻的影响，拓宽对磁阻效应的理解。
磁阻效应实验报告小结
一、实验背景磁阻效应是指在外加磁场的作用下，材料的电阻发生变化的现象。
该效应在物理学、材料科学以及电子技术等领域有着广泛的应用。
本实验旨在通过实验验证磁阻效应，并了解其基本原理和测量方法。
二、实验目的1. 理解磁阻效应的基本原理；2. 掌握磁阻效应的测量方法；3. 分析实验数据，得出磁阻效应与磁场、材料等因素之间的关系。
三、实验原理磁阻效应的产生主要与材料的电子输运性质有关。
在外加磁场的作用下，电子的运动轨迹发生改变，导致电阻发生变化。
根据电子输运理论，磁阻效应可以表示为：ΔR/R = (1 - cos2θ)μ/(μ + μ)其中，ΔR/R为电阻的变化率，θ为外加磁场与电流方向的夹角，μ为电子迁移率，μ为磁阻系数。
四、实验仪器与材料1. 磁阻效应实验装置；2. 恒温磁源；3. 电流表；4. 电压表；5. 磁阻材料样品。
五、实验步骤1. 将磁阻材料样品放置在实验装置中；2. 调节恒温磁源，使外加磁场强度分别为0、0.5T、1T、1.5T、2T；3. 测量不同磁场强度下磁阻材料样品的电阻值；4. 记录实验数据，绘制电阻随磁场强度的变化曲线。
六、实验结果与分析1. 实验结果根据实验数据，绘制出磁阻材料样品的电阻随磁场强度的变化曲线，如下：图1 磁阻材料样品电阻随磁场强度的变化曲线从图中可以看出，随着外加磁场强度的增加，磁阻材料样品的电阻也随之增加。
当外加磁场强度为2T时，电阻增加幅度最大。
2. 结果分析根据实验结果，可以得出以下结论：（1）磁阻效应确实存在，且随着外加磁场强度的增加，磁阻效应越明显；（2）在实验条件下，磁阻材料样品的电阻随磁场强度的变化符合磁阻效应的基本原理；（3）实验过程中，样品的温度保持恒定，说明温度对磁阻效应的影响较小。
七、实验误差分析1. 实验过程中，由于仪器精度和人为操作等因素，实验数据存在一定的误差；2. 实验装置的磁场强度可能存在一定的偏差；3. 实验过程中，样品的电阻测量可能受到接触不良等因素的影响。
磁阻效应实验报告数据
磁阻效应实验报告数据一、实验目的本实验旨在探究磁阻效应，了解磁阻效应的基本原理和表现，并通过实验数据分析磁阻效应在实践中的应用。
二、实验原理磁阻效应是指当电流通过磁性材料制成的导体时，磁场会对电流产生阻碍作用，导致电阻值发生变化的现象。
这种现象可以通过磁阻定律进行描述。
磁阻定律指出，磁阻与电流和磁场方向之间的关系可以用以下公式表示：Rm = μ0 × H / I其中，Rm为磁阻，μ0为真空中的磁导率，H为磁场强度，I为电流。
当磁场与电流垂直时，磁阻最大；当磁场与电流平行时，磁阻最小。
三、实验步骤1.准备实验器材：磁性材料制成的导体、电源、电阻器、电流表、磁场发生器、数据采集器等。
2.将电源、电阻器、电流表、磁场发生器与磁性材料制成的导体连接起来，构成一个闭合回路。
3.将数据采集器与磁性材料制成的导体连接起来，以便记录实验数据。
4.开启电源，使电流通过磁性材料制成的导体，并调节磁场发生器的强度，观察磁阻效应的变化。
5.记录实验数据，包括电流值、磁场强度和磁阻值。
6.分析实验数据，得出结论。
四、实验数据分析实验数据如下表所示：根据实验数据，我们可以看出：1.当磁场强度一定时，随着电流的增大，磁阻也相应增大。
这是因为磁场对电流的阻碍作用随着电流的增大而增大。
2.当电流一定时，随着磁场强度的增大，磁阻也相应增大。
这是因为磁场强度增大时，磁场对电流的阻碍作用也相应增大。
通过分析实验数据，我们可以得出以下结论：磁阻效应与电流和磁场方向密切相关，当电流和磁场方向垂直时，磁阻最大；当电流和磁场方向平行时，磁阻最小。
此外，随着电流和磁场强度的增大，磁阻也相应增大。
这些结论与磁阻定律相符，证明了磁阻效应的存在和表现。
五、实验结论与应用通过本实验，我们验证了磁阻效应的存在和表现，并得出了磁阻与电流和磁场方向之间的关系。
这种效应在实践中有着广泛的应用，如用于制造磁性传感器、磁性存储器和磁性电机等。
此外，磁阻效应还可以用于测量磁场强度和电流强度等方面，具有较高的实用价值。
研究磁场与电流关系的磁阻效应研究实验
研究磁场与电流关系的磁阻效应研究实验磁阻效应（也称为磁电阻效应）是指磁场对电流传输产生的影响，其中电阻随着磁场的变化而变化。
这一效应在20世纪60年代被发现，并在现代科技行业中得到广泛应用，如磁阻读写头、磁存储器和磁传感器等。
磁阻效应的研究实验主要通过测量材料在不同磁场下的电阻来探索磁场与电流的关系。
下面我们将详细介绍这个实验的准备、过程以及相关的应用和专业角度。
一、实验准备：1. 材料准备：- 母材：选择具有磁阻效应的材料，如铁磁合金（如镍铁合金）或磁随机存取存储器（MRAM）等。
- 电阻测量器：使用四引线电阻测量仪，它可以消除电线的电阻对测量结果的影响。
- 磁场源：可以使用永磁体、电磁体或霍尔效应传感器等产生磁场。
- 控制装置：如电源、电流调节器和磁场控制器等。
- 测量设备：如电压表、万用表等。
2. 实验装置搭建：- 将材料制成薄片或线圈形状，并连接到电路中。
- 将电阻测量器连接到材料上，以测量电流通过不同磁场时的电阻变化。
- 将磁场源放在合适的位置，以确保材料受到均匀的磁场。
二、实验过程：1. 校准实验装置：- 通过在无磁场情况下测量母材的电阻，获得基准电阻值。
- 确保磁场源的稳定性和均匀性，以及测量设备的准确性。
2. 测量材料在不同磁场下的电阻：- 设置磁场源的磁场强度，并通过电流调节器控制材料上的电流。
- 在每个磁场强度下，使用电阻测量仪测量材料的电阻，并记录数据。
- 逐渐增加或减小磁场强度，以获得更详细的磁阻变化曲线。
三、实验应用：1. 传感器技术：- 磁阻效应被广泛应用于传感器技术中，如磁阻传感器、磁阻式霍尔传感器等。
这些传感器可用于测量磁场的强度和方向，并在导航系统、车辆控制和工业自动化等领域中发挥重要作用。
2. 磁阻读写头：- 磁阻效应被用于磁存储器中的读写头。
磁阻读写头基于磁性材料在磁场下电阻发生变化的特性，实现了高密度、高速度和低功耗的数据存储和读取。
3. 磁随机存取存储器（MRAM）：- MRAM是一种新型的非易失性存储器，它利用磁阻效应在不消耗能量的情况下存储和读取数据。
南京理工大学磁阻效应实验报告
南京理工大学磁阻效应实验报告摘要：本实验旨在研究磁阻效应，并通过实验观察、测量和分析磁阻效应的基本特性。
实验采用了南京理工大学提供的设备和实验材料，严格遵守实验操作规程。
通过对磁阻效应的实验研究，我们进一步了解了该效应的原理和应用。
引言：磁阻效应是指材料在外磁场作用下，其电阻值发生变化的现象。
该效应被广泛应用于磁传感器、磁存储器和磁阻读写头等领域。
本实验通过测量和分析磁阻效应的特性，旨在加深对该效应的理解，并为相关研究提供实验数据支持。
实验步骤：1.准备实验所需材料和设备，包括磁阻效应样品、电源、电流表、万用表等。
2.按照实验要求搭建实验电路，确保连接正确可靠。
3.调节电源输出电压，使电流通过样品，记录电流值。
4.使用万用表测量样品的电阻值，并记录下来。
5.在不同外磁场强度下，重复步骤3和步骤4，记录相应的电流和电阻值。
6.对实验数据进行整理和分析，绘制磁阻效应的曲线图。
7.根据实验结果，讨论磁阻效应的特点和应用，并提出相关结论。
结果与讨论：通过实验测量和分析，得到了磁阻效应的相关数据，并绘制了磁阻效应的曲线图。
实验结果表明，在外磁场作用下，样品的电阻值随磁场强度的变化呈现明显的变化趋势。
该实验结果与磁阻效应的理论预期相符合，验证了磁阻效应的存在和特性。
根据实验结果和讨论，我们可以得出以下结论：1.磁阻效应是指材料在外磁场作用下，其电阻值发生变化的现象。
2.外磁场的强度对磁阻效应的大小和方向有影响。
3.磁阻效应可应用于磁传感器、磁存储器和磁阻读写头等领域，具有重要的应用价值。
结论：通过本实验，我们成功地研究了磁阻效应，并获得了相关的实验数据。
实验结果验证了磁阻效应的存在和特性，并为相关研究提供了实验数据支持。
磁阻效应作为一种重要的物理现象，在磁传感器和磁存储器等领域具有广泛的应用前景。
本实验对于学生深入理解磁阻效应的原理和应用具有一定的指导意义。
磁阻效应实验
由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R(0)正
比于Δρ/ρ(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的
相对改变量ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小.
ΔR=R(B)-R(0)
实验原理
R R(0)
一般情况下外加磁场较
弱时，电阻相对变化率
正比于磁感应强度B的
二次方；随磁场的加Байду номын сангаас，
与磁感应强度B呈线性
每一个数据点测量两组数据：磁场强度和磁电阻（电压） 霍尔、磁阻元件
IM
磁阻效应测量电路示意图——伏安法
实 验 仪 器
数
ΔR/R(0) ~B关系曲线 （IS=1mA）
据
电磁铁 IM(mA)
InSb UR(mV)
ΔR/R(0) ~B关系 B(mT) R(Ω) ΔR/R(0)
表
0
格
10
20
100
150
函数关系；当外加磁场
超过特定值时，与磁感
应强度B的响应会趋于
0
B /T 饱和。
图2 磁阻效应曲线
实验操作要求
1.在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条 件下（IS=1mA）,测量锑化铟磁阻传感器的 电阻与磁感应强度的关系，作△R/R(0)~B关 系曲线。
2. 用 磁 阻 传 感 器 测 量 一 个 未 知 的 磁 场 强 度 (275mT),与毫特计测得的磁场强度相比较,估 算测量误差.
实验原理
B•
+
+
+
a ++
+
IS
FE
v
-e
FB
-----b
UR
图2 磁阻效应
磁阻效应实验报告结论
一、实验目的本次实验旨在通过实验验证磁阻效应的基本原理，测量不同磁感应强度下导电材料的电阻变化，并分析磁阻效应在实际应用中的重要性。
二、实验原理磁阻效应是指导电材料的电阻值随磁感应强度变化的现象。
当导电材料受到磁场作用时，其电阻值会发生变化。
这种现象可以通过以下原理进行解释：1. 电流在导电材料中传输时，电子会受到洛伦兹力的作用，使得电子的运动轨迹发生偏转。
2. 当磁场方向与电流方向垂直时，电子的偏转轨迹会使得电阻增加；当磁场方向与电流方向平行时，电子的偏转轨迹会使得电阻减小。
3. 磁阻效应的大小与磁感应强度、导电材料的性质等因素有关。
三、实验方法1. 准备实验仪器：THPCZ-1型磁阻效应实验仪、THQCZ-1型磁阻效应测试仪等。
2. 将待测材料放置在实验仪中，调整磁感应强度，测量不同磁场下的电阻值。
3. 记录实验数据，绘制电阻随磁感应强度变化的曲线。
4. 分析实验结果，探讨磁阻效应在实际应用中的重要性。
四、实验结果与分析1. 实验数据表明，随着磁感应强度的增加，待测材料的电阻值呈现出先减小后增大的趋势。
在磁感应强度较小时，电阻值随磁感应强度的增加而减小；在磁感应强度较大时，电阻值随磁感应强度的增加而增大。
2. 实验结果与磁阻效应的基本原理相符。
当磁感应强度较小时，电子的偏转轨迹较短，电阻减小；当磁感应强度较大时，电子的偏转轨迹较长，电阻增大。
3. 通过实验数据分析，可以得出以下结论：（1）磁阻效应在磁感应强度较小时表现出显著的电阻减小现象，有利于提高导电材料的导电性能。
（2）磁阻效应在磁感应强度较大时表现出显著的电阻增大现象，有利于提高导电材料的磁性能。
（3）磁阻效应在实际应用中具有广泛的应用前景，如磁阻传感器、磁阻开关等。
五、实验结论1. 本实验成功验证了磁阻效应的基本原理，并测量了不同磁感应强度下导电材料的电阻变化。
2. 实验结果表明，磁阻效应在磁感应强度较小时表现出显著的电阻减小现象，在磁感应强度较大时表现出显著的电阻增大现象。
数计学院大学物理实验要求：实验15 磁电阻效应实验
实验15 磁电阻效应实验（4#205室）一、实验目的1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法；2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
二、实验内容1、在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系。
作ΔR/ R（0）与B的关系曲线，并进行曲线拟合。
A、GaAs和InSb传感器工作电流应调至1mA；B、调节旋钮，当磁场B在0-100mT范围时，每隔20mT测一点；100-500mT每隔50mT测一点。
三、注意事项1、仪器附近不要有磁性物体2、加电前必须保证测试仪的调节和调节旋钮均置零位(即逆时针旋到底)。
工作电流不超过1mA。
3、严禁在励磁线圈加电后插拔励磁电流连线！因为此时会有极强的感应电压,可能损坏仪器。
如须插拔励磁电流连线,应将励磁电流调至最小,再关闭电源,方可进行插拔！4、实验仪和电流仪的ｍＴ/ｍＶ按纽要同步，数据才有效，磁场数据有时候会来回跳动，无法固定时取平均值。
四、数据处理要求1、自行设计实验数据表格（参考教材中P156），计算ΔR/R(0)；2、绘制ΔR/R(0)-B关系曲线。
五、作业1、磁阻效应是怎样产生的？磁阻效应和霍尔效应有何内部联系？2、实验时为何要保持霍尔工作电流和流过磁阻元件的电流不变？3、不同的磁场强度时，磁阻传感器的电阻值与磁感应强度关系有何变化？*4、磁阻传感器的电阻值与磁场的极性和方向有何关系？六、实验报告写作提示1、请按报告写作规范进行写作。
2、实验原理涉及的主要内容为：(1)磁阻效应概念；(2)为何可以用电阻的相对变化率ΔR/R(0)表示磁阻效应的大小；(3)磁阻电压与磁阻元件的电阻数大小的关系。
3、实验步骤应体现操作者在实验中的实际操作过程。
4、利用原始数据列表处理数据并绘制ΔR/R(0)-B关系曲线。
5、描述ΔR/R(0)-B关系曲线特点。
磁阻效应 物理实验报告
磁阻效应磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统等。
磁阻器件品种较多，可分为正常磁电阻，各向异性磁电阻，特大磁电阻，巨磁电阻和隧道电阻等。
其中正常磁电阻的应用十分普遍。
锑化铟（InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的正常磁电阻，有着十分重要的应用价值。
它可用于制造在磁场微小变化时测量多种物理量的传感器。
本实验使用两种材料的传感器，砷化镓（GaAs）测量磁感应强度和研究锑化铟（InSb）在磁感应强度变化时的电阻，融合霍尔效应和磁阻效应两种物料现象。
实验目的（1）了解磁阻现象与霍尔效应的关系与区别；（2）测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系；（3）作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
实验仪器磁阻效应实验仪。
实验原理在一定条件下，导电材料的电阻R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。
当材料处于磁场中时，导体或半导体内的载流子将受洛伦兹力的作用发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
如霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛伦兹力作用刚好抵消，那么大于或小于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数目将减少，电阻增大，表现横向电阻效应。
通常以电阻率的相对该变量来表示磁阻的大小，即用)0(/ρρ∆表示，其中)0(ρ表示零磁场是的电阻率，设磁电阻阻值在磁感应强度为B 中的电阻率为)(B ρ，则)0()(ρρρ-=∆B ，由于磁阻传感器电阻的相对变化率)0(/R R ∆正比于)0(/ρρ∆，这里)0()(R B R R -=∆，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对变化量)0(/R R ∆来表示磁阻效应的大小。
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率)0(/R R ∆正比于磁感应强度B 的平方，而在强磁场中)0(/R R ∆与磁感应强度B 呈线性函数关系。
磁阻效应的测量实验原理简述
磁阻效应的测量实验原理简述
磁阻效应的测量实验原理是指在磁场中，物质的电阻发生变化的现象。
它是由于磁场作用下，电子在材料中移动时受到磁场的阻碍而导致电阻增加。
磁阻效应的测量实验可以通过测量电阻的变化来研究材料的磁性质。
磁阻效应的测量实验通常使用恒流源、电压表和磁场，实验过程如下：
1、首先，将恒流源连接到待测物质上，保持电流恒定。
这样可以确保在测量过程中，电流是不变的。
2、接下来，将电压表连接到待测物质的两端，用来测量电阻的变化。
在测量前，可以先测量一下初始电阻，作为参考值。
3、然后，将磁场引入实验装置中。
可以使用一个电磁铁或者永磁体来产生磁场。
将磁场垂直于待测物质的方向，以确保磁场的作用最大化。
4、在引入磁场后，开始测量电阻的变化。
通过电压表测量待测物质的电压差，并根据欧姆定律可以计算出电阻的变化量。
根据实验要求，可以在不同的磁场强度下重复测量。
5、实验结束后，可以绘制出磁场强度和电阻变化的曲线图。
通过观察曲线的形状和变化趋势，可以对物质的磁性质进行初步分析。
总结来说，磁阻效应的测量实验通过测量材料在磁场中的电阻变化，研究材料的磁性质。
实验中通过恒流源和电压表控制和测量电流和电压，在引入磁场后测量电阻的变化，并绘制曲线来分析物质的磁性质。
这样的实验有助于深入理解材料的磁性质以及在磁场中的表现。
物理实验 磁阻效应
如果将图1 中a、b端短接，霍尔电场将不存在，所有 电子将洛伦兹力的作用下向a端偏转，磁阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用 Δρ/ρ(0)表示。其中ρ(0)为零磁场时的电阻率， ρ(B)为 在磁感应强度为B的磁场中的电阻率，则Δρ=ρ(B) － ρ(0) 。由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/ R(0) 正 比于Δρ/ρ(0) ，因此也可以用电阻的相对改变量 ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小。 本实验要研究的就是ΔR/R(0) 与磁感应强度B的0.056237 0.111913 0.166475 0.223762 0.279944 0.342425 0.400285 0.45745 0.510567 0.565275
0 0.03238195 0.071898963 0.087509142 0.103580706 0.120134416 0.137192301 0.154777749 0.172915619 0.185327424 0.204445609
IM
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
B
B
0 0.05548 0.111073 0.166554 0.221808 0.278644 0.341695 0.399548 0.456045 0.509605 0.562712
0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 500 1000 1500 B
(RB-RO)/RO
0.25
0.2
0.15
(RB-RO)/RO 0.1
0.05
0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
在弱磁场下，磁阻变化率ΔR/R(0)与磁感应强度B成二 次函数关系 在强磁场下，磁阻变化率ΔR/R(0)与磁感应强度B成一 次函数关系
近代物理实验十 磁阻效应
实验十 磁阻效应目的：1、加深对霍尔效应的理解；2、通过对磁阻效应的测量,加深对正常磁电阻现象的理解 仪器：MR-1磁阻效应实验仪概述：磁阻器件由于其灵敏度高，抗干扰能力强等优点，使之在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛。
例如：伪钞鉴别、交流车辆检测、导航系统、数学罗盘、位置测量等探测器。
磁阻器件品种较多，可分为正常磁电阻、各向异性磁电阻、特大磁电阻、巨磁电阻和隧道磁电阻等，其中以正常磁电阻应用最为普遍。
锑化锢（Insb ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的正常磁电阻，有着十分重要的应用价值。
它可用于制造在磁场微小变化时测量多种物理量的传感器。
本实验使用两种材料作为传感测量，以砷化 镓caAs 测量磁感应强度，同时研究锑化锢在磁感应强度下的电阻，实验中融合了霍尔效应和磁阻效应两种物理现象。
具有科学的前瞻性。
原理：1、磁阻效应：一定条件下，导电材料的电阻值R 随磁感应强度B 变化的现象。
2、微观机制：如图1所示：在磁场B 作用下，半导体内截流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在 两端产生聚集电荷并产生 霍尔电场。
如霍尔电场作用和某速度的载流子的洛 图1 仑兹力作用刚好抵消，那 么小于或大于该速度的载 流子将发生偏转，因而沿 外加电场方向运动的载流 子数目将减少，电阻增大， 表现出横向磁阻效应。
如果将A 、B 端短接，则霍尔电场将不存在，所有电子将向A 端偏转，呈现磁阻效应。
3、理论规律：A ：通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻变化。
磁阻变化率()0ρρ∆，电阻率()0R R∆，()0R 为B 为零时电阻，()0ρ为B 为零时的磁阻。
B ：理论和实验均已证明了磁场较弱时，一般磁阻器件的()0R R∆正比于B 的二次方，而强磁场中()0R R ∆则为B 的一次函数。
C ：当半导体材料处于弱交流磁场中时，()0R R∆正比于B 的二次方，R 也随时间周期性变化。
设电流恒定为0I ，令t CO S B B ϖ0=，()20KB R R=∆,其中K 为常数。
磁阻效应实验报告
近代物理实验报告专业2011级应用物理学班级（2）组别指导教师彭云雄姓名同组人实验时间 2013年12月23日实验地点K7-108 实验名称磁阻效应实验一、实验目的1、测量电磁铁的磁感应强度与励磁电流的关系和电磁铁磁场分布。
2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
3、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
4、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。
二、实验原理图1 磁阻效应原理一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。
如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。
如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应。
若将图1中a端和b端短路，则磁阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ（0）表示。
其中ρ（0）为零磁场时的电阻率，设磁电阻在磁感应强度为B的磁场中电阻率为ρ（B），则Δρ=ρ（B）-ρ（0）。
由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R（0）正比于Δρ/ρ（0），这里ΔR=R（B）-R（0），因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R（0）来表示磁阻效应的大小。
图2图2所示实验装置，用于测量磁电阻的电阻值R 与磁感应强度B 之间的关系。
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R （0）正比于磁感应强度B 的平方，而在强磁场中ΔR/R （0）与磁感应强度B 呈线性关系。
磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。
如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量ΔR/R （0）正比于B 2，则磁阻传感器的电阻值R 将随角频率2ω作周期性变化。
即在弱正弦波交流磁场中，磁阻传感器具有交流电倍频性能。
大学物理实验讲义实验04 磁阻效应法测量磁场
实验15 磁阻效应法测量磁场物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应，磁阻传感器利用磁阻效应制成。
磁场的测量可利用电磁感应，霍尔效应，磁阻效应等各种效应。
其中磁阻效应法发展最快，测量灵敏度最高。
磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化，如弱磁场测量，地磁场测量，各种导航系统中的罗盘，计算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。
也可通过磁场变化测量其它物理量，如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器，各种接近开关，隔离开关，广泛用于汽车，家电及各类需要自动检测与控制的领域。
磁阻元件的发展经历了半导体磁阻（MR ），各向异性磁阻（AMR ），巨磁阻（GMR ），庞磁阻（CMR ）等阶段。
本实验研究AMR 的特性并利用它对磁场进行测量。
【实验目的】1． 了解AMR 的原理并对其特性进行实验研究。
2． 测量赫姆霍兹线圈的磁场分布。
3． 测量地磁场。
【仪器用具】ZKY-CC 各向异性磁阻传感器（AMR ）与磁场测量仪【实验原理】各向异性磁阻传感器AMR （Anisotropic Magneto-Resistive sensors ）由沉积在硅片上的坡莫合金（Ni 80 Fe 20）薄膜形成电阻。
沉积时外加磁场，形成易磁化轴方向。
铁磁材料的电阻与电流与磁化方向的夹角有关，电流与磁化方向平行时电阻R max 最大，电流与磁化方向垂直时电阻R min 最小，电流与磁化方向成θ角时，电阻可表示为：θ2min max min cos )(R R R R -+= （1） 在磁阻传感器中，为了消除温度等外界因素对输出的影响，由4个相同的磁阻元件构成惠斯通电桥，结构如图1所示。
图1中，易磁化轴方向与电流方向的夹角为45度。
理论分析与实践表明，采用45度偏置磁场，当沿与易磁化轴垂直的方向施加外磁场，且外磁场强度不太大时，电桥输出与外加磁场强度成线性关系。
无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时，磁化方向即易磁化轴方向，电桥的4个桥臂电阻阻值相同，输出为零。
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注意事项
1.不要在实验仪器附近放置具有磁性的物品.
2.加电前必须保证测试仪的调节和调节旋钮均置零位
(即逆时针旋到底)。
3. 在励磁线圈加电后不可插拔励磁电流连线因为此时会 有极强的感应电压,可能损坏仪器.如须插拔励磁电流连 线,应将励磁电流调至最小,再关闭电源,才可进行插拔。
木有了~~~
实验目的
1、了解磁阻现象与霍尔效应的关系与区别。 2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的 关系。
3、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强
度的关系曲线。
实验原理
电#43;++
v
F
E
Fe
- - - B - -
电荷重新分布、 路径改变
某方向电 阻变化
U
R
电子受力分析：重力（竖直向下）、电场力1（外加电压产生）、电场力2
实验仪器
磁阻效应试验仪面板图
磁阻效应 试验仪连 接图
实验内容
测量电路图
1、测量励磁电流 I M 与磁感应强度 B的关系： 绘制电磁铁B线 VH 磁场B= KI S
I M 关系磁化曲
IS
IM
2、测量电磁铁气隙磁场沿水平方 向的分布 调节励磁电流 I M =500mA，I S =5.00mA时，测量霍尔输出电 压 与水平位置X的关系。根 VH 据数据做B-X关系曲线。 3、测量磁感应强度和磁阻变化的 关系，根据数据做B- R / R(0) 关系曲线
学号
姓名
概述
磁阻效应：材料的电阻会因外加磁场而增加或减 少，电阻的变化量称为磁阻。一定条件下，导电 材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁 阻效应。 磁阻应用：目前，磁阻效应广泛用于磁传感、磁 力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、 GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领 域。 磁阻器件的特点：灵敏度高、抗干扰能力强。 在众多的磁阻器件中，锑化铟（InSb）传感器最 为典型，它是一种价格低廉、灵敏度高的磁阻器 件，在生产生活应用广泛。
0
R ( B ) R ( 0 ) R R R ( 0) R ( 0 ) R ( 0) R (0) R (0)kB0 cos2 t
2
R ( 0)
1 1 2 R (0)kB 2 R (0)kB0 cos 2t 2 2
磁阻传感器的电阻值在弱正弦波交流磁场中，将产生倍频交流电阻值 变化。 _ 由上式可知，磁阻上的分压为B振荡频率两倍的交流电压和一直流电 压的叠加。
（霍尔效应产生）、洛伦茨力（带电粒子在磁场中运动产生，左手法则）。 左手法则：伸出左手，四指并拢，大拇指与四指指向垂直，让磁感应线穿 过手心，四指指向电流方向，大拇指所指方向为受力方向。
实验原理
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小， 即用Δρ/ρ(0)表示。其中ρ(0)为零磁场时的电阻率， 设磁电阻电阻值在磁感应强度为B的磁场的电阻率 为ρ(B)，则
强磁场中：
0
R / R（0） B
B /T
实验原理
在角频率w的弱正弦波交流磁场中， ΔR/R(0)正比于B平方，电阻R 随2w作周期变化，即磁阻传感器有交流电倍频性能。若外界交流磁 场的磁感应强度B为 B B0 cost 2 设在弱磁场中， R / R(0) kB 假设电流恒定为 I ，由上式可得
Δρ=ρ(B)-ρ(0)
由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R(0)正 比于Δρ/ρ(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的 相对改变量ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小.
ΔR=R(B)-R(0)
实验原理
磁阻效应的R与B的关系：
R R (0)
电阻的相对变化率：
R / R（0）
2
弱磁场中：
R / R（0） B