转换效率极限与太阳电池设计原理 26页PPT文档

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第五讲 太阳能电池效率极限课件

第五讲 太阳能电池效率极限课件
• 然而,能量比带隙能量大的光子(Egh>Eg)会与形成共 价键的电子相作用,用它自身所具有的能量去破坏共 价键,形成可以自有流动的电子-空穴对。
导带
Eg (禁带宽)
价带
光照时电子-空穴对的产生
• 光子的能量越高,被吸收的位置就越接近半导体表面, 较低能量的光子则在距半导体表面较深处被吸收。
光的能量与电子-空穴对产生的位置间的联系
1.2 光照的影响
• 在无光照的情况下,描述二极管电流I和电压V间 函数关系的特征曲线(I-V曲线)为:
I I0[exp(nqkVT)1]
• 光线的照射对太阳电池的作用,可以认为是在原 有的二极管暗电流基础之上叠加了一个电流增量, 于是二极管公式变为:
II0[exp(nqkVT)1]IL
电压电流 方向?
voltage axis.
• 用于衡量在一定照射强度、工作温度以及面积条件 下,太阳能电池电力输出的两个主要制约参数为:
• 短路电流(Isc, Short circuit current ) 当电压为零时电池输出的最大电流,Isc=IL。Isc与 所接受到的光照强度成正比。
• 开路电压(Voc, Open circuit voltage ) 电流为零时,电池输出的最大电压。Voc的值随辐 照强度的增加成对数方式增长。
Cell
Equivalent circuit for a solar cell with load. Internal resistances RS and RSH represent
power loss mechanisms inside the cell.
RS = 0 ISC
does the energy originate?

【效率管理】晶体硅太阳电池设计 转换效率极限

【效率管理】晶体硅太阳电池设计 转换效率极限

开路电压的极限
低注入
高注入情况 薄电池
低注入 厚电池
填充因子极限
FF voc Ln(voc 0.72)/(voc 1)
voc VOC /(nKT / q)
俄竭复合:低注入n=1
高注入 n 2 / 3
辐射复合:低注入和高注入 n=1 缺陷复合:低注入n=1
高注入n=2
最大FF极限:高注入薄电池
转换效率极限
• VOC和ISC 随电流厚度的变化趋势相反,所以对于转换效率存在着一个最 佳的厚度值:80μm, 28.8%。
Isc的损失
1. 表面反射损失 10% 2. 表面电极遮光损失 5~15% 3. 不能充分吸收光的能量 4. 体内复合 5. 表面复合
VOC的损失
电池内的复合过程(表面、体内、p-n结区)决定了VOC的 大小
结区复合:U
np ni2
ho (n n1) eo( p p1)
I I01(eqv/ KT 1) I02 (eqv/ 2KT 1)
VOCH
VOC I SC
Rsh
rs RS / RCH rsh RSH / RCH
FF FF0 (1 rs )
FF

FF0
1
(voc 0.7) voc

FF0 rsh

Suns/Voc 准I-V曲线, 准转换效率(Rs=0) Rs:Voc处的斜率 Rsh:Isc处的斜率
太阳电池设计原理
为什么太阳电池的颜色是深蓝色的? 为什么需做绒面? 为什么要控制好方块电阻? 为什么要在电池背面印刷Al浆? 正面电极栅线间的间距是如何决定的? 为什么有时Rs很大,且通过烧结条件不能改善?

【精品课件】太阳能电池的效率和

【精品课件】太阳能电池的效率和

太阳辐射经过日-地平均 距离(约1.5×108公里), 传播到地球大气层外面, 其辐射能面密度已大大 降低。
在这个距离上,垂直于太 阳辐射方向单位面积上 的辐射功率基本上是个 常数,称为太阳常数。 其数值是1.353kW/m2。
目前世界上许多国家把太阳常数作为计算 太空用太阳电池的入射光功率密度的依据, 又称AMO光谱条件。
式中(λ)为投射在电池上、波长为λ,单位带宽的光子数;ηi为量子产额,
即一个能量大于带隙Eg的光子产生一对光生电子空穴对的几率,通常可 令ηi=1;dx为距电池表面xt处厚度为dx的薄层;H为电池厚度;
G(λ、x)表示由波长为λ、单位带宽的光子射进材料在x处的产生率。
2.光生少子的收集几率fc
在太阳电池内,由于存在少子复合,所产生的每一个 光生少数载流子不可能百分之百地被收集起来。
硅折射率的实部n与虚 部k与光子能量的关系
电池厚度对Isc的影响
每种材料的n和k都与入射光之波长有关。对硅来说, 其关系曲线如图所示。把n、k的结果代入式中,发现 在感兴趣的太阳光谱中,超过30%的光能被裸露硅表 面反射掉了。
Pn结硅太阳电池的截面图
(2)栅指电极遮光损失c, 定义为栅指电极遮光面积在 太阳电池总面积中所占的百 分比。对一般电池来说,c 约为4%~15%。
qDpni2 LpND
太阳电池光电转换效率
与材料带隙Eg的关系
综合上述结果,作为带隙
Eg的函数所计算的最大光
电转换效率画于图中。
显 然 Io 取 决 于 Eg 、 Ln , Lp 、 NA 、 ND 和 绝 对 温 度 T 之 高 低 ,
也与光伏结构有关。
通过分析看出,为提高Voc,常 常采用Eg大,少子寿命长及低

太阳能电池原理PPT课件

太阳能电池原理PPT课件
的电压和电流,At为太阳电池的总 面积, Pin为单位面积太阳入射光 的功率。
.
55
世界主要太阳电池新记录
.
56
中国太阳电池实验室最高效率
.
57
• 10. 填充因子(曲线因子)
太阳电池的最大功率与开路电压和
短路电流乘积之比,通常用FF(或 CF)表示:
FF = ImVm/ IscVoc • IscVoc是太阳电池的极限输出功率 • ImVm是太阳电池的最大输出功率
.
29
• 在n区,光生电子-空穴产生后, 光生空穴便向 p-n 结边界扩散,一 旦到达 p-n 结边界,便立即受到内 建电场的作用,在电场力作用下作 漂移运动,越过空间电荷区进入p 区,而光生电子(多数载流子)则 被留在n区。
.
30
• p区中的光生电子也会向 p-n 结 边界扩散,并在到达 p-n 结边界 后,同样由于受到内建电场的作用
• 填充因子是表征太阳电池性能优 劣的一个重要参数。
.
58
• 11. 电流温度系数
在规定的试验条件下,被测太阳 电池温度每变化10C ,太阳电池 短路电流的变化值,通常用α表示 。
• 对于一般晶体硅电池
α= + 0.1%/0C
.
59
• 12. 电压温度系数
在规定的试验条件下,被测太阳电 池温度每变化10C ,太阳电池开路电
.
4
非晶硅太阳电池
.
5
• 2. 按照结构分类: • 同质结太阳电池 • 异质结太阳电池 • 肖特基结太阳电池 • 复合结太阳电池 • 液结太阳电池等
.
6
• 3. 按照用途分类:
• 空间太阳电池:在人造卫星、宇宙飞船等 航天器上应用的太阳电池。由于使用环境 特殊,要求太阳电池具有效率高、重量轻 、耐辐照等性能。

提高太阳能电池的转换效率方法..31页PPT

提高太阳能电池的转换效率方法..31页PPT
,事物有规律,这是不 容忽视 的。— —爱献 生
66、节制使快乐增加并使享受加强。 ——德 谟克利 特 67、今天应做的事没有做,明天再早也 是耽误 了。——裴斯 泰洛齐 68、决定一个人的一生,以及整个命运 的,只 是一瞬 之间。 ——歌 德 69、懒人无法享受休息之乐。——拉布 克 70、浪费时间是一桩大罪过。——卢梭
提高太阳能电池的转换效率方法..
36、如果我们国家的法律中只有某种 神灵, 而不是 殚精竭 虑将神 灵揉进 宪法, 总体上 来说, 法律就 会更好 。—— 马克·吐 温 37、纲纪废弃之日,便是暴政兴起之 时。— —威·皮 物特
38、若是没有公众舆论的支持,法律 是丝毫 没有力 量的。 ——菲 力普斯 39、一个判例造出另一个判例,它们 迅速累 聚,进 而变成 法律。 ——朱 尼厄斯

《太阳能电池》PPT课件

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6
太阳能电池的原理
• 最基本的原理——光伏效应(Photovoltaic Effect缩写PV)
• 太阳能电池(光伏)材料主要包括:产生光 伏 效应的半导体材料、薄膜衬底材料、减反 射膜材料、电极与导线材料、组件封装材 料等。
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7
• 电池的分类 单晶硅太阳能电池 多晶硅太阳能电池 薄膜光伏电池
目前对于某一种光电池材料,只是与其对应的光 谱段。所以,对单晶硅能量转化的效率的理论极限为 27.8%。太阳光中有大量的低能长波光子,降低了太阳 能电池的效率。
提高转换效率和降低成本是太阳能电池制备中考 虑的两个因素,对于目前的硅系太能电池,要想再进 一步提高转换效率是比较困难的。
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22
新型太阳能电池 ——铁电太阳能电池
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8
单晶硅太阳能电池
• P型晶体硅经过掺杂磷可 得N型硅,形成P-N结。
• 当光线照射太阳电池 表面 时,一部分光子被硅材料 吸收;光子的能量传递给 了硅原子,使电子发生了 越迁,成为自由电子在PN结两侧集聚形成了电位 差,当外部接通电路时, 在该电压的作用下,将会 有电流流过外部电路产生 一定的输出功率。
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12
在军事上的应用
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13
在航空领域的应用
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14
卫星上的太阳能电池
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15
在生活中的应用
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16
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17
汽车上的太阳能电池
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18
电动玩具上的太阳能电池
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19
在公共设施上的应用
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20
在工农业上的应用

太阳电池的工作原理和基本特性_图文.

太阳电池的工作原理和基本特性_图文.

第一章太阳电池的工作原理和基本特性1.1 半导体物理基础1.1.1 半导体的性质世界上的物体如果以导电的性能来区分,有的容易导电,有的不容易导电。

容易导电的称为导体,如金、银、铜、铝、铅、锡等各种金属;不容易导电的物体称为绝缘体,常见的有玻璃、橡胶、塑料、石英等等;导电性能介于这两者之间的物体称为半导体,主要有锗、硅、砷化镓、硫化镉等等。

众所周知,原子是由原子核及其周围的电子构成的,一些电子脱离原子核的束缚,能够自由运动时,称为自由电子。

金属之所以容易导电,是因为在金属体内有大量能够自由运动的电子,在电场的作用下,这些电子有规则地沿着电场的相反方向流动,形成了电流。

自由电子的数量越多,或者它们在电场的作用下有规则流动的平均速度越高,电流就越大。

电子流动运载的是电量,我们把这种运载电量的粒子,称为载流子。

在常温下,绝缘体内仅有极少量的自由电子,因此对外不呈现导电性。

半导体内有少量的自由电子,在一些特定条件下才能导电。

半导体可以是元素,如硅(Si)和锗(Ge),也可以是化合物,如硫化镉(OCLS)和砷化镓(GaAs),还可以是合金,如GaxAL1-xAs,其中x为0-1之间的任意数。

许多有机化合物,如蒽也是半导体。

半导体的电阻率较大(约10-5ρ107m),而金属的电阻率则很小(约10-810-6m),绝缘体的电阻率则很大(约ρ108m)。

半导体的电阻率对温度的反应灵敏,例如锗的温度从200C升高到300C,电阻率就要降低一半左右。

金属的电阻率随温度的变化则较小,例如铜的温度每升高1000C,ρ增加40%左右。

电阻率受杂质的影响显著。

金属中含有少量杂质时,看不出电阻率有多大的变化,但在半导体里掺入微量的杂质时,却可以引起电阻率很大的变化,例如在纯硅中掺入百万分之一的硼,硅的电阻率就从2.14103m减小到0.004m左右。

金属的电阻率不受光照影响,但是半导体的电阻率在适当的光线照射下可以发生显著的变化。

提高太阳能电池的转换效率方法 经典PPT

提高太阳能电池的转换效率方法  经典PPT
她不小的压力。她快速起身,重新加速,在顶着重重压力的情况下成功而顺利地完成了勾手四周。她用行动证实第一条的失误并没有 给她带来很大影响。
4.长久性 4.成本高 随热烈的鼓掌声响起,特鲁索娃身着一席蓝衣踏上冰面。她双膝着地,双臂平行斜放在身前,垂眼望向自己的手掌,沉静自若,落落
大方,显得端庄而优雅。 15岁的特鲁索娃在本赛季首次升入成年组,因在青年组中四周跳的超强能力受到了各方面的关注。因此首个四周跳摔倒可谓是带给了
太阳能光伏发电
光伏发电装置 光伏电池电装置
太阳能发电系统主要包括:太阳能电池组件 (阵列)、控制器、蓄电池、逆变器、用户即 照明负载等组成
光伏发电装置
光伏电池原理
光伏电池板是光伏发电系统中的核心部分,也 是光伏发电系统中价值最高的部分。其作用是 将太阳能转化为电能,或送往蓄电池中存储起 来,或推动负载工作。光伏电池板的质量和成 本将直接决定整个系统的质量和成本。
概述—太阳能成果
2007年,中国太阳能热水器产量的增长速 度约为30%,年产量达2340万m2,总保 有量约为10800万m2。2007年,太阳能 热水器市场销售额约为320亿元人民币, 产值亿元人民币以上的企业有20多家。太 阳能热水器的出口额增长约为28%, 6500万美元左右,产品出口欧洲、美洲、 非洲、东南亚等50多个国家和地区
重新起跳旋转三周后落地,紧接着小条滑出。动作行云流水,流畅却不失活泼。她像一只调皮的小鸟刚一落地,就受不了地面的束缚, 重新飞上蓝天。
一个光子就产生一对自由电子和空穴,电子-空 15岁的特鲁索娃在本赛季首次升入成年组,因在青年组中四周跳的超强能力受到了各方面的关注。因此首个四周跳摔倒可谓是带给了
她不小的压力。她快速起身,重新加速,在顶着重重压力的情况下成功而顺利地完成了勾手四周。她用行动证实第一条的失误并没有

太阳电池的原理及结构文档ppt

太阳电池的原理及结构文档ppt

3.1.3 硅太阳电池制备及结构
晶体硅太阳能电池是典型的p-n结型太阳电池, 它的研究最早、应用最广,是最基本且最重要的太 阳电池。
在实际工艺中,一般利用200~500μm厚的掺硼 的p型硅材料作为基质材料,通过扩散形成0.25 μm 厚的n型掺杂剂,形成p-n结,通常选用磷作为n型 掺杂剂。
p-n结的制备技术:
Al(PO3)3 = AlPO4 + P2O5
2 P2O5+5Si = 5SiO2 + 4P
固态磷扩散法还可以利用丝网印刷、喷涂、旋涂、 化学气相沉积等技术,在硅片表面沉积一层磷的 化合物,通常是P2O5。
液态磷源扩散可以得到较高的表面浓度,在硅太阳电 池工艺中更为常见。通常利用的液态磷源为三氯氧磷, 通过保护气体,将磷源携带进入反应系统,在800~ 1000℃硅片磷扩散的磷源,其反应式为:
它表示了最大输出功率点 所对应的矩形面积在Voc和Isc 所组成的矩形面积中所占的 百分比。特性好的太阳能电 池就是能获得较大功率输出 的太阳能电池,也就是Voc, Isc和FF乘积较大的电池。对 于有合适效率的电池,该值 应在0.70-0.85范围之内。
4.太阳能电池的光电转化效率η
表示入射的太阳光能量有多少能转换为有效的电能。即:
5POCl3 = 3PCl5 + P2O5
2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P
对于晶体硅太阳电池,为使p-n结处有尽量多的光线 到达,p-n结的结深要尽量浅,一般为250nm,甚 至更浅。磷扩散时,表面会形成磷硅玻璃,影响太 阳电池正常工作,需要去除。用稀释的HF中侵蚀。
3.1 太阳能电池的原理及结构
3.1.1 太阳电池原理——光生伏特效应

太阳能电池的等效电路和转化效率理论上限 ppt课件

太阳能电池的等效电路和转化效率理论上限 ppt课件
太阳能电池的I理等s论为效上电饱限路和和转电化效流率
2、pn结太阳能电池的实际等效电路
实际上,pn结太阳能电池存 在着Rs和Rsh的影响。其中, Rs 是由材料体电阻、薄层电阻、 电极接触电阻及电极本身传导 电流的电阻所构成的总串联电 阻。 Rsh是在pn结形成的不完 全的部分所导致的漏电流,称 为旁路电阻或漏电电阻。这样 构成的等效电路如右图所示。
理论上限
填充因子FF的考虑:
在理想情况下,填充因子FF仅是开路电压Voc的函 数,可用以下经验公式表示:
FF =
Uoc-ln(Uoc+0.72) Uoc+1
Uoc = Biblioteka oc(kT/q)1/2这样,当开路电压Voc的最大值确定后,就可计 算得到FF的最大值。
太阳能电池的等效电路和转化效率 理论上限
max = 1.24(m)/Eg(eV)
而其余部分的光子,因其能量h大于材料的禁带宽度 Eg,被材料吸收而激发电子-空穴对。假设其量子产额为1 ,而且被激发出的光生少子在最理想的情况下,百分之 百地被收集起来。在上述理想的假设下,最大短路电流 值显然仅与材料带隙Eg有关,其计算结果如图所示。
太阳能电池的等效电路和转化效率 理论上限
当入射太阳光谱AM0或AM1.5确定以后,其值就 取决于开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的最 大值。
下面我们就来分别考虑开路电压Voc、短路电 流Isc和填充因子FF的最大值。
太阳能电池的等效电路和转化效率 理论上限
短路电流Isc的考虑:
我们假设在太阳光谱中波长大于长波限的光对太阳 能电池没有贡献,其中长波限满足:
综合上述结果,可得到作为带隙Eg的函数的最大转 换效率,其结果示于下图中。

第七章 太阳能电池能量转换限制 经典太阳电池基础课件

第七章 太阳能电池能量转换限制 经典太阳电池基础课件

❖ 缺点:间接带隙半导体,吸收弱,所以电池 厚度大。
❖ 硅太阳能电池:略
❖ 薄膜太阳能电池:略
7.6 开路电压的温度依赖
VOC
1 e
(e
h )
kT e
ln(
ne nh ni2
)
对温度求导,得到
dVOC
/
dT
k e
ln(
nenh ni2
)
kT 1 [
e ne
dne dT
1 nh
dnh dT
1 ni2
❖ 在最大功率的条件下
d ( jQV ) djQV jQdV 0
❖ 所以,
(
djQ dV
)
(
jQ V
)
mp
❖ 这样,最大功率点发生在连接坐标原点与最 大功率点的直线与切线垂直时。
❖ 利用伏安特性曲线,
eV jQ js[exp(kT ) 1] jSC
❖ 得到
djQ dV
js
e kT
exp(eVmp ) kT
dni2 ] T
其中
ni2
NC NV
exp(
G )
kT
dVOC VOC G / e ( 1 dne 1 dnh )
dT
T
ne dT nh dT
❖ 讨论对温度的依赖性:温度的依赖本质上 是对第一项的依赖性。对于硅太阳能电池 来说,温度每升高一度,开路电压下降
0.3%
7.7 效率的强度依赖
❖ 自学!
FF
eVOC
/(kT)
ln[1
eVOC kT
]
1 eVoc /(kT)
❖ 填充因子在0.8到0.9之间。
❖ 在太阳能电池中,大的短路电流需要电池厚度尽量 薄,这样吸收系数才可能最大。
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当n1d1
0
/
4,Rmin(nnii22
n0n2 non2
)2
当n1 n0n2时,Rmin0
光学减反射膜的设计
材料
MgF2 SiO2 Al2O3 SiO Si3N4 TiO2 Ta2O5 ZnS
折射率
1.3-1.4 1.4-1.5 1.8-1.9 1.8-1.9
~1.9 ~2.3 2.1-2.3 2.3-2.4
转换效率极限与 太阳电池设计原理
光生电流极限
一个自身能量高于带宽的光子产生一对或多对 电子空穴对。 能量阀值:1.124eV 300K
1.052eV 单声子辅助吸收 0.987eV 双声子辅助吸收 自由载流子吸收
最大光生电流(纯硅)51.5mA/cm2,受自由载 流子吸收的限制,要得到这样的电流,硅片的厚 度需几米厚。 对于正常厚度的太阳电池(<1mm),光的有 限吸收对电流的限制远远大于自由载流子吸收对 电流的影响。
VOC (KT / q)Ln JL cotanh(WB / LB ) /(qn0 p0 DBCB )
VOC 730mV (KT / q)Lntanh(WB / LB ) VOC
对于薄电池: VOC 730mV (KT / q)Ln(LB /WB ) 实验所得VOC 720mV
c Jmp S
Vmp WF
前表面电极设计
主栅的宽度:主栅线电阻造成的功率损耗=由主栅线 遮光造成的功率损耗
光学减反射膜的设计
R1r12r12rr222222rr11rr22C CO O22SS
r1

n0 n0

n1 n1
r2

n1 n1
n2 n2
2n1d1
太阳电池设计原理
需要考虑的因素: 少数载流子的收集几率 p-n结的深度 n-型发射结的横向电阻 衬底的掺杂 Al背场 n-型发射结的限制 电极的设计
光学的优化设计
太阳电池设计原理
少数载流子的收集几率
fc ex/Le
太阳电池设计原理
p-n结的深度决定了少子收集的有效性。 n-型发射结的掺杂浓度(方块电阻)决定了正面电极 栅线间的距离。
转换效率极限
VOC和ISC 随电池厚度的变化趋势相反,所以对于转换效 率存在着一个最佳的厚度值:80μm, 28.8%。
Isc的损失
1、表面反射损失 10% 2、表面电极遮光损失 5~15% 3、不能充分吸收光的能量 4、体内复合 5、表面复合
VOC的损失
电池内的复合过程(表面、体内、p-n结区) 决定了VOC的大小
开路电压的极限
高注入薄电池
V O ( 2 / C 3 ) K / ( q ) L J L T / q ( n n 0 ( p 0 ) 3 / 2 ( C n C P ) W B )
随着掺杂浓度的降低,由俄竭复合限制的Voc将 提高,掺杂浓度进一步降低使得电池进入高注 入状态,此时Voc将处于由上式表示的饱和状态。
eNA
前表面电极设计
n-型发射结横电流电阻
Ptl

s
12
Jmp Vmp
S2
栅线电阻
Prf
(细栅 )

1 m
B 2 smf
J mp Vmp
S WF
Prb (主栅 )

1 m
A 2 B smb
J mp Vmp
1 WB
栅线遮光 接触电阻
Psf (细栅
)
WF S
Psb (主栅
)
WB B
Pcf
P Ploss sS2Jmp
Pmp 12Vmp
太阳电池的设计原理
衬底掺底浓度对Voc, Isc的影响
太阳电池设计原理
Al背场 增加电池背面区域的收集几率,因此增加Isc,减少 暗电流(I0)。因此增加Voc
I0

qDen LeN
2 i A
tanh(
Wp Le
)
当Wp<<Le时,
I0

qni 2Wp
开路电压的极限
低注入
高注入情况 薄电池
低注入 厚电池
填充因子极限
F F vo cL(v n o c0.7)2 /v (o c1 )
voc V O/Cn ( K /q)T
俄竭复合:低注入n=1 高注入 n2/3
辐射复合:低注入和高注入 n=1 缺陷复合:低注入n=1
高注入n=2
最大FF极限:高注入薄电池
结区复 :U合
npni2
ho(nn1)eo(pp1)
II01(eqv/KT1)I02(eqv/2KT1)
VOC的损失
FF的损失
Rs
RCH
VOC I SC
rs RS /RCH
Rsh
rshRSH/RCH
FFFF0(1rs)
FFFF01(vo
cvo0c .7)FrshF0
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知识就是财富 丰富你的人生
开路电压的极限
两个本征的复合原理:辐射复合,俄竭复合。
n+ P
WB
开路电压的极限
1、低注入情况:少子的的浓度远低于电池内 的多子浓度。在假设电池前、后表面复合速率 为零的情况下,俄竭复合的极限暗电流为:
J0 (qn0 p0 / NB ) (DB / B ) tanh(WB / LB ) B 1/(LB NB2 )
Suns/Voc 准I-V曲线, 准转换效率(Rs=0)
Rs:Voc处的斜率
Rsh:Isc处的斜率
太阳电池设计原理
为什么太阳电池的颜色是深蓝色的? 为什么需做绒面? 为什么要控制好方块电阻? 为什么要在电池背面印刷Al浆? 正面电极栅线间的间距是如何决定的? 为什么有时Rs很大,且通过烧结条件不能改善?
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