模拟电子技术基础简明教程(第三版)第四章
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解
学 习 计 划 表
周一至周五
时间
内容
要求
18：00～19：30
做作业
1.限时；2.不要看书；3.不会的题先放过。
19：40～20：00
测试
如没有，则休息。
20：10～20：40
补习
1. 对作业和测试中未掌握的内容进行补习。
2. 对相关知识进行检测，直至真正掌握。
3. 对当天所学新课行梳理与归纳。
具体方法： 先自己回顾老师上课讲的，找差距。
4. 如果没有学习新课程，将上次学习的疏漏的知识点进行补习。
20：45～21：00
预习
对将要学习的知识点进行预习。
21：03～21：23
查
漏
补
缺
1.21：03～21：10英语：
掌握5个单词（1.拼写 2.发音3.翻译4.词性5.运用）并记录。
2.21：10～21：15数学：
对以往的知识点进行考查（每周2个）；
对未掌握的知识点进行补习；
数字电子技术基础简明教程第三版4-6章(含答案)
第四章（选择、判断、填空共30题）一、选择题1.N个触发器可以构成能寄存位二进制数码的寄存器。
A.N-1B.NC.N+1D.2N2．在下列触发器中，有约束条件的是。
A.主从J K F/FB.主从D F/FC.同步R S F/FD.边沿D F/F3．一个触发器可记录一位二进制代码，它有个稳态。
A.0B.1C.2D.3E.44．存储8位二进制信息要个触发器。
A.2B.3C.4D.85．对于T触发器，若原态Q n=0，欲使新态Q n+1=1，应使输入T=。
A.0B.1C.QD.Q6．对于T触发器，若原态Q n=1，欲使新态Q n+1=1，应使输入T=。
A.0B.1C.QD.Q7．对于D触发器，欲使Q n+1=Q n，应使输入D=。
A.0B.1C.QD.Q8．对于J K触发器，若J=K，则可完成触发器的逻辑功能。
A.R SB.DC.TD.Tˊ9．欲使J K触发器按Q n+1=Q n工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=0B.J=Q,K=QC.J=Q,K=QD.J=Q,K=0E.J=0,K=Q10．欲使J K触发器按Q n+1=Q n工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=1B.J=Q,K=QC.J=Q,K=QD.J=Q,K=1E.J=1,K=Q11．欲使J K触发器按Q n+1=0工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=1B.J=Q,K=QC.J=Q,K=1D.J=0,K=1E.J=K=112．欲使J K触发器按Q n+1=1工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=1B.J=1,K=0C.J=K=QD.J=K=0E.J=Q,K=013．欲使D触发器按Q n+1=Q n工作，应使输入D=。
A.0B.1C.QD.Q14．下列触发器中，克服了空翻现象的有。
A.边沿D触发器B.主从R S触发器C.同步R S触发器D.主从J K触发器15．下列触发器中，没有约束条件的是。
A.基本R S触发器B.主从R S触发器C.同步R S触发器D.边沿D触发器16．描述触发器的逻辑功能的方法有。
模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)高等教育出版社
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案
+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3
②
I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA
③
I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向
模拟电子技术基础简明教程(第三版)第四章
仿真
静态时 UCE1 = +VCC , UCE2 = -VCC 。 Ucem = VCC - UCES
OCL电路省去了大电容， OCL电路省去了大电容，即改 电路省去了大电容 善了低频响应， 善了低频响应，又有利于实现 集成化，应用更为广泛。 集成化，应用更为广泛。
R1 ui b1 R VD1 VD2 b2 R2
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（3）功率三极管的极限参数 ▼ 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许电流I 在OCL互补对称电路中，流过三极管的最大集电极 OCL互补对称电路中 互补对称电路中， 电流为： 电流为：
VCC − UCES VCC Icm = ≈ RL RL
因此选择功率三极管时，其集电极最大允许电流应为： 因此选择功率三极管时，其集电极最大允许电流应为：
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（2）效率 当输出最大功率时，放大电路的效率等于最大输 当输出最大功率时， 出功率p 与直流电源提供的功率P 之比。 出功率pom与直流电源提供的功率PV之比。 1 PV = VCC × π
π
0
Icmsinωtd(ωt) = sinωtd(ωt)
2VCCIcm ≈ π
2V2CC πRL
iC1
NPN C1 + VCC VT2 2 PNP
+VCC
O iC1
t
uo
O iC
2
t
iL
RL
O iL O
t
iC2
t
OTL甲乙类互补对称电路的波形图 OTL甲乙类互补对称电路的波形图
仿真
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3. OCL甲乙类互补对称电路 OCL甲乙类互补对称电路
iC1
VT1 NPN uo VT2 PNP +VCC
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础教案
云南民族大学教案课程名称: 模拟电子技术基础授课班级: 12级电子信息类1班、12级电子信息类2班、12级网络工程班、12级电气类1班、12级电气类2班任课教师: 王霞职称: 助教课程性质: 专业必修课授课学期: 2013-2014学年第一学期云南民族大学教案云南民族大学教案九、教学主要内容及教学安排：1.2 半导体二极管1.2.1 PN结及其单向导电性1.PN结中载流子的运动2. PN结的单向导电性加正向电压加反向电压PN结处于正向导通(on)状态，正向等效电阻较小。
反向电流非常小，PN结处于截止(cut-off)状态。
结论：PN结具有单向导电性：正向导通，反向截止。
1.2.2二极管的伏安特性1.二极管的结构2.二极管的类型3.二极管的伏安特性（1）正向特性（2）反向特性1.2.3 二极管的主要参数1.最大整流电流I F2.最高反向工作电压U R3.反向电流I R4.最高工作频率f M5.势垒电容C b6.扩散电容C d二极管单向导电举例1 1.2.4 稳压管1.PN结反向击穿机理解释2.稳压管的主要参数3.稳压管的稳压原理（1）稳压管必须工作在反向击穿区（2）稳压管应与负载R L并联，（3）必须限制流过稳压管的电流I Z4.举例说明如何选择限流电阻R补充内容：二极管的等效电路（或称为等效模型）1）理想模型：即正向偏置时管压降为0，导通电阻为0；反向偏置时，电流为0，电阻为∞。
适用于信号电压远大于二极管压降时的近似分析。
2）简化电路模型：是根据二极管伏安特性曲线近似建立的模型，它用两段直线逼近伏安特性，即正向导通时压降为一个常量Uon；截止时反向电流为0。
3）小信号电路模型：即在微小变化范围内，将二极管近似看成线性器件而将它等效为一个动态电阻r D 。
这种模型仅限于用来计算叠加在直流工作点Q上的微小电压或电流变化时的响应。
【教学方法】利用PPt的图形显示，设计一些动画图形讲解PN结的单向导电原理。
第三版模拟电子技术基础简明教程及答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
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第四节 集成功率放大器
OCL电路主要参数估算小结： （1）最大输出功率
2 2 U 1 (VCC – UCES) 1 cem Pom = 2 = RL 2 RL
≈
V2CC 2RL
（2）效率
Pom η= P V π ≈ = 78.5% 4
（3）功率三极管的极限参数
I CM VCC > RL
U (BR)CEO > 2VCC
第四节 集成功率放大器
OCL电路存在的主要问题： 两个三极管的发射极直接连到负载电阻上， 如果静态工作点失调或电路内元器件损坏， 将造成一个较大的电流长时间流过负载， 可能造成电路损坏。 为了防止出现此种情况，实际使用的电路中， 常常在负载回路接入熔断丝作为保护措施。
22
第四节 集成功率放大器
信号波形图
R1 ui + b1 R VD1 VD2 b2 R2
ui
iC1
VT1 NPN C1 + VCC VT2 2 PNP
+VCC
O iC1
t
uo
iL
RL
O iC
2
t
O iL O
t
iC2
t
OTL甲乙类
19
改进的OTL互补对称电路的波形图
第四节 集成功率放大器
小结：OTL电路有两类
OTL乙类
+VCC R1 VT1 uI C1+ VT2 R2 NPN C + 2PNP uO ui
IC Q
O
iC
UCE
O
t
7
第四节 集成功率放大器
☆ 乙类工作状态 晶体管只在输入信号的半个周期内导通， 静态 IC=0，波形严重失真, 管耗小效率高。
IC Q UCE
iC
O
O
t
☆ 甲乙类工作状态 晶体管导通的时间大于半个周期，静态IC≈ 0，一般 功放常采用。 IC iC
Q
O
UCE
O
8
t
第四节 集成功率放大器
输入电压的正半周： ＋VCC→T1→C→RL→地 C 充电。 输入电压的负半周： C “＋”→T2→地→RL→ C “－” C 放电。
＋
-
VCC 静态时，uI = U B = U E = + 2 缺点：需要大电容（几千微法），大电容特性不稳定，
电路低频特性差，不易集成。
10
第四节 集成功率放大器
13
第四节 集成功率放大器
4.2 互补对称式功率放大电路
OTL电路结构与工作原理 OCL电路结构与工作原理 OCL电路主要参数估算 OTL电路主要参数估算
14
第四节 集成功率放大器
一、OTL电路结构与工作原理（Output Trasformerless) 1. 电路组成
R1 +VCC VT1 NPN C + 2PNP
B i C2
31
第四节 集成功率放大器
（1）最大输出功率
2 2 U ( V / 2 – U ) cem 1 1 CC CES Pom = 1 Ucem Icm= 2 2 RL = 2 R L
VCC 若满足UCES << 2 （2）效率
Pom ≈
2 V 1 CC RL 8
V2CC VCC 1 π VCCIcm PV = 2 × π Icmsinωtd(ωt) = ≈ π 2πRL 0
一、 功率放大电路的特点
在电子系统中，模拟信号被放大后，往往要去推动一个 实际的负载。如使扬声器发声、继电器动作、 仪表指针偏转 等。推动一个实际负载需要的功率很大。能输出较大功率的 放大器称为功率放大器。
如：扩音系统 信 号 提 取 电 压 放 大
3
功 率 放 大பைடு நூலகம்
第四节 集成功率放大器
(1) 输出功率Po尽可能大 (2) 电源提供的能量应尽可能多地转换给负载，尽量 减少晶体管及线路上的损失。即注意提高电路的 效率（η）。
iC2
第四节 集成功率放大器
（1）最大输出功率 Ucem = VCC – UCES
U cem VCC − U CES = I cm = RL RL
2 2 U ( V – U ) 1 CC 1 cem CES Pom = 2 = RL 2 RL
当满足条件UCES <<VCC时
24
Pom ≈
V2CC 2RL
30
PCM > 0.2 Pom
第四节 集成功率放大器
四、 OTL电路主要参数估算
VCC iC1 2RL A
+VCC R1 VT1 NPN C + 2PNP
交流负载线
uI C1+ VT2 R2
uO RL
Icm1 -uCE2 O UCES Ucem1 Q VCC 2 O
uCE1
若VT1、VT2对称 VCC Ucem= – UCES 2
25
第四节 集成功率放大器
（3）功率三极管的极限参数 ① 集电极最大允许电流ICM 在OCL互补对称电路中，流过三极管的最大集电极 电流为：
VCC − U CES VCC I cm = ≈ RL RL
因此选择功率三极管时，其集电极最大允许电流应为：
I CM VCC > RL
26
第四节 集成功率放大器
R1 ui b1 R VD1 VD2 b2 R2 VT2 PNP
iC1
VT1 NPN
+VCC
静态时 UCE1 = +VCC , UCE2 = – VCC
uo
iL
RL
iC2 -VCC
OCL电路省去了大电容，既改 善了低频响应，又有利于实现 集成化，应用更为广泛。
OCL甲乙类互补对称输出级
21
OCL电路存在的问题：
VT2 PNP
iL VCC
RL
iC2
U CE1 = 2VCC − | U CES2 |≈ 2VCC
因此，功率三极管的集电极最大允许反向电压应为
U (BR)CEO > 2VCC
28
第四节 集成功率放大器
③ 集电极最大允许耗散功率 PCM 在OCL互补对称电路中，直流电源提供的功率PV， 一部分转换成输出功率Po传送给负载，另一部分则 消耗在三极管内部，成为三极管的耗散功率PT ，使 管子发热。 当集电极输出电压的峰值UOM ≈0.6 VCC时，三极管 的功率损耗达到最大，即PT= PTm 。此时，每个三 极管的最大管耗为: 2 V2CC VCC PTm = 2 Pom ≈ 2RL π RL 当忽略三极管的管压降时，PTm = 0.2 Pom 因此，在选择功率三极管时应满足，PCM > 0.2 Pom
16
VCC
R1
ic1
C2
ui C1
uo
RL
R2
ic2
第四节 集成功率放大器
输入输出波形图 ui 死区电压 uT1 uT2
R2 R1 C2
VCC
ui C1
uo
RL
uo
存在交越失真，该电路称为：
交越失真
17
OTL乙类互补对称电路 需要改进
第四节 集成功率放大器
改进：
R1 ui + b1 R VD1 VD2 b2 R2
OTL甲乙类
R1 + b1 R VD1 RL VD2 b2 R2 +VCC VT1 NPN C1 + VCC VT2 2 PNP uo
RL
存在交越失真
需要大电容（几千微法），大电容特性不稳定， 电路低频特性差，不易集成。 20
第四节 集成功率放大器
二. OCL电路结构与工作原理 (Output Capacitorless)
R1 、 R2确定放大电路静态电位。 调整R1 和 R2的值，使静态时
VCC 两管的发射极电位为 2
uI C1+ VT2 R2
uO
RL
电容C2两端的电压也等于 2
VCC
动态时电容两端的电压保持 0.5VCC的数值基本不变。
15
第四节 集成功率放大器
2、工作原理（设ui为正弦波）
静态时： ui = 0V → ic1、ic2均=0（乙 类工作状态） → uo = 0V 动态时： ui > 0V ui < 0V T1导通，T2截止 iL= ic1 ; T1截止，T2导通 iL=ic2 iL = iC1 – iC2 T1、T2两个管子交替工作，在负载上得到完整的正弦波
② 集电极最大允许反向电压U(BR)CEO
R1 ui b1 R VD1 VD2 b2 R2 VT2 PNP VT1
iC1
NPN
+VCC ui uo
R1 b1 R VD1 VD2 b2 R2
VT1
iC1
NPN
VCC
uo
iL
RL
VT2 PNP
iL
RL
iC2 -VCC
VCC
iC2
两个三极管的集电极电压之和等于2VCC，即
iC1
三、OCL电路主要参数估算
ui
R1 b1 R VD1 VD2 uCE b2 R2
iC1
VT1 NPN
+VCC
若VT1、VT2对称
Icm1 UCES
uo VT2 PNP
Q VCC
UCES
iL
RL
iC2 -VCC
Ucem
ui > 0时工作点沿QA上移。 ui < 0时工作点沿QB下移。 U cem VCC − U CES = I cm = 最大不失真Ucem=VCC - UCES RL RL 23
（3） OCL电路
(Output Capacitorless) 静态时，UEQ＝ UBQ＝0。 输入电压的正半周： ＋VCC→T1→RL→地 输入电压的负半周： 地→RL →T2 → －VCC