封装测试生产工艺简介
晶圆级封装的工艺流程_概述说明
晶圆级封装的工艺流程概述说明1. 引言1.1 概述晶圆级封装是一种先进的封装技术，它将多个组件和集成电路(IC) 封装在同一个晶圆上，从而提高了芯片的集成度和性能。
相比传统的单芯片封装方式，晶圆级封装具有更高的密度、更短的信号传输路径和更低的功耗。
因此，晶圆级封装已经成为微电子领域中一项重要且不断发展的技术。
1.2 文章结构本文将对晶圆级封装的工艺流程进行全面地概述说明。
首先，在引言部分，我们将对该主题进行简要概述并介绍文章结构。
接下来，在第二部分中，我们将详细阐述晶圆级封装的工艺概述以及相关的工艺步骤、特点与优势。
然后，在第三部分中，我们将探讨实施晶圆级封装工艺时需要考虑的关键要点，包括设计阶段、加工阶段和测试与质量管控方面的要点与技术要求。
在第四部分中，我们将介绍晶圆级封装工艺流程中常见问题及其解决方法，并提出提高封装可靠性的方法和策略，以及工艺流程改进与优化的建议。
最后，在第五部分中，我们将总结回顾晶圆级封装工艺流程，并展望未来晶圆级封装技术的发展方向和趋势。
1.3 目的本文的目的是全面介绍晶圆级封装的工艺流程，提供读者对该领域较为详细和系统的了解。
通过对每个章节内容的详细阐述，读者可以获得关于晶圆级封装工艺流程所涉及到的各个方面的知识和技术要求。
同时，通过对常见问题、解决方法以及未来发展方向等内容的探讨，读者可以更好地理解该技术在微电子领域中的重要性，并为相关研究和应用提供参考。
2. 晶圆级封装的工艺流程：2.1 工艺概述：晶圆级封装是一种先将芯片进行封装，然后再将封装好的芯片与其他组件进行连接的封装技术。
其主要目的是提高芯片的集成度和可靠性，并满足不同应用领域对芯片包装技术的需求。
晶圆级封装工艺拥有多个步骤，其中包括材料准备、焊膏印刷、IC贴装、回流焊接等过程。
2.2 工艺步骤：（1）材料准备：首先需要准备好用于晶圆级封装的相关材料，如底部基板、球柵阵列（BGA）、波士顿背面图案（WLCSP）等。
半导体封装工艺介绍
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗
将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序；
艾
Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介
IC Process Flow
Customer 客 户
IC Design IC设计 SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
IC Package （IC的封装形式）
IC Package Structure（IC结构 图）
Lead Frame 引线框架 Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire 金线 Epoxy 银浆
TOP VIEW
Mold Compound 环氧树脂
SIDE VIEW
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Wafer】晶圆
Intermetallic（金属间化合物测试）
FOL– 3rd Optical Inspection三 光检查
检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品
EOL– End of Line后段工艺
EOL Annealing 电镀退火
Trim/Form 切筋/成型
Molding 注塑
Wafer Saw 晶圆切割
Wire Bond 引线焊接
3rd Optical 第三道光检
芯片封装工艺过程简介
Ball Thickness（金球厚度）
Crater Test（弹坑测试） Intermetallic（金属间化合物测试）
Size Thickness
FOL– 3rd Optical Inspection三光检查
检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品
EOL– End of Line后段工艺
EOL Annealing 电镀退火 Trim/Form 切筋/成型
Molding 注塑
De-flash/ Plating 去溢料/电镀
4th Optical 第四道光检
Note： Just For TSSOP/SOIC/QFP package
Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Epoxy】银浆
成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；
有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用；
-50°以下存放，使用之前回温24小时；
Typical Assembly Process Flow
FOL/前段
Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Mold Compound】塑封料/环氧树脂
主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等）；
主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰；
存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；
Before After
在产品（Package）的正面或者背面 激光刻字。内容有：产品名称，生产 日期，生产批次等；
dip生产工艺流程
dip生产工艺流程dip生产工艺流程DIP（Dual In-line Package）是一种常见的电子元件封装形式，其生产工艺流程如下：1. PCB制备：首先准备电子元件的载体PCB板，选用适当的材料，按照设计要求进行尺寸加工，清洗表面，使其保持良好的导电性和耐腐蚀性。
2. 元件安装：将电子元件按照设计要求布置在PCB板上。
首先使用自动贴片机（SMT）将表面贴片元件精确地贴在PCB板上，然后使用波峰焊接机将插件元件焊接到PCB板上。
确保元件的正确安装和焊接可靠。
之后需要进行一个验货步骤，以确保安装的元器件类型和数量符合设计要求。
3. 清洁和检查：在安装和焊接完成后，使用清洁剂和超声波清洗设备对PCB板进行彻底清洗，以去除焊接过程中产生的残留物。
之后对PCB板进行目视检查和功能测试，确保其质量和性能良好。
4. 涂覆保护层：对于某些特殊电子元件和应用，为了保护其表面和延长使用寿命，需要在PCB板上涂覆一层保护涂料。
通过涂覆机器或喷涂机器将保护涂料均匀地涂覆在PCB板上，形成一层保护层，提高其抗污染，抗湿度和绝缘性能。
5. 焊接和测试：在安装了所有电子元件的PCB板上进行焊接和测试步骤。
使用热风焊接机和回流焊接机对PCB板上的元件进行再次焊接，以确保焊接的质量和可靠性。
然后进行功能测试，检查电路是否按照设计要求正常工作，焊接是否牢固。
6. 外观和包装：最后，对PCB板进行外观检查，检查表面有无划痕、变形或其他问题。
如果外观检查合格，则进行包装。
常见的包装方式包括真空封装、进出口管道包装等。
总结：DIP生产工艺流程包括PCB制备、元件安装、清洁和检查、涂覆保护层、焊接和测试、外观和包装等几个主要步骤。
这个流程确保了电子元件的正确安装和焊接可靠，以及PCB板的质量和性能符合设计要求，最终得到具有高质量和稳定性能的DIP封装电子元件。
TO220生产工艺
TO-220 产品及封装、测试工艺流程介Unit/Part assemblyShenzhenUnit/Part assembly Shenzhen Finishing Goods Testing/Marking/PackingShenzhenFinishing Goods Testing/Marking/Packing ShenzhenPower MOSFETs VIPOWERs 垂直智能功率器件Schottky RECTIFIERs 肖特基整流管IGBTs 绝缘栅型晶体管Fast DIODEs 快速恢复二极管Product Application产品应用●Power management电源管理●Motor control马达控制●Lighting 灯具●Industrial工业●Communication通讯●Home appliance家用电器●Computer计算机●Protection保护器●Automotive汽车电子封装测试工艺流程Tin DippingCroppingOperation: To stick wafer on adhesive tape蓝膜上Aim: To sustain and hold the wafer during sawing and then the dice after sawing目的: 在切片及以后工序保持住晶片或芯片Operation: Sawing of the wafers through the scribe streets 操作: 沿切割道切割晶片Aim: To separate the dice芯片单位ＭaterialOperation: To attach the die to the leadframe操作: 将芯片粘Aim: To fix the die for future wire connecting, for electrical and thermal conductivity实现导电和导热Operation: Bonding wires on the die and on the package leads 操作: 在芯片与框架管脚之间焊线Aim: To connect the bonding pads on the die to lead tips of the leadframe, to electrically link the die with external 点和管脚焊点, 进而可以通copper wire)ＭaterialWire Bond （Aluminum wire)焊线（铝线）Ｍaterial生产材料Aluminum Wire 铝线Al/Mg, pure Al(5mil,7mil,10mil...)Aluminum ribbon 铝带Al/Mg (60milx8,80x10...)Operation: Bonding wires on the die and on the package leads操作: 在芯片与框架管脚之间焊线Aim: To connect the bonding pads on the die to lead tips ofthe leadframe, to electrically link the die with external 目的: 连接芯片焊点和管脚焊点, 进而可以通过管脚连接外部电路Operation: To encapsulate the frame and the bonded dice in a焊线后的芯片用模封料封装Aim: To protect the die and its bonding wires from external physical/chemical damage受到外部物理/化学影响Operation: To remove resin flashes from the slug废料Aim: To ensure good thermal conductivity of the power package and good surface finish性能Operation: To singulate each unit from stripAim: To deliver products that can be mounted and soldered on PCB电路板上的元件DippingPlatingOperation: Deposition of a lead tin alloy over the leads合金Aim : To enhance lead solderability (easier mounting on PCB) and increase corrosion resistance(易于安装在电路板上), 防腐Operation: To test and classify devices & laser engraving on the mold compound, 激光打印Aim : To ensure electrical function of devices, correct salestype, to mark with salestype, ST logo and traceability code销售类型,打印商标和追溯代Packing包装Operation: To pack the devices into tube and then the inner box 操作: 将元件装入包装管后装入内包装盒Aim : To provide physical and ESD protection during handling and transportation目的: 在处理和搬运过程中防止物理或静电损伤Marking Composition Description打印内容描述。
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
A.晶圆封装测试工序一、IC检测1. 缺陷检查Defect Inspection2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy)用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。
此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。
一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。
再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。
3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement)对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。
二、IC封装1. 构装（Packaging）IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。
以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。
(1) 晶片切割（die saw）晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。
举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M 微量。
欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。
切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撑避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。
(2) 黏晶（die mount / die bond）黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。
黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。
(3) 焊线（wire bond）IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。
SOP封装工艺流程介绍
目录
• SOP封装简介 • SOP封装工艺流程 • SOP封装材料 • SOP封装技术发展趋势 • SOP封装工艺问题与对策
01
SOP封装简介
SOP封装定义
SOP封装，全称为Small Outline Package，是一种常见的电子封装形 式，主要用于将集成电路（IC）封装 在印刷电路板（PCB）上。
微型化是指通过减小封装尺寸来减小整个电子设备的体积和重量。SOP封装技 术通过改进封装结构、减小引脚间距、采用薄型小尺寸封装等形式，实现了更 小的封装尺寸，满足了电子设备微型化的需求。
高集成度
总结词
随着集成电路技术的发展，SOP封装技术也呈现出高集成度 的发展趋势。
详细描述
高集成度是指通过在单一封装内集成更多的电子元件和功能 ，提高整个系统的性能和功能。SOP封装技术通过采用多芯 片组装、集成无源元件等方式，实现了更高的集成度，提高 了系统的性能和功能。
02
这一步骤中，需要检查产品是否有明显的缺陷、污渍或不良的
机械性能。
外观检查通常采用自动化设备进行，以提高检查效率和准确性。
03
测试与筛选
测试与筛选是对已完成的SOP封装产品进行电气 性能测试和筛选的过程。
这一步骤中，需要使用测试设备对产品的电气性 能进行检测，如电压、电流、电阻和电容等。
对于不合格的产品需要进行筛选和处理，以确保 最终产品的质量和可靠性。
VS
详细描述
引脚扭曲的原因可能包括引脚材料质量不 佳、加工精度不足、插装过程中受到外力 等。为了解决这个问题，可以加强引脚材 料的质量控制、提高加工精度、优化插装 工艺，并在插装过程中避免外力作用。
芯片破损
总结词
半导体封装工艺介绍
Lead Frame 引线框架
Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire
金线
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
Sino-i Technology Ltd.
ITSM / ITIL
Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Wafer】晶圆
……
Copyright © Sino-i Technology Limited All rights reserved
Sino-i Technology Ltd.
ITSM / ITIL
FOL– Front of Line前段工艺
Wafer
2nd Optical 第二道光检
Die Attach 芯片粘接
Back
Grinding 磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
【Gold Wire】焊接金线
➢实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；
➢金线采用的是99.99%的高纯度金； ➢同时，出于成本考虑，目前有采用铜
线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低； ➢线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils ；
Copyright © Sino-i Technology Limited All rights reserved
陶瓷封 装
金属封 装
Sino-i Technology Ltd.
ITSM / ITIL
IC Package （IC的封装形式）
• 按与PCB板的连接方式划分为：
集成电路封测简介介绍
深入研究失效机理，找出失效原因，为改进设计 提供依据。
失效预防
根据失效分析结果，采取相应的预防措施，提高 集成电路的可靠性和稳定性。
03
集成电路封测流程
封装设计
封装设计是集成电路封测流程的起始 阶段，主要任务是根据集成电路的规 格和性能要求，设计出合适的封装结 构和尺寸。
封装设计通常使用专业设计软件进行 ，设计过程中需要进行仿真和优化， 以确保设计的可行性和可靠性。
测试技术
功能测试
通过模拟输入信号，检测 集成电路的输出信号是否 符合预期，以判断其功能 是否正常。
性能测试
在特定条件下测试集成电 路的各项性能指标，如功 耗、频率、延迟等，以评 估其性能优劣。
可靠性测试
通过长时间、高强度的使 用或模拟恶劣环境条件下 的测试，评估集成电路的 可靠性。
可靠性分析
环境适应性
分析集成电路在不同温度、湿度 、气压等环境条件下的性能表现
和稳定性。
寿命预测
通过加速老化试验等方法预测集 成电路的使用寿命，为产品设计
提供依据。
可靠性评估
根据测试数据和实际使用情况， 评估集成电路的可靠性水平，为
产品可靠性设计提供依据。
失效分析
失效模式识别
通过外观检查、电性能测试等手段，识别出集成 电路的各种失效模式。
集成电路封测技术对于飞行控制系统至关重要，确保飞机在 各种环境和条件下都能够安全、稳定地飞行。
05
集成电路封测的挑战与解决方 案
技术更新换代
总结词
随着集成电路技术的不断进步，封测 技术需要不断更新换代，以满足更高 的性能和可靠性要求。
详细描述
随着芯片制程技术的不断缩小，封测 技术需要不断改进和升级，以满足更 精细的封装和测试需求。这涉及到新 的封装材料、更先进的测试设备和方 法等方面的研发和应用。
BGA 封装工艺简介1
4.
5. 6.
金線歪斜 ( Wire Sweep )
晶片座偏移 ( Pad Shift ) 表面針孔 ( Rough Surface in Pin Hole)
7.
8.
流痕 ( Flow Mark )
溢膠 ( Resin Bleed )
EOL– Post Mold Cure（模后固化）
ESPEC Oven
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Key Words：
Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为 空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形 成第一和第二焊点；
EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温， 将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一 焊点（Bond Ball）； Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点 ，一般为一个球形；
Capillary Mark
Missing Weld
Wire Broken
2nd Bond Fail ( II )
縫點脫落
Looping Fail(Wire Short I)
Wire Short
Looping Fail(Wire Short II)
Loop Base Bend
Wire Short
Saw Spindle
EOL– Singulation
：將整條CLAER 完畢之SUBSTRATE產品，切割成單 顆的正式 BGA 產品
FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write： Coverage >75%;
半导体封装工艺介绍
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
Wafer Wash 清洗
将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；
……
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Lead Frame】引线框架
提供电路连接和Die的固定作用； 主要材料为铜，会在上面进行镀银、
NiPdAu等材料； L/F的制程有Etch和Stamp两种； 易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; 除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame，
IC Package （IC的封装形式）
• 按封装材料划分为：
塑料封装
陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无 商业化产品；
陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产 品，占少量商业化市场；
塑料封装用于消费电子，因为其成本低 ，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分 的市场份额；
金属封装
IC Package （IC的封装形式）
Package--封装体：
指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC） 形成的不同外形的封装体。
IC Package种类很多，可以按以下标准分类：
• 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装
• 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装
• 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
FOL/前段
EOL/中段 Plating/电镀
IC芯片封装测试工艺流程
FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程： 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于
脱离蓝膜； 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer
到L/F的运输过程； 3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F
➢IC Package种类很多，可以按以下标准分类：
• 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装
• 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装
• 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
All right reserved © Shanghai Imart 360
Customer 客户
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
All right reserved © Shanghai Imart 360
IC Package （IC的封装形式）
Package--封装体：
➢指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC） 形成的不同外形的封装体。
的Pad上，具体位置可控； 4、Bond Head Resolution：
X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um； 5、Bond Head Speed：1.3m/s；
All right reserved © Shanghai Imart 360
FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write： Coverage >75%;
IC Package （IC的封装形式）
电子产品封装的生产流程
电子产品封装的生产流程电子产品封装是电子产品制造流程中非常重要的一环。
电子产品封装工艺涉及到电子元器件与电路板的装配、焊接、封装和测试等环节，是保证电子产品质量的重要环节之一。
本文将介绍电子产品封装的生产流程，并详细解析每个环节的工作内容和要求。
电子产品封装的生产流程通常包括以下几个环节：电子元器件的采购、电路板的制作、元器件的装配、焊接和封装、产品的测试和包装。
首先是电子元器件的采购。
为了保证产品的质量，企业需要从可靠的供应商处采购符合质量要求的电子元器件。
采购部门需要与供应商沟通，明确产品规格、数量和交付时间等要求，并签订采购合同。
接下来是电路板的制作。
电路板是电子产品的核心组成部分，需要根据产品设计图纸和制造要求进行制作。
制作过程包括制板、蚀刻、丝印、插件、焊接等步骤。
制板除了需要使用专业的电路板生产设备，还需要操作人员具备一定的电路板制作技能。
然后是元器件的装配、焊接和封装。
在制造工厂中，会有专门的装配工作台，工作台上摆放着各种需要进行装配的元器件和电路板。
操作人员会根据装配工艺流程，将元器件正确地装配到电路板上，并利用焊接设备对元器件与电路板进行焊接。
焊接完成后，还需要对焊接部位进行封装，以保护焊接点不受湿气和污染物的损害。
接着是产品的测试。
测试是确保产品质量的重要环节，通常包括功能测试、可靠性测试、环境适应性测试等。
通过对产品进行各种测试，确定产品是否符合设计要求，并及时发现和解决问题，提高产品质量和可靠性。
最后是产品的包装。
包装环节主要是对产品进行美观包装，并为产品添加必要的标识和配套材料，如说明书、保修卡等。
包装过程需要注意产品的保护，防止在运输过程中受到损坏。
包装完成后，产品可以交付给销售部门进行销售。
在电子产品封装的生产流程中，每个环节都需要严格控制质量，保证产品的性能和可靠性。
通过合理的工艺流程设计和工艺参数控制，可以提高产品的生产效率和一致性。
此外，还需要对人员进行培训，提升他们的技术水平和工作素质，以确保整个封装过程的顺利进行。
芯片封装测试工艺流程
• 机遇：随着人工智能、大数据等技术的不断发展，芯片封装测试将有更多的应用场景；同时，随着新能源汽车、智能家居等新兴市 场的崛起，芯片封装测试也将有更大的市场需求。
感谢观看
汇报人：
市场发展趋势
芯片封装测试市场规模不断扩大 先进封装测试技术不断涌现 人工智能和大数据技术在芯片封装测试中的应用日益广泛 芯片封装测试行业将迎来更多的发展机遇和挑战
未来挑战与机遇
• 挑战：技术更新换代快，需要不断投入研发；市场竞争激烈，需要提高产品质量和降低成本。
• 机遇：随着5G、物联网等新兴技术的发展，芯片封装测试市场将迎来新的增长点；同时，政府对半导体产业的支持也将为行业带来 更多的发展机遇。 未来挑战与机遇
芯片封装前的准备 工作：包括芯片设 计、制造和测试等 环节，确保芯片能 够正常工作。
芯片封装过程：将 芯片封装在特定的 封装体中，以保护 芯片并提高其可靠 性。
芯片测试过程：对 封装后的芯片进行 测试，以确保其性 能和可靠性符合要 求。
封装测试结果分析 和报告：对测试结 果进行分析和报告 ，为后续生产和应 用提供参考。
测试设备
测试机：用于对芯片进行功能和性能测试 探针台：用于将探针与芯片进行连接，以便进行测试 显微镜：用于观察芯片的外观和结构 切割机：用于将芯片从基板上分离
辅助工具与材料
测试夹具：用于固定芯片，确保测试的准确性和稳定性 探针：连接测试机与芯片的桥梁，实现信号的传输 测试机：用于对芯片进行性能测试，确保产品的可靠性 辅助材料：如焊锡、助焊剂等，用汇报人：
目录
01 02 03 04 05 06
芯片封装测试流程详解
提升产品竞争力
高质量的芯片产品能够满 足客户更高需求，提高市 场竞争力。
封装测试的流程简介
测试策略制定
根据芯片特性和测试要求，制 定相应的测试策略和方案。
数据分析与判定
对测试数据进行统计分析，与 标准值进行比较，确定芯片性 能等级。
准备测试环境
搭建符合测试要求的硬件和软 件环境，准备测试夹具和仪器。
塑封固化
塑封固化是将芯片和引脚进行塑 封，以保护芯片免受外界环境的
影响，并增强其机械强度。
塑封材料通常为热塑性塑料或环 氧树脂，具有优良的绝缘、耐温、
耐腐蚀等性能。
塑封过程中，将塑封材料均匀涂 覆在芯片和引脚上，经过加热固
化后形成保护层。
去飞边、切筋整形
去飞边是将塑封材料边缘的毛 刺、溢料等去除的过程，以提 高产品的外观质量和可靠性。
芯片封装测试流程详解
contents
目录
• 芯片封装测试概述 • 芯片封装工艺流程 • 芯片功能测试 • 芯片封装质量检测 • 芯片封装测试中的问题与对策 • 未来芯片封装测试技术展望
01 芯片封装测试概述
封装测试的目的
确保芯片性能符合设计要求
通过测试，验证芯片的功能、性能参数是否达到设计预期。
06 未来芯片封装测试技术展 望
高集成度芯片封装技术
总结词
随着芯片制程技术的不断进步，高集成度芯 片封装技术成为未来的发展趋势。
详细பைடு நூலகம்述
高集成度芯片封装技术能够将更多的晶体管 集成到更小的芯片面积上，从而提高芯片的 性能和功能。这种技术需要先进的封装材料 和工艺，以满足更高的热管理、电气性能和 可靠性要求。
筛选不良品
在生产过程中尽早发现不良品，避免后续工序的浪费。
封测工艺流程
封测工艺流程一、引言封测工艺是指将封装件与测试件相结合，完成芯片的封装和测试工作，是集成电路生产的重要环节之一。
封测工艺的主要目标是确保封装件与测试件之间的质量稳定和良好的功能性能，从而确保芯片的质量稳定和可靠性。
本文将介绍封测工艺的整体流程及每个环节的详细描述。
二、封测工艺的整体流程封测工艺的整体流程主要可以分为六个环节，以下是每个环节的概述：1. 芯片前备在封装之前，需要对芯片进行一系列的前处理，如去除芯片表面的杂质、粘贴标签、切割晶圆等处理。
2. 封装在此阶段，需要将封装胶料和芯片进行封装，确保芯片的良好封装。
封装的方式包括焊链、焊球等方式，封装胶材料包括环氧树脂、硅树脂等材料。
3. 测试准备在测试之前，需要进行测试准备工作，如测试器的调试、测试程序的编写等准备工作。
4. 芯片测试在此阶段，需要通过测试器对封装件中嵌入的芯片进行测试，检测芯片的性能和功能是否正常。
在测试过程中，需要进行电性能测试、可靠性测试等测试项目。
5. 封装后处理在测试后，需要对封装件进行后处理，如切割焊链、磨光焊球等处理，以便进行后续的加工和组装。
6. 出货在此阶段，需要对封装件进行完整的质量检查，确保其达到标准。
在质量检查完成后，可进行出货处理，将封装件交付给客户。
三、封测工艺环节详细描述芯片前处理是指在完成晶圆切割、测试和排序等操作之后，为芯片封装做好一系列的前期准备工作。
芯片前处理包括杂质去除、切割晶圆、粘贴标签等环节。
（1）芯片表面杂质去除在芯片制造过程中，表面可能附着有粉尘、水滴和其他杂物，这些杂物会影响芯片的精度和性能。
在封装过程之前，需要将芯片表面的杂物除去。
（2）晶圆切割晶圆是半导体制造的重要材料，晶圆切割可以将晶圆切割成芯片。
在封装过程之前，需要将晶圆进行切割。
（3）标签粘贴对于切割好的芯片，需要进行标签粘贴工作，以便后续的跟踪管理。
2. 封装封装是指将芯片封装在封装胶料中，以保护芯片免受外部环境的影响。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Logo
IC Package Structure（IC结构图）
Lead Frame 引线框架 Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire 金线 Epoxy 银浆
TOP VIEW
Mold Compound 环氧树脂
SIDE VIEW
Logo
IC Package （IC封装的意义）
Mold Compound 环氧树脂
IC元器件的特点： IC元器件一方面性能高、功能多，另一方面规 格小、易碎。为了能够充分发挥半导体元器件的功能，需要对其 进行有效的机械和绝缘方面的保护。 IC封装的目的在于保护芯片不受或少受外界环境的影响，并使其 具有一定的机械强度，良好的电气性能，散热性能以及化学稳定 性
Logo
IC Package （IC的封装形式）
芯片贴装
去飞边毛刺
成型技术
引线焊接
上锡焊
切筋ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ型
打码
Logo
FOL– Back Grinding背面减薄
高速旋转的砂轮
晶圆
真空吸盘工作台
为了减少破片，晶圆加工需要一定的衬底支撑。一般晶圆 厂出来的晶圆厚度在700~800um，晶圆加工完成后需要对晶 圆背面进行减薄，使其达到要求厚度，一般在200~300um
Logo
FOL– Wire Bonding 引线焊接
芯片 环氧树脂 载片台
金线
引脚
※利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 芯片 上的外接点和引线框架上的连接点通过焊接的方法连接起来。 W/B是封装工艺中最为关键的一步工艺。
Logo
EOL– Molding（塑封）
芯片 环氧树脂
352
3520 35200 352000 3520000 35200000
封装测试 车间洁净度多在1000级到10000级 无尘车间洁净度的要求和加工的特征尺寸相关，一般特征尺寸为颗粒 大小的十分之一
Logo
无尘车间温湿度要求
封装测试车间温度控制在20-28度，不同工序有些许差别
封装测试车间湿度控制在40-60 湿度小于30容易产生静电；大于70小颗粒会聚集，易滋生细菌，会对 电子产品电路有影响.
封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；
Logo
Typical Assembly Process Flow
背面减薄 晶圆切割
金线
引脚
载片台
※为了防止外部环境的冲击，利用机器把引线焊接完成后的产 品封装起来的过程，并需要加热硬化。
Logo
EOL– De-flash（去飞边毛刺）
Before After
目的：去飞边毛刺的目的在于去除塑封后在管体周围引脚之间 多余的溢料； 方法：弱酸浸泡，高压水冲洗；
Logo
EOL– Plating（上锡焊）
Logo
FOL– Wafer Saw晶圆切割
晶圆 芯片 蓝膜
切割槽
固定铁环
将晶圆粘贴在蓝膜上，使得即使被切割开后，也不会散落；
通过切割刀片将整片晶圆切割成一个个独立的芯片，方便后面 的 粘贴等工序；
Logo
FOL– Die Attach 芯片贴装
芯片 引线框架 环氧树脂 混合液
芯片贴装是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的 工艺过程
• 按封装材料划分为：
塑料封装
陶瓷封装
金属封装
塑料封装因为其体积小，重量轻，成本低，工艺简单占有大部 分的市场份额； 陶瓷封装散热性、热稳定性和气密性较好，用于高可靠性产品 ，占少量商业化市场； 金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品；
Logo
IC Package （IC的封装形式）
• 封装形式的两个关键因素:
Before Plating
After Plating
使用电镀或浸锡工艺在引脚框架上做保护性镀层，以增加其 可焊性。
Logo
EOL– Trim&Form（切筋成型）
切筋：将一条的引线框架切割成单独的芯片的过程； 成型：对切筋后的IC产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形状。
Logo
EOL– Marking（打码）
Logo
Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介
Logo
IC Process Flow
Customer 客 户
IC Design IC设计 SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
Logo
Introduction of IC Assembly Process
The End
Thank You！
打码就是在封装模块的顶面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标 识，主要为了识别和跟踪
Logo
无尘车间洁净度要求
空气无尘车间洁净度等级(N) 1 2 3 4（十级） 5（百级） 6（千级） 7（万级） 8（十万级） 9（一百万级） 大于或等于表中粒径的最大浓度限值(pc/m3) 0.1um 10 100 1000 10000 100000 1000000 0.2um 2 24 237 2370 23700 237000 10 102 1020 10200 102000 4 35 8 83 832 8320 83200 832000 8320000 29 293 2930 29300 293000 0.3um 0.5um 1um 5um