模电 5频率响应
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结构:由体电阻、结电阻、结电容组成。
因面积大 而阻值小
因多子浓 度高而阻 值小
rbb’:基区体电阻 rb’e’:发射结电阻 Cπ:发射结电容 re:发射区体电阻 rb’c’:集电结电阻 Cμ:集电结电容 rc:集电区体电阻
16
一、混合模型的建立
阻值小
因在放大区承受反 因在放大区iC几乎仅 向电压而阻值大 决定于iB而阻值大
f
2 20 lg | | 20 lg 20 lg 1 + f 0 f f arctan f
22
电流放大倍数的频率特性曲线
0 f 2 1+ ( ) 0 f f 1+ j f f tg-1 f
gm为跨导,它不随信 号频率的变化而变。
连接了输入回路和 输出回路,信号传 递有两个方向,使 电路的分析复杂化 17
二、 混合π模型的单向化(使信号单向传递)
U U U b' e ce b'e I ( 1 k ) Cμ X Cμ X Cμ U ' k ce g m RL ' U be
fL:下限截止频率,简称下限频率 fL
f
90° 45° 0°
f
f=fL时,放大倍数的幅值下 降到70.7%,相移为450 。
5
二、低通电路
令
则
R + + CUo
1 Uo 1 j C Au 1 1 + jRC Ui R+ j C 1 H
H 1 1 fH 2 2 2RC
20 lg | |
fT
0° -45°
-90°
2
0.1f
f 10f f f
fT ; 0 20 lg 0 20 lg 1 + f f 时, 0 f 0 2 f f 时, 0.707 0 , -45; fT 2 0 1+ f f ;f 时, f f 时, 0 , -90 0 f 因fT f ,所以fT 0 f
| Au | 1 0.707
2
当f f H时, | Au | 1, 00;
当f f H时 , | Au |
f fH 当f f H时, 1, | Au | fH f
1 , 450; 2
当f 时, | Au | 0, 900。
对数幅频特性:
横轴刻度: lgf 纵轴刻度: 20 lg | Au | 单位是分贝(dB) 横轴刻度: lgf 纵轴刻度:
对数相频特性:
用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。 幅频特性:以截止频率fL、 fH做拐点,两段直线近似曲线。 相频特性:以截止频率(0.1fL、10fL)(0.1 fH, 10fH)做拐点,直线近
三、单级共射放大电路的对数幅频特性
20lg | Aus | / dB
40 30 20 10 0
3.2
1 fL 10
263×103
102 103 104 105fH 106 f
-90° -135°
-180° -225° -270° f
wk.baidu.com
15
5.2 晶体管的高频等效模型
5.2.1 晶体管的混合模型 混合π模型:形状像Π,参数量纲各不相同
似曲线。
12
一、高通电路的对数幅频特性
| Au |
f fL f 1+ f L
2
f f 20 lg | Au | 20 lg 20 lg 1 + fL f L
2
20 lg | Au | / dB
0 -3 0.1fL fL 10fL
高通 电路 低通 电路 下限频率
f bw f H f L
结电容
上限频率
在低频段,随着信号频率逐渐降低,耦合电容、旁路电
容等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力下降。 在高频段,随着信号频率逐渐升高,晶体管极间电容和 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小,使动态信号 损失,放大能力下降。
fH:上限截止频率,简称上限频率
fH f f
0°
-45° -90°
0
f=fH时,放大倍数的幅值下 降到70.7%,相移为-450 。
fbw f H f L
7
几个结论
jf f L ① 电路低频段的放大倍数需乘因子 1 + jf f L 1 电路高频段的放大倍数需乘因子 1 + jf f L
共基截 止频率 特征 频率 集电结电容
9
3. 放大电路频率响应的表示
(1)用函数式
Au
Uo Ui
Au
jf f L 1 + jf f L
1 1 + jf f L
电路低频段的放大倍数需乘因子 电路高频段的放大倍数需乘因子
j
全频段
f fL Aus Ausm f f 1 + j f 1 + j f L H
等效变换后电流不变
X C'
U b 'e I C
U b 'e U b 'e (1 k ) X C
X C 1 k
' ' Cμ (1+ gm RL )Cμ
k 1 同理可得, C Cμ k
'' μ
18
三、 简化的混合模型
' ' X 'C R'L ,忽略X 'C
2
f 20 lg | Au | 20 lg 1 + f H
2
20 lg | Au | / dB
0 -3
0.1fH fH 10fH
f
近似分析中,可以用折线化的近 1 似波特图表示放大电路的频率特 当 f f H时 , 20 lg | Au | 20 lg 20 lg 2 2 性。折线以截止频率fH做拐点, 0 3 dB , 45 ; 两段直线近似曲线。
一、高通电路
C
+ + R Uo
Au
Uo Ui
频率比较高的信 号能够通过,频 率低的信号不能 通过
R 1 +R jC
1+
1 1 jRC
Ui
-
令
1 1 L RC
f fL | Au | 2 f 1 + f L f 900 arctan fL
f
当f f L时, 20 lg | Au | 20 lg
90° 45° 0°
f
f ,表明f每下 fL
降10倍,增益下降 20dB,即对数幅频特性 在此区间可等效成斜率 为( 20dB / 十倍频) 的直线。
13
二、低通电路的对数幅频特性
| Au |
1 f 1+ f H
当f f L时, 20 lg | Au | 0dB, 00; 近似分析中,可以用折线化的近似 波特图表示放大电路的频率特性。 1 当f f L时 , 20 lg | Au | 20 lg 20 lg 2 折线以截止频率fL做拐点,两段直 2 线近似曲线。 3dB, +450;
0
rb'e
I EQ UT
20
5.2.2 晶体管电流放大倍数 的频率响应
I c I b
U CE
' ' 因为k gm RL 0, 所以Cπ Cπ + Cμ
I c gm U b' e , gm 0 / rb' e
Ic
I rb' e + I C ' gm 1 ' + j C rb' e
g m U b' e 1 ' U b' e r + j C b' e
为什么短路?
0 ' 1 + jrb' e C
21
0 ' 1 + jrb' e C
共射截 止频率
1
令f
1 2
' 2rb' e C
0 ' 1 + jrb' e C 0 0 ' 1 + j 2frb' e C 1 + j f
则
L 1 1 fL 2 2 2RC
幅频特性
f j 1 1 fL Au L f f 1+ 1+ L 1+ j j jf fL
相频特性
4
f fL | Au | 2 f 1 + f L f 900 arctan fL
当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍(增益下降3dB ), 相角超前45º ; 当 f=fH时放大倍数幅值约降到0.707倍(增益下降3dB ),相角滞后45º 。
10
(1)用曲线
频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。 幅频特性:
相频特性:
fL
fH
11
5.1.3 波特图
波特图
用对数坐标画放大电路的频率特性。 可以表示很宽的数据范围。
② 当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍(增益下降3dB ), 相角超前45º ; 当 f=fH时放大倍数幅值约降到0.707倍(增益下降3dB ) 相角滞后45º 。
③ 截止频率决定于电容所在回路的时间常数
f L(H)
1 2 π
8
④ 频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。
放大电路中的频率参数
23
0
f 1+ j f
1+
1 + j f f 1+ 1 + j f f
0
0
1 + 0 + j f f
0
1+ j
0 1 + 0
f ( 1 + 0 ) f
0
f 1+ j f
f ( 1 + 0 ) f
共基截 止频率
24
晶体管的频率参数
f 当f f H时, 20 lg | Au | 20 lg ,表明f每 fH 上升10倍,增益下降 20dB,即对数幅频特 性在此区间可等效成斜 率为( 20dB / 十 倍频)的直线。
14
当f f H时, 20 lg | Au | 0dB, 00;
0° -45°
f
-90°
第五章
放大电路的频率响应
1
第五章
5.1
放大电路的频率响应
频率响应概述
5.2 晶体管的高频等效模型 5.3 场效应管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应
2
5.1
频率响应概述
5.1.1 研究放大电路频率响应的必要性
放大电路中,由于电抗(电容、电感)元件和晶体管极间 电容的存在,使放大倍数的大小随频率变化,同时输入输 出的相位移也随着频率变化。
' ' Cπ C π + Cμ
19
四、混合模型的主要参数
rbb',Cμ可从手册查得 UT rb'e (1 + 0 ) I EQ
' ' Cπ Cπ + Cμ
=?
g U g I r 0 I b m b'e m b b'e gm
' ' Cμ (1+ gm RL )Cμ
放大电路的放大倍数和输入输出的相位移是输入信号频率 的函数——放大电路的频率响应(频率特性)
分析放大电路必须讨论在不同频率下的响应。即它的上、 下限截止频率及通频带。 在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围,在 设计放大电路时,应满足信号频率的范围要求。
3
5.1.2 频率响应的基本概念
| Au | 1 0.707
0
当f f L时, | Au | 1, 00;
当f f L时 , | Au |
f f 当f f L时 , 1, | Au | fL fL -----f下降10倍, | Au |下降10倍
1 , 450; 2
高 通
当f 0时, | Au | 0, +900。
Ui
-
因此
Au
1+ j H
2
1
1 f 1+ j fH
幅频特性
1 | A | u f 1+ f H arctan f fH
相频特性
6
1 | A | u f 1+ f H arctan f fH
因面积大 而阻值小
因多子浓 度高而阻 值小
rbb’:基区体电阻 rb’e’:发射结电阻 Cπ:发射结电容 re:发射区体电阻 rb’c’:集电结电阻 Cμ:集电结电容 rc:集电区体电阻
16
一、混合模型的建立
阻值小
因在放大区承受反 因在放大区iC几乎仅 向电压而阻值大 决定于iB而阻值大
f
2 20 lg | | 20 lg 20 lg 1 + f 0 f f arctan f
22
电流放大倍数的频率特性曲线
0 f 2 1+ ( ) 0 f f 1+ j f f tg-1 f
gm为跨导,它不随信 号频率的变化而变。
连接了输入回路和 输出回路,信号传 递有两个方向,使 电路的分析复杂化 17
二、 混合π模型的单向化(使信号单向传递)
U U U b' e ce b'e I ( 1 k ) Cμ X Cμ X Cμ U ' k ce g m RL ' U be
fL:下限截止频率,简称下限频率 fL
f
90° 45° 0°
f
f=fL时,放大倍数的幅值下 降到70.7%,相移为450 。
5
二、低通电路
令
则
R + + CUo
1 Uo 1 j C Au 1 1 + jRC Ui R+ j C 1 H
H 1 1 fH 2 2 2RC
20 lg | |
fT
0° -45°
-90°
2
0.1f
f 10f f f
fT ; 0 20 lg 0 20 lg 1 + f f 时, 0 f 0 2 f f 时, 0.707 0 , -45; fT 2 0 1+ f f ;f 时, f f 时, 0 , -90 0 f 因fT f ,所以fT 0 f
| Au | 1 0.707
2
当f f H时, | Au | 1, 00;
当f f H时 , | Au |
f fH 当f f H时, 1, | Au | fH f
1 , 450; 2
当f 时, | Au | 0, 900。
对数幅频特性:
横轴刻度: lgf 纵轴刻度: 20 lg | Au | 单位是分贝(dB) 横轴刻度: lgf 纵轴刻度:
对数相频特性:
用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。 幅频特性:以截止频率fL、 fH做拐点,两段直线近似曲线。 相频特性:以截止频率(0.1fL、10fL)(0.1 fH, 10fH)做拐点,直线近
三、单级共射放大电路的对数幅频特性
20lg | Aus | / dB
40 30 20 10 0
3.2
1 fL 10
263×103
102 103 104 105fH 106 f
-90° -135°
-180° -225° -270° f
wk.baidu.com
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5.2 晶体管的高频等效模型
5.2.1 晶体管的混合模型 混合π模型:形状像Π,参数量纲各不相同
似曲线。
12
一、高通电路的对数幅频特性
| Au |
f fL f 1+ f L
2
f f 20 lg | Au | 20 lg 20 lg 1 + fL f L
2
20 lg | Au | / dB
0 -3 0.1fL fL 10fL
高通 电路 低通 电路 下限频率
f bw f H f L
结电容
上限频率
在低频段,随着信号频率逐渐降低,耦合电容、旁路电
容等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力下降。 在高频段,随着信号频率逐渐升高,晶体管极间电容和 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小,使动态信号 损失,放大能力下降。
fH:上限截止频率,简称上限频率
fH f f
0°
-45° -90°
0
f=fH时,放大倍数的幅值下 降到70.7%,相移为-450 。
fbw f H f L
7
几个结论
jf f L ① 电路低频段的放大倍数需乘因子 1 + jf f L 1 电路高频段的放大倍数需乘因子 1 + jf f L
共基截 止频率 特征 频率 集电结电容
9
3. 放大电路频率响应的表示
(1)用函数式
Au
Uo Ui
Au
jf f L 1 + jf f L
1 1 + jf f L
电路低频段的放大倍数需乘因子 电路高频段的放大倍数需乘因子
j
全频段
f fL Aus Ausm f f 1 + j f 1 + j f L H
等效变换后电流不变
X C'
U b 'e I C
U b 'e U b 'e (1 k ) X C
X C 1 k
' ' Cμ (1+ gm RL )Cμ
k 1 同理可得, C Cμ k
'' μ
18
三、 简化的混合模型
' ' X 'C R'L ,忽略X 'C
2
f 20 lg | Au | 20 lg 1 + f H
2
20 lg | Au | / dB
0 -3
0.1fH fH 10fH
f
近似分析中,可以用折线化的近 1 似波特图表示放大电路的频率特 当 f f H时 , 20 lg | Au | 20 lg 20 lg 2 2 性。折线以截止频率fH做拐点, 0 3 dB , 45 ; 两段直线近似曲线。
一、高通电路
C
+ + R Uo
Au
Uo Ui
频率比较高的信 号能够通过,频 率低的信号不能 通过
R 1 +R jC
1+
1 1 jRC
Ui
-
令
1 1 L RC
f fL | Au | 2 f 1 + f L f 900 arctan fL
f
当f f L时, 20 lg | Au | 20 lg
90° 45° 0°
f
f ,表明f每下 fL
降10倍,增益下降 20dB,即对数幅频特性 在此区间可等效成斜率 为( 20dB / 十倍频) 的直线。
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二、低通电路的对数幅频特性
| Au |
1 f 1+ f H
当f f L时, 20 lg | Au | 0dB, 00; 近似分析中,可以用折线化的近似 波特图表示放大电路的频率特性。 1 当f f L时 , 20 lg | Au | 20 lg 20 lg 2 折线以截止频率fL做拐点,两段直 2 线近似曲线。 3dB, +450;
0
rb'e
I EQ UT
20
5.2.2 晶体管电流放大倍数 的频率响应
I c I b
U CE
' ' 因为k gm RL 0, 所以Cπ Cπ + Cμ
I c gm U b' e , gm 0 / rb' e
Ic
I rb' e + I C ' gm 1 ' + j C rb' e
g m U b' e 1 ' U b' e r + j C b' e
为什么短路?
0 ' 1 + jrb' e C
21
0 ' 1 + jrb' e C
共射截 止频率
1
令f
1 2
' 2rb' e C
0 ' 1 + jrb' e C 0 0 ' 1 + j 2frb' e C 1 + j f
则
L 1 1 fL 2 2 2RC
幅频特性
f j 1 1 fL Au L f f 1+ 1+ L 1+ j j jf fL
相频特性
4
f fL | Au | 2 f 1 + f L f 900 arctan fL
当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍(增益下降3dB ), 相角超前45º ; 当 f=fH时放大倍数幅值约降到0.707倍(增益下降3dB ),相角滞后45º 。
10
(1)用曲线
频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。 幅频特性:
相频特性:
fL
fH
11
5.1.3 波特图
波特图
用对数坐标画放大电路的频率特性。 可以表示很宽的数据范围。
② 当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍(增益下降3dB ), 相角超前45º ; 当 f=fH时放大倍数幅值约降到0.707倍(增益下降3dB ) 相角滞后45º 。
③ 截止频率决定于电容所在回路的时间常数
f L(H)
1 2 π
8
④ 频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。
放大电路中的频率参数
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0
f 1+ j f
1+
1 + j f f 1+ 1 + j f f
0
0
1 + 0 + j f f
0
1+ j
0 1 + 0
f ( 1 + 0 ) f
0
f 1+ j f
f ( 1 + 0 ) f
共基截 止频率
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晶体管的频率参数
f 当f f H时, 20 lg | Au | 20 lg ,表明f每 fH 上升10倍,增益下降 20dB,即对数幅频特 性在此区间可等效成斜 率为( 20dB / 十 倍频)的直线。
14
当f f H时, 20 lg | Au | 0dB, 00;
0° -45°
f
-90°
第五章
放大电路的频率响应
1
第五章
5.1
放大电路的频率响应
频率响应概述
5.2 晶体管的高频等效模型 5.3 场效应管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应
2
5.1
频率响应概述
5.1.1 研究放大电路频率响应的必要性
放大电路中,由于电抗(电容、电感)元件和晶体管极间 电容的存在,使放大倍数的大小随频率变化,同时输入输 出的相位移也随着频率变化。
' ' Cπ C π + Cμ
19
四、混合模型的主要参数
rbb',Cμ可从手册查得 UT rb'e (1 + 0 ) I EQ
' ' Cπ Cπ + Cμ
=?
g U g I r 0 I b m b'e m b b'e gm
' ' Cμ (1+ gm RL )Cμ
放大电路的放大倍数和输入输出的相位移是输入信号频率 的函数——放大电路的频率响应(频率特性)
分析放大电路必须讨论在不同频率下的响应。即它的上、 下限截止频率及通频带。 在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围,在 设计放大电路时,应满足信号频率的范围要求。
3
5.1.2 频率响应的基本概念
| Au | 1 0.707
0
当f f L时, | Au | 1, 00;
当f f L时 , | Au |
f f 当f f L时 , 1, | Au | fL fL -----f下降10倍, | Au |下降10倍
1 , 450; 2
高 通
当f 0时, | Au | 0, +900。
Ui
-
因此
Au
1+ j H
2
1
1 f 1+ j fH
幅频特性
1 | A | u f 1+ f H arctan f fH
相频特性
6
1 | A | u f 1+ f H arctan f fH