第三代半导体Ⅲ族氮化物的物理与工程——从基础物理到产业发展的典范

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）北京大学物理学院东莞光电研究院，广东东莞５２３８０８
为代表的 Ⅲ 族氮化物属于宽禁带半导体，摘要以氮化镓（即通常所谓 “ 第三代 ” 半导体ａＮ）Ｇ、材料。作为ＳｉＧｅ以及传统 Ⅲ －Ⅴ 族化合物半导体之后的新一代半导体材料，ａＮ具Ｇ有更大的禁带宽度、更高的击穿电场、更稳定的物理化学性质等优异特性，已经成为半导体研究极为重要的领域和国家重大研究方向。尽管 Ⅲ 族氮化物的晶体质量与传统半导体材料相比仍然有很大差距，但并不妨碍 Ⅲ 族氮化物及其量子结构在光电器件及电子器件中的广泛应用，围绕Ｇ在物理与ａＮ及其他相关氮化物半导体的研究和开发，工程方面都具有极为特殊的意义，是基础物理研究和产业化应用结合的典范。关键词 Ⅲ 族氮化物；发光二极管；半导体技术；产业化；物理与工程的结合
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物理与工wenku.baidu.com Ｖｏｌ．２７Ｎｏ．６２０１７
第三代半导体 Ⅲ 族氮化物的物理与工程
— — — 从基础物理到产业发展的典范
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１（北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心，北京１００８７１；２
ＴＮＨＥＰＨＹＳＩＣＳＡＮＤＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧＩＮ Ⅲ－ＩＴＲＩＤＥＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳ
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