VGA接口处的肖特基二极管ds11006
肖特基整流二极管参数
肖特基整流二极管参数
肖特基二极管，也叫热电子二极管，主要由金属半导体(Metal-Semiconductor)制成，与传统半导体二极管不同，它具有更高的速度和更低的噪音水平，可用于射频和高速电路等领域。
下面，我们将阐
述肖特基二极管的参数特性。
1. 正向电压临界值：肖特基二极管的正向宽幅临界电压尤为重要，正
常范围是0.2 V到 0.5 V。
当这个电压在设备中超过这个限制，指定的功能将无法正常工作。
2. 反向电流 (I_Leakage)：即在正向电压下所引起的漏电流，通常为
pA级别，也就是微小的电流。
如果设备的反向电流大于这个值，将会导致设备的性能下降。
3. 稳定性：肖特基二极管具有很好的热稳定性，能够在极端环境下工作，比如极寒或极热的温度环境下，其性能也相对稳定。
4. 瞬时响应速度：肖特基二极管具有极快的响应速度，可以在亚纳秒(nS)的时间内响应。
这种快速响应时间非常适合处理大量的高速数据。
5. 更低的开关延时：肖特基二极管实现布尔逻辑电路的开关控制时，
具有比传统半导体二极管更低的开关延迟，从而可以在更短的时间内完成数据处理。
6. 热耐性：由于肖特基二极管的制造材料具有一定的热稳定性，因此耐高温的性能相对而言更好。
可以在高温环境下使用，而不会导致过多的性能下降。
总之，肖特基二极管具有响应速度快、稳定性好、耐高温等特点，适用于高速电路和射频领域等领域，在实际应用中有非常广泛的应用价值。
肖特基(SCHOTTKY)系列二极管
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。
介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。
对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。
最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。
本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
常用肖特基二极管型号及参数
常用肖特基二极管型号及参数肖特基二极管是一种特殊的二极管，由于其具有较高的开关速度和低的开启电压，被广泛应用于电子领域中的高频电路、开关电路和功率放大电路等。
本文将介绍几种常用的肖特基二极管型号及其参数。
1. 1N58171N5817是一种常用的肖特基二极管，其最大反向电压为20V，最大正向电流为1A。
它具有快速恢复特性和低的正向压降，适用于高频开关电源和充电电路。
2. 1N58221N5822是一种常见的肖特基二极管，其最大反向电压为40V，最大正向电流为3A。
该型号的二极管具有较低的正向压降和较高的开关速度，适用于高频开关电源、稳压电路和逆变电路。
3. SR5100SR5100是一种高性能的肖特基二极管，其最大反向电压为100V，最大正向电流为5A。
该型号的二极管具有较低的反向电流和较高的开关速度，适用于高频开关电源、电机驱动和电源逆变器等应用。
4. BAT54BAT54是一种超小封装的肖特基二极管，其最大反向电压为30V，最大正向电流为200mA。
该型号的二极管具有快速恢复特性和低的正向压降，适用于便携式电子产品、无线通信和电源管理等领域。
5. SB5150SB5150是一种高性能的肖特基二极管，其最大反向电压为150V，最大正向电流为5A。
该型号的二极管具有较低的反向电流和较高的开关速度，适用于高频开关电源、电机驱动和电源逆变器等应用。
6. MBR20100CTMBR20100CT是一种高功率的肖特基二极管，其最大反向电压为100V，最大正向电流为20A。
该型号的二极管具有快速恢复特性和低的正向压降，适用于高功率开关电源、电机驱动和逆变器等高要求的应用。
肖特基二极管是一种具有快速恢复特性和低的正向压降的二极管。
常用的肖特基二极管型号包括1N5817、1N5822、SR5100、BAT54、SB5150和MBR20100CT等。
这些二极管具有不同的最大反向电压和最大正向电流，适用于不同的应用场景。
DS-1100K快速操作指南v2.3.0中性(1)
网络键盘快速操作指南UD.6L0103B0147A02非常感谢您购买我司产品，如您有任何疑问或需求请随时联系我们。
本手册可能包含技术上不准确的地方、或与产品功能及操作不相符的地方、或印刷错误。
我司将根据产品功能的增强或变化而更新本手册的内容，并将定期改进及更新本手册中描述的软硬件产品。
更新的内容将会在本手册的新版本中加入，恕不另行通知。
本手册中内容仅为用户提供参考指导作用，不保证与实物完全一致，请以实物为准。
本手册中提到的部件、组件和附件仅作说明之用，不代表购买机型的配置，详细配置请以装箱单为准。
0203001031013安全使用注意事项使用本产品时请务必遵守以下事项：⏹本设备上不能放置盛有液体的容器（例如花瓶）。
⏹将设备放置在足够通风的空间并防止堵塞通风口。
⏹检查电源电压，防止出现电压不配导致器件损坏。
⏹使设备工作在技术指标允许的温度及湿度范围内。
⏹水平放置，避免安装在剧烈震动的环境下。
⏹电路板上的灰尘在受潮后会引起短路，为了使设备能长期正常工作，应该定期除尘。
目录第1章.配置 (4)1.1登录 (4)1.2配置网络参数 (6)1.3添加设备 (6)1.4用户管理以及关联设备 (10)第2章.快捷操作 (14)2.1锁定和解锁 (15)2.2本地预览 (16)2.3输入设置和输出设置 (17)2.3.1输入设置 (17)2.3.2输出设置 (18)2.4解码上墙 (19)2.4.1画面分割 (19)2.4.2解码上墙 (20)2.4.3回放上墙 (22)2.5云台控制 (24)2.5.1云台控制功能 (24)2.5.2预置点 (25)2.5.3巡航 (29)第1章.配置说明：网络键盘快速操作指南用于引导用户快速地配置键盘并进行基本的控制操作。
分“配置”和“快捷操作”2个章节，如果第一次使用，请按顺序进行操作，如果已经对键盘完成了配置，可以从第2章快捷操作直接开始。
如果需要掌握全部的快捷操作，可以参考《网络键盘操作手册》。
肖特基二极管常用参数大全
肖特基二极管常用参数大全1.电流电压特性：肖特基二极管的电流电压特性是其最重要的参数之一、它包括正向电压、反向电压和漏泄电流。
正向电压是指在正向偏置情况下肖特基二极管所支持的最大电压值。
反向电压是指在反向偏置情况下肖特基二极管所能承受的最大电压值。
漏泄电流是指当肖特基二极管处于反向偏置状态时，从阳极到阴极电流的数值。
2.规格参数：肖特基二极管的规格参数包括最大额定电流、最大额定功率和最大频率。
最大额定电流是指肖特基二极管所能承受的最大电流值。
最大额定功率是指肖特基二极管所能承受的最大功率值。
最大频率是指肖特基二极管所能支持的最高工作频率。
3.转导电导：转导电导是指肖特基二极管在正向偏压下的导纳值。
它是电流和电压的比值，用来衡量肖特基二极管的导电能力。
4.热稳定性：5.漏极电容：漏极电容是指肖特基二极管的漏极到阴极之间的电容值。
它与肖特基二极管的工作频率密切相关。
6.正向压降：正向压降是指肖特基二极管在正向偏压下的电压降。
较低的正向压降意味着肖特基二极管的能耗较低。
7.动态电阻：动态电阻是指肖特基二极管在正向偏压下的阻抗大小。
它与肖特基二极管的导通特性相关。
8.寿命：寿命是指肖特基二极管的使用寿命。
一个好的肖特基二极管应该具有较长的寿命。
9.噪声：噪声是指肖特基二极管产生的噪声信号。
较小的噪声意味着肖特基二极管具有较低的噪音水平。
10.尺寸与封装：尺寸与封装是指肖特基二极管的物理尺寸和封装形式。
常见的封装包括TO-220、TO-247等。
西门子肖特基二极管 MBR1100-D 使用手册说明书
MBR1100Axial Lead RectifierThese rectifiers employ the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low−voltage, high−frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.Features•Low Reverse Current•Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction•Low Power Loss/High Efficiency•Highly Stable Oxide Passivated Junction•Guard−Ring for Stress Protection•Low Forward V oltage•175°C Operating Junction Temperature•High Surge Capacity•These Devices are Pb−Free and are RoHS CompliantMechanical Characteristics:•Case: Epoxy, Molded•Weight: 0.4 Gram (Approximately)•Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable•Lead Temperature for Soldering Purposes:260°C Max. for 10 Seconds•Polarity: Cathode Indicated by Polarity BandMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitPeak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRMV RWMV R100VAverage Rectified Forward Current (V R(equiv)≤0.2 V R(dc), R q JA = 50°C/W,P.C. Board Mounting, [see Note 3], T A = 120°C)I O 1.0APeak Repetitive Forward Current(V R(equiv)≤ 0.2 V R(dc), R q JA = 50°C/W,P.C. Board Mounting, [see Note 3], T A = 110°C)I FRM2.0ANon−Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)I FSM50AOperating and Storage Junction Temperature Range (Note 1)T J, T stg−65 to+175°CVoltage Rate of Change (Rated V R)dv/dt10V/ns Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.1.The heat generated must be less than the thermal conductivity fromJunction−to−Ambient: dP D/dT J < 1/R q JA.Device Package Shipping†ORDERING INFORMATIONSCHOTTKYBARRIER RECTIFIER1.0 AMPERE, 100 VOLTSMBR1100G Axial Lead(Pb−Free)1000 Units/Bag†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D.MBR1100RLG Axial Lead(Pb−Free)5000/T ape & ReelMARKING DIAGRAMA= Assembly LocationY= YearWW= Work WeekG= Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)THERMAL CHARACTERISTICS (See Note 4)CharacteristicSymbol Max Unit Thermal Resistance, Junction−to−AmbientR q JASee Note 3°C/WELECTRICAL CHARACTERISTICS (T L = 25°C unless otherwise noted)CharacteristicSymbol MaxUnit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)(i F = 1 A, T L = 25°C)(i F = 1 A, T L = 100°C)V F0.790.69VMaximum Instantaneous Reverse Current @ Rated dc Voltage (Note 2)(T L = 25°C)(T L = 100°C)i R0.55.0mA2.Pulse Test: Pulse Width = 300 m s, Duty Cycle ≤2.0%.Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Typical Reverse Current {Figure 3. Current Derating (Mounting Method 3 per Note 3)Figure 4. Power Dissipation0.60.90v F , INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)20102.05.01.0V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)609000.20.040.020.011201600T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)4.03.02.01.0I F(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)1.004.03.02.01.02.0140i F , I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A M P S )I I P F (A V ), A V E R A G E P O W E R D I S S I P A T I O N (W A T T S )0.50.20.10.30.10.20.40.50.70.8708010203040500.10.41.020********* 3.0 4.0 5.00.050.021.1 1.41.0 1.2 1.3100, R E V E R S E C U R R E N T ( A )R m 4.02.01020100402001 K400200180, A V E R A G E F O R W A R D C UR R E N T (A M P S )F (A V){ The curves shown are typical for the highest voltage device in the voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections can be estimated from these same curves if V R is sufficiently below rated V R .Figure 5. Typical Capacitance2040V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)150504*********C , C A P A C I T A N C E (p F )50100601001070809070609080NOTE 3 — MOUNTING DATA:Data shown for thermal resistance junction−to−ambient (R q JA) for the mounting shown is to be used as a typical guideline values for preliminary engineering or in case the tie point temperature cannot be measured.Typical Values for R q JA in Still AirMounting MethodLead Length, L (in)R q JA 1/81/41/23/4152657285°C/W 2678087100°C/W 3—50°C/WMounting Method 1P .C. Board with 1−1/2″ x 1−1/2″copper surface.Mounting Method 3P .C. Board with1−1/2″ x 1−1/2″copper surface.PLANEMounting Method 2″NOTE 4 — THERMAL CIRCUIT MODEL:(For heat conduction through the leads)Use of the above model permits junction to lead thermal resistance for any mounting configuration to be found. For a given total lead length, lowest values occur when one side of the rectifier is brought as close as possible to the heat sink.Terms in the model signify:T A = Ambient Temperature T C = Case Temperature T L = Lead Temperature T J = Junction Temperature R q S = Thermal Resistance, Heat Sink to Ambient R q L = Thermal Resistance, Lead to Heat Sink R q J = Thermal Resistance, Junction to Case P D = Power Dissipation(Subscripts A and K refer to anode and cathode sides,respectively.) V alues for thermal resistance components are:R q L = 100°C/W/in typically and 120°C/W/in maximum.R q J = 36°C/W typically and 46°C/W maximum.NOTE 5 — HIGH FREQUENCY OPERATION:Since current flow in a Schottky rectifier is the result of majority carrier conduction, it is not subject to junction diode forward and reverse recovery transients due to minority carrier injection and stored charge. Satisfactory circuit analysis work may be performed by using a model consisting of an ideal diode in parallel with a variable capacitance. (See Figure 5)Rectification efficiency measurements show that operation will be satisfactory up to several megahertz. For example, relative waveform rectification efficiency is approximately 70 percent at 2 MHz, e.g., the ratio of dc power to RMS power in the load is 0.28 at this frequency,whereas perfect rectification would yield 0.406 for sine wave inputs. However, in contrast to ordinary junction diodes, the loss in waveform efficiency is not indicative of power loss: it is simply a result of reverse current flow through the diode capacitance, which lowers the dc output voltage.SCALE 1:1BDIM MIN MAX MIN MAX MILLIMETERSINCHES A 4.10 5.200.1610.205B 2.00 2.700.0790.106D 0.710.860.0280.034F −−− 1.27−−−0.050K25.40−−−1.000−−−NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.3.ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH JEDEC DO −41 OUTLINE SHALL APPLY4.POLARITY DENOTED BY CATHODE BAND.5.LEAD DIAMETER NOT CONTROLLED WITHIN F DIMENSION.AXIAL LEAD CASE 59−10ISSUE UDATE 15 FEB 2005GENERICMARKING DIAGRAM*xxx = Specific Device Code A = Assembly Location YY = YearWW= Work WeekSTYLE 1:PIN 1.CATHODE (POLARITY BAND)2.ANODESTYLE 2:NO POLARITYSTYLE 1STYLE 2*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “ G ”,may or may not be present.MECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor thePUBLICATION ORDERING INFORMATIONTECHNICAL SUPPORTNorth American Technical Support:Voice Mail: 1 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Phone: 011 421 33 790 2910LITERATURE FULFILLMENT :Email Requests to:*******************onsemi Website: Europe, Middle East and Africa Technical Support:Phone: 00421 33 790 2910For additional information, please contact your local Sales Representative。
2cr104肖特基二极管参数
2CR104肖特基二极管参数1.引言肖特基二极管（S cho t tk yD io de）是一种半导体器件，具有快速开关特性和低功耗的优点。
它由金属-半导体结构组成，相比于普通二极管具有更低的正向电压丢失和更快的开关速度。
2CR104是一款常见的肖特基二极管型号，本文将介绍其参数及相关特性。
2. 2C R104肖特基二极管参数下面是2CR104肖特基二极管的主要参数：最大正向电流（I F）-：该参数指示了二极管能够承受的最大正向电流。
对于2C R104肖特基二极管而言，其最大正向电流为100m A。
正向导通压降（V F）-：该参数表示在正向工作状态下，二极管中的电压降。
2C R104肖特基二极管的正向导通压降约为0.35V。
反向击穿电压（V R）-：该参数是指当反向电压超过一定值时，二极管会发生击穿现象。
对于2C R104肖特基二极管而言，其反向击穿电压为5V。
反向漏电流（I R）-：该参数表示在反向工作状态下，二极管中的漏电流。
2CR104肖特基二极管的反向漏电流约为10μA。
响应时间（t r、t f）-：该参数表示二极管由非导通到导通（t r）和由导通到非导通（tf）的响应时间。
2CR104肖特基二极管的响应时间非常短，通常在纳秒级别。
环境工作温度（T）-：该参数指示了二极管能够正常工作的环境温度范围。
对于2CR104肖特基二极管而言，其环境工作温度范围通常为-55℃至+125℃。
3. 2C R104肖特基二极管特性2C R104肖特基二极管具有以下特性：快速开关特性-：由于肖特基二极管的结构特点，其在开关过程中具有更快的转换速度。
这使得2C R104在高频应用中非常有用，例如射频通信和功率放大器等。
低向前电压丢失-：相比于传统的PN结二极管，2C R104肖特基二极管的正向电压丢失更低。
这意味着在正向工作状态下，能够减少能量损耗和发热。
低反向漏电流-：2CR104肖特基二极管具有较低的反向漏电流，可以确保在反向工作状态下，能够最小化漏电流的影响。
肖特基二极管主要参数
肖特基二极管主要参数
肖特基二极管是一种半导体二极管，它具有相比传统矽二极管更高的开关速度和低噪声特性。
以下是肖特基二极管的主要参数：
1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：肖特基二极管在正向导通状态下的电压降。
通常为0.2-0.5V，较低矽二极管的典型值更小。
2. 反向电压（Reverse Voltage）：肖特基二极管可以承受的最大反向电压。
通常为30-200V。
3. 正向电流（Forward Current）：肖特基二极管在正向导通状态下可以通过的最大电流。
通常为几十毫安到几安。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：肖特基二极管在反向偏置状态下的漏电流。
通常非常小，一般为几微安到几毫安。
5. 开关速度（Switching Speed）：肖特基二极管的响应速度。
由于肖特基二极管中没有存储电荷，所以其开关速度较矽二极管更快。
6. 热稳定性（Thermal Stability）：肖特基二极管的温度特性。
肖特基二极管具有较低的温度导致电流变化的特点。
7. 噪声系数（Noise figure）：肖特基二极管的噪声性能。
由于肖特基二极管的结构特点，其在高频应用中具有较低的噪声系数。
这些参数可以帮助工程师选择合适的肖特基二极管用于特定应用，例如高频放大器、开关电路和功率电源等。
常用肖特基二极管参数
常用肖特基二极管参数双击自动滚屏发布者：admin 发布时间：2007-2-1 阅读：3310次型号制造商封装If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0.6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9610BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0.6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57SS16 GS DO214 1.00 60 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.4530BQ015 IR SMC 3.00 15 0.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0.5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0.5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.57 6CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.58 6CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.81 1N5817 ON 轴向 1.00 20 0.75 1N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55 SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00 MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52 MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 20 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85 SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66 MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84 MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84 MBR745 IR TO220 7.50 45 0.84 80SQ040 IR 轴向8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 100 0.7280SQ040 IR 轴向8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53 HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向9.00 15 0.3190SQ040 轴向9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.00 45 0.57MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84 MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84 STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64 MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85 MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95 PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.7010TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.7340L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.4185CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32150K40A IR D08 150.00 400 1.3312CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73 MBR1545CT IR TO220 pr 15.00 45 0.72 MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.7516CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.7218TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60 HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00 MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.6319CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84 MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80 MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.4932CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.4930CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.86 30CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.00 40CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.77 40L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.5347CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.3448CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.5840L15CW IR TO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.3840CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.6840L45CW IR TO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.98 52CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73 STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.84 65PQ015 IR TO247 65.00 15 0.5072CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.51 85CNQ015 IR D61 80.00 15 0.3283CNQ100 IR D61 80.00 100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.3282CNQ030A IR D61 80.00 30 0.3782CNQ045A IR D61 80.00 45 0.4783CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52 125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33 122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95 182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41 200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54 200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54 200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48 STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91 203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83 440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41。
肖特基二极管
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。
其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。
从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。
前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。
MA2J732 (MA732) 肖特基二极管数据表说明书
Schottky Barrier Diodes (SBD)MA2J732 (MA732)Silicon epitaxial planar typeFor switchingFor wave detection I Features•Low forward voltage V F , optimum for low voltage rectification •Low V F type of MA3X704A (MA704A)•Optimum for high frequency rectification because of its short re-verse recovery time (t rr )•S-Mini type 2-pin packageI Absolute Maximum Ratings T a = 25°CParameterSymbol Rating Unit Reverse voltage (DC)V R 30V Peak reverse voltage V RM 30V Peak forward current I FM 150mA Forward current (DC)I F 30mA Junction temperature T j 125°C Storage temperatureT stg−55 to +125°CMarking Symbol: 2CParameterSymbol ConditionsMinTypMax Unit Reverse current (DC)I R V R = 30 V 30µA Forward voltage (DC)V F1I F = 1 mA 0.3VV F2I F = 30 mA 1.0Terminal capacitance C t V R = 1 V, f = 1 MHz 1.5pF Reverse recovery time *t rr I F = I R = 10 mA1.0ns I rr = 1 mA, R L = 100 ΩDetection efficiencyηV in = 3 V (peak) , f = 30 MHz 65%R L = 3.9 k Ω, C L = 10 pFI Electrical Characteristics T a = 25°CBias Application Unit N-50BU90%Pulse Generator (PG-10N)R s = 50 10%Input PulseOutput Pulset r t pt rrV I FttAUnit: mm1 : Anode2 : Cathode EIAJ : SC-90ASMini2-F1 Package5°5°1.25±0.10.7±0.12.5±0.21.7±0.10.4±0.10 t o 0.1(0.15)0.160.5±0.112+0.1–0.060.35±0.10 to 0.1Note)1.This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human bodyand the leakage of current from the operating equipment.2.Rated input/output frequency: 2 GHz3.*: t rr measuring instrument查询MA2J732供应商捷多邦，专业PCB打样工厂，24小时加急出货MA2J732I F V F IV V F T aI R T a C t V R10−10−1010Forward voltage V F(V)ForwardcurrentIF(mA)10−1110102103104Reverse voltage V R(V)ReversecurrentIR(µA)Ambient temperature T a(°C)ForwardvoltageVF(V)10−–4004080120160200101010Ambient temperature T a(°C)ReversecurrentIR(µA)0.40.81.21.62.02.42.83.20510********Reverse voltage V R(V)TerminalcapacitanceC t(pF)f = 1 MHzT a= 25°CRequest for your special attention and precautions in using the technical information and semiconductors described in this material(1)An export permit needs to be obtained from the competent authorities of the Japanese Govern-ment if any of the products or technologies described in this material and controlled under the "Foreign Exchange and Foreign Trade Law" is to be exported or taken out of Japan.(2)The technical information described in this material is limited to showing representative character-istics and applied circuit examples of the products. It does not constitute the warranting of industrial property, the granting of relative rights, or the granting of any license.(3)The products described in this material are intended to be used for standard applications or gen-eral electronic equipment (such as office equipment, communications equipment, measuring in-struments and household appliances).Consult our sales staff in advance for information on the following applications:•Special applications (such as for airplanes, aerospace, automobiles, traffic control equipment, combustion equipment, life support systems and safety devices) in which exceptional quality and reliability are required, or if the failure or malfunction of the products may directly jeopardize life or harm the human body.•Any applications other than the standard applications intended.(4)The products and product specifications described in this material are subject to change withoutnotice for reasons of modification and/or improvement. At the final stage of your design, purchas-ing, or use of the products, therefore, ask for the most up-to-date Product Standards in advance to make sure that the latest specifications satisfy your requirements.(5)When designing your equipment, comply with the guaranteed values, in particular those of maxi-mum rating, the range of operating power supply voltage and heat radiation characteristics. Other-wise, we will not be liable for any defect which may arise later in your equipment.Even when the products are used within the guaranteed values, redundant design is recommended, so that such equipment may not violate relevant laws or regulations because of the function of our products.(6) When using products for which dry packing is required, observe the conditions (including shelf lifeand after-unpacking standby time) agreed upon when specification sheets are individually exchanged.(7) No part of this material may be reprinted or reproduced by any means without written permissionfrom our company.Please read the following notes before using the datasheetsA.These materials are intended as a reference to assist customers with the selection of Panasonicsemiconductor products best suited to their applications.Due to modification or other reasons, any information contained in this material, such as available product types, technical data, and so on, is subject to change without notice.Customers are advised to contact our semiconductor sales office and obtain the latest information before starting precise technical research and/or purchasing activities.B.Panasonic is endeavoring to continually improve the quality and reliability of these materials butthere is always the possibility that further rectifications will be required in the future. Therefore, Panasonic will not assume any liability for any damages arising from any errors etc. that may ap-pear in this material.C.These materials are solely intended for a customer's individual use.Therefore, without the prior written approval of Panasonic, any other use such as reproducing, selling, or distributing this material to a third party, via the Internet or in any other way, is prohibited.This datasheet has been download from: Datasheets for electronics components.。
[常用肖特基二极管参数]常用肖特基二极管参数
![[常用肖特基二极管参数]常用肖特基二极管参数](https://img.taocdn.com/s3/m/0f594dc0b8f3f90f76c66137ee06eff9aef8493e.png)
[常用肖特基二极管参数]常用肖特基二极管参数篇一: 常用肖特基二极管参数型号制造商封装If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60BA T15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BA T54APSSOT23 0.20 30 0.5010MQ060NIRSMA0.77 90 0.6510MQ100NIRSMA0.77 100 0.9610BQ015 IRSMB1.00 15 0.34SS12GSDO2141.00 20 0.50MBRS130L T3ON-1.00 30 0.3910BQ040 IRSMB1.00 40 0.53RB060L-40 ROHMPMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHMPMDS 1.00 40 0.55 SS14GSDO2141.00 40 0.50MBRS140T3 ON-1.00 40 0.6010BQ060 IRSMB1.00 60 0.57SS16GSDO2141.00 60 0.7510BQ100 IRSMB1.00 100 0.78 MBRS1100T3ON-1.00 100 0.7510MQ040NIRSMA1.10 40 0.5115MQ040NIRSMA1.70 40 0.55PBYR245CT PSSOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IRSMC3.00 15 0.3530BQ040 IRSMC3.00 40 0.5130BQ060 IRSMC3.00 60 0.5830BQ100 IRSMC3.00 100 0.79 STPS340USTM SOD6 3.00 40 0.84 MBRS340T3 ON-3.00 40 0.52RB051L-40 ROHMPMDS 3.00 40 0.45 MBRS360T3 ON-3.00 60 0.7030WQ04FNIRDPAK 3.30 40 0.6230WQ06FNIRDPAK 3.30 60 0.7030WQ10FNIRDPAK 3.30 100 0.91 30WQ03FNIRDPAK 3.50 30 0.52 50WQ03FNIRDPAK 5.50 30 0.53 50WQ06FNIRDPAK 5.50 60 0.576CWQ06FNIRDPAK 6.60 60 0.586CWQ10FNIRDPAK pr6.60 100 0.81 1N5817ON轴向1.00 20 0.751N5818ON轴向1.00 30 0.55SB130 GS轴向1.00 30 0.501N5819ON轴向1.00 40 0.60MBR150ON轴向1.00 50 1.00MBR160ON轴向1.00 60 1.00 11DQ10IR轴向1.10 100 0.85 11DQ04IR轴向1.10 40 0.5511DQ05IR轴向1.10 50 0.5811DQ06IR轴向1.10 60 0.58 MBRS340TR IRSMC3.00 40 0.43 1N5820ON轴向3.00 20 0.851N5821ON轴向3.00 30 0.381N5822ON轴向3.00 40 0.52 MBR360ON轴向3.00 60 1.00 SS32GSDO2143.00 20 3.00SS34GSDO2143.00 40 0.5031DQ10IRDO2013.30 100 0.85 SB530 GS轴向5.00 30 0.57 SB540 GSDO2015.00 40 0.57 50SQ080 IR轴向5.00 80 0.66 50SQ100 IR轴向5.00 100 0.66 MBR735GSTO2207.50 35 0.84 MBR745GSTO2207.50 45 0.84 MBR745IRTO2207.50 45 0.84 80SQ040 IR轴向8.00 40 0.53 STQ080IRTO2208.00 80 0.728TQ100TO2208.00 100 0.7280SQ040 IR轴向8.00 40 0.5380SQ035 IRDO204AR8.00 35 0.53 HFA16PA60CIRTO247CT8.00 600 1.70 95SQ015 轴向9.00 15 0.3190SQ040 轴向9.00 40 0.4810TQ045 TO22010.00 45 0.57MBR1035 GSTO22010.00 35 0.84 MBR1045 ONTO22010.00 45 0.84 STPS1045F ONISO220 10.00 45 0.64 MBR2060CT ONTO22010.00 60 0.85MBR1060 ONTO22010.00 60 0.95 PBYR10100 PSTO22010.00 100 0.70 10TQ040 IRTO22010.00 40 0.57 MBR1045 IRTO22010.00 45 0.8410CTQ150-1IRD2pak10.00 150 0.73 40L15CTSIRD2pak10.00 150 0.4185CNQ015A IRD6180.00 15 0.32 150K40A IRD08150.00 400 1.3312CTQ040 IRTO220 12.00 45 0.73 MBR1545CTIRTO220 pr15.00 45 0.72 MBR1660GSTO220 16.00 60 0.7516CTQ080 IRTO220 pr16.00 80 0.72 16CTQ100 IRTO220 pr16.00 100 0.72 16CTQ100-1 IRD2Pak 16.00 100 0.72 18TQ045ONTO220 18.00 45 0.60 HFA16PB120 IRTO247 16.00 1200 3.00 MBR1645IRTO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ015 IRTO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IRTO220 pr20.00 45 0.64 20TQ045IRTO220 20.00 45 0.57MBR2045CTIRTO220 pr20.00 45 0.84 MBR2090CTIRTO220 pr20.00 90 0.80MBR20100CT IRTO220 pr20.00 100 0.80 MBR20100CT-1IRTO262 20.00 100 0.80 MBR2080CTIRTO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CTIRTO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WTIRTO247 30.00 4532CTQ030 IRTO220 pr30.00 30 0.4932CTQ303-1 IRD2Pak 30.00 30 0.4930CPQ060 IRTO220 pr30.00 60 0.6230CPQ080IRTO247AC 30.00 80 0.8630CPQ100IRTO247 pr30.00 100 0.8630CPQ150 IRTO247 pr30.00 150 1.0040CPQ040 IRTO247 pr40.00 40 0.49 40CPQ045 IRTO247 pr40.00 45 0.49 40CPQ050 IRTO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IRTO247 pr40.00 100 0.77 40L15CTIRTO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IRTO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IRTO220 40.00 60 0.58 40L15CWIRTO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IRTO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IRTO220 40.00 45 0.68 40L45CWIRTO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ONTO247 40.00 60 0.68 MBR4045WTIRTO247 40.00 45 0.59 MBR4060WTIRTO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IRTO220 40.00 100 0.98 52CPQ030 IRTO247 50.00 30 0.38 MBR6045WTIRTO247pr 60.00 45 0.73 STPS6045CPIONTOP3I 60.00 45 0.84 65PQ015IRTO247 65.00 15 0.5072CPQ030 IRTO247AC 70.00 30 0.51 85CNQ015 IRD61 80.00 15 0.3283CNQ100 IRD61 80.00 100 0.6780CPQ020 IRTO247 80.00 20 0.3282CNQ030AIRD61 80.00 30 0.3782CNQ045AIRD61 80.00 45 0.4783CNQ100AIRD61 80.00 100 0.67120NQ045IRHALFPAK 120.00 45 0.52 125NQ015 IRD67 120.00 15 0.33122NQ030 IRD67 120.00 30 0.41STPS16045TVONISOTOP 160.00 45 0.95 182NQ030 IRD67 180.00 30 0.41200CNQ040IRTO244AB 200.00 40 0.54 200CNQ045IRTO244AB 200.00 45 0.54200CNQ030IRTO244AB 200.00 30 0.48 STPS24045TVONISOTOP 240.00 45 0.91 203CMQ080IRTO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IRHALFPAK 240.00 45 0.55 301CNQ045IRTO244 300.00 45 0.59 403CNQ100IRTO244AB 400.00 100 0.83 440CNQ030IRTO244AB 440.00 30 0.41 肖特基二极管肖特基二极管肖特基整流二极管型号额定IA VRRM V向峰值电压浪涌电流IFSM A反向恢复时间ns SB0200.6202010SB0300.6302010SB0400.64020101N581712025101N581813025101N58191402510SB1201204010SB1301304010SB1401404010SB150150405SB160160405 SR1201204020 SR1301304020 SR1401404020 SR1501504020 SR1601604020 SR1801804020 SR1A011004020 SB2202205020 SB2302305020 SB2402405020SB2502505020 SB2602605020 SR2202205010 SR2302305010 SR2402405010 SR2502505010 SR2602605010 SR2802805010 SR2A021005010 1N58203208020 1N582133080201N58223408020 SB3203208020 SB3303308020 SB3403408020 SB3503508010 SB3603608010 SR3203208020 SR3303308020 SR3403408020 SR3503508020 SR3603608020SR3803808020 SR3A031008020 SB52052015050 SB53053015050 SB54054015050 SB55055015025 SB56056015025 SR52052015050 SR53053015050 SR54054015050 SR55055015025SR56056015025SR58058015025SR5A0510015025篇二: 肖特基二极管原理和常用参数和检测方法肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
肖特基二极管mbrp600100ct”参数说明(二)
肖特基二极管mbrp600100ct”参数说明(二)肖特基二极管MBRP600100CT参数说明1. 引言肖特基二极管MBRP600100CT是一种高性能的功瓦级二极管，广泛应用于大功率电子设备中。
本文将对其参数进行详细的说明。
2. 参数列表以下是肖特基二极管MBRP600100CT的基本参数列表：•电流：600A•峰值反向电压：100V•衰减时间：10ns•工作温度范围：-65℃至+150℃•封装类型：TO-2523. 参数解释电流电流是指通过二极管的电流值，单位为安培（A），它表示了二极管所能承受的最大电流。
对于肖特基二极管MBRP600100CT而言，其额定电流为600A，因此在实际应用中，保持电流不超过600A，可以确保二极管的正常工作。
峰值反向电压峰值反向电压是指二极管能够承受的最大反向电压值。
对于肖特基二极管MBRP600100CT，其峰值反向电压为100V。
超过该电压值，二极管将无法正常工作，并且可能发生损坏。
衰减时间衰减时间是指二极管从导通到截止的过渡时间，也被称为反向恢复时间。
对于肖特基二极管MBRP600100CT而言，其衰减时间为10ns，较短的衰减时间可以提高二极管的开关速度。
工作温度范围工作温度范围是指二极管能够正常工作的环境温度范围。
对于肖特基二极管MBRP600100CT，其工作温度范围为-65℃至+150℃。
在应用中，需要确保二极管的工作温度不超过这个范围，以免影响其性能和寿命。
封装类型封装类型是指二极管的外形尺寸和形状。
对于肖特基二极管MBRP600100CT，其封装类型为TO-252。
TO-252封装是一种表面贴装封装，通常用于表面贴装技术（SMT）的应用场合。
4. 使用建议•在实际应用中，保持二极管的工作电流不超过其额定电流600A，以确保其正常工作。
•注意不要超过二极管的峰值反向电压100V，避免损坏。
•了解二极管的衰减时间10ns，可以根据实际需求选择合适的应用场景。
肖特基二极管1n5819ws sl参数
肖特基二极管1N5819WS SL是一种常用的低压降肖特基二极管，具有高效、快速和可靠的特性。
该二极管适用于各种类型的电子设备和电路中，广泛应用于电源管理、逆变器、功率因数校正和开关电源等领域。
以下是1N5819WS SL的参数：1. 耐压：1N5819WS SL的正向工作电压为40V，反向工作电压为40V。
这一特性使得该二极管在低压电路中具有良好的稳定性和可靠性。
2. 电流：1N5819WS SL的最大正向电流为1A，最大反向电流为25uA。
这使得该二极管能够适应各种电路的工作需求，同时保证其稳定性和可靠性。
3. 封装：1N5819WS SL采用SOD-123封装，尺寸为2.1mm×1.4mm×1.1mm。
这种小型封装使得该二极管在各种电路中都能够灵活布局和设计，节省空间，提高电路的集成度和稳定性。
4. 温度特性：1N5819WS SL的工作温度范围为-65℃至+150℃。
这一特性使得该二极管适用于各种恶劣的工作环境，能够稳定工作并保持良好的性能。
5. 应用领域：1N5819WS SL广泛应用于各种类型的低压电源管理和开关电源中，如逆变器、电源适配器、稳压器、电池充电器等领域。
同时也广泛应用于电子设备、通讯设备和汽车电子等领域。
肖特基二极管1N5819WS SL具有低压降、快速响应、高效稳定的特性，适用于各种低压电路中，并具有良好的温度特性和封装特性。
在各种电子设备和电路中都有着广泛的应用前景。
肖特基二极管1N5819WS SL作为一种高性能的电子元件，在当前的电子行业中扮演着至关重要的角色。
其优秀的参数使得它在各种低压电路中有着广泛的应用，并且在电源管理、逆变器、功率因数校正和开关电源等领域中都有着出色的表现。
1N5819WS SL的低压降特性使得它在电路中能够提供高效稳定的性能。
与普通的整流二极管相比，肖特基二极管的正向压降更低，能够减少功耗、提高效率，特别是在一些对性能要求较高的电源管理和功率控制领域中，这一特性表现得尤为突出。
肖特基二极管
肖特基二极管随着计算机的发展，电子技术的发展也变得越来越迅速。
在这一过程中，电子元件起到重要作用。
比如肖特基二极管，它们在电子设备中扮演着非常重要的角色。
肖特基二极管（简称“肖特”）是最重要的半导体元件之一，另一种是集成电路。
它是由德国化学家威廉肖特和瑞士物理学家古斯塔夫贝克于1947年研制出来的。
肖特基二极管有两个极，具有正向和反向型，可以控制正向流动的电流和反向流动的电流，从而实现电路的开关和控制功能。
由于肖特基二极管具有方便实用、可靠性强、改变电流方向易、抗干扰能力强和成本低等特点，因此它在电子产品中得到了广泛的应用，比如计算机，数字电路，音频设备，汽车电子和通讯设备等。
肖特基二极管的结构很简单，通常由半导体材料（硅）和圆柱形导体（铜）组成，其中有两个极空气隙（外罩），空气隙内有一些夹层。
它的工作原理是，在n极为正向的情况下，电流流经n极并通过夹层进入p极，而在p极为正向的情况下，电流流经p极并通过夹层进入n极。
因此可以看出，电流可以根据不同极性进行控制。
肖特基二极管可以用于实现不同类型的电路，如放大器，数字译码器，键盘，定时器，控制器，电源，过程控制器，示波器，数据传输器等。
它们的应用非常广泛，在日常生活中，几乎所有电子设备都需要肖特基二极管进行控制。
由于肖特基二极管的性能远超出了人们的预期，不仅展现在电子工程中，也在航空、航天、电力、自动化、通信以及其它领域得到了广泛应用，可谓是电子技术发展史上的一大突破。
它不仅为科技发展贡献了重大贡献，而且也使得我们的生活变得更加便利、更加舒适，让我们拥有了更好的质量生活。
总之，肖特基二极管的应用对当前社会的发展具有重要作用，它在各个领域都有广泛的应用，今后它将发挥更大的作用，为我们的社会发展贡献力量。
1000v 2a 肖特基二极管
1000v 2a 肖特基二极管1000V 2A 肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管，具有许多独特的特性和应用。
本文将介绍1000V 2A 肖特基二极管的相关知识和应用领域。
让我们来了解一下肖特基二极管的基本原理。
肖特基二极管是由金属和半导体材料组成的，其结构与普通二极管有所不同。
它的正向电压降较低，反向漏电流也较小，这使得它在一些特定的应用中具有优势。
1000V 2A 肖特基二极管的"1000V"表示其最大反向电压能够达到1000伏特，而"2A"表示其最大正向电流为2安培。
这意味着该二极管可以承受高达1000伏特的反向电压，并且在正向电流不超过2安培时正常工作。
肖特基二极管的主要特点之一是其快速开关速度。
由于其结构和材料的特殊性质，肖特基二极管的开关速度比普通二极管更快。
这使得它在高频电路和功率转换应用中非常有用。
例如，在电源开关电路中，肖特基二极管可以有效地控制电流的开关，提高电路的效率和稳定性。
肖特基二极管还具有较低的正向电压降。
这意味着在正向导通状态下，肖特基二极管的电压降较小，从而减少了能量损耗。
这使得它在低电压应用和节能电路中得到广泛应用。
例如，在太阳能电池板中，肖特基二极管可以用来防止电池板在夜间反向放电，提高能量转换效率。
除了上述应用外，1000V 2A 肖特基二极管还可以用于电源管理、电动车充电器、电子变频器等领域。
它们的高电压和高电流特性使得它们能够承受较大的功率和电压波动，同时保持稳定的性能。
总结一下，1000V 2A 肖特基二极管是一种具有特殊特性和广泛应用的二极管。
它的快速开关速度、低正向电压降和高电压、高电流能力使其在许多领域中得到广泛应用。
无论是在高频电路、功率转换还是节能电路中，肖特基二极管都发挥着重要的作用，为电子设备的性能和效率提供支持。
肖特基二极管mbrp600100ct”参数说明
肖特基二极管mbrp600100ct”参数说明
“MBRP600100CT”是一种肖特基二极管的型号。
以下是该型号的参数说明：
- MBRP600100CT是一款600V的二极管，可承受最高600V 的反向电压。
- 它具有最大100A的正向电流，能够承受较大的电流负载。
- 这款二极管采用肖特基结构，具有低正向压降和快速开关特性。
- 它的封装类型为TO-220AB，适用于安装在电路板上。
- MBRP600100CT具有高温稳定性和较低的反向恢复时间，适合高频应用。
- 它具有良好的抗电磁干扰能力和较低的电流噪声。
请注意，具体的参数说明可能与不同的厂商和数据手册有所不同。
建议查阅相关的厂商数据手册来获取更详细和准确的参数说明。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
DS11006 Rev. 14 - 2
1 of 2
BAS40/ -04/ -05/ -06
ã Diodes Incorporated
BAS40/ -04/ -05/ -06
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
Features
Note: 1.Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at /datasheets/ap02001.pdf.
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
·Case: SOT-23, Molded Plastic ·Case material - UL Flammability Rating
Classification 94V-0
·Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A ·Terminals:Solderable per MIL-STD-202,Method 208
·Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish). Please see Ordering Information, Note 4, on Page 2
·Polarity: See Diagrams Below ·Weight: 0.008 grams (approx.)
·
Marking Code: See Diagrams Below &Page 2
Mechanical Data
·Low Forward Voltage Drop ·Fast Switching
·PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection
·Also Available in Lead Free Version
Maximum Ratings
@ T A = 25°C unless otherwise specified
BAS40 Marking: K43BAS40-04 Marking: K44
BAS40-05 Marking: K45BAS40-06 Marking: K46
Electrical Characteristics @ T A = 25°C unless otherwise specified
TOP VIEW
SPICE MODELS: BAS40 BAS40-04 BAS40-05 BAS40-06
DS11006 Rev. 14 - 2
2 of 2
BAS40/ -04/ -05/ -06
Date Code Key
XXX = Product Type Marking Code (See Page 1)YM = Date Code Marking Y = Year ex: N = 2002
M = Month ex: 9 = September
XXX
Y M
Marking Information
Notes: 3.For Packaging Details, go to our website at /datasheets/ap02007.pdf.
4. For Lead Free version (with Lead Free terminal finish) part number, please add "-F" suffix to part number above. Example: BAS40-06-7-F.
Ordering Information
(Note 3)
0.01
0.1
10.001
0.0001
1.0
0.6
0.8
0.4
0.2
I ,I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A )
F V ,INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
F
Fig.1Typical Forward Voltage
1
32
10
20
40
30
C ,T O T A L C A P A C I T A N C E (p F )
T V ,REVERSE VOLTAGE (V)R Fig.3Typical Capacitance
f =1MHz
100
200
T ,AMBIENT TEMPERATURE (ºC)A Fig.4Power Derating Curve,Total Package
P ,P O W E R D I S
S I P A T I O N (m W )
d 0
100
200
300
400
0.1
1
10
100
1000
10000
010203040
V ,INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)
R Fig.2Typical Reverse Characteristics
I ,I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T (n A )
R
This datasheet has been download from: Datasheets for electronics components.。