2012模拟电子技术复习题1(第二章)

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模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本

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(2) A um
( Rc // Rc )
rbe

30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开, Re 有电流串联负反馈,( Aum 下降), Ri 增加, R0 不变;
(1) 画出直流通路和微变等效电路 (6 分)。 (2)设 U BEQ 0.7V ,求静态工作点
I CQ 、 U CEQ (4 分)
(3)求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
,设 =30,
rbb' =19 4 (6 分)
(4) I CEO 、U CES 忽略不计,估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
(3) Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图, C1 ~ C4 足够大,
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
(3) R R 10 K 0 4

U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B;A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A(2)B;A;C(3)B;C;C (4) C,B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C

2012年模拟电子技术试题

2012年模拟电子技术试题


A. 2V
B. 8V
C. 4V
D. 6V
4.已知复合管 V1 的1 = 30,V2 的2 = 50,则复合后的 约为

A.1500 B.80 C.50 D.30
5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC 串并联选频网络和
A. 基本共射放大电路
B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路
4 题图






















大连民族学院 电子、通信、自动化、测控 专 业 模拟电子技术基础(A)试 题 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分
一.选择填空(本题 15 分)
1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V,-10 V,-9.3 V,则这只
RB1
L
+VCC C1
C2
V1
RB2
RE
+ Ce
(a)
RB1 Cb + RB2
+VCC C1 L C2
V2 RE
(b)
图题六-1
第 1 页/共 3 页
七.稳压电源如图题七所示。设 V32=10V。(本题 10 分)
1.写出 VREF 的表达式 2.试求输出电压范围的表达式。
图题七
2.请把图题六-2 中的文氏桥振荡电路接好;若要求振荡频率为 480HZ,试确定 R 的阻值。(6 分)
D. 带阻滤波电路
2011——2012 学年 2 学期
第 1 页/共 3 页

模拟电子技术基础 第二章练习题

模拟电子技术基础 第二章练习题

注意:答案仅供参考! 一、填空题1。

半导体三极管属于 电流 控制器件,而场效应管属于 电压 控制器件。

2。

放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。

3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ;若负载电阻R L 变小时,其电压增益将变 小 。

4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ;产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ;若两种失真同时产生,其原因是 输入信号太大 。

5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。

6。

静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真;Q 点选得过高会导致 饱和 失真。

7。

对于下图所示电路,设V CC =12V ,R b =510k Ω,R c =8 k Ω,V BE =0.7V ,V CE(sat )=0.3V ,当β=50,静态电流I BQ = 22μA ,I CQ = 1.1mA ,管压降V CEQ = 3。

2V ;若换上一个当β=80,静态电流I BQ = 22μA ,I CQ = 1.46mA ,管压降V CEQ = 0.3V ,三级管工作在 饱和 状态。

8.对于下图所示电路,设V CC =12V ,三级管β=50,V BE =0。

7V ,若要求静态电流I CQ =2mA ,V CEQ =4V ,则电路中的R b = 282。

5 k Ω ,R C = 4 k Ω 。

9。

对于下图所示电路,已知V CC =12V ,R b1=27 k Ω,R c =2 k Ω,R e =1 k Ω,V BE =0。

7V,现要求静态电流I CQ =3mA ,则R b2= 12 k Ω .10.已知图示的放大电路中的三级管β=40,V BE =0。

7V,稳压管的稳定电压V Z =6V,则静态电流I BQ = 0.275mA ,I CQ = 11mA ,管压降V CEQ = 3V 。

11。

当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β 增大 ,穿透电流I CEO 增加 ,当I B 不变时,发射结正向压降|U BE | 减小 。

模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路

模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路

在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中,负载电阻RL 减小时,输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中,可用作电压跟随器的是[ ] A.差分放大电路 B.共基电路C.共射电路 D.共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管,穿透电流为(设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流)A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =(1+2)ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路, Rb 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中,信号源内阻RS 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。

模拟电子技术第二章习题解答

模拟电子技术第二章习题解答

模拟电子技术第二章习题解答-标准化文件发布号:(9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII习题题 2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。

图 P2-1题2-1解 (a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求;(b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏);(c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏);(d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏);(e) 有放大作用;(f) 无放大作用,输入信号的负半轴不能加到放大电路中去;(g) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0;(h) 无放大作用,电容Cb使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。

题 2-2 已知图P2-2(a)中:R b=510kΩ,R c=10kΩ,R L=1.5kΩ,V CC=10V。

三极管的输出特性如图(b)所示。

①试用图解法求出电路的静态工作点,并分析这个工作点选得是否合适;②在V CC和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右,可以改变哪些参数如何改法③在V CC和三极管不变的情况下,为了使I CQ=2mA,U CEQ=2V,应改变哪些参数改成什么数值(a )题2-2解:① 先由估算法算出I BQ CC BEQBQ b100.7mA 0.02mA 20μA 510V U I R --=≈≈= 然后,由式Cc C CC CE i R i V u 1010-=-=,在输出特性曲线上画出直流负载线,其与横、纵两个坐标轴的交点分别未(10V ,0)和(0,1mA ),直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q1即为静态工作点。

由Q1可得,U CEQ ≈0.5V ,I CQ =0.95mA 。

可见,Q1点靠近饱和区,位置不太合适,容易产生饱和失真。

模拟电子技术习题2012-第2次

模拟电子技术习题2012-第2次

(勤奋、求是、创新、奉献) 2011~ 2012学年第二学期测验卷学院 班级 姓名 __________ 学号 ___________《模拟电子技术》课程测验(第2次)一、填空题1.基本放大电路放大的对象是______;2.电子电路放大的基本特征是______放大;3. 放大电路放大的本质是能量的______和转换;4. 能够控制能量的元件称为______元件5. 放大电路的核心元件是_____;和______管;6. 任何一个放大电路均可看成一个______口网络;7. 放大电路通常以______波作为测试信号;8. 放大电路的性能指标有:1.u A ∙,称为________倍数; 2. R i , 称为________, 其值愈____,对输入信号衰减就愈______; 3.R o, 称为________,其值愈____,带负载的能力就愈______9.在信号频率下降到一定程度时,放大倍数的数值明显下降,使放大倍数的数值等于______倍|m A ∙|的频率称为下限____频率f L 。

信号频率上升到一定程度,放大倍数数值也将减小,使放大倍数的数值等于______倍|m A ∙|的频率称为上限______频率f H 。

放大器的带宽频率bw f =______。

10. 输入回路与输出回路的公共端为________,称之为共射放大电路。

11.考虑放大电路的直流通路时:信号源___路,但保留内___;电容___路;线圈___路12. 考虑放大电路的交流通路时:电源___路,电容___路。

13.放大电路的直流负载线与交流负载线都经过____点;直流负载线的斜率为______;交流负载线的斜率为______。

14.共集放大电路的电压放大倍数近似为______, 即输出和输入的大小______,方向______。

具有输入阻抗___;输出阻抗______的特点。

15. 放大电路的静态工作点是在输入信号为______时的电压电流参数。

模拟电子技术综合复习(二)

模拟电子技术综合复习(二)

9处于放大状态的NPN型晶体管,各电极的电 位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
10.处于放大状态的PNP型晶体管,各电极的 电位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V
二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、 2.3V和2V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和12V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.7V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
6、工作在放大状态的双极型晶体管是 ( )。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=1V,V2=1.3V,V3=-5V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e 8.用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e

模拟电子技术第二章答案

模拟电子技术第二章答案

【1】电路如图(a)所示。

设为A理想的运算放大器,稳压管DZ的稳定电压等于5V。

(1)若输入信号的波形如图(b)所示,试画出输出电压的波形。

(2)试说明本电路中稳压管的作用。

图(a) 图(b)【相关知识】反相输入比例器、稳压管、运放。

【解题思路】(1)当稳压管截止时,电路为反相比例器。

(2)当稳压管导通后,输出电压被限制在稳压管的稳定电压。

【解题过程】(1)当时,稳压管截止,电路的电压增益故输出电压当时,稳压管导通,电路的输出电压被限制在,即。

根据以上分析,可画出的波形如图(c)所示。

图(c)(2)由以上的分析可知,当输入信号较小时,电路能线性放大;当输入信号较大时稳压管起限幅的作用。

【2】在图(a)示电路中,已知, ,,设A为理想运算放大器,其输出电压最大值为,试分别求出当电位器的滑动端移到最上端、中间位置和最下端时的输出电压的值。

反馈类型?图(a)【相关知识】反相输入比例器。

【解题思路】当时电路工作闭环状态;当时电路工作开环状态。

【解题过程】(1)当的滑动端上移到最上端时,电路为典型的反相输入比例放大电路。

输出电压(2)当的滑动端处在中间位置时,画出输出端等效电路及电流的参考方向如图(b)所示。

图中。

图(b)由图可知以上各式联立求解得代入有关数据得(3)当的滑动端处于最下端时,电路因负反馈消失而工作在开环状态。

此时,反相输入端电位高于同相输入端电位,运放处于负饱和状态。

输出电压。

【3】电压-电流转换电路如图所示,已知集成运放为理想运放,R2=R3=R4=R7=R,R5=2R。

求解i L与u I之间的函数关系。

【相关知识】集成运放工作在线性区的特点,“虚短”和“虚断”的分析方法,基本运算电路的识别。

【解题思路】(1)由图判断出集成运放A1和A2分别引入的局部电压反馈为负反馈。

(2)识别集成运放A1和A2分别组成的基本运算电路类型。

(3)根据运算电路类型以及“虚短”和“虚断”的分析方法分别求解u O1以及u O2的表达式,从而得到i L与u I之间的函数关系。

模拟电子技术综合复习试题(有答案)

模拟电子技术综合复习试题(有答案)

《模拟电子技术》复习题综合(第 1、2 章)选择题、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成 N 型半导体。

、在 A. A. 二 B. 三 C.D. 五N 型半导体中掺入浓度更大的 C价元素,变成为P 型半导体。

二 B. C.D. 五、在本征半导体中, 自由电子浓度B空穴浓度。

A. 大于 B.等于 C.小于、在 A. P 型半导体中, 自由电子浓度 C 空穴浓度。

大于 B. 等于 C. 小于、本征半导体温度升高以后, A.B. C. D. 自由电子增多,空穴数基本不变空穴数增多,自由电子数基本不变 自由电子数和空穴数都增多,且数目相同自由电子数和空穴数都不变 、空间电荷区是由C 构成的。

A.电子B. 空穴C. 离子D. 分子PN 结加正向电压时, A. 变窄 B.8、设二极管的端电压为 空间电荷区将基本不变 U ,则二极管的电流方程是 C. A 变宽 D. 无法确定 I s e U U T A. I s e u B. 9、 稳压管的稳压区是其工作在 A. 正向导通 B. 反向截止 | 10、 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A. 增大B. 不变C. C. I s (e UUT -1) D.C. 反向击穿 12、工作在放大区的某三极管,如果当 B 约为 C A. 83 B. 91 13 C.100D. 10 、当场效应管的漏极直流电流A.增大B. 不变 I D 从C. 14 、晶体管是 器件。

15 16 17 A.电流控制电流B. 电流控制电压 、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量 A. I B B. I CC. U BED. U CE 都有可能I B 从12 ” A 增大到 22 ” A 时,I C 从 1mA 变为 2mA ,那么它的 2 mA 变为 减小 C. 4 mA 时,它的低频跨导 D. 都有可能 电压控制电压 D.电压控制电流 、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。

《模拟电子技术基础》总复习典型习题

《模拟电子技术基础》总复习典型习题

2011-2012(2)《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用(一)二极管的符号及伏安特性曲线:(二)二极管的特性:单向导电性(三)二极管的模型:重点掌握理想模型和恒压降模型(四)典型习题1. 电路如图所示,已知u i =10sinωt(V),二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计,试分析二极管的状态,并画出输出u i与u o的波形。

(a)(b)(c)2. 设二极管是理想的,试判断下图中各二极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。

(a)(b)3.电路如图所示,已知u i =8sinωt(V),二极管的正向导通电压U D=0.7V,试分析二极管的状态,画出输出u i与u o的波形,并标出幅值。

(a)(b)(c)4. 电路如图所示,已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计,试分析二极管D1和D2的状态,并求出输出电压U o。

(a)(b)二. 三极管及场效应管的应用(一)三极管的符号及伏安特性曲线:i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线,PNP 管的特性曲线(二)三极管的电流控制作用:B C i i β=(三)三极管放大电路的直流通路和交流通路:(四)三极管的交流等效电路:(五)三极管放大电路的组态(六)放大电路的分析方法交流等效电路法:利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。

图解法:利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线,采用作图的方式确定一个Q 点。

(七)放大电路的非线性失真饱和失真:工作点位于饱和区截止失真:工作点位于截止区注意:图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真,PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。

(八)放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适, 的波形要失真;,A u 与I B 有关。

在电路中引入直流负反馈。

模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)

模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)

第二章训练题一、判断题:1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

(×)2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

(×)3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(× )4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

5. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

(×)6. 当单级放大电路的静态工作点过高时,根据I b=I c/β,可选用β大的晶体三极管来减小I b 。

(×)7. 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

(×)8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型,输出电压的底部失真时为饱和失真。

(√)9. 在共射放大电路中,若晶体管为NPN,输出电压u o出现底部失真,则该失真为截止失真。

(×)10. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

(×)11.可以说任何放大电路都有功率放大作用;(√)12.若单管共射放大电路出现截止失真,可适当增大基极电阻R B消除失真。

( × )13.某二级电压放大电路中,已知A u1=-10、A u2=-50 ,则总的电压放大倍数为500。

(√)14. 某二级电压放大电路中,已知Au1=50、Au2=100 ,则总的电压放大倍数为150。

(√)15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

(×)16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA,因此推算出:be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。

(×)17.放大电路如图1所示,已知:U CC=12V,R B=240kΩ,R C=3kΩ,晶体管β=40,且忽略U BE。

模拟电子技术复习题

模拟电子技术复习题

I BQ
I CQ
20μA
Rb
VCC U BEQ I BQ
565kW
( 2) 求 解 RL:
A u
Uo Ui
100
Au
RL'
rbe
1 + 1 1 Rc RL
RL 1.5kW
RL' 1kW
2. (1)该电路是共集电极放大电路,Rc 的存在,不影响放大电路的共集组态。其静态工作点计算如下:
8. 在图中,试求下列几种情况下输出端对地的电压 UY 及各元件中通过的电流。(1)UA=10V,UB=0V;(2)UA=6V,UB=5V; (3)UA=UB=5V。设二极管为理想二极管。
UA
IDA 1k W VDA
UB
1kW
IDB
VDB
R
UY IR
9kW
9. 设硅稳压管 Dz1 与 Dz2 的电压分别为 5V 和 10V,求图中各电路的输出电压 Uo 已知稳压管的正向压降为 0.7V。
的电压为 1.4V。330W 的电位器跨接在 a、b 二点之间,a 点是+0.7V,b 点是-0.7V。Uo 对地输出电压的调节范围为 -0.7V---+0.7V,电位器的中点电位为 0V。
5. 220V 工频交流电的正半周,VD2 导通,L2 被短路。VD1 和 VD3 截止, L1 和 L3 上的交流电压有效值分别为 110V; 220V 工频交流电的负半周,VD1 和 VD3 导通,L1 和 L3 被短路。VD2 截止,L2 上的交流电压有效值为 220V,故 L2 灯 最亮。
4
(1)电路的静态工作点 I I U BQ, CQ, CEQ; (2)电路的中频电压放大倍数 Au,输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro;

模拟电子技术复习题2

模拟电子技术复习题2

《模拟电子技术》复习题二一、填空题1、当PN结外加正向电压时,P区接电源极,N区接电源极,此时,扩散电流漂移电流。

2、二极管最主要的特性是。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。

由图1-3可知,中频放大倍数|A|=__vm__。

图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __,该放大器的理想效率为__ __,每个管子所承受的最大电压为__ _____。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。

6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。

7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型,用半导体材料___________和___________制成,电流放大系数β分别为___________和___________。

二、选择题图2-1图2-2图3.1图2-3图2-4A1A2A3A1+++----+UiRR RRR R 2R2R L1L2C Ucc Ugsid 0RLUo1Uo2Uo+++---RbRc RbRb1Rb2Re1Re2RcRLC1Ce C1C2L50K 2.5KB=50UoUi+5VRf Re1Re2UccUccUcc C2us RsR R2R 2R 2R Uo2Uo3Uo4+-UoA2A3A4图2-2图2-6图2-4图2-5图3-1图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中,下列答案正确的是( )。

A NPN 型B PNP 型C 不正确 2、N 型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。

A 空穴 B 三价元素 C 五价元素 3、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=2V,V 2=V, V 3=6V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e 、2:b 、3:cB 1:c 、2:e 、3:bC 1:c 、2:b 、3:eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP 型晶体管各极的对地电位分别是:V b =-V,V e =-12V,V c =-18V。

模拟电子技术教程第2章复习题答案

模拟电子技术教程第2章复习题答案

第2章习题答案1. 概念题:(1)常温下,N型半导体在导电时有空穴载流子参与吗?(有) P型半导体在导电时有电子载流子参与吗?(有)(2)在不加外电压时,PN结内部有没有电子的运动?(有)将P极和N极相连并串接电流表会有电流指示吗?(无)(3)PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗(不是)P+N结加反向电压哪边将变得更宽(N边)(4)作漂移运动的一定是少数载流子吗?(不一定)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的吗?(是)(5)拿2个二极管可否组成1个三极管?(不行)三极管可否当二极管用?(可以)(6)下列哪些元件为双极型器件?(A、B)哪些元件为单极型器件?(C、D)A. 二极管、稳压管B.三极管C. 结型场效应管D. MOS管(7)H参数等效模型适合( A、C、D )。

A. 中低频电路B. 高频电路C. 小信号输入D. 交流分析(8)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( A、C )。

A. 结型场效应管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管(9)半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是电子和空穴都参与导电。

(10)二极管主要的特点是单向导电性,确保二极管安全工作的两个主要参数分别是最大整流电流和最大反向电压。

(11)在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V;锗二极管的门槛电压约为0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2 V。

(12)某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将上升。

(13)将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合,可得到5种有效的形式,等效稳压值分别为3V、9V、3.7V、6.7V 、0.7。

(14)PN结具有结电容效应,凡用PN结组成的电子元件,在信号频率较高时必须考虑这种效应。

(15)变容二极管在工作时也要加偏置电路吗?(需要)发光二极管在工作时要串联一个电阻,否则会因电流过大而损坏。

第2章模拟电子技术练习题

第2章模拟电子技术练习题

第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示,二极管为理想元件,t sin 3u i ω=V ,U=3V ,当ωt = 0 瞬间,输出电压 u O 等于何值? A . 0 V B . 3 VC . —3 VD . 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A .提示:ωt = 0 瞬间u i = 0,二极管D 的阳极为电位最低点,因而此时二极管D 承受反向电压截止,0u u i 0==。

2-2 电路如题2-2图所示,二极管D 为理想元件,U S =5 V ,则电压u 0等于多少? A .U s B .U S / 2 C .0V D .0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A .提示:二极管承受正向电压而导通,二极管D 为理想元件,所以电阻两端电压应等于电压源电压,即u O = U s 。

2-3 电路如题2-3图所示,D 1,D 2 均为理想二极管,设V 6U 2=, U 1 的值小于 6V , 则U 0 为多大?A .+12VB .+6VC .U 1D .U 1 - U 2O题2-3图2-3正确答案是C .提示:D 1,D 2 均承受正向电压而导通,二极管为理想元件。

所以 u O = U 1 。

2-4 在同一测试条件下,测得三个同型号二极管的参数如下表所示,其中性能最好的一个二极管是哪一个?2-4提示:其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。

2-5 电路如题2-5图所示,A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少?A .0.3VB .-2.3VC .1.0VD .1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A .提示:先将二极管摘开,求出A 点和B 点的电位:Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况:二极管承受正向电压而导通,2AP15是锗管,导通管压降为0.3V 。

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一、
1.判断下列计算图示电路的输出电阻o R 的公式哪个是正确的。

(C) A .e o R R = B .L e o //R R R =
C .β
r R R +=1//
be e o
D .βR r R R ++=1//
b be e o
E .β
R r R R +=1////b be e o
L
u
2.已知图示电路中的晶体管β =100,Ω=100'bb r ,调整b R 使静态电流mA 1CQ =I ,C 1、C 2对交流信号可视为短路。

1.求该电路的电压放大倍数u
A ; 2.若调整b R 使mA 5.0CQ =I ,则u A
有什么变化?(基本不变,约减小到原来的2
1,约增大一倍)
L
Ω
3.已知图示电路中晶体管的β =100,V 3.0BEQ =U ,b b 'r =200Ω,各电容的容抗可忽略不计。

1.求静态工作点BQ I 、CQ I 、CEQ U ;
2.求电压放大倍数u A 、输入电阻i
R 和输出电阻o R 。

R L 5.1k Ω
u
4.已知图示电路中晶体管β =100,V 7.0BEQ =U ,b b 'r =200Ω,电容的容抗可忽略不计。

1.判断该电路是共射、共集、还是共基接法?
2.估算该电路的静态电流CQ I ,发射极对地静态电位EQ U ; 3.当i U =100mV 时,o U 等于多少? 4.求该电路的输入电阻i R 和输出电阻o R 。

R L 1k Ω
u
5.在某晶体管放大电路中,晶体管型号和电阻值已无法看清。

通过测绘,得到如图所示的局部电路图,并测得电源电压大小和极性。

据此能否判断出晶体管是图(a )或图(b )所示的类型和接法?若能判断,则说明判断结果。

若不能判断,则经过下面给出的哪一种方
法测量后,就一定能作出判断?
方法1:在输入端加一正弦信号,测输入和输出信号的相位;
方法2:分别测量①-②和①-③间的直流电压,观察哪个为0.7V (或0.3V )。

自上一级
( a )( b )
3
3
6.试从下列答案中选择正确的填空。

答案:A .共射放大电路,B .共基放大电路,C .共集放大电路
1.如果输入信号源为高内阻电压源,则多级放大电路中的输入级应采用⎽⎽⎽⎽; 2.如果负载变化时要求有较稳定的输出电压,则多级放大电路中的输出级宜采用⎽⎽⎽⎽; 3.如果负载变化时要求有较稳定的输出电流,则多级放大电路中的输出级宜采用⎽⎽⎽⎽或⎽⎽⎽⎽;
4.用作量测的多级放大电路,其输入级应采用⎽⎽⎽⎽。

7.在图示电路中晶体管的β =60,be r =1k Ω,各电容的容抗可忽略不计。

1.画出简化h 参数交流等效电路图;
2.求电压放大倍数u A 和输入电阻i
R ; 3.若C 2开路,u A 、i
R 有无明显变化(不必详细计算)?
R L 3k Ω
8.图示射极跟随器的发射极由恒定电流源I 驱动,已知I =10mA ,并已知晶体管β =90,BEQ U =0.7V ,be r =500Ω,电容对交流信号可视为短路。

1.求发射极对地静态电压EQ U ;
2.求电压放大倍数)s o s /(U U A u 和输出电阻o
R 。

3.当输出端接负载电阻L R =1k Ω后,在s U =100mV 时,o U 等于多大?
u
9.已知图示电路中晶体管的β =100,be r =1k Ω,各电容的容抗可忽略不计。

1.画出简化h 参数交流等效电路图;
2.求电压放大倍数)/(i o U U A u 和)/(s
o s U U A u ; 3.当s U =100mV 时,o U 等于多少?在保持s U 不变的条件下,输出端加接负载电阻L
R =2k Ω后,o U 又等于多少?
u
10.已知图示电路中c R =e R ,晶体管的β>>1,βe R >>be r ,电容的容抗可忽略不计。

1.证明在加有一定的输入电压i u 时,o1u 和o2u 是一对大小基本相等,相位相反的输出电压;
2.分析下面两种情况测得输出电压o1
U '和o2U '的大小是否基本相等?若不等,哪一个
大?简要说明理由。

A .o1u 端接负载L R ,o2u 空载,测o1U ,记作o1
U '。

B .保持i u 和L R 与A 相同,但L R 接o2u 端,而o1u 端空载。

测o2U ,记作o2U '。

11.从括号中选择正确答案,用A 、B 、C …填空。

已知图示电路的输入电阻约为100k Ω,估算e R 应为____(A .1k Ω, B .4k Ω, C .100k Ω, D .200k Ω)。

该电路的电压放大倍数约为____(A .100, B .10, C .1, D .0.1)。

12.在某晶体管放大电路中,晶体管的型号无法看清。

通过测绘,得到如图所示的局部电路图。

试判断晶体管的类型和接法应为(a )~(d )中的哪一种?并简述理由。

自上
( a )( b )3
3
( c )( d )
3
3
13.已知图示电路中晶体管的β=150,be r =2k Ω,
U BEQ =0.7V ,要求静态时CQ I =2mA ,CEQ U =6V ,U BQ ≈5U BEQ (基极对地电压),I 1≈10 I BQ 。

1.估算b1R 、b2R 、c R 、e R 的值;
2.设各电容的容量足够大,对交流信号可视为短路,求该电路的放大倍数u
A 、输入电阻i R 、输出电阻o R 。

14.用增强型NMOS 管组成如图所示的共源放大电路,在图中用正确的符号和极性填补管子VT 、电源V DD 、电解电容C 1、C 2(标明极性)。

C。

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