TIP32C;TIP32CTU;TIP32ATU;TIP32A;TIP32;中文规格书,Datasheet资料
TIP122参数
该TIP120，TIP121和TIP122疏外延基NPNxx功率晶体管,采用TO-220塑料封装。
与互补类型的TIP125，TIP126和TIP127可成对使用。
图2是TIP120，TIP121和TIP122 NPN三极管的内部图,图3是TIP125，TIP126和TIP127 PNP三极管的内部图。
图1 引脚图片xx电阻R1，R2起分流作用，使对温度敏感的穿透电流多了一个通路，就不会全部进入下一级的基极，同时xx电阻降低了发射结反向电阻，管子截止时发射极不易被反向电压击穿，但是电阻也增加了前级的负载。
xx管IC，一般都是用来驱动功率稍微大一点的被动器件的，而驱动的被动器件里，有很大一部分是感性的，如继电器、xx、等，这些感性器件在关断瞬间会产生很高的自感电动势（自感电压），低的10多伏，高的几十伏，甚至几百伏，这么高的电压很容易把xx管打坏，甚至打坏电路中的其它元器件，所以需要在感性器件上xx一个二极管，用来续流（就是把那个自感高压放掉），保护IC和其它器件不受破坏，此正极接2803输出端(即电感器件的一端），负极接驱动电源（也就是电感器件的另一端）。
在内部设计了二极管以后，用户在使用的时候不需要外接二极管，在同时驱动多路器件的时候可以节省PCB空间，节约成本、方便走线。
xx管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。
具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面三极管跟后面三极管集电极相接，前面三极管发射极跟后面三极管基极相接，前面功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为xx管基极，后面三极管发射极为xx管发射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
1复合管原理管xx管又称。
为共基组合，以组成一只等效的新的三极管。
这等效于三极管的放大倍数是二者之积。
在电路设计中，xx接法常用于功率放大器和稳压电xx管是一重复合三极管，他将两个三极管xx，第一个管子的发射极接第2个管子的基极，所以xx管的放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
AT32 USB接口ESD保护设计指南说明书
AN0034Application Note ESD protection design guide for AT32 USB interfaceIntroductionThis application note provides ESD protection design guide for AT32 USB 2.0 interface.ContentsOverview (5)ESD protection design guide (7)Selection of ESD protection device (8)Clamping voltage (8)Signal integrity (8)Revision history (9)Table 1. JS-001-2017 standard classification (5)Table 2. IEC61000-4-2 standard classification (6)Table 3. Document revision history (9)Figure 1. JS-001-2017 standard test waveform (5)Figure 2. IEC61000-4-2 standard test waveform (6)Figure 3. USB ESD protection circuit (7)Figure 4. VBUS detection circuit (7)OverviewThe hot-pluggable characteristics of the USB interface is susceptible to electrostatic discharge that damages the components, such as, crash, board burning, and disconnection and so on. It is necessary to design ESD protection on the USB interface following the two standards of JS-001-2017 (HBM) and IEC61000-4-2. HBM requires that the USB interface is capable of withstanding up to 2 kV discharge. Figure 1 and Table 1 shows JS-001-2017 standard test waveform and classification, and Figure 2 and Table 2 shows IEC61000-4-2 standard test waveform and classification.Figure 1. JS-001-2017 standard test waveformTable 1. JS-001-2017 standard class levelFigure 2. IEC61000-4-2 standard test waveformTable 2. IEC61000-4-2 standard class levelESD protection design tipsIt is recommended to add ESD protection device and VBUS monitoring circuit to detect overvoltage when designing USB interface. Design tips are as follows:● ESD protection device should be placed close to the USB socket interface (ESD entry point) asmuch as possible● VBUS, USB data line (USB_D+/USB_D-) and ID (if OTG) must be protected against ESD.Figure 3. USB ESD protection circuit ● VBUS track should be isolated from D+/D- as much as possible●The metal housing of USB socket must be connected to the device housing ground ● When the VBUS supply is not neededed, it can be connected to non-5V-tolerant I/O through aresistor voltage divider, or to 5V-tolerant GPIO directly, used as VBUS detection signal.Figure 4. VBUS detection circuitSelection of ESD protection deviceThe transmission rate of USB2.0 FS reaches up to 12 Mbps, and thus TVS array diodes are generally used for ESD protection. When an ESD event arrives, the diode in TVS can be forward-conducted so that the transient current bypasses the sensitive CMOS component and the transient high voltage is reduced to the clamp voltage value in order to protect the interface circuit against ESD damage.Clamping voltageWhen ESD events are generated, the protection device limits the high voltage pulse to the clamping voltage, and shunts most of the pulse current to the ground in order to protect the back-end sensitive devices. However, there are still some residual current flowing into the protected device. The peak current during ESD event period is the sum of the shunt current passing through ESD protection device and the residual current flowing into the protected device. The power imposed on the protected device depends on the clamping voltage and the residual current. Clamping voltage can be calculated based on the formula:Clamping voltage (VCL) = VBR + Io (residual current) x Ro (resistance of the protected device)For the selection of the clamping voltage of the ESD protection device, the designer must understand which kind of test conditions to be used for determining the value. Based on IEC61000-4-2 Level 4 standard, ESD pulse has the rise time less than 1ns and the duration less than 100 ns, as well as 30A peak current.ESD protection diode with a clamping voltage of 5V may exceed 30V during the actual ESD test. Without this understanding, the designer may select ESD protection devices according to the minimum clamping voltage in the datasheet.Signal integrityThe data transmission system requires that the receptors achieve a certain level of signal integrity. The rise time and fall time of the signal is limited by the impedance of the overall transmission path, along with all parasitic capacitances of the interface. These parasitic capacitances may be introduced by mismatched PCB tracks, USB socket pins or other paralleling capacitances. Therefore it is required that the capacitances of ESD protection devices must be smaller and have the capability to provide ESD protection.Revision historyDate Revision Changes 2019.08.20 1.0.0 Initial release2022.3.1 2.0.0 1. Added AT32F435/437/425 to the applicable product list2. Updated the description of 2 ESD protection design tipsIMPORTANT NOTICE – PLEASE READ CAREFULLYPurchasers are solely responsible for the selection and use of ARTERY’s products and services, and ARTERY assumes no liability whatsoever relating to the choice, selection or use of the ARTERY products and services described herein.No license, express or implied, to any intellectual property rights is granted under this document. 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常用稳压二极管型号
常用稳压二极管型号（转）2008-05-12 15:06:44原型号国外型号稳压值国内替代型号1N746 H23 MA4030 RD417E RD217EB 2.5-3.5 2CW511N747 1N748 1N749 HZ4 RD3.9E 3.9-4.5 2CW521N750 1N751 HZ5 05Z5.1 RD5A RD5.1E 4-5.8 2CW531N752 1N753 HZ6 HZ6.2E 05Z5.6E RD6A 5.5-6.5 2CW541N754 HZ6.8E 02Z6。
8A RD6.8E RD7A 6.2-7.5 2CW551N755 1N756 HZ7 HZ7.5E 05Z7.5 RD7.5 7-8.5 2CW561N757 HZ9 RD9A 8.5-9.5 2CW571N758 HZ10A RD10E 9.2-10.5 2CW581N714 1N962 1S335 HZ11 HZ11E RD11E 10-11.8 2CW591N963 HZ12E 05Z12 BZX79C12 RD12E 11.5-12.5 2CW601N717 1N964 1S270 HZ12B2 MA1130 12.2-14 2CW611N718 1N965 1N966 HZ15-1 05Z15 RD15E 13.5-17 2CW621N967 HZ18-1 HZ18-2 05Z18 RD18E 16-19 2CW631N968 HZ20-1 RD20E 18-21 2CW641N969 HZ24E RD24E 20-24 2CW651N970 02Z24 23-26 2CW661N971 HZ27 25-28 2CW671N972 RD31E 27-32 2CW681N973 1N974 HZ733 ZX0249E UPC574J 31-35 2CW69 2 CW70稳压二极管型号对照表美标稳压二极管型号1N4727 3V01N4728 3V31N4729 3V61N4730 3V91N4731 4V31N4732 4V71N4733 5V11N4734 5V61N4735 6V21N4736 6V81N4737 7V51N4738 8V21N4739 9V11N4740 10V1N4741 11V1N4742 12V1N4743 13V1N4744 15V1N4745 16V1N4746 18V1N4747 20V1N4748 22V1N4749 24V1N4750 27V1N4751 30V1N4752 33V1N4753 36V1N4754 39V1N4755 43V1N4756 47V1N4757 51V需要规格书请到以下地址下载，om/products/Rectifiers/Diode/Zener/经常看到很多板子上有M记的铁壳封装的稳压管，都是以美标的1N系列型号标识的，没有具体的电压值，刚才翻手册查了以下3V至51V的型号与电压的对照值，希望对大家有用1N4727 3V01N4728 3V31N4729 3V61N4730 3V91N4731 4V31N4732 4V71N4733 5V11N4735 6V21N4736 6V81N4737 7V51N4738 8V21N4739 9V11N4740 10V1N4741 11V1N4742 12V1N4743 13V1N4744 15V1N4745 16V1N4746 18V1N4747 20V1N4748 22V1N4749 24V1N4750 27V1N4751 30V1N4752 33V1N4753 36V1N4754 39V1N4755 43V1N4756 47V1N4757 51VDZ是稳压管的电器编号，是和1N4148和相近的，其实1N4148就是一个0.6V的稳压管，下面是稳压管上的编号对应的稳压值，有些小的稳压管也会在管体上直接标稳压电压，如5V6就是5.6V的稳压管。
元器件清单
第一号柜型号数量型号数量型号数量74LS0014674HC16415CD405217 74LS011974LS16557CD405450 74LS025074LS17555CD405520 74LS046574LS18150CD405650 74HC046374LS19287CD406050 74LS075974LS193116CD406658 74LS0811874LS19447CD4069123 74LS1010674LS22150CD407150 74LS134774LS24447CD407353 74LS5735674HC24460CD409850 74LS206174LS24537CD40106100 74LS216874LS24885CD4019271 74LS224974LS24947CD4019350 74LS264974LS273101CD404350 74LS275074LS28050CD405039 74LS304774LS28346CD406750 74LS325674LS37332CD451049 74HC5733874LS37471CD452042 74LS426074LS39050CD452149 74LS472474LS39320CD451465 74LS483874LS64850CD450329 74LS733674LS66952TC405225 74LS744074LS68850HCF405226 74LS755074HC59587HEF4010614 74LS855074LS9169HD1406848 74LS861974LS0655HCF4053101 74LS9011574LS9325HEF451127 74LS923974LS1480HEF4520100 74LS1072574HC24020HEF450320 74LS1125374HC405124HEF452827 74LS12120CD400051TIP12226 74LS12342CD400150TIP12739 74LS12568CD40025045015 74LS13265CD400919780551 74LS13843CD401148780638 74LS13921CD401250780820 74LS14560CD401366780946 74LS14774CD4016138781050 74LS14886CD401772781225 74LS15060CD402052782419 74LS15143CD402350781866 74LS15373CD402448790572 74LS15464CD402648790647 74LS15550CD40275079084774LS16069CD40305079093874LS161103CD40404679124274LS163135CD40463079153574LS16437CD405144792419 LM31736LM33757第三号柜型号数量型号数量型号数量晶振(1M)6347P60左右电容683180左右455K1750P200左右1041500左右32.678K7556P160左右224150左右6M6162P150左右33480左右4M2675P120左右474220左右8M8682P180左右10520左右10M27电容101150左右272500左右11.0592M54105100左右9051（NPN)150左右12M53201150左右9011（NPN)80左右20M56221200左右9012（PNP)50左右14.318M6918180左右9013（NPN)100左右24M45271100左右9014（NPN)60左右40M90左右301150左右8550（PNP)100左右10.245M50左右331200左右9018（NPN)100左右80M18391100左右8050（NPN)120左右3.57954523471250左右发光二级管（红）110左右30M有源25501600左右发光二级管（绿）100左右36M有源38511180左右光敏二极管13电容(12P)67561100左右FR307二极管50左右15P50左右681200左右可调电容25-36P70左右3P100左右1021000左右发光二级管（黄）220左右4P100左右821250左右白发红光二极管200左右2.2P100左右122300左右红外发射208P100左右15270左右红外接收29 1P40左右202100左右发光二级管（白）20左右1.5P150左右222160左右发光二级管（双色）80左右5.6P/5.1P100左右302400左右IN60366P/6.8P100左右332180左右稳压二极管2.7V957P/8.2P80左右392100左右稳压二极管2.4V105 9P100左右472180左右IN4732101 10P200左右502120左右IN473049 18P250左右562150左右IN472842 20P180左右682250左右IN472998 22P800左右822150左右IN473395 27P180左右1031500左右IN4734125 30P700左右223200左右IN474429 33P1000左右333300左右IN47354239P750左右473350左右IN414876 IN40010IN4007270左右IN91458第五号柜型号数量型号数量型号数量MSP430F2TPS78001D2THS7001CPWP2 TLC0820AIN27THS4271D22TPS62100D22 AD60313INA137PA2DAC902E31 TLC082IP20DAC781114CX20106A20 OPA2822U40DAC782122MRR2045CTG40 INA213A20CE8301282DW23431 ADS1158202720120TPS6106220 UCC28600D20OPA355UA21117-3.346 TLV5636ID30TPS5416021117-1.830 VCA822ID30PGA113A62390nH100 INA333A82TPS601102470nH80 INA133UA20TPS612002X9312WP36 TLV2462A25TPS601002X9312TP30 ADS828E20ADS788222绕线电阻-36欧10 OPA691ID19ADS523720绕线电阻-30欧6 THS3001ID20VFC32KP22TPS6107020 TPS60310DGS2VCA81037激光二极管40 INA2134PA30INA28220激光接收管10 OPA2134PA35LP2950-33120聚焦透镜10 OPA234020TPS543020ADS111520TPS54331D20CSD17505Q5A15TPS6040020第七号柜型号数量型号数量型号数量AD83512BQ2402517MC337220 ADS834422AT25F51212MC159617 AD836919BUF301200MC164817 ADS850712CNY17-220FDS943120 ADS781820CSI5112PI0MPY6348 AD831020CXA1545AS14MUR15109 AD63716CXA1587S14NCP105020 AD99542CXA169129LM267620 AD71229ATHE8A3260LM290420 AD81130DAC855217LVC424572 AD83424DAC855524KMZ4125 ADS788619DAC900U15HS003819 AD832019DAC902E21LM388610AD84124DAC761116THS450335 AD83024DM9000AE9TL311622 AD84419EXB84115TLC22129 LF412CN35ispPAC805TLC37237 LF35750IR210330MLT0424 74HC57420IR211034MT888018 INA27130MC283328MOC306322 BTA41700B20MC336130MUR166030 BUF634722MC1450770IRF954040 INA12890MC14516323IRF54042 INA15919MC100LVEL6D20TIP32A0 INA233126MC908GP325TIP32C75 INA27034MC1202219IRF530N33 INA233224MAC97A680左右IRF9530N46 BUP30411MC336230IRF63031IRF64046第九号柜型号数量型号数量型号数量CBB102/100V100左右220uF/16V80左右V147-371015490.1uF/630V100左右220uF/250V10V147-391015416 0.47uF/630V100左右47uF/63V50左右二极管SA12A50 220uF/16V50左右47uF/100V100左右P6KE91120 103K/630V100左右100uF/16V120左右IN581752 CD100uF/25V120左右100uF/50V100左右IN582263 100uF/100V80左右330uF/16V80左右贴片9012100左右4.7uF/25V120左右470uF/16V50左右9013100左右4.7uF/50V110左右33uF/250V80左右8050150左右0.1uF/50V30左右47uF/16V100左右8550100左右0.1uF/160V120左右470uF/25V30左右磁环122.2uF/50V80左右1000uF/25V30左右贴片电阻1021500左右3.3uF/16V50左右1000uF/50V100左右贴片电阻0欧100左右4.7uF/250V50左右2200uF/16V60左右软键盘710uF/25V50左右4700uF/16V100左右太阳能控制板147uF/50V100左右2200uF/25V60左右贴片901880左右1uF/50V80左右C92-02恢复二极管30左右1000uF/100V20 100uF/50V30左右D92-02恢复二极管242200uF/100V2010uF/50V15左右变容二极管0-20P30470uF/50V1522uF/25V100左右变容二极管40-75P302200uF/50V2122uF/50V60左右变容二极管400-850P304700uF/50V2322uF/100V23二极管P6KE20020继电器943-1C-6DS2633uF/25V60左右P6KE120105继电器G5RL-1A-E1522uF/250V100左右P6KE15020220uF/450V20第二号柜型号数量型号数量型号数量电位器10126ADS77418OP2745电位器102177AD62029OP3744电位器103107AD770533TL08264电位器104161DAC083233TL08438电位器201150AD65024TL49475电位器202185AD66920TL384210电位器203218AD67719HA1732437电位器204194AD722820CA314058电位器501100AD985124N2567电位器502305AD985274N3551电位器503109MC1403496N13667电位器50448MC1444246N13750电位器253210MC148934P52137拨码开关4P28MC1406035MOC302053拨码开关8P52MC1451649PC81740电机驱动L29725MC1452673NEC2501121电机驱动L29826MC1443320高桥/10A20 BT15118MC14502723LF351116 BT113640MC348631LF35356 D827935NE555116LF35683 82C2920NE55647LF34725 TLP52150NE56461LF39854 D825321NE56769PT226235 D815540NE553292PT227216 80301NE553469ULN200324 80512MICRF002B5ULN280320 AT89C51103MC149622TLC154328 AT89S5117LM3552TLC254328 AT89S5212LM311144TLC551026 AT89C526LM32423TLS752820 AT89C205158LM336(5V)117TLE202219 HY626435LM336(2.5V)50TLV561625 HM6225639LM33928TEB403331 HM61166LM35850TDA282264 M27C12819LM38639TDA705010 GAL20V8B21LM39348HD727910 PIC16C57C6LF56759ST288A48 PIC12C508A16LM741101CH3412 24LC08B35LM187567ICL803840 74HC29524LM290430NB72329 ADC080930LM181217TL07250 ADC083267LM31926TLV246030 AD775123LM33148AD54524ISD256017AD53640ISD25902AD57030FR60722AD57420OP0755AD52618第四号柜型号数量型号数量型号数量C2073(功率管）16ST-ICL319一体化超声波传感器3 3DA87CJ48C181520QM-YT11 3DG800TA7267BP2310214 3DG130DJ107SP203910134 A94020晶闸管1A单硅1810432 KSP290750晶闸管1A双硅1547324 IRF84024EPM72181520442 TIP41C27EP1KTC144220237 TIP42C32EPC2LI20520366 KSP2222A80左右SHT11750240 TL431AC178XF-18D4250143 2DW2331USB转接器150433 2N540150左右热敏电阻75S10KBP31041 2N555140左右NTC10K(+/-)1%9KBPC80855 3D0175左右MYG7K33029KBPC21012 K112035ORD9216302W1013 3DV3330TA122DB106G41 2SC328020热敏电阻10K40左右E623203 DS18B2033C0412直流电机3470K15 BT33P0BPW410光敏电阻34B50K24 BT33FJ40杜邦-IP大量B100K10 DG20135小按键60左右2SK-24118 BBP1020拨码开关50左右K147120 B83472510-2P连接器40左右K51410 D88018人体感应模块163DU3388HM1温度模块149E70518温度传感器73DU310HS1101293DU320HTS11110AN5035C290120CS5125C197020CB35520BB639202SA130125BB11230TDA203023MQ-23ST251C123HY3011RE20015EL-1KL20LM3357SP-1KL0AD59026PT-23F13TCRT500015第六号柜型号数量型号数量型号数量C20790MAX43730MAX76430 C9450MAX50320MAX602920 JGX-5113F3MAX54223OPA12922 nRF24015MAX75632OPA13234 TL07113MAX76526OPA13430 ISD142020MAX80941OPA642u16 CSI511212MAX87431OPA335582SC3423-Y10MAX162620OPA300142SA1360-Y30MAX260120OPA36548 MAX03818MAX26212OPA56136 MAX19517MAX261120OPA60420 MAX20245MAX41065OPA63727 MAX23234MAX740120OPA69016 MAX29120MAX742119OPA222719 MAX323238磁壳绕线电阻器17OPA2270 MAX30620MAX29731OPA22822 MAX40018MAX30927OPA33322编码器2MCR100-630OPA54812 C0721763DG6C20OPA82034 2460C783DG8D20OPA84243射频线3DG182C193CG15C20 OPA656203DG7A20ADS114620第八号柜型号数量型号数量型号数量TL0459TRF37506MCR100-60 TL05230TSAC620022SC520020 TLC08379TLC7135732SC17909 TLC08546TDS2285102SC945100左右TPS7590122THS3091162SC19710 TLV246318安规电容0.1uF80左右应力传感器8 TLV154410安规电容1000pF40左右IN5401100左右SF56208UA73330直流电机30r/分7 MSP430F20027UCC2801926直流电机100r/分0 MSP430F22745UCC38C4322语音编程器2 MSP430F427010UGN35035语音操作WT588D-2010 PM30SSJ06010THS461315超声波发射36 RHRG301200409440超声波接受36SN65LBC184D10C9231282SA194318 SG352520SCA60C-N10000602霍尔开关FQZ-F-NK203 SP322029LM717115中周HGTF10-116 ST18820图像传感器T001P128中周HGTF10-213 ST27817智能控制器2交流接触器1 TPS73301474F15720电机驱动器BAL-352 TPS733335MQ-416电机驱动器DMD402A1 RF2317202SC190644固态继电器SSR-800 TPS3803202SC17910接近开关TK-SN5C3 ADE775517KS10A3 SMA射频插头磁珠29光电探测器10电源变压器19 1W高亮LED50第十号柜型号数量型号数量型号数量数码管LG3641BH38钽电容6.8uF40左右各种DIP座大量TOS-5101BH-B57钽电容22uF80左右LG3641AH23330uH90左右蜂鸣器50左右1uH150左右扬声器0 3.3uH100左右电源插头3210uH80左右9针串口头50左右33uH150左右9孔串口头23贴片68nH80左右电感120uH60左右贴片82nH80左右100uH100贴片0.22uH80左右220uH80左右贴片0.27uH80左右6.8uH/400V250左右 6.8mH110左右470uH120左右 4.7mH120左右680uH100左右10mH25左右12uH110左右100mH50左右15uH100左右色环1mH90左右47uH80左右立式电感1mH80左右56uH100左右立式电感33mH70左右3.3uF/150V50左右排针排座大量100uF/100V50左右IDC座大量10mH100左右连接器大量22uH65左右转接板大量钽电容10uF/25V40左右各种电阻大量钽电容22uF/16V5010000uF/63V20。
KT973A中文资料
DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors70 • Bipolar Transistors (continued)PartPin to PinCompatibilityPolarity РC max, W V CB max, V V CE max,V V EBmax,VI Cmax, m Аh FEV CE sat,VI CBO, μАF T, МHzNf, dB Package (Pads)KT6136A 2N3906 PNP 0.625 40 40 5 200 100…3000.40.05 250 TO-92KT6137A 2N3904 NPN 0.625 60 40 6 200 100…3000.30.05 300 TO-92 BC182BC182ABC182BNPN 0.5 60 50 6 100 120…450120…220200…4500.60.015 150 10 TO-92 BC183BC183ABC183BBC183CNPN 0.5 45 30 6 100 110…800110…220200…450420…8000.60.015 150 10 TO-92 КТ607А-4КТ607Б-42N4073 NPN 1.5 40 30 40 35 30 35 4 150 0.1 1000 700 TO-92 BC639 NPN 0.625 100 80 5 1500 ≥25 0.50.1 100 TO-92 BC640 PNP 0.625 100 80 5 1500 ≥250.50.1 100 TO-92 КТ646А КТ646БКТ646В2SC495 2CS496 NPN 1.0 60 40 40 60 40 40 4 1000 40…200 >150 150…3400.850.250.2510 10 0.05 250 TO-126 KT660A KT660Б BC337 BC338 NPN 0.5 50 30 45 30 5 800 110...220200 (450)0.5 1.0 200 TO-92КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ КТ805ИМ KSD362 KSD773 NPN 30 300 45 30 5 5000 V KER >15>15>15 >252.53.0 1.0 TO-92 KT814AKT814БKT814BKT814ГBD136 BD138 BD140 PNP 10 40 50 70 100 5 1500 40…27540…27540…27530…2750.650 40 TO-126 KT815AKT815БKT815BKT815ГBD135 BD137 BD139 NPN 10 40 50 70 100 5 1500 40…27540…27540…27530…2750.650 40 TO-126 KT816AKT816БKT816BKT816ГBD234 BD236 BD238 PNP 25 40 45 60 100 5 3000 25…2750.6100 3.0 TO-126 KT817AKT817БKT817BKT817ГBD233 BD235 BD237 NPN 25 40 45 60 100 5 3000 25...2750.6100 3.0 TO-126 КТ8126А1 КТ8126Б1 MJE13007 MJE13006 NPN 80 700 600 400 300 9 8000 8...60 1.01000 4.0 TO-220 КТ8164А КТ8164Б MJE13005 MJE13004 NPN 75 700 600 400 300 9 4000 8...40 1.01000 TO-220 КТ8170А1 КТ8170Б1 MJE13003 MJE13002 NPN 40 700 600 400 300 9 9 1500 8 (40)1.01000 4.0 TO-126 КТ8176АКТ8176БКТ8176ВTIP31A TIP31B TIP31C NPN 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1.2 3.0 TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors71• Bipolar Transistors (continued)Part Pin to PinCompatibility Polarity РC max, W V CB max,V V CE max,V V EB max,V I Cmax,m А h FE V CE sat, VI CBO, μАF T, МHz Nf, dB Package (Pads) КТ8177АКТ8177БКТ8177ВTIP32A TIP32B TIP32C PNP 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1.2 3.0 TO-220 КТ8212А КТ8212БКТ8212ВTIP41С TIP41B TIP41A NPN 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1.5 I CES =400 3.0 TO-220КТ8213А КТ8213БКТ8213ВTIP42C TIP42B TIP42A PNP 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1.5 I CES =400 3.0 TO-220MJE2955 PNP 75 70 60 5 1000020…100 1.1 1000 TO-220 MJE3055 NPN 75 70 60 5 1000020…100 1.1 1000 TO-220 КТ738А КТ739А TIP3055 TIP2955 NPN PNP 90 70 60 5 1500020…100 1.1 1000 TO-218 КТ732А КТ733А MJE4343 MJE4353 NPN PNP 125 160 160 7 160008…15 2.0 750 1.0 TO-218 КТ8224А КТ8224Б* BU2508A BU2508DNPN 100 1500700 7.5 8000 4…7 1.0 I ebo=1.0 100..187 TO-218КТ8225ABU941ZP NPN 155 350 5 15000>300 1.8 Veb=5.0V Iebo=20 TO-218 КТ8228А КТ8228Б* BU2525A BU2525DNPN 125 1500800 7.5 12000 5.0…9.5 5.0 I ebo=1.0 80…150 TO-218КТ8229А TIP35F NPN 125 180 180 5 2500015…75 1.8 I ceo = 1.0 3.0 TO-218 КТ8230А TIP36F PNP 125 180 180 5 2500015…75 1.8 1.0 3.0 TO-218 КТ8261А BUD44D2 NPN 25 700 400 9 2000 >10 0.65 0.1 TO-126 BUL44D2 NPN 40 700 400 9 5000 >10 0.65 0.1 TO-220 КТ8247А BUL45D2 NPN 75 700 400 12 5000 >22 0.5 100 TO-220КТ8248А BU2506F NPN 90 Vcek 1500700 7.5 5000 3.8…9.0 3.0 Icek, mA1.0TO-218 KT538A MJE13001 NPN 0.7 600 400 9 0.5 5…90 0.5 1000 4 TO-92 КТ8248А1 BU2506F NPN 90 Ucek 1500 700 7.5 5000 3.8…9.0 3.0 Icek,мА1.0 TO-218KT8290A BUH100 NPN 100 700 400 9 10000 >10 1.0 0.1 ТО-220 КТ8255А BU407 NPN 60 330 160 6 7000 >15 1.0 1.0 ТО-220 KT8270A MJE13001 NPN 0.7 600 400 9 0.5 5…90 0.5 1000 4 TO-126KT8296AKT8296БKT8296ВKT8296ГKSD882R KSD882O KSD882Y KSD882G NPN 10 40 30 5 3000 60…120100…200160…320200…4000.5 100 TO-126 KT8297AKT8297БKT8297ВKT8297ГKSB772R KSB772O KSB772Y KSB772G PNP 10 40 30 5 3000 60…120100…200160…320200…4000.5 100 TO-126KT872A KT872Б KT872B KT872Г* with clampingdiodeBU508А BU508 BU508DNPN1001500150012001500700 700 600 70061000>61.0 5.0 1.0 1.04.0TO-218KT928A 2N2218 NPN 0.5 60 60 5 0.8 20…100 1.0 5.0 250 TO-126KT928Б 2N2219 NPN 0.5 60 60 5 0.8 50…200 1.0 5.0 250 TO-126 KT928B 2N2219ANPN 0.5 75 75 5 0.8 100…300 1.0 1.0 250TO-126 KT940AKT940БKT940BBF459 BF458 NPN 10 300 250 160 3002501605 100 >25 1.0 0.05 TO-126 КТ969А BF469 NPN 6 300 250 5 100 50…250 1.0 0.05 60TO-126DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors72 • Power Bipolar Darlington TransistorsPart Pin to PinCompatibilityPolarityРC max, W V CB max, V V CE max, V V EB max, V I Cmax, m А h FE V CE sat, VICBO,μА F T, МHzPacka-ge KT8115AKT8115БKT8115BTIP127 TIP126 TIP125 PNP 65 100 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2.0 200 4 TO-220KT8116AKT8116БKT8116BTIP122 TIP121 TIP120 NPN 65 100 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2.0 200 4 TO-220КТ8214АКТ8214БКТ8214ВTIP110 TIP111 TIP112 NPN 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2.5 1000 TO-220КТ8215АКТ8215БКТ8215ВTIP115 TIP116 TIP117 PNP 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2.5 1000 TO-220KT8156A КТ8156Б BU807 NPN 60 330 150 2006 8000 >100 1.5 1000 TO-220KT8158AKT8158БKT8158BBDV65A BDV65B BDV65C NPN 125 60 80 100 60 80 100 5 12000>1000 2.0 400 TO-218KT8159AKT8159БKT8159ВBDV64A BDV64B BDV64C PNP 125 60 80 100 60 80 100 5 12000>1000 2.0 400 TO-218КТ8225А BU941ZP NPN 155 350 350 5 15000>300 2.7 100 TO-218КТ8251А BDV65F NPN 125 180 180 5 10000>100 2.0 0.4 TO-218KT972AKT972БKT972BKT972ГBD875 NPN 8.0 60 45 60 60 60 45 60 60 5 2000 >750 >750 750…5000 750…5000 1.5 1.5 1.5 0.95 200 TO-126KT973AKT973БKT973BBD876 PNP 8.0 60 45 60 60 45 60 5 2000 >750 >750 750…5000 1.5 1.5 1.5 200 TO-126• Unijunction TransistorsPart Pin to Pin Compatibility P max,W Vb, b2 max, V Ie pulse, A Ie rev, μA Veb sat,V ηPackage KT132A KT132Б 2N2646 2N2647 0.3 35 2.0 12.0 0.2 3.5 0.56…0.75 0.68…0.82 Case 22A-01KT133A KT133Б 2N4870 2N4871 0.3 35 1.5 1.0 2.5 0.56…0.75 0.70…0.85TO-92• Logic Level N-Channel MOSFETsPart Pin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on) Ohm Id max, A Vgs max, VP max, W Vgs (th),VPackageКП723Г IRLZ44 60 0.028 50 ±10 150 1.0…2.0 TO-220 КП727В IRLZ34 60 0.05 30 ±10 88 1.0…2.0 TO-220 КП744Г IRL520 100 0.27 9.2 ±10 60 1.0…2.0 TO-220 КП745Г IRL530 100 0.22 15 ±10 88 1.0…2.0 TO-220 КП746Г IRL540 100 0.077 28 ±10 150 1.0…2.0 TO-220 КП737Г IRL630 200 0.4 18 ±10 50 1.0…2.0 TO-220 КП750Г IRL640 200 0.18 18 ±1050 1.0…2.0 TO-220КП775А КП775БКП775В2SK2498А-В 60 55 60 0.009 0.009 0.011 50 ±20150 1.0…2.01.0…2.0 1.0…2.0TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors73• Low Power MOSFETsPartPin to Pin Compatibility P max, W Vgs max, V Vds max,V Vgs(off), V Rds(on), Ohm Id max, A g fs,A/VPackageКП501А КП501Б КП501ВZVN2120 0.5 ±202402002001.0…3.0 1.0…3.0 10 10 15 10 >0.1 TO-92 КП502А BSS124 1.0 ±10 400 1.5…2.5 28 0.12 0.1 TO-92 КП503А BSS129 1.0 ±10400 1.5…2.5 28 0.12 0.1 TO-92КП504А КП504БКП504ВКП504ГКП504ДКП504ЕBSS88 1.0 1.0 0.7 0.7 0.7 0.7 ±102502502001802002000.6…1.2 8 8 8 10 8 8 0.32 0.14 TO-92 КП505А КП505БКП505ВКП505ГBSS295 1.0 1.0 1.0 0.7 ±1050506080.8…2.0 0.8…2.0 0.8…2.0 0.4…0.8 0.3 0.3 0.3 1.2 1.4 0.5 0.5 0.5 TO-92 КП507A BSS315 1.0 ±20 -50 -0.8…-2.00.8 -1.1 TO-92 КП508A BSS92 1.0 ±20-240 -0.8…-2.020 -0.15 TO-92КП509А9 КП509Б9КП509В9BSS131 0.36 0.50 0.36 ±142402402000.8…-2.0 0.6…-1.2 0.8…-2.0 16 8 16 0.1 0.25 0.1 0.06 0.14 0.06 SOT-23 КП510A9 IRML2402 0.54 ±12 20 0.7…-1.6 0.25 1.2 1.3 SOT-23 КП511A КП511Б TN0535 TN0540 0.75 ±20 350 400 0.8…-2.0 22 0.14 0.125 TO-92 КП523А КП523Б BSS297 1.0 1.0 ±20 ±14 200 200 0.8…2.0 0.8…2.0 2.0 4.0 0.48 0.34 0.5 0.5TO-92 КП214А9 2N7002LT1 0.2 ±40 60 1.0…2.5 7.5 0.115 0.08 SOT-23• Power N-Channel MOSFETsPartPin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, AVgs max,V P max, W Vgs (th),VPackageКП723АКП723БКП723ВIRFZ44 IRFZ45 IRFZ40 60 60 50 0.028 0.035 0.028 50 50 50 ±20 150 2.0…4.0 TO-220 КП726А КП726Б BUZ90A BUZ90 600 2.0 1.6 4.0 4.5 ±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП727А КП727Б BUZ71 IRFZ34 50 60 0.1 0.05 14 30±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП728Г1,Г2 КП728С1,С2КП728Е1,Е2BUZ80A 700650 600 5.0 4.0 3.0 3.0 ±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП739АКП739БКП739ВIRFZ14 IRFZ10 IRFZ15 60 50 60 0.2 0.2 0.3 10 10 8.3 ±20 43 2.0…4.0 TO-220 КП740АКП740БКП740ВIRFZ24 IRFZ20 IRFZ25 60 50 60 0.1 0.1 0.12 17 17 14 ±20 60 2.0…4.0 TO-220 КП741А КП741Б IRFZ48 IRFZ46 60 50 0.018 0.024 50 ±20 190 1502.0…4.0 TO-220 КП742А КП742Б STH75N06 STH80N05 60 50 0.014 0.012 75 80±20200 2.0…4.0 TO-218DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors74 • Power N-Channel MOSFETs (continued)PartPin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, A Vgs max, VP max, W Vgs (th),VPackageКП743А КП743БКП743ВIRF510 IRF511 IRF512 100 80 100 0.54 0.54 0.74 5.6 5.6 4.9 ± 20 43 2.0…4.0 TO-220TO-126 КП743А1 100 0.54 5.5 ±2040 2.0…4.0 TO-126 КП744А КП744БКП744ВIRF520 IRF521 IRF522 100 80 100 0.27 0.27 0.36 9.2 9.2 8.0 ±20 60 2.0…4.0 TO-220 КП745А КП745БКП745ВIRF530 IRF531 IRF532 100 80 100 0.16 0.16 0.23 14.0 14.0 12.0 ±20 88 2.0…4.0 TO-220 КП746А КП746БКП746ВIRF540 IRF541 IRF542 100 80 100 0.077 0.077 0.1 28.0 28.0 25.0 ±20 150 2.0…4.0 TO-220 КП747А IRFP150 100 0.055 41.0 ±20230 2.0…4.0 TO-218 КП748А КП748БКП748ВIRF610 IRF611 IRF612 200 150 200 1.5 1.5 2.4 3.3 3.3 2.6 ±20 36 2.0…4.0 TO-220 КП749А КП749БКП749ВIRF620 IRF621 IRF622 200 150 200 0.8 0.8 1.2 5.2 5.2 4.0 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП737А КП737БКП737ВIRF630 IRF634 IRF635 200 250 200 0.4 0.45 0.68 9.0 8.1 6.5 ±20 74 2.0…4.0 TO-220 КП750А КП750БКП750ВIRF640 IRF641 IRF642 200 150 200 0.18 0.18 0.22 18.0 18.0 16.0 ±20 125 2.0…4.0 TO-220 КП731А КП731БКП731ВIRF710 IRF711 IRF712 400 350 400 3.6 3.6 5.0 2.0 2.0 1.7 ±20 36 2.0…4.0 TO-220 КП751А КП751БКП751ВIRF720 IRF721 IRF722 400 350 400 1.8 1.8 2.5 3.3 3.3 2.8 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП752А КП752Б КП752В Pilot ProductionIRF730 IRF731IRF732400 350 400 1.0 1.0 1.5 5.5 5.5 4.5 ±20 74 2.0…4.0 TO-220КП753АКП753Б КП753ВPilot ProductionIRF830 IRF831 IRF832 500 450 500 1.5 1.5 2.0 4.5 4.5 4.0 ±20 74 2.0…4.0 TO-220КП771А STP40N10100 0.04 40 ±20150 2.0…4.0 TO-220 КП776А КП776Б КП776В КП776Г Pilot ProductionIRF740 IRF741 IRF742 IRF744400 350 400 4500.55 0.55 0.8 0.6310.0 10.0 8.3 8.8±20 125 2.0…4.0 TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors75• Power N-Channel MOSFETs (continued)Part Pin to Pin Compatibility Vds max, VRds (on),Ohm Id max, A Vgs max,V P max, W Vgs (th),VPackageКП777А КП777Б КП777ВPilot ProductionIRF840IRF841IRF842 500 450 500 0.85 0.85 1.1 8.0 8.0 7.0±20 125 2.0…4.0 TO-220КП778А IRFP250 200 0.085 30.0 ±20190 2.0…4.0 TO-220КП779А Pilot ProductionIRFP450 500 0.4 14.0 ±20190 2.0…4.0 TO-220 КП780АКП780Б КП780В IRF820 IRF821IRF822500 450 500 3.0 3.0 4.0 2.5 2.5 2.2 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП781АPilot ProductionIRFP350 400 0.3 16.0 ±20 190 2.0…4.0 TO-220 КП783АPilot Production IRF3205 55 0.008 70.0 ±20200 2.0…4.0 TO-220 КП786А Pilot ProductionBUZ80A 800 3.0 4.0 ±20100 2.0…4.0 TO-220 КП787А Pilot Production BUZ91A 600 0.9 8.0 ±20150 2.0…4.0 TO-220 КП789А Pilot ProductionBUZ111S 320 0.008 80.0 ±20250 2.1…4.0 TO-220• Power P-Channel MOSFETsPart Pin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, A Vgs max, V P max, W Vgs (th),VPackageКП784A IRF9Z34 -60 0.14 -18.0 ±20 88 -2.0…-4.0 TO-220 КП785A IRF9540 -100 0.20 -19.0 ±20 150 -2.0…-4.0 TO-220 КП796АUnderDevelopmentIRF9634 -250 1.0 -4.3 ±20 74 -2.0…-4.0 TO-220。
STM8S105XX中文资料
数据手册STM8S103K3STM8S103F3 STM8S103F2 基础型系列，16MHz STM8S 8位单片机，Flash最多8K字节集成数据EEPROM，10位ADC，3个定时器，UART，SPI，I²C芯片特点内核④高级STM8内核，具有3级流水线的哈佛结构④扩展指令集存储器④程序存储器：8K字节Flash；10K次擦写后在55°C环境下数据可保存20年④数据存储器：640字节真正的数据EEPROM；可达30万次擦写④RAM：1K字节时钟、复位和电源管理④ 2.95到5.5V工作电压④灵活的时钟控制，4个主时钟源–低功率晶体振荡器–外部时钟输入–用户可调整的内部16MHz RC–内部低功耗128kHz RC④带有时钟监控的时钟安全保障系统④电源管理：–低功耗模式(等待、活跃停机、停机) –外设的时钟可单独关闭④永远打开的低功耗上电和掉电复位中断管理④带有32个中断的嵌套中断控制器④ 6个外部中断向量，最多27个外部中断定时器④高级控制定时器：16位，4个捕获/比较通道，3个互补输出，死区控制和灵活的同步④ 16位通用定时器，带有3个捕获/比较通道(IC、OC 或 PWM)④带有8位预分频器的8位基本定时器④自动唤醒定时器④ 2个看门狗定时器：窗口看门狗和独立看门狗通信接口④带有同步时钟输出的UART ，智能卡，红外IrDA，LIN主模式接口④SPI接口最高到8Mbit/s④I2C接口最高到400Kbit/s模数转换器④ 10位，±1LSB的ADC，最多有5路通道，扫描模式和模拟看门狗功能I/O端口④ 32脚封装芯片上最多有28个I/O，包括21个高吸收电流输出④非常强健的I/O设计，对倒灌电流有非常强的承受能力开发支持④单线接口模块(SWIM)和调试模块(DM)，可以方便地进行在线编程和非侵入式调试本文档英文原文下载地址：/stonline/products/literature/ds/15441.pdf目录目录1 简介 (4)2 详细描述 (5)3 模块框图 (6)4 产品概述 (7)4.1 STM8的中央处理单元 (7)4.2 单线接口模块(SWIM)和调试模块(DM) (7)4.3 中断控制器 (8)4.4 Flash程序存储器和数据EEPROM存储器 (8)4.5 时钟控制器 (9)4.6 电源管理 (10)4.7 看门狗定时器 (10)4.8 自动唤醒计数器 (10)4.9 蜂鸣器 (10)4.10 TIM1 — 16位高级控制定时器 (11)4.11 TIM2 — 16位通用定时器 (11)4.12 TIM4 — 8位基本定时器 (11)4.13 模数转换器(ADC1) (11)4.14 通信接口 (11)4.14.1 UART1.......................................................................................................................124.14.2 SPI.............................................................................................................................12 4.14.3 I2C..............................................................................................................................135引脚及其描述. (14)5.1封装引脚............................................................................................................................145.1.1备选功能重映射 (19)6 中断向量映像 (20)7 选项字节 (218)存储器和寄存器映像 (24)8.1 存储器映像 (24)8.2 寄存器映像 (25)9电气特性 (32)9.1参数条件 (32)9.1.1 最小和最大值 (32)9.1.2 典型数值 (32)9.1.3典型曲线....................................................................................................................329.1.4负载电容.. (32)9.1.5引脚输入电压 (32)9.2 绝对最大额定值 (33)9.3 工作条件 (34)9.3.1VCAP外部电容...........................................................................................................359.3.2供电电流特性 (35)9.3.3外部时钟源和时间特性...............................................................................................409.3.4内部时钟源和时间特性 (42)9.3.5 存储器特性 (44)9.3.6 I/O端口管脚特性 (44)9.3.7 复位管脚特性 (49)9.3.8 串行外设接口(SPI) (51)目录9.3.9 I2C接口特性 (53)9.3.10 10位ADC特性............................................................................................................539.3.11EMC特性....................................................................................................................5510封装特性.. (58)10.1封装机械数据 (58)10.1.1 LQFP封装尺寸 (58)10.1.2 QFN封装机械数据 (59)10.1.3 TSSOP 封装机械数据 (60)10.1.4 WFQFPN20 封装 (61)10.2热特性 (62)10.2.1参考文档 (63)10.2.2选择产品的温度范围...................................................................................................6311订购信息.................................................................................................................6412STM8 开发工具 (本章从略) . (65)12.1 仿真和在线调试工具 (65)12.2 软件工具 (65)12.2.1 STM8工具套件 (65)12.2.2 C和汇编工具..............................................................................................................6512.2.3编程工具....................................................................................................................6513(英文)版本修改记录. (66)简介1 简介这本数据手册描述了STM8S103xx基础型系列单片机的特点、引脚分配、电气特性、机械特性和订购信息。
TL494直流变换器_电力电子
实习（实训）报告名称电力电子技术课程实训直流变换器2012年12月31日至2013年1月4日共一周院系电子信息工程系班级12电气3姓名刘建系主任教研室主任指导教师张波目录第一章绪论 (2)3、工作原理 (3)4、直流变换器调制方法 (3)第二章简介TL494和Buck变化器 (4)1 TL494芯片介绍 (4)1.1TL494的性能与特点 (4)1.2TL494的工作原理 (4)1.3 管脚实物图 (5)2、BUCK电路 (6)2.1 工作原理 (6)第三章TL494控制Buck变化器 (6)1 工作原理 (6)2 电路原理图 (7)第四章实验结果 (8)1、静态输入 (8)2、动态输入 (9)第五章元件清单 (11)第六章心得与体会 (12)实验中出现的问题以及解决方法 (12)参考文献 (13)第一章绪论1、设计任务与要求1．掌握PCB制板技术、焊接技术、电路检测以及集成电路的使用方法。
2．掌握TL494的非隔离开关电源的设计、组装与调试方法。
3．研究开关电源的实现方法，并按照设计指标要求进行电路的设计与仿真。
具体要求如下：①分析、掌握该课题总体方案，广泛阅读相关技术资料，并提出自己的见解。
②掌握开关电源的工作原理。
③设计硬件系统并进行仿真，掌握系统调试方法，使系统达到设计要求。
主要技术指标设计要求：直流输入电压：10~40V；输出电压：5V；输出电流：1A；效率：≥72%。
2、集成稳压电源和开关电源的区别（1）、集成稳压器的组成图1 集成稳压器的组成电路内部包括了串联型直流稳压电路的各个组成部分,另外加上保护电路和启动电路。
1.调整管在W7800系列三端集成稳压电路中，调整管为由两个三极管组成的复合管。
这种结构要求放大电路用较小的电流即可驱动调整管发射极回路中较大的输出电流，而且提高了调整管的输入电阻。
3、工作原理其工作原理为：输出经过FB（反馈电路）接到FB pin，反馈电压VFB与设定好的比较电压Vcomp比较后，产生差错电压信号，差错电压信号输入到PWM模块，PWM根据差错电压的大小调节占空比，从而达到控制输出电压的目的，振荡器的作用是产生PWM工作频率的三角波，三角波经过斩波电压斩波后，产生方波，其方波就是控制MOSFET的导通时间从而控制输出电压的。
TIP31G;TIP32AG;TIP32BG;TIP31CG;TIP31AG;中文规格书,Datasheet资料
Features
• Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −
VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32 = 60 Vdc (Min) − TIP31A, TIP32A
APPROX
RC
+11 V
Vin 0 VEB(off)
APPROX +11 V
Vin
t1 t3
Vin RB
Cjd << Ceb
t1 ≤ 7.0 ns 100 < t2 < 500 ms
t3 < 15 ns
−4.0 V
t2
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
TURN−OFF PULSE APPROX − 9.0 V
Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
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Publication Order Number: TIP31A/D
Collector Cutoff Current (VCE = 40 Vdc, VEB = 0) (VCE = 60 Vdc, VEB = 0) (VCE = 80 Vdc, VEB = 0) (VCE = 100 Vdc, VEB = 0)
TIP31, TIP32, TIP31A, TIP32A TIP31B, TIP31C, TIP32B, TIP32C
常用的npn管型号
常用的npn管型号常用的npn管型号概述NPN晶体管是一种三极管，由三个掺杂不同材料的半导体层组成，其中两个外层为P型半导体，中间为N型半导体。
它是最常见的晶体管之一，广泛应用于各种电路中。
本文将介绍几种常用的NPN晶体管型号及其特点。
1. 2N39042N3904是一种通用的低功耗NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达300MHz。
其最大集电极电压为40V，最大集电极电流为200mA。
2. BC547BC547是一种通用的NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为45V，最大集电极电流为100mA。
3. BC548BC548是一种通用的低功耗NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为30V，最大集电极电流为100mA。
4. 2N22222N2222是一种通用的NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达300MHz。
其最大集电极电压为30V，最大集电极电流为800mA。
5. BD139BD139是一种低功耗NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为80V，最大集电极电流为1.5A。
6. BD140BD140是一种低功耗PNP晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为80V，最大集电极电流为1.5A。
7. TIP31TIP31是一种通用的NPN晶体管，具有高功率和高频率特性。
它适用于各种放大器、开关、稳压等场合中。
其最大集电极电压为40V，最大集电极电流为3A。
8. TIP32TIP32是一种通用的PNP晶体管，具有高功率和高频率特性。
B494资料
240
50uF 35V
测试项目 线电源电压 负载调整率 输出纹波电压 短路电流
效率
测试条件
Vin=10V~40V Vin=28V；Io=1.0mA~1.0A
Vin=28V；Io=1.0A Vin=28V；RL=0.1Ω Vin=28V；Io=1.0A
结果 14mV 0.28% 3.0mV 0.06% 65mVpp P.A.R.D
1M
0.01uF33K
0.01uF
3 Comp 15 -
Tip32 C2 11
47
50uF 25V
16 + OC Vref DT CT RT Gnd E1 E2
13 14 4 5 6 7 9 10
4.7K 4.7K
10uF 10K
1N4934 L1
1N4934
B494
Vo=28V Io=0.2A
50uF 35V
参数名称
电源电压 集电极输出电压 集电极输出电流（单一晶体管） 放大器输入电压 功耗（Tamb≤45℃） 工作环境温度 贮存温度
符号
Vcc Vc1;Vc2 Ic1;Ic2
Vin PD Tamb Tstg
数值
最小
最大
42
42
250
-0.3
42
500
-25
75
-55
150
单位
V V mA V mW ℃ ℃
测试条件
Io=1.0mA ΔTamb 从 MIN 到 MAX Vcc=7.0V~40V Io=1.0mA~10mA Vref=0V，Tamb=25℃
规范值 符号
最小 典型 最大
单 位
Vref 4.75 5.0 5.25 V
微机继电保护的主要芯片介绍
第13页，共51页。
• U7——总线交换协议与端口1(P1) • U8——高速输入输出通道 • U9——定时器单元 • U10——串行通信单元 • U11——D／A转换单元 • U12——端口2(P2)多路转换器 • U13——端口0 (P0) 和端口2 (P2) • U14——A／D转换单元
第24页，共51页。
• 早期应用于电力系统的微机保护产品采 用的CPU大多为8位或16位单片机，由于受 硬件资源及功能较简单的限制，微机产品的 优势难以充分发挥，其采样能力及采样精度 上无法满足一些复杂的原理和算法的要求， 基于常规CPU的保护产品也都难以胜任。基 于DSP的数据采集和处理系统由于其强大的 数学运算能力和特殊设计，使得它在继电保 护各种原理的实现上得心应手。
第25页，共51页。
•
对于正常运行状态下的电力系统，主要是对稳态下
的基波和谐波进行分析，傅里叶变换是一个十分有效的
工具。但有些保护功能需要提取和识别电力系统故障信
息，如行波和超高速保护、小电流接地选线等傅里叶变
换就显得无能为力，必须用到更高级的DSP算法，例如
20世纪90年代兴起的一种称为小波变换的分析方法。
LPC2214，是一款基于16／32位ARM7TDMI—S，并
支持实时仿真和跟踪的CPU，带有128／256KB嵌入的
高速Flash存储器。128位宽度的存储器接口和独特的
加速结构使32位代码能够在最大时钟速率下运行。可
使用16位Thumb模式将代码规模降低超过30％，而性
能的损失却很小。
•
下图为LPC2212／LPC2214的结构方框图:
一个8通道的多路开关，一个具有14位分辨率的A／D转换
TIP29C中文资料
TIP29 Series(TIP29/29A/29B/29C)NPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings T C =25°C unless otherwise notedElectrical Characteristics T C =25°C unless otherwise noted* Pulse Test: PW ≤300µs, Duty Cycle ≤2%Symbol ParameterValue Units V CBOCollector-Base Voltage : TIP29: TIP29A : TIP29B : TIP29C 40 60 80 100V V V V V CEOCollector-Emitter Voltage : TIP29: TIP29A : TIP29B : TIP29C 40 60 80 100V V V V V EBO Emitter-Base Voltage 5V I C Collector Current (DC) 1A I CP Collector Current (Pulse) 3A I B Base Current0.4A P CCollector Dissipation (T C =25°C) 30W Collector Dissipation (T a =25°C)2W T J Junction Temperature 150°C T STGStorage Temperature- 65 ~ 150°CSymbol ParameterTest ConditionMin.Max.Units V CEO (sus)*Collector-Emitter Sustaining Voltage: TIP29: TIP29A : TIP29B : TIP29C I C = 30mA, I B = 040 60 80100V V V V I CEOCollector Cut-off Current: TIP29/29A : TIP29B/29C V CE = 30V, I B = 0 V CE = 60V, I B = 00.30.3mA mAI CESCollector Cut-off Current: TIP29: TIP29A : TIP29B : TIP29CV CE = 40V, V EB = 0 V CE = 60V, V EB = 0 V CE = 80V, V EB = 0 V CE = 100V, V EB = 0200200200200µA µA µA µA I EBO Emitter Cut-off Current V EB = 5V, I C = 0 1.0mAh FE*DC Current GainV CE = 4V, I C = 0.2A V CE = 4V, I C = 1A 40 1575 V CE (sat)*Collector-Emitter Saturation Voltage I C = 1A, I B = 125mA 0.7V V BE (sat)*Base-Emitter Saturation Voltage V CE = 4V, I C = 1A 1.3V f TCurrent Gain Bandwidth ProductV CE = 10V, I C = 200mA3.0MHz TIP29 Series(TIP29/29A/29B/29C)Medium Power Linear Switching Applications•Complementary to TIP30/30A/30B/30C1.Base2.Collector3.Emitter1TO-220TIP29 Series(TIP29/29A/29B/29C)TIP29 Series(TIP29/29A/29B/29C)DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to performwhen properly used in accordance with instructions for useprovided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can bereasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.A CEx™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DenseTrench™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™FACT™FACT Quiet Series™FAST ®FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MICROWIRE™OPTOLOGIC™OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerTrench ®QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™SLIENT SWITCHER ®SMART START™STAR*POWER™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TruTranslation™TinyLogic™UHC™UltraFET ®VCX™STAR*POWER is used under license。
AC7815子系列数据手册
3 参数分类 ......................................................................................................................................... 7
4 额定值 ............................................................................................................................................. 8
5 通用 .............................................................................................................................................. 10
AC7815 子系列数据手册
支持以下产品： AC7815QBGE AC7815OBGE AC7815MBGE AC7815QBFE AC7815OBFE AC7815MBFE AC7815JBFE
版本: 日期:
1.0 2019-02-19
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6.2.1 AutoChips 机密文件
外部振荡器(OSC) 特性 ....................................................................................... 16
科友加密机接口
编程手册编程手册 (1)第一篇编程指南 (6)1.1简要介绍 (6)1.2一般说明 (6)1.3三倍DES运算 (7)1.3.1密钥的用法 (7)1.3.2密钥的加密方案 (7)1.ANSI X9.17方式 (7)2.变量方式 (7)YYYY YYYY YYYY YYYY (8)BBBB BBBB BBBB BBBB (8)YYYY YYYY YYYY YYYY (8)BBBB BBBB BBBB BBBB (8)CCCC CCCC CCCC CCCC (8)YYYY YYYY YYYY YYYY (8)ZZZZ ZZZZ ZZZZ ZZZZ (8)BBBB BBBB BBBB BBBB (8)CCCC CCCC CCCC CCCC (8)1.4密钥的生成、输入和输出 (8)1.5命令消息格式 (9)1.5.1TCP/IP方式 (9)1.5.2串口Async方式 (9)1.6响应消息格式 (10)1.6.1TCP/IP方式 (10)1.6.2串口Async方式 (11)1.7数据的表示 (11)1.7.1ASCII字符编码 (12)1.7.2EBCDIC字符编码 (12)1.7.3EBCDIC码至ASCII码的转换表 (14)1.8输入/输出流控制 (16)1.9错误控制 (16)1.10多HSM的使用 (17)1.11用户存储 (17)1.11.1分配和使用索引 (18)1.11.2指定存储数据 (19)1.12通过一台连接在HSM上的打印机打印 (20)1.13禁止弱密钥和半弱密钥 (20)1.13.1DES弱密钥 (20)1.13.2DES半弱密钥 (21)1.14本地主密钥 (21)1.14.1LMK表 (21)1.14.2标准测试用LMK集 (22)1.15本地主密钥变种 (23)1.16本地主密钥三DES变量方案 (24)1.16.1一般说明 (24)1.16.2密钥类型表 (25)1.16.3密钥方案表 (26)第二篇主机命令 (27)2.1一般说明 (27)2.2通用密钥管理命令 (27)2.2.1生成密钥 (28)2.2.2生成并打印一个成份 (29)2.2.3由密的成份组成一个密钥 (31)2.2.4输入一个密钥 (32)2.2.5输出一个密钥 (33)2.3区域主密钥（ZMK）管理 (34)2.3.1生成并打印一个ZMK成份 (35)2.3.2由三个ZMK成份组成一个ZMK (37)2.3.3由2到9个ZMK成份组成一个ZMK (38)2.3.4将ZMK由ZMK转为LMK加密 (40)2.4区域PIN密钥（ZPK）管理 (42)2.4.1生成一个ZPK (43)2.4.2将ZPK由ZMK转为LMK加密 (44)2.4.3将ZPK由LMK转为ZMK加密 (46)2.5区域加密密钥，区域认证密钥管理 (47)2.5.1生成一个ZEK/ZAK (48)2.5.2将ZEK/ZAK从ZMK转为LMK加密 (49)2.5.3将ZEK/ZAK从LMK转为ZMK加密 (50)2.6终端主密钥，终端PIN密钥和终端认证密钥管理 (51)2.6.1生成并打印一个TMK、TPK或PVK (52)2.6.2生成一个TMK、TPK或PVK (54)2.6.3将TMK、TPK或PVK从LMK转为另一TMK、TPK或PVK加密542.6.4将TMK、TPK或PVK从ZMK转为LMK加密 (55)2.6.5将TMK、TPK或PVK从LMK转为ZMK加密 (56)2.6.6生成一对PVKs (57)2.7终端认证密钥管理 (60)2.7.1生成一个TAK (61)2.7.2将TAK从ZMK转为LMK加密 (62)2.7.3将TAK从LMK转为ZMK加密 (63)2.7.4将TAK从LMK转为TMK加密 (64)2.8PIN和Offset的生成 (65)2.8.1生成一个随机的PIN (66)2.8.2生成一个VISA的PIN校验值 (67)2.9PIN校验 (68)2.9.1校验一个用VISA方式的终端PIN (68)2.9.2校验一个用VISA方式的、用于交换的PIN (69)2.9.3校验一个用比对方式的终端PIN (70)2.9.4校验一个用比对方式的、用于交换的PIN (71)2.10PIN翻译 (72)2.10.1将PIN从一个ZPK翻译到另一个ZPK（已升级） (73)2.10.2将PIN从TPK翻译到ZPK (75)2.10.3将PIN从ZPK翻译到LMK (76)2.10.4将PIN从TPK翻译到LMK (77)2.10.5将PIN从LMK翻译到ZPK (78)2.11PIN请求数据处理 (79)2.12清除PIN支持 (81)2.12.1加密一个明文的PIN (82)2.13主机口令支持 (82)2.14消息认证码支持 (83)2.14.1生成一个MAC (84)2.14.2校验一个MAC (85)2.14.3校验并转换一个MAC (85)2.14.4用ANSI X9.19方式对大消息生成MAC（MAB） (86)2.14.5用银联方式对大消息生成MAC（MAB） (88)2.15打印输出的格式 (92)2.15.1字格式打印PINs (95)ONE TWO THREE FOUR (95)2.15.2以列形式打印PINs (96)2.15.3装载格式化数据至HSM (97)2.15.4装载附加格式化数据至HSM (98)2.16复合命令 (99)2.16.1退出授权状态 (99)2.16.2生成密钥校验值（非双倍长度ZMK） (100)2.16.3生成密钥校验值 (101)2.16.4完成诊断 (102)2.16.5HSM状态 (103)2.17VISA卡校验值 (104)2.17.1生成CVK对 (105)2.17.2将CVK对由LMK下加密转换为ZMK下加密 (105)2.17.3将CVK对由ZMK下加密转换为LMK下加密 (106)2.17.4生成VISA CVV (107)2.17.5校验VISA CVV (108)2.17.6用EDK密钥加解密数 (109)第三篇PIN格式 (110)3.1一般说明 (110)3.2格式01 (110)3.3格式02 (111)3.4格式03 (111)3.5格式04 (112)3.6格式05 (113)1NP1...PNR...R . (113)第四篇错误代码 (113)4.1错误代码表 (113)第五篇名词表 (115)5.1一般说明 (115)文档修订记录版本创建日期作者校订备注1.02007/12/21第一篇编程指南1.1 简要介绍HSM（Host Security Module）称为主机安全模块（注：以下将主机安全模块均称为HSM），作为主机的外围设备，为主机在一个物理上安全的环境中实现加/解密运算的功能。
TIP122中文资料_数据手册_参数
hFE
1000 100
Tj= -40 °C Tj= 25 °C Tj=125 °C
VCE= 3 V
1000 100
Tj= -40 °C Tj= 25 °C Tj=125 °C
VCE= -3 V
10
0.01
0.1
1
Ic(A)
10
-0.01
-0.1
-1
Ic(A)
Figure 6. Collector-emitter saturation voltage Figure 7. Collector-emitter saturation voltage
TIP120, TIP121, TIP122 TIP125, TIP126, TIP127
Complementary power Darlington transistors
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage ■ Complementary NPN - PNP transistors
Table 4. Electrical characteristics(1)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
ICEO
Collector cut-off current (IB = 0)
for TIP120/125 for TIP121/126 for TIP122/127
for NPN type
for PNP type
VCE(sat) (V)
hFE= 250 1.4
AM00698v1
VCE(sat) (V)
hFE= 250 -1.4
tip32c参数
tip32c参数
没有明确的题目和背景，因此以下是一个tip32c参数的简介。
Tip32c是一个NPN晶体管，可用于放大电路和开关电路等应用。
它有许多参数，包括最大收集器电压（Vceo）、最大发射器基极电压（Veb）、最大集电极电流（Ic）、最大功率（Pd）等。
Vceo表示晶体管能承受的最大电压，它是指在集电极和发射极之间的最大电压。
通常情况下，Tip32c的Vceo为100V。
Veb是指从发射极到基极的最大电压，通常为5V。
Tip32c的最大集电极电流（Ic）为3A，这意味着它可以控制电流高达3A的电路。
最大功率（Pd）是一个晶体管能够承受的最大功率，通常是指在热稳定状态下的最大功率。
Tip32c的最大功率为40W。
另外，Tip32c还有一些其他参数，如输入电容（Cib）、输出电容（Cob）、反向传输电容（Cre）等。
这些参数通常用于描述晶体管的性能，以及在电路中使用时产生的影响。
Tip32c的参数可以影响整个电路的性能和效率。
因此，在设计电路时需要按照要求选择合适的Tip32c型号，并确保电路中的其他组件与Tip32c兼容。
tip29c导通电压
tip29c导通电压Tip29c是一种电子元件，它可以用来导通电压。
在本文中，我们将深入探讨Tip29c导通电压的原理和应用。
Tip29c是一种PNP型晶体管，它由三个层叠的半导体材料组成，分别是N型半导体、P型半导体和N型半导体。
其结构类似于两个PN结的结合，其中P型半导体为基极，两个N型半导体为发射极和集电极。
当Tip29c处于断开状态时，即没有输入电压时，发射极和集电极之间不存在导通路径，电流无法流过晶体管。
但是，一旦输入一个足够大的正向电压到基极，就会出现以下情况：P型半导体中的空穴会被输入电压吸引，使得发射极和集电极之间形成导通路径，电流开始流动。
这就是导通电压的原理。
Tip29c导通电压的应用非常广泛。
它可以用作开关，控制电路的通断。
当输入电压大于导通电压时，Tip29c导通，电路闭合；当输入电压小于导通电压时，Tip29c断开，电路断开。
这种开关特性使得Tip29c在各种电子设备和电路中得到广泛应用。
Tip29c还可以用作放大器。
通过控制输入电压的大小，可以调节输出电流的大小。
因此，在一些需要放大电流信号的场合，Tip29c也可以发挥重要作用。
除了上述应用，Tip29c还可以用于电源稳压电路、电流源电路等。
它的导通电压稳定性高，能够提供稳定的电流输出，因此在一些对电流要求较高的场合也得到了广泛应用。
需要注意的是，Tip29c导通电压的大小是由其物理结构和材料参数决定的，一般情况下是固定的。
因此，在使用Tip29c时，需要根据具体的应用要求选择合适的导通电压。
总的来说，Tip29c作为一种导通电压的元件，在电子设备和电路中起着重要的作用。
它可以用作开关、放大器、电源稳压电路等。
通过控制输入电压的大小，可以实现对电流的控制和调节。
同时，Tip29c的导通电压稳定性高，能够提供稳定的电流输出。
因此，在电子领域中，Tip29c是一种非常重要的元件。
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5
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分销商库存信息:
FAIRCHILD TIP32C TIP32A TIP32CTSTU TIP32CTU TIP32 TIP32ATU TIP32BTU
TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C — PNP Epitaxial Silicon Transistor
Typical Characteristics
VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE
1000
10000
VCE = 4V
IC/IB = 10
3
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TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C — PNP Epitaxial Silicon Transistor
Mechanical Dimensions
TO220
© 2008 Fairchild Semiconductor Corporation TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C Rev. A
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO IC ICP IB PC
Emitter-Base Voltage Collector Current (DC) Collector Current (Pulse) Base Current Collector Dissipation (TC=25°C) Collector Dissipation (Ta=25°C)
TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C — PNP Epitaxial Silicon Transistor
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted
Symbol VCEO(sus) Parameter * Collector-Emitter Sustaining Voltage : TIP32 : TIP32A : TIP32B : TIP32C Collector Cut-off Current : TIP32/32A : TIP32B/32C Collector Cut-off Current : TIP32 : TIP32A : TIP32B : TIP32C IEBO hFE Emitter Cut-off Current * DC Current Gain VCE = - 40V, VEB = 0 VCE = - 60V, VEB = 0 VCE = - 80V, VEB = 0 VCE = - 100V, VCE = 0 VEB = - 5V, IC = 0 VCE = - 4V, IC = - 1A VCE = - 4V, IC = - 3A IC = - 3A, IB = - 375mA VCE = - 4V, IC = - 3A VCE = - 10V, IC = - 500mA, f = 1MHz 3.0 25 10 - 200 - 200 - 200 - 200 -1 μA μA μA μA mA Test Condition Min. Max. Units
* Pulse Test: PW≤300ms, Duty Cycle≤2%
© 2008 Fairchild Semiconductor Corporation TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C Rev. A
2
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TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C — PNP Epitaxial Silicon Transistor
July 2008
TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Features
• Complementary to TIP31/TIP31A/TIP31B/TIP31C
hFE, DC CURRENT GAIN
100
1000
VBE(sat)
10
100
VCE(sat)
1 1 10 100 1000 10000
10 1 10 100 1000 10000
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
Figure 1. DC current Gain
4
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TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C PNP Epitaxial Silicon Transistor
© 2008 Fairchild Semiconductor Corporation TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C Rev. A
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol VCBO Collector-Base Voltage Parameter : TIP32 : TIP32A : TIP32B : TIP32C : TIP32 : TIP32A : TIP32B : TIP32C Value - 40 - 60 - 80 - 100 - 40 - 60 - 80 -100 -5 -3 -5 -3 40 2 150 - 65 ~ 150 Units V V V V V V V V V A A A W W °C °C
TJ TSTG
Junction Temperature Storage Temperature
© 2008 Fairchild Semiconductor Corporation TIP32/TIP32A/TIP32B/TIP32C Rev. A
1
/
100μs
40 35 30 25 20 15 10 5 0
1
TIP31 VCEO MAX. TIP31A VCEO MAX. TIP31B VCEO MAX. TIP31C VCEO MAX.
0.1 10 100
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
IC = - 30mA, IB = 0
-40 -60 -80 -100
V V V V
ICEO
VCE = - 30V, IB = 0 VCE = - 60V, IB = 0
- 0.3 - 0.3
mA mA
ICES
50 - 1.2 - 1.8 V V MHz
VCE(sat) VBE(sat) fT
* Collector-Emitter Saturation Voltage * Base-Emitter Saturation Voltage Current Gain Bandwidth Product
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage
பைடு நூலகம்10
50
IC(MAX) (PULSE)
45
IC[A], COLLECTOR CURRENT
IC(MAX) (DC)
s 5m s 1m
PC[W], POWER DISSIPATION
TC[ C], CASE TEMPERATURE
Figure 3. Safe Operating Area
Figure 4. Power Derating
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