硅衬底上高增透金刚石膜的制备研究
CVD金刚石衬底上抗氧化、增透膜的制备与性能
黄若轩等:ZrSiN纳米涂层的制备及其力学性能· 1891 ·第38卷第10期CVD金刚石衬底上抗氧化、增透膜的制备与性能闫锋,刘正堂,巨志高(西北工业大学材料学院,西安 710072)摘要:采用射频磁控反应溅射法在化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)的金刚石衬底上制备了AlN薄膜以及AlN/Si和AlN/Ge膜。
通过X射线衍射分析了衬底加热温度对薄膜微结构的影响和薄膜高温下的氧化行为。
结果表明:在衬底加热温度低于380℃时制备的AlN薄膜为非晶态,480℃时AlN薄膜为六方多晶。
AlN薄膜在800℃热暴露后开始氧化,900℃时基本被氧化为Al2O3。
在CVD金刚石上制备的AlN/Si和AlN/Ge膜都能提高金刚石在长波红外波段(8~10μm)的透过性能,单面最大增透分别为8%和3%。
镀有AlN/Ge膜的CVD金刚石在800℃高温热暴露实验中,有AlN/Ge膜保护的金刚石表面未发生刻蚀。
高温下AlN/Ge膜对金刚石有很好的保护作用,同时增透效果没有明显下降。
关键词:射频磁控反应溅射;氮化铝薄膜;抗氧化;增透;高温热暴露中图分类号:O484.4 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2010)10–1891–05PREPARATION AND PROPERTIES OF ANTIOXIDATIVE AND ANTIREFLECTIVEFILMS ON CVD DIAMONDYAN Feng,LIU Zhengtang,JU Zhigao(Schnno of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China)Abstract: Aluminum nitride (AlN), AlN/Si and AlN/Ge thin films were prepared on the chemical vapor deposition (CVD) diamond substrates by radio-frequency magnetron reactive sputtering. The influences of substrate heated temperature on the structures of AlN films and the oxidation behavior of CVD diamond coated with AlN films ware investigated by X-ray diffraction. The results show that AlN film deposited on CVD diamond is amorphous when the temperature of CVD diamond is less than 380℃, and AlN film is hexagonal polycrystals when the temperature of CVD diamond is 480℃. After heat exposure at 800, AlN film begins to oxidize,℃and is completely oxidized at 900. AlN/Si and AlN/Ge films℃ prepared on CVD diamond have both antioxidation and antireflection characteristics, and it is found that the transmittance of CVD diamonds coated with single-side AlN/Si and AlN/Ge films increases by 8% and 3% in the long wave infrared light (8–12μm), respectively. After CVD diamond coated with AlN/Ge film was exposured at 800,℃under the protection of the AlN/Ge film, the surface of CVD diamond can not be etched. Under high temperature the AlN/Ge film can be protect the CVD diamond against from etching, and the effect of anti-reflection is not reduced remarkably.Key words: radio-frequency magnetron reactive sputtering; aluminum nitride thin film; oxidation resistance; antireflection; heat ex-posure at high temperature金刚石具有一系列优异、独特的性能。
化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜_王玉乾
化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜*王玉乾1,王 兵1,孟祥钦1,甘孔银2(1 西南科技大学材料学院,绵阳621010;2 中国工程物理研究院应用电子学研究所,绵阳621900)摘要 采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH 4、SiO 2和A r 的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜。
表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm ,表面粗糙度约15.72nm ,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料。
关键词 微波等离子体 化学气相沉积 超纳米金刚石薄膜中图分类号:0484 文献标识码:APreparation of Ultrananocrystalline Diamond Film by Chemical Vapor DepositionWANG Yuqian 1,WANG Bing 1,M ENG Xiangqin 1,G AN Kongyin2(1 Schoo l o f M aterials Science and Engineering ,So uthw est U niver sity o f Scie nce and T echno lo gy ,M iany ang 621010;2 Institute of A pplied Electro nics ,CAEP ,M ia ny ang 621900)Abstract High -quality ultrananocry stalline diamo nd film is prepa red o n single cry stal Si with A r ,CH 4,CO 2u -sing micro wav e plasma chemical vapo r depositio n (M PCV D )technolo gy .T he results show tha t the high -quality thin film is compact a nd ho moge neous ,and its av erage cr ystalline g rains and surface ro ug hne ss are nearly 7.47nm and 15.72nm ,respective ly .A nd the film aslo has a higher diamo nd phase purity .Key words microw ave plasma ,CV D ,ultrananocry stalline diamo nd film *国家自然科学基金(10876032);国家863计划强辐射重点实验室基金(20070202) 王玉乾:男,1983年生,硕士生,研究方向:功能薄膜材料 E -mail :wangy uqian83@163.co m 王兵:通讯作者,1967年生,博士,副研究员,研究方向:功能材料 E -mail :w ang bin67@0 引言近年来,在纳米金刚石薄膜研究领域出现的一个新概念越来越引起人们的注意———超纳米金刚石薄膜,它是为了区别粒径尺寸在几十到几百纳米之间的纳米金刚石薄膜而提出的一个全新概念。
几种CVD制备金刚石薄膜的方法
几种CVD制备金刚石薄膜的方法几种CVD制备金刚石薄膜的方法1.热丝CVD法此法又称为热解CVD法,Matsumoto等人采用热丝CVD法成功地生长出了金刚石薄膜。
该法是把基片(Si、Mo、石英玻璃片等)放在石英玻璃管做成的反应室内,把石英管内抽成真空后,把CH4和H2的混合气体输人到装在管中的钨丝附近(两种气体的流量比为0.5%-5%)。
用直流稳压电源加热钨丝到约2000℃,反应室内温度为700~900℃,基片温度为900℃左右,室内气体压力为1×103-1×105Pa。
在这样的反应条件下,CH4和H2混合气中的H2被热解,产生原子态氢,原子态氢与CH4反应生成激发态的甲基,促进了碳化氢的热分解,促使金刚石SP3杂化C-C键的形成,使金刚石在基片上沉积,获得立方金刚石多晶薄膜。
沉积速率为8-10μm/h 我国的金曾孙等人也用热丝CVD法生长出质量很好的金刚石薄膜。
实验表明,基片温度和甲烷的浓度是薄膜生长最为重要的参数,它们对金刚石薄膜的结构、晶形、膜的质量和生长速率影响甚大。
该法的特点是装置结构简单、操作方便、容易沉积出质量较好的金刚石膜。
2.电子加速CVD法此法是在用热丝CVD法沉积金刚石薄膜过程中,用热电子轰击基片表面,加速金刚石在基片上沉积。
与热丝CVD法不同的是,该法把电压正极接在用铝制成的基片架上,经加热的钨丝发射电子,电子在电场作用下轰击阳极的基片。
CH4和H2的混合气体被输送到基片表面,由于热反应和热电子轰击的双重作用,使气体发生分解,形成各种具有活性的碳氢基团,促使具有双键和三键的碳离解,加速金刚石的成核和生长。
基片可选用Si、SiC、Mo、WC、A12O3等材料。
一般的工艺参数是:甲烷为ψ(CH4)=0.5%~2.0%;气体流速为5-50cm3/min;基片温度在500~750℃之间;钨丝温度为2000℃;基片支架的电流密度为10mA/cm2,电压150V。
MPCVD法制备光学级多晶金刚石膜及同质外延金刚石单晶
MPCVD法制备光学级多晶金刚石膜及同质外延金刚石单晶
本文采用MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition)方法,在硅衬底上沉积多晶金刚石薄膜,通过优化生长条件,成功的制备了直径50 mm,红外透过率接近理论极限值的光学级多晶金刚石自支撑膜,系统研究了其生长规律及应力、杂质和光学特性。
通过在生长气氛中添加少量氮气,实现了同质外延大尺寸CVD金刚石单晶的高速生长,生长速率达到了50μm/h以上,是传统方法生长多晶金刚石膜的10倍左右;研究了CVD金刚石单晶内部的氮分布。
248nm纳秒激光沉积类金刚石增透保护膜的工艺研究
L a s e r & Op t o e 1 e c t r o n i c s P r o g r e s s @2 0 l 5 《 中 国激 光 》 杂 志 社
2 4 8 H i纳秒 激光 沉 积类 金刚 石增透 保护膜 的工艺研 究
万 强 陆 益 敏 米 朝 伟 韦 尚 方 田 方 涛 程 勇
Opt o — El e c t r o ni c s Fa c i l i t y, Wuh a n Or d na n c e No n— C o mmi s s i o ne d O f f i c e r s Ac a d e my ,Wuh a n , Hub e i 4 3 0 0 7 5 , C hi na Ab s t r a c t Di a mo nd — l i k e c a r b o n( DL C) il f m p r e p a r e d b y p u l s e d l a s e r d e p o s i t i o n i S o n e o f e xc e l l e n t me a ns f o r a n t i — r e l f e c t i v e a n d p r o t e c t i v e il f ms o f i n f r a r e d( I R) wi n d o w. DL C f i l m o n s i l i c o n i s p r e p a r e d b y 2 4 8 a m n a n o s e c o n d l se a r ,
n d a i nf lue nc e o f pul s e e ne r g y on op t i c s pe r f o r ma n c e, me c han i c a l ha r dne s s n d a r e s i dua l s t r e s s o f DLC il f m re a s t udi e d. Ac c or d i ng a s ex per i me nt s ,I R t r a ns mi s s i o n a nd s ur fac e ha r d nes s of t he il f ms bot h i nc r ea se a l o ng wi t h i nc r e as i ng o f l as e r pul s e e ne r g y, w hi c h i ndi ca t es t hat h i gh ene r g y i s pr opi t i ous t o pr e pa r e pr ot ec t i v e DLC il f m f or I R wi ndow . How e ve r , r es i dua l s t r e s s i n DLC il f m i s lS a O i nc r e s ed a t o r educ e t he ad hes i on s t r e ng t h o f t he il f m o n s ubs t r a t e. Thi s r e sul t s uppl i es t he pr ac t i c e ba s e t o t he s t udy on D LC il f m pr epa r e d by nanos e cond pul s e l a s er de pos i t i on.
SiC衬底金刚石薄膜的制备与性能表征
20 0 7年 8 月 总第 10期 第 4期 6
金 刚石 与磨料磨具工程
Dimo d& A rsv s E gn e n a n b a ie n i e r g i
Au . 0 7 g20
S r 1 1 o No 4 e a.6 i .
金刚石薄膜特征 , 涂层附着力好 , 超细晶粒金刚石 薄膜的表 面粗糙度 和摩擦 系数 值显著 下降 , 获取实用化 的 SC在基 对 i 体上沉积高附着强度 、 低粗糙度金刚石薄膜 的新技术具有重要的意义 。
关键词 金刚石薄膜 ;i SC材料 ; 附着力 ; 表面粗糙度 T 6 Q14 文献标识码 A 中图分类号
i tr t n e st n w t l r ai e d p st n p r ee s h e r s l h w ta h e r c s o p r p a ey c nr l n n emi e td p i o i a t n t e i o a a tr .T e u t s o h tt e n w p o e s fr a p o r tl o t l g t o i h e v o i m s i oi
Fa ia in a h r ce i a in o i m o d fl so C ub t a e brc to nd c a a t rz to fd a n m n Si s sr t i
Hu Ruu f Su a g o g nF n h n
( . colfTa ca dTa sott n N n b n e i Tcn l y N n b 10 6 C i ) 1 Sh o o rf n rn r i , i oU i rt o eh o g , i o3 5 1 , hn f i p ao g v syf o g a ( . c ol Meh ncl n i e n ,h n h i ioTn n e i ,h n h i 0 0 0 C i ) 2 Sh o o ca i gn n g S a g a Ja og U i m t S a g a 0 3 , hn f aE e v y 2 a
HFCVD法制备金刚石薄膜影响因素的研究进展
摘 要 :金刚石薄膜由于其独特的性能成为研究热点。本文通过利用热丝气相沉积法(HFCVD)在基片上制备金刚石薄膜, 研究对金刚石薄膜产生影响 的各个 因素 ,探讨各个影响 因素 的研 究进展 。基体表 面预处理 ,可以提高基体 的附着力 ,改善提 高膜 基结合力 。通过改变 甲烷和氢气浓度 、沉积气 压 、温度 等工艺参 数 ,可影 响是否能 在基片上 形成金 刚石 晶核 ,生 成金 刚石薄 膜。 通过对 以上影 响因素 的研究进展 ,探讨制备过程各个最适宜 的反应条件 。
had influences on diamond film ,and probing each influence factor's research progress. Substrate surface’S pretreatment can enhance the adhesion of the substrate。and improve the adhesion between the f ilm and the substrate. By changing the concentration of methane and hydrogen,deposition pressure,temperature and other param eters, these changes can affect whether the diamond crystal nucleus is formed on the substrate and further diamond film’S generation or not. Based on researches to the factors above,the optimum reaction conditions on the preparation process were discussed.
一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法[发明专利]
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201710632848.X(22)申请日 2017.07.28(71)申请人 西安交通大学地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号(72)发明人 张景文 王进军 陈旭东 李洁琼 王晓亮 卜忍安 王宏兴 侯洵 (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200代理人 陆万寿(51)Int.Cl.C23C 16/01(2006.01)C23C 16/02(2006.01)C23C 16/27(2006.01)C23C 16/511(2006.01)(54)发明名称一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法(57)摘要本发明公开了一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法,通过在硅晶圆衬底表层下形成氢层,然后再在形成氢层的硅晶圆衬底表层上生成金刚石薄膜,然后通过电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离,形成自撑金刚石薄膜,在自撑金刚石薄膜表面形成了一层便于修复平整加工余量的硅晶圆衬底层,避免造成剥离过程中金刚石薄膜受损,通过从形成氢层的硅晶圆衬底处进行剥离,节省了硅晶圆衬底的成本,避免了硅晶圆衬底材料的浪费,可对剥离后的硅晶圆衬底重复利用,本方法简单快捷,剥离效率高,对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜,大大提高了金刚石薄膜表面的平整度。
权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 107400871 A 2017.11.28C N 107400871A1.一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1),在硅晶圆衬底表层下注入氢离子形成氢离子层,步骤2),在形成氢离子层的硅晶圆衬底表面上生长金刚石薄膜,步骤3),采用电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离,形成自撑金刚石薄膜。
硅掺杂金刚石薄膜形成过程的研究
硅掺杂金刚石薄膜形成过程的研究
刘学杰;乔海懋
【期刊名称】《内蒙古科技大学学报》
【年(卷),期】2017(036)002
【摘要】采用第一性原理计算和实验研究了Si掺杂金刚石薄膜的形成过程.运用第一性原理计算了Si粒子在具有活性位的氢终止金刚石(001)表面上的吸附能和迁移激活能.结果表明,Si粒子在该表面上吸附能和迁移激活能均为3.0-4.7eV.因此,Si粒子可以在氢终止金刚石表面活性位上吸附并形成稳定结构.采用微波等离子化学气相沉积方法制备了Si掺杂金刚石薄膜,电子扫描电镜检测验证了理论计算结果.【总页数】5页(P126-130)
【作者】刘学杰;乔海懋
【作者单位】内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头 014010;内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头 014010
【正文语种】中文
【中图分类】TB43;TQ164
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硅衬底上高增透金刚石膜的制备研究
硅衬底上高增透金刚石膜的制备研究3王鸿翔1,2,左敦稳1,卢文壮1,徐 峰1(1.南京航空航天大学机电学院,江苏南京210016;2.淮安信息职业技术学院机电工程系,江苏淮安223003)摘 要: 采用甲烷和氢气作为工作气体,在热丝化学气相沉积(HFCVD)设备上采用五段式沉积法制备了金刚石薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(A FM)以及傅立叶红外光谱仪研究了金刚石膜的结构和性质。
结果表明,采用五段式沉积法可以得到晶粒大小达到纳米级的、表面粗糙度较小、金刚石纯度较高的金刚石膜,其最大增透率超过70%,能满足作为光学窗口增透膜的应用要求。
关键词: HFCVD;金刚石膜;增透中图分类号: TQ164;O484文献标识码:A 文章编号:100129731(2009)12220082031 引 言红外光学材料是当前军事研究发展的重点之一。
常用的红外光学材料,例如锗(Ge)、硅(Si)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、砷化镓(GaAs)等的硬度和强度均很低,难以抗拒许多外界条件如强腐蚀性气体和液体、高速飞行的雨滴、灰尘颗粒、冰雹等的损伤,因此在红外窗口的表面覆盖1层硬度大、强度大,抗损伤能力强的保护膜是十分必要的[1~4]。
作为保护膜必须具备两方面的作用,其一是保护的作用;其二是增透的作用。
金刚石具有宽的透射波段,从紫外到远红外波段均具有良好的透过性,同时还具有最高的硬度、最高的强度、最高的热导率,最高的抗热冲击能力,最高的耐砂蚀和雨蚀能力,这使得它成为最理想的红外窗口保护膜材料。
热丝化学气相沉积法(HFCVD)是众多金刚石薄膜生长方法中比较突出的一种。
它可以比较经济地大面积快速生长出高质量金刚石薄膜,而且工艺过程易于精确控制[5,6]。
但是,与天然金刚石相比较, CVD金刚石膜是多晶膜,生长过程中会产生氢和非金刚石相等杂质以及缺陷,对金刚石膜的红外透射性能有一定的影响。
飞秒激光制备硅窗口增透保护类金刚石膜
第22卷第8期强激光与粒子束Vo l.22,No.8 2010年8月H IGH POWER LASER AND PART ICLE BEAMS Aug.,2010 文章编号: 1001 4322(2010)08 1705 04飞秒激光制备硅窗口增透保护类金刚石膜*王淑云, 郭延龙, 刘 旭, 曹海源, 王会升, 程 勇(武汉军械士官学校光电技术研究所,武汉430075)摘 要: 采用飞秒激光(800nm,120fs,3W ,1000H z)制备类金刚石膜,研究了不同偏压、生长温度和氧气氛等辅助手段对激光沉积类金刚石膜的影响,实验发现在室温(25 )、无偏压和低气压氧气氛(2Pa)条件下沉积的类金刚石膜性能最优。
在单面预镀普通增透膜的硅红外窗口材料上镀制出了无氢类金刚石膜,3~5 m 波段平均透过率达到90%以上,纳米硬度高达40G Pa,用压力为9.8N 的橡皮磨头,摩擦105次,膜层未见磨损,并且通过了军标规定的高温、低温、湿热、盐雾等环境试验,所制类金刚石膜可对红外窗口起到较好的增透保护作用。
关键词: 类金刚石膜; 飞秒激光; 氧气氛; 偏压; 温度中图分类号: T N24 文献标志码: A doi:10.3788/H PL PB20102208.1705随着现代红外技术应用及航空航天的发展,对红外光学材料的光学和其它物理化学性能的要求越来越高。
3~5 m 和8~12 m 红外波段的各种传感器被系统地应用于目标控制等方面,然而对于除金刚石以外的所有红外材料(如:硅、锗、硫化锌),均在透过率、机械强度、化学稳定性、热导或其它性能之间存在着折衷选择。
类金刚石(DLC)膜具有高硬度、宽波段光学透明、化学稳定、良好的热导和电绝缘、耐冲击、耐高温、耐腐蚀和辐射等许多优异特性,可很好地弥补传统光学元件的缺陷,使其成为某些光学应用的最佳选择。
在光学窗口上镀制类金刚石膜可提高其硬度、热稳定性、化学稳定性等性能,显著改善抗划伤、抗腐蚀能力,而且在起到保护作用的同时还可提高窗口的红外透过率。
硅基纳米金刚石膜生长及其发光器件的开题报告
硅基纳米金刚石膜生长及其发光器件的开题报告
1.研究背景
硅基纳米金刚石膜具有很高的硬度、化学稳定性和生物相容性等优良性质,是一种具有很高应用前景的材料,特别是在微电子器件、生物医学器械和能源领域等方面具有广泛的应用前景。
然而,由于硅和金刚石的化学性质差异很大,导致生长硅基纳米金刚石膜面临着很大的挑战。
因此,如何在硅表面制备高质量的纳米金刚石膜成为当前材料研究领域的一大热点。
2.研究目的
本文旨在研究硅基纳米金刚石膜的生长制备及其在发光器件方面的应用。
具体研究内容包括:
(1)硅基纳米金刚石膜的生长机理及优化方法研究
(2)硅基金刚石膜的发光特性及其电学性能的研究
(3)基于硅基纳米金刚石膜的发光器件的制备和性能测试
3.研究方法
本研究采用化学气相沉积(CVD)的方法生长硅基纳米金刚石膜,通过对沉积参数的优化,获得高质量的硅基纳米金刚石膜。
接着,采用光电化学法研究膜材料的发光特性及其电学性能。
最后,利用制备出的硅基纳米金刚石膜制备发光器件,并测试其发光性能。
4.研究意义
本研究将为硅基纳米金刚石膜的生长制备及其在发光器件方面的应用提供新的思路和方法。
同时,通过对硅基纳米金刚石膜的深入研究,将对纳米材料在新型芯片制造、激光器件、太阳能电池等领域的应用起到推动作用。
高掺硼金刚石薄膜的制备及其特性研究的开题报告
高掺硼金刚石薄膜的制备及其特性研究的开题报告题目:高掺硼金刚石薄膜的制备及其特性研究摘要:高掺硼金刚石薄膜具有硬度高、导电性好等优异特性,在微电子、光学和机械领域中有着广泛的应用。
因此,研究高掺硼金刚石薄膜的制备及其特性对科学技术的进步具有重要意义。
本文研究高掺硼金刚石薄膜的制备方法,采用物理气相沉积(PVD)技术制备,优化制备参数,使其拥有更好的膜层质量和表面平整度。
同时,研究掺硼量对薄膜导电性和机械性能的影响,控制掺硼量,使其适应不同的应用场合。
采用SEM、XRD、AFM、Raman等多种表征方法对制备的薄膜进行分析。
研究表明,高掺硼金刚石薄膜具有优良的导电性和机械刚度,表面平整度高、晶粒度小,且不易产生氢气捕陷等缺陷。
关键词:高掺硼金刚石薄膜、物理气相沉积、导电性、机械性能、应用Abstract:Highly boron-doped diamond films have excellent properties, such as high hardness and good conductivity, and find extensive applications in microelectronics, optics, and mechanics. Hence, the study of the preparation and characteristics of highly boron-doped diamond films is of great significance for scientific and technological advancement.In this study, physical vapor deposition (PVD) was used to prepare highly boron-doped diamond films. The preparation parameters were optimized to improve the quality and surface flatness of the films. Additionally, the effect of the boron doping level on the conductivity and mechanical properties of the films was investigated to make them suitable for different applications.The films were characterized using various techniques such as SEM, XRD, AFM, and Raman. The results showed that the highly boron-doped diamond films have excellent conductivity and mechanical stiffness, high surface flatness, small grain size, and fewer defects such as hydrogen trapping.Keywords: highly boron-doped diamond films, physical vapor deposition, conductivity, mechanical properties, applications。
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硅衬底上高增透金刚石膜的制备研究3王鸿翔1,2,左敦稳1,卢文壮1,徐 峰1(1.南京航空航天大学机电学院,江苏南京210016;2.淮安信息职业技术学院机电工程系,江苏淮安223003)摘 要: 采用甲烷和氢气作为工作气体,在热丝化学气相沉积(HFCVD)设备上采用五段式沉积法制备了金刚石薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(A FM)以及傅立叶红外光谱仪研究了金刚石膜的结构和性质。
结果表明,采用五段式沉积法可以得到晶粒大小达到纳米级的、表面粗糙度较小、金刚石纯度较高的金刚石膜,其最大增透率超过70%,能满足作为光学窗口增透膜的应用要求。
关键词: HFCVD;金刚石膜;增透中图分类号: TQ164;O484文献标识码:A 文章编号:100129731(2009)12220082031 引 言红外光学材料是当前军事研究发展的重点之一。
常用的红外光学材料,例如锗(Ge)、硅(Si)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、砷化镓(GaAs)等的硬度和强度均很低,难以抗拒许多外界条件如强腐蚀性气体和液体、高速飞行的雨滴、灰尘颗粒、冰雹等的损伤,因此在红外窗口的表面覆盖1层硬度大、强度大,抗损伤能力强的保护膜是十分必要的[1~4]。
作为保护膜必须具备两方面的作用,其一是保护的作用;其二是增透的作用。
金刚石具有宽的透射波段,从紫外到远红外波段均具有良好的透过性,同时还具有最高的硬度、最高的强度、最高的热导率,最高的抗热冲击能力,最高的耐砂蚀和雨蚀能力,这使得它成为最理想的红外窗口保护膜材料。
热丝化学气相沉积法(HFCVD)是众多金刚石薄膜生长方法中比较突出的一种。
它可以比较经济地大面积快速生长出高质量金刚石薄膜,而且工艺过程易于精确控制[5,6]。
但是,与天然金刚石相比较, CVD金刚石膜是多晶膜,生长过程中会产生氢和非金刚石相等杂质以及缺陷,对金刚石膜的红外透射性能有一定的影响。
由于碳源浓度与金刚石膜中的杂质、缺陷以及膜的表面形貌都有密切关系,所以,在金刚石膜的制备过程中,如何选择合适的碳源浓度以获得高质量、高透射率的金刚石薄膜一直是人们研究的热点问题之一。
本文报道了以甲烷和氢气的混合气体作为反应气体在热丝化学气相沉积装置上采用五段式沉积法(即在金刚石膜成核和生长的不同阶段采用不同的碳源浓度)制备金刚石膜的有关结果。
2 实 验金刚石薄膜沉积装置为热丝化学气相沉积(HF2 CVD)系统。
选用面积为10mm×10mm,厚度为0.4 mm双面抛光的n型单晶Si(100)薄片为衬底,使用W1.5的金刚石研磨膏研磨15min,然后在0.5μm的金刚石悬浊液中超声处理1h,最后在酒精溶液中清洗10min。
为了提高金刚石膜的纯度,沉积前,钽丝在2%的甲烷浓度,热丝温度为2200℃下碳化2h。
反应混合气体总流量为400ml/min,反应室压强控制在2.5 kPa,衬底温度维持在750℃,热丝温度为2200℃。
样品采用五段式沉积法,沉积时间为1h,在沉积过程中逐步降低碳源浓度,即在4%甲烷浓度下成核15min;纯氢气氛下原子态氢刻蚀5min;2%甲烷浓度下二次成核15min;纯氢下原子态氢刻蚀5min;最后是1%甲烷浓度下生长20min。
实验所用金刚石膜的表征手段为:用高分辨率场发射扫描电镜(SEM)观察薄膜形貌;用激光拉曼光谱仪分析薄膜的结构和质量;用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的晶粒取向;用原子力显微镜(A FM)观察薄膜表面形貌和粗糙度;采用傅立叶红外光谱仪测量薄膜红外透射率。
3 结果与讨论3.1 Raman光谱及XRD分析采用五段式沉积法制备的金刚石膜的Raman光谱如图1所示,除在1332cm-1处有一金刚石的特征峰外,在1350和1580cm-1附近还存在两个宽带散射峰,它们即是所谓的D峰和G峰,一般认为它们与薄膜中的sp2结构有关[7]。
位于1145cm-1附近一个较明显的拉曼峰以及1470cm-1附近一个伴峰被认为是纳米金刚石的特征峰。
另外,在1200~1600cm-1范围内出现了明显的弱宽带背底,表明在成核面以及晶界处含有更多一些的石墨和非晶碳等非金刚石成分[8]。
考虑到金刚石(sp3键)拉曼散射截面约为石墨相(sp2键)的50~60倍[9],因而可以认为薄膜的非金刚石杂质含量较低,在得到的薄膜样品中金刚石成分占主要部分。
该结论可进一步由样品的XRD分析得到证明。
80022009年第12期(40)卷3基金项目:国家自然科学基金资助项目(50605032);江苏省自然科学基金资助项目(B K2007193)收到初稿日期:2009209207收到修改稿日期:2009211204 通讯作者:王鸿翔作者简介:王鸿翔 (1970-),男,江苏人,在读博士,师承左敦稳教授,从事超硬膜与工具技术研究。
图1 金刚石膜的Raman 光谱Fig 1Raman spect rum of t he diamond film 沉积样品的XRD 分析结果如图2所示。
XRD 图谱中出现了金刚石的两个主峰,除了衬底Si 的特征峰外,没有观察到石墨相的弥散峰和其它杂质峰。
这说明薄膜中出现了金刚石的结晶相,并且金刚石的纯度非常高。
金刚石的(111)衍射峰非常尖锐,半峰宽很窄,其强度远大于(220)衍射峰,表明金刚石在生长过程中晶面显露和取向有一定差异,金刚石在(111)方向具有择优取向生长。
研究表明,金刚石的晶面取向与碳源浓度有很大的关系,碳源浓度较低时,金刚石膜(100)面优先生长,形成以(111)为主的八面体结构[10],由于五段式沉积法在金刚石膜生长阶段采用比较低(1%)的碳源浓度,所以形成了(111)取向的晶粒,从后面的SEM 照片也可以清楚的看出。
图2 金刚石膜的XRD 谱图Fig 2X 2ray diff raction pattern of t he diamond 3.2 金刚石膜微观形貌分析图3、4分别为金刚石膜扫描电子显微镜照片和原子力显微镜三维扫描图像。
由图3可以看出,金刚石膜生长的晶粒排列非常致密,晶界非常清晰,晶界之间空洞较少,未见碳点及其它杂质,晶型较好,呈现明显的规律性,晶粒沿一定的晶面取向生长,可以明显地看出金刚石的(111)面,金刚石颗粒多为锥形,颗粒大小为100nm 左右,在显露面和晶界之间有二次形核所形成的小晶粒,小晶粒大小为几十纳米左右。
另外,原子力显微镜A FM 测试表明在10μm ×10μm 范围内金刚石膜表面平均粗糙度为12.4nm ,这说明采用五段式沉积法可以得到颗粒大小为纳米级,表面粗糙度很小的金刚石膜。
金刚石晶粒细化以及表面粗糙度小的原因主要是碳源浓度增加时二次形核引起的。
因此要获得较细晶粒和较低的表面粗糙度,应该适当升高沉积气氛中的甲烷浓度。
有研究表明,甲烷浓度超过1.5%时,金刚石的二次形核比较多。
在1.5%~2.0%浓度范围内,随甲烷浓度增高晶粒继续变细,但由于在其它工艺条件不变时,甲烷浓度增加到一定值后金刚石的形核密度增加不大,所以此时晶粒尺寸变细的速率不很明显,因此,由于晶粒尺寸变细引起的粗糙度降低不明显。
而此时由二次形核长大的晶粒增加,导致粗糙度降低更大[11]。
所以,在用五段式沉积法制备金刚石膜的过程中,使用2%碳源浓度进行二次形核也是有依据的。
图3 金刚石膜的SEM 照片Fig 3The SEM image of t he diamondfilm图4 金刚石膜的A FM 形貌Fig 4A FM micrograp hs of t he diamond film 3.3 金刚石膜红外透射谱分析图5为沉积有金刚石膜的硅片以及未长膜双面抛光硅片的红外透射谱曲线,红外光线入射方向为:空气2金刚石膜2硅片2空气。
由图5可知,采用五段沉积法制备的金刚石膜硅片其在800~4000cm -1波段范围内最大透射率超过60%,最大增透率超过70%,完全能满足作为光学窗口增透膜的应用要求。
另外,从图5中可以看出,对应于1107cm -1较强的吸收带主要来源于硅的本征吸收,没有发现位于2710cm -1处由于C O 键引起的振动吸收峰,说明金刚石膜中不含有O 原子,O 原子的存在会严重影响薄膜的光学性质[12];位于2850及2920cm -1峰附近是金刚石膜的非本征吸收带,是由于C —H 键伸缩振动引起的,说明金刚石膜中含氢原子,由于红外光谱对C —H 结构比较敏感,因此通过红外光谱可以检测氢在薄膜中的存在[13]。
C —H 键的振动会引起金刚石膜的红外透射率降低,从图5中可以看出,长膜硅片的C —H 键振动吸收带比较小,说明膜中仅含有少量的H 。
有研究表明,金刚石薄膜中的H 含量随沉积温度的增加而减少,本9002王鸿翔等:硅衬底上高增透金刚石膜的制备研究课题组的研究证实,在衬底温度为750℃时,金刚石成膜质量较高。
图5 金刚石膜的红外透射谱Fig 5IR spectra of t he diamond film 由于金刚石膜的红外透射率与金刚石膜的内在质量以及表面形貌有很大的关系,金刚石膜表面粗糙度越小,膜中缺陷、杂质以及非金刚石相含量越小,金刚石膜的红外透射率越高。
采用五段式沉积法制备的金刚石膜之所以能有这么高的增透率主要归结于以下几个因素:(1)底表面预处理使衬底表面形成极微细的均匀划痕,同时有金刚石微粒镶嵌在衬底表面,这些划痕和微粒就成为原始的成核中心,在高碳源浓度下使成核密度达到1010数量级,有效的保证金刚石膜的均匀生长;(2)在金刚石形核和生长之间两次采用氢原子对石墨及其它非晶碳成分进行刻蚀,降低了金刚石膜中石墨及其它杂质成分,提高了金刚石膜的纯度;(3)采用2%碳源浓度进行金刚石膜的二次形核,阻止了金刚石颗粒的进一步长大,细化了晶粒,促进纳米金刚石的生长,并逐步降低金刚石膜的表面粗糙度;(4)由于碳源浓度过高,将造成石墨和非晶碳的大量生成,使金刚石不纯,所以,在金刚石生长期采用1%的低碳源浓度,有效的保证了金刚石膜的纯度。
4 结 论利用热丝化学气相沉积设备,采用五段式沉积法在双面抛光硅衬底上沉积了金刚石薄膜,利用激光拉曼光谱、X 射线衍射仪、扫描电子显微镜以及原子力显微镜对其结构和形貌进行了观察,利用傅立叶红外光谱仪对金刚石膜的红外透射率进行测量,结果发现采用五段式沉积法可以获得金刚石纯度较高、表面光滑,晶粒取向为(111),晶粒大小为纳米级,最大增透率达到70%以上的高质量金刚石膜,可以满足作为光学窗口增透膜的使用要求。
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