模拟电字技术基础1.4
查丽斌电路与模拟电子技术基础习题及实验指导第四版选择题填空题答案
第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ， ；1.4.6 1A 3A ， ； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10， ， ； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 带通，带阻3.4.13不变、增加、减少；3.4.14电阻性，电容性； 3.4.15 LC π21，阻抗，电流；3.4.16 1rad/s ，4；3.4.17 Ω10；3.4.18 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.19 P L 3U U =，P L I I =，超前。
（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
模拟电子技术基础目录
模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录前言教学建议第1章半导体二极管及其应用1.1 半导体物理基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.2 pn结1.2.1 pn结的形成1.2.2 pn结的单向导电性1.2.3 pn结的反向击穿特性1.2.4 pn结的电容特性1.3 半导体二极管及其基本电路1.3.1 半导体二极管的伏安特性曲线1.3.2 半导体二极管的主要参数1.3.3 半导体二极管的电路模型1.3.4 二极管基本应用电路1.4 特殊二极管1.4.1 稳压二极管.1.4.2 变容二极管1.4.3 光电二极管1.4.4 发光二极管思考题习题第2章双极型晶体管及其放大电路2.1 双极型晶体管的工作原理2.1.1 双极型晶体管的结构2.1.2 双极型晶体管的工作原理2.2 晶体管的特性曲线2.2.1 共射极输出特性曲线2.2.2 共射极输入特性曲线2.2.3 温度对晶体管特性的影响2.2.4 晶体管的主要参数2.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.1 放大电路的组成2.3.2 静态工作点的作用2.3.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.4 基本放大电路的组成原则2.3.5 直流通路和交流通路2.4 放大电路的静态分析和设计2.4.1 晶体管的直流模型及静态工作点的估算2.4.2 静态工作点的图解分析法2.4.3 晶体管工作状态的判断方法2.4.4 放大状态下的直流偏置电路2.5 共射放大电路的动态分析和设计2.5.1 交流图解分析法2.5.2 放大电路的动态范围和非线性失真2.5.3 晶体管的交流小信号模型2.5.4 等效电路法分析共射放大电路2.5.5 共射放大电路的设计实例2.6 共集放大电路（射极输出器）2.7 共基放大电路2.8 多级放大电路2.8.1 级间耦合方式2.8.2 多级放大电路的性能指标计算2.8.3 常见的组合放大电路思考题习题第3章场效应晶体管及其放大电路3.1 场效应晶体管3.1.1 结型场效应管3.1.2 绝缘栅场效应管3.1.3 场效应管的参数3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路3.2.1 场效应管工作状态分析3.2.2 场效应管的偏置电路3.3 场效应管放大电路3.3.1 场效应管的低频小信号模型3.3.2 共源放大电路3.3.3 共漏放大电路思考题习题第4章放大电路的频率响应和噪声4.1 放大电路的频率响应和频率失真4.1.1 放大电路的幅频响应和幅频失真4.1.2 放大电路的相频响应和相频失真4.1.3 波特图4.2 晶体管的高频小信号模型和高频参数4.2.1 晶体管的高频小信号模型4.2.2 晶体管的高频参数4.3 晶体管放大电路的频率响应4.3.1 共射放大电路的频率响应4.3.2 共基、共集放大器的频率响应4.4 场效应管放大电路的频率响应4.4.1 场效应管的高频小信号等效电路4.4.2 共源放大电路的频率响应4.5 多级放大器的频率响应4.5.1 多级放大电路的上限频率4.5.2 多级放大电路的下限频率4.6 放大电路的噪声4.6.1 电子元件的噪声4.6.2 噪声的度量思考题习题第5章集成运算放大电路5.1 集成运算放大电路的特点5.2 电流源电路5.3 以电流源为有源负载的放大电路5.4 差动放大电路5.4.1 零点漂移现象5.4.2 差动放大电路的工作原理及性能分析5.4.3 具有电流源的差动放大电路5.4.4 差动放大电路的大信号分析5.4.5 差动放大电路的失调和温漂5.5 复合管及其放大电路5.6 集成运算放大电路的输出级电路5.7 集成运算放大电路举例5.7.1 双极型集成运算放大电路f0075.7.2 cmos集成运算放大电路mc145735.8 集成运算放大电路的外部特性及其理想化5.8.1 集成运放的模型5.8.2 集成运放的主要性能指标5.8.3 理想集成运算放大电路思考题习题第6章反馈6.1 反馈的基本概念及类型6.1.1 反馈的概念6.1.2 反馈放大电路的基本框图6.1.3 负反馈放大电路的基本方程6.1.4 负反馈放大电路的组态和四种基本类型6.2 负反馈对放大电路性能的影响6.2.1 稳定放大倍数6.2.2 展宽通频带6.2.3 减小非线性失真6.2.4 减少反馈环内的干扰和噪声6.2.5 改变输入电阻和输出电阻6.3 深度负反馈放大电路的近似计算6.3.1 深负反馈放大电路近似计算的一般方法6.3.2 深负反馈放大电路的近似计算6.4 负反馈放大电路的稳定性6.4.1 负反馈放大电路的自激振荡6.4.2 负反馈放大电路稳定性的判断6.4.3 负反馈放大电路自激振荡的消除方法思考题习题第7章集成运算放大器的应用7.1 基本运算电路7.1.1 比例运算电路7.1.2 求和运算电路7.1.3 积分和微分运算电路7.1.4 对数和反对数运算电路7.2 电压比较器7.2.1 电压比较器概述7.2.2 单门限比较器7.2.3 迟滞比较器7.2.4 窗口比较器7.3 弛张振荡器7.4 精密二极管电路7.4.1 精密整流电路7.4.2 峰值检波电路7.5 有源滤波器7.5.1 滤波电路的作用与分类7.5.2 一阶有源滤波器7.5.3 二阶有源滤波器7.5.4 开关电容滤波器思考题习题第8章功率放大电路8.1 功率放大电路的特点与分类8.2 甲类功率放大电路8.3 互补推挽乙类功率放大电路8.3.1 双电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.2 单电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.3 采用复合管的准互补推挽功率放大电路8.4 集成功率放大器8.5 功率器件8.5.1 双极型大功率晶体管8.5.2 功率mos器件8.5.3 绝缘栅双极型功率管及功率模块8.5.4 功率管的保护思考题习题第9章直流稳压电源9.1 直流电源的组成9.2 整流电路9.2.1 单相半波整流电路9.2.2 单相全波整流电路9.2.3 单相桥式整流电路9.2.4 倍压整流电路9.3 滤波电路9.3.1 电容滤波电路9.3.2 电感滤波电路9.3.3 复合型滤波电路9.4 稳压电路9.4.1 稳压电路的主要指标9.4.2 线性串联型直流稳压电路9.4.3 开关型直流稳压电路思考题习题第10章可编程模拟器件与电子电路仿真软件10.1 在系统可编程模拟电路原理与应用10.1.1 isppac10的结构和原理10.1.2 其他isppac器件的结构和原理10.1.3 isppac的典型应用10.2 multisim软件及其应用10.2.1 multisim 8的基本界面10.2.2 元件库10.2.3 仿真仪器10.2.4 仿真分析方法10.2.5 在模拟电路设计中的应用思考题习题第11章集成逻辑门电路11.1 双极型晶体管的开关特性11.2 mos管的开关特性11.3 ttl门电路11.3.1 ttl标准系列与非门11.3.2 其他类型的ttl标准系列门电路11.3.3 ttl其他系列门电路11.4 ecl门电路简介11.5 cmos门11.5.1 cmos反相器11.5.2 其他类型的cmos电路11.5.3 使用cmos集成电路的注意事项11.5.4 cmos其他系列门电路11.6 cmos电路与ttl电路的连接思考题习题参考文献延伸阅读：模拟电子技术基础50问1、空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。
华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH01-1省公开课一等奖全国示范课微课金奖PPT课件
绝大部分电路使用 电压恒定，电流随负载改变
电流源
电路中恒流用
不能成为电路系统电源
18/7118
模拟电子电源表示： 电源在哪里？
图二
图一
图三
电源省略
19/71
电源是什么样：
20/71
模拟电路电源大小：
直流电压源：5V，±5V， ±12V ，±15V 直流电压源：1.8V，2.7V， 3.3V ， 特点：弱电
2/71 2
1.0 引言
我们生存自然界中存在大量物理量
温度 电量
压力 重量
光亮 流量
声音 风速 XX
速度 液位 XX
位移 转速 XX
3/71 3
1.0 引言
物理量改变就是信息
IT是什么？
信息技术
问题：怎样获取这些物理量改变？
传感器
4/71 4
1.0 引言
传感器怎样反应物理量改变？
温度 重量 压力 流量 光亮 液位 速度 转速 位移 XX 电压 XX
48/7148
1.4.3 放大电路模型类型
AS
Vo VS
AVO
RL Ro RL
Ri Rs Ri
源电压放大倍数是对信号纯放大，应该尽可能确保
信号源电阻会消耗一部分信号源电压造成开环放大倍数降低 为降低开环放大倍数降低，输入电阻应尽可能大
输出电阻会消耗一部分输出电压造成开环放大倍数降低 为降低开环放大倍数降低，输入电阻应尽可能小
模拟电路电源对电路电位限制：
普通情况下，电路中各点电位不会超出电源电压
21/71
放大器
信号源
电源 放大器
负载
n模电关键 n为何要放大？ n什么是放大？ n对放大有什么要求？ n怎样满足对放大要求？ n什么器件能够进行放大？ n怎样组成放大系统？
模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)
题图 2.6
解： （1）Q1 点： β ≈ 50, Q2点：β ≈ 0。 （2） U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V （a） RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 （ μ A ） ，直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ，取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ，可得直流负载线如图 2.18（b）中①线，工作 1 1 = − ，可得图 2.18（b）中 点 Q( U CEQ = 6 V， I CQ = 2 mA)，交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V， β = 100 。判别电路的工
9V
（b） 题图 2.7
（c）
解： 在题图(a )中，由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图（b） ：
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )
模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答
精心整理第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
(√) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(√)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。
(√) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4)U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V ,U O2=0V ,U O3=-1.3V ,U O4=2V ,U O5=1.3V ,U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，?=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。
1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。
1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。
1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。
1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。
( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。
( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。
( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 （b ）1.7 （b ） （a ）1.8 （b 1） （c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。
(完整版)模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案
模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
《模拟电子技术基础》(国防工业出版社)课后习题答案
〖题1.1〗 （1）杂质浓度，温度（2）呈电中性，呈电中性（3）等于，大于，变窄，小于，变宽（4）反向击穿（5）增大，增大，减小（6）左移，上移，加宽（7）、发射结，集电结（8）一种载流子参与导电，两种载流子参与导电，压控，流控。
〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压O U 。
设二极管的导通压降为V 7.0=D U 。
图 T1.2(a )(b )(d )(c)解：（a ）U O =U A －U D =－5V －0.7V=－5.7V （b ）U O =U B =U C =－5V （c ）U O =U A =－0.7V （d ）U O =U A =－9.3V〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示，已知(m V )sin 10i t u ω= ，V 2.1=E ，+-Du Di D 8图 T1.3(a)(b)Ω=100R ，电容C 和直流电源E 对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示，求二极管两端的电压和流过二极管的电流。
解： m A )sin 92.15(d D D t i I i ω+=+=V)sin 01.07.0(d D D t u U u ω+=+=〖题1.4〗 设图T1.4中的二极管D 为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
(a)(b)图 T1.4解：(a) A 4110(20)9V 4614U =-⨯+-⨯=-++ B A B 52010V,55U U U =-⨯=->+, 二极管导通；(b) A 2510(15)4V 218520U =-⨯+-⨯=-++B A B 1151V,114U U U =-⨯=-<+, 二极管截止。
〖题1.5〗 在图T1.5所示电路中，已 知ωt(V)sin 10=i u ,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
分别画出它们的输出波形和传输特性曲线)(=i O u f u 。
模拟电子技术教案
模拟电子技术教案第一章：模拟电子技术基础1.1 教案目标让学生了解模拟电子技术的基本概念和特点让学生掌握常用模拟电子元件的功能和特性让学生了解电路的基本分析和设计方法1.2 教学内容模拟电子技术的定义和特点常用模拟电子元件：电阻、电容、电感、二极管、三极管等电路的基本分析和设计方法：电压、电流、功率、频率等1.3 教学步骤引入模拟电子技术的概念，让学生了解其在实际应用中的重要性讲解常用模拟电子元件的功能和特性，并通过示例电路进行演示引导学生学习电路的基本分析和设计方法，并通过实际案例进行应用1.4 教学评估通过课堂讲解和示例电路，评估学生对模拟电子技术基础知识的掌握程度布置相关习题，让学生巩固所学知识，并能够应用于实际问题中第二章：放大电路2.1 教案目标让学生了解放大电路的基本原理和分类让学生掌握放大电路的设计和分析方法让学生了解放大电路在模拟电子技术中的应用2.2 教学内容放大电路的定义和分类：电压放大器、功率放大器等放大电路的原理：反馈、输入输出阻抗、频率响应等放大电路的设计和分析方法：基本放大电路、耦合电路、滤波电路等2.3 教学步骤引入放大电路的概念，让学生了解其在模拟电子技术中的重要性讲解放大电路的基本原理和分类，并通过示例电路进行演示引导学生学习放大电路的设计和分析方法，并通过实际案例进行应用2.4 教学评估通过课堂讲解和示例电路，评估学生对放大电路的理解和掌握程度布置相关习题，让学生巩固所学知识，并能够应用于实际问题中第三章：滤波电路3.1 教案目标让学生了解滤波电路的基本原理和分类让学生掌握滤波电路的设计和分析方法让学生了解滤波电路在模拟电子技术中的应用3.2 教学内容滤波电路的定义和分类：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等滤波电路的原理：频率响应、阻带宽度、截止频率等滤波电路的设计和分析方法：RC滤波器、LC滤波器等3.3 教学步骤引入滤波电路的概念，让学生了解其在模拟电子技术中的重要性讲解滤波电路的基本原理和分类，并通过示例电路进行演示引导学生学习滤波电路的设计和分析方法，并通过实际案例进行应用3.4 教学评估通过课堂讲解和示例电路，评估学生对滤波电路的理解和掌握程度布置相关习题，让学生巩固所学知识，并能够应用于实际问题中第四章：模拟信号处理4.1 教案目标让学生了解模拟信号处理的基本原理和应用让学生掌握模拟信号处理的方法和技巧让学生了解模拟信号处理在电子系统中的应用4.2 教学内容模拟信号处理的概念和分类：滤波、放大、调制等模拟信号处理的方法和技巧：信号运算、信号转换、信号分析等模拟信号处理的应用：音频处理、通信系统、传感器信号处理等4.3 教学步骤引入模拟信号处理的概念，让学生了解其在电子系统中的重要性讲解模拟信号处理的基本原理和方法，并通过示例电路进行演示引导学生学习模拟信号处理的技巧，并通过实际案例进行应用4.4 教学评估通过课堂讲解和示例电路，评估学生对模拟信号处理的理解和掌握程度布置相关习题，让学生巩固所学知识，并能够应用于实际问题中第五章：模拟电路仿真与实践5.1 教案目标让学生了解模拟电路仿真的基本原理和工具让学生掌握模拟电路仿真的一般步骤和方法让学生能够通过仿真实践，验证和优化模拟电路的设计5.2 教学内容模拟电路仿真的概念和工具：SPICE、Multisim等模拟电路仿真的步骤和方法：电路搭建、参数设置、仿真分析等模拟电路仿真实践：放大电路、滤波电路、信号处理电路等5.3 教学步骤第六章：振荡电路6.1 教案目标让学生了解振荡电路的基本原理和分类让学生掌握振荡电路的设计和分析方法让学生了解振荡电路在模拟电子技术中的应用6.2 教学内容振荡电路的定义和分类：正弦波振荡器、方波振荡器、锯齿波振荡器等振荡电路的原理：反馈、选频网络、稳定条件等振荡电路的设计和分析方法：LC振荡器、RC振荡器等6.3 教学步骤引入振荡电路的概念，让学生了解其在模拟电子技术中的重要性讲解振荡电路的基本原理和分类，并通过示例电路进行演示引导学生学习振荡电路的设计和分析方法，并通过实际案例进行应用6.4 教学评估通过课堂讲解和示例电路，评估学生对振荡电路的理解和掌握程度布置相关习题，让学生巩固所学知识，并能够应用于实际问题中第七章：模拟电路的稳定性与反馈7.1 教案目标让学生了解模拟电路稳定性的基本概念让学生掌握反馈在模拟电路中的应用和作用让学生了解如何提高模拟电路的稳定性7.2 教学内容模拟电路稳定性的概念：振荡、漂移、失真等反馈的概念和类型：正反馈、负反馈等反馈在模拟电路中的应用和作用：提高稳定性、减小失真等7.3 教学步骤引入模拟电路稳定性的概念，让学生了解其在模拟电子技术中的重要性讲解反馈的基本概念和类型，并通过示例电路进行演示引导学生学习如何提高模拟电路的稳定性，并通过实际案例进行应用7.4 教学评估通过课堂讲解和示例电路，评估学生对模拟电路稳定性和反馈的理解和掌握程度布置相关习题，让学生巩固所学知识，并能够应用于实际问题中第八章：模拟电路的噪声与干扰8.1 教案目标让学生了解模拟电路中噪声与干扰的基本概念让学生掌握噪声与干扰的来源和影响让学生了解如何减小和消除模拟电路中的噪声与干扰8.2 教学内容噪声与干扰的概念：热噪声、电源噪声、干扰信号等噪声与干扰的来源和影响：电阻、电容、电感等元件的影响减小和消除噪声与干扰的方法：滤波、屏蔽、接地等8.3 教学步骤引入噪声与干扰的概念，让学生了解其在模拟电子技术中的重要性讲解噪声与干扰的来源和影响，并通过示例电路进行演示引导学生学习如何减小和消除模拟电路中的噪声与干扰，并通过实际案例进行应用8.4 教学评估通过课堂讲解和示例电路，评估学生对模拟电路噪声与干扰的理解和掌握程度布置相关习题，让学生巩固所学知识，并能够应用于实际问题中第九章：模拟电路的测试与测量9.1 教案目标让学生了解模拟电路测试与测量基本概念和仪器让学生掌握模拟电路测试与测量的方法和技巧让学生了解测试与测量在模拟电子技术中的应用9.2 教学内容测试与测量的概念和仪器：示波器、信号发生器、万用表等测试与测量的方法和技巧：信号波形、频率、幅度等的测量测试与测量的应用：电路调试、性能分析、故障诊断等9.3 教学步骤引入测试与测量的概念，让学生了解其在模拟电子技术中的重要性讲解测试与测量的方法和技巧，并通过示例电路进行演示引导学生学习测试与测量的应用，并通过实际案例进行应用9.4 教学评估通过课堂讲解和示例电路，评估学生对模拟电路测试与测量的理解和掌握程度布置相关习题，让学生巩固所学知识，并能够应用于实际问题中第十章：模拟电路设计实例分析10.1 教案目标让学生了解模拟电路设计的基本流程和实例让学生掌握模拟电路设计的方法和技巧让学生能够独立完成简单的模拟电路设计10.2 教学内容模拟电路设计的基本流程：需求分析、电路设计、仿真与实践等实例分析：放大电路、滤波电路、振荡重点和难点解析重点环节1：放大电路的设计和分析方法放大电路是模拟电子技术中的核心部分，涉及到信号的处理和放大。
模拟电子技术基础(第五版)
实用文档
1.5 放大电路的主要性能指标
1.用文档
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意：输入、输出电阻为交流电阻
实用文档
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源能量转
实用文档
模拟集成电路的特点：
•电阻值不能很大，精度较差，阻值一般在几十欧至几 十千欧。需要大电阻时，通常用恒流源替代； • 电容利用PN结结电容，一般不超过几十pF。需要大 电容时，通常在集成电路外部连接。不能制电感，级 与级之间用直接耦合； • 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
由元器件非线性特性引 起的失真。
非线性失真系数:
Vo2k
k2 100%
Vo1
Vo1 是 输 出 电 压 信 号 基 波 分 量 的有效值，Vok是高次谐波分量的有 效值，k为正整数。
实用文档
end
2.1 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性运放电路 2.4 同相输入和反相输入放大电
1.4 放大电路模型
2. 放大电路模型
A. 电压放大模型
A vo ——负载开路时的
电压增益
R i ——输入电阻
R o ——输出电阻
由输出回路得
vo
Avovi
RL Ro RL
则电压增益为
Av
vo vi
Avo
RL Ro RL
由此可见 RL
Av 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数）
模拟电子技术1.4 场效应管.ppt
场效应管图片
半导体三极管图片
1.4.1 结型场效应管
一、结型场效应管的结构
N沟道结型场效应管： 在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将
这两个P区连接在一起，引出一个电极（栅极g），在N 极两端各引出一个电极（漏极d和源极s）
导电 沟道
场效应管的输入电阻很高，远远超过BJT。即外加电压 时，输入电流近似为0，因此外加工作电压，应保证栅源之 间耗尽层承受反向电压.
存在一定宽度的导电沟道
①UDS=0，ID=0
预夹断：UDS=UGS-UGS(off)
②UDS增大进入预夹断之前，电流iD随UDS的增大而线性增大
③UDS增大进入预夹断形成漏极饱和电流IDSS
④UDS增大进入夹断区后，电流 iD表现出恒流特性。
同样的UDS，增大|UGS|，由于导电沟道变窄，电流iD减小。
增强型N沟道 耗尽型N沟道
增强型P沟道 耗尽型P沟道
说明：
1、栅极和沟道用短线隔开，表示绝缘栅； 2、箭头：衬底与沟道之间由P区指向N区； 3、D、S之间是沟道：
虚线：增强型MOS管； 实线：耗尽型MOS管。
二、N沟道增强型MOS管的工作原理
在通常情况下，源极一般与衬底相连，即UBS=0。
为保证N沟道增强型MOS管正常工作，应保证：
在UGS=0V时ID=0，只有当UGS＞UGS(th)后才会出现 漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。
增强型：UGS=0时管子内没有原始的导电沟道，漏极电 流是逐渐增大的。
耗尽型： UGS=0时管子有原始的导电沟道，只要漏源之 间加正电压，就存在漏极电流。因此，漏极电流是逐渐 减小的。
2、UDS对沟道导电能力的控制
①UDS=0，ID=0 ②UDS从零开始增大 存在漏极电流，漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因 而漏源电压UDS沿沟道递降 ，造成漏端电位高于源端电位。 近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端 耗尽层宽度大于近源端。即靠近漏极处的耗尽层厚度加 宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O 的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
模拟电子技术基础第四版课件-第一章
20A IB=0 9 12 UCE(V)
(1-51)
4
IC(mA
) 此区域中UC1E00UBAE,
集电结正偏，
3
IB>IC，UCE800.3VA 称为饱和区。
60A
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
(1-52)
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
I,UB=B80E0<,ICA死=I区CEO 电压60，A称为 截止40区A。
变薄
+ P
－+ －+ －+ －+
内电场被削弱，多子 的扩散加强能够形成 较大的扩散电流。
_ N
外电场
R
内电场
E
(1-22)
2、PN 结反向偏置
_ P
变厚
－+ －+ －+ －+
内电场被被加强，多子
的扩散受抑制。少子漂
移加强，但少子数量有
限，只能形成较小的反
向电流。
+
N
内电场
外电场
R
E
(1-23)
3 PN 结方程
I
U
I I S (e UT 1)
U
三 PN结的击穿
(1-24)
四 PN结的电容效应
PN结高频小信号时的等效电路： rd
势垒电容和扩散电 容的综合效应
(1-25)
1. 2 半导体二极管
1.2. 1 半导体二极管的结构和符号
PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
点接触型
触丝线
PN结
引线 外壳线
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非平衡少子的积累
UΔU
N
+ +
+ +
....................................
. ..
..
P
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模拟电子技术基础
UΔU
N
+ +
+ +
....................................
. ..
..
P
电子浓度
△U变化时，P区 积累的非平衡少 子浓度分布图
模拟电子技术基础
2. 变容二极管及其应用示例
C1 L
DC
R
+ UD –
+V
高+
频
放
u1
大
器–
谐振频率 f 1
2π LC
式中 C C 1C j
C1 Cj
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模拟电子技术基础
C1
L DC
由于 C1 Cj
C C1Cj C1 Cj
Cj
R
+ UD –
+V
高 频
+
放 u1 大 器–
故谐振频率
UO↓
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模拟电子技术基础
b. RL改变
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO
_
_
RL↓ → UO↓ → UZ ↓ → IZ↓ → I↓ → I R↓
UO↑
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模拟电子技术基础
(2) 限流电阻计算
+
UI
_
RI IZ
DZ
IO
+
RL UO
_
输出电压稳定的条件
UI
RL R RL
≥
模拟电子技术基础
(2) 势垒电容CB
空间电荷层
L
++
++
P
++ ++
N
U
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模拟电子技术基础
a. 当PN结正向偏置电压升高时
PN结变窄
空间电荷层中 LL 的电荷量减少
+
+
P
+ +
N
U+U (U>0)
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模拟电子技术基础
b. 当PN结正向偏置电压降低时
PN+ +++ +++ +++
变容二极管的特点 a. 当二极管反向偏置时，因反向电阻很大，可 作电容使用。 b. 电容量与所加的反向偏置电压的大小有关。
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模拟电子技术基础
变容二极管的符号及C－U 特性曲线
符号
C/pF
100 80 60
uD
C
40 20
0
2 4 6 8 10 12 uD/V
C－U 特性曲线
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UZ
（保证稳压管被击穿）
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模拟电子技术基础
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO
_
_
稳压管正常工作的条件 IZ(min)≤IZ≤IZM
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模拟电子技术基础
图中
+
UO=UZ
UI
IO
UO RL
UZ RL
_
IZ = I－IO
IUIUOUIUZ
R
R
RI IZ
DZ
IO
+
RL UO
_
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模拟电子技术基础
由式
I UI UZ R
IZ = I－IO
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO
_
_
知 当UI为最大值UI(max)时，I值最大； 此时当IO为最小值IO(min)时，IZ值最大。
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模拟电子技术基础
RI
IO
为保证管子安全 +
工作,应使 UI
_
IZ
+
DZ
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模拟电子技术基础
RI
IO
为保证电路正
+
常工作，应使
UI
_
IZ
+
DZ
RL UO
_
U RU I I I(min) Z
≥ O(max) Z(min)
由此可得
R≤
U U I(min)
Z
I I O(max)
Z(min)
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
由式 及
得
R≥ U I(max) U Z
r UZ Z IZ
(3) 最大允许工作电流IZM
UZ
UZ
A
O
uZ
(4) 最大允许功率耗散PZM
IZ Q
B
IZ
(5) 温度系数 U
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模拟电子技术基础
温度系数 U
定义： 温度每变化1C时UZ的相对变化率。即
UZ
U
UZ T
100%
UZ > 6V管子出现雪崩击穿，αU 为正； UZ < 4V 出现齐纳击穿，αU 为负; 4V < UZ < 6V，αU可能为正，也可能为负。
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模拟电子技术基础
具有温度补偿的硅稳压管
DZ1 (1)
DZ2
把一只αU为正 的管子与另一
只αU为负的管 子串联
将两只αU 为正
(2)
的稳压管串联
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模拟电子技术基础
2. 硅稳压管的等效电路
UZ0 UZ
iZ O
理想二极管
uZ
Q
IZ
等效电路
D2
rZ
D1
D3
UZ0
反向击穿时端电压表达式
f 1 2π LCj
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模拟电子技术基础
思考题
1. 在图示稳压电路中，输出电压稳定的条件是什么？
2. 在图示稳压电路中限流电阻的大小对电路性能有何
影响？
RI
IO
+
IZ
+
U_I
DZ
RL
UO
_
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模拟电子技术基础
1.4 特种二极管
1.4.1 硅稳压二极管
符号
+ uZ – iZ
iZ
伏安特性
UZ
UZ
A
IZ Q
B
特点
O
uZ a. 正向特性与普通管类似
b. 反向击穿特性很陡
IZ
稳压管通常工作于
反向电击穿状态
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模拟电子技术基础
1. 硅稳压管的主要电参数
iZ
(1) 稳定电压UZ
(2) 动态电阻
I I O(min)
ZM
R≤
U U I(min)
Z
I I O(max)
Z(min)
U U U I(max) U Z ≤ R≤
I(min)
Z
I I O(min)
ZM
I I O(max)
Z(min)
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模拟电子技术基础
1.4.2 变容二极管
1. PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD
空间电荷层中 的电荷量增大
N
U-U (U>0) 可见，空间电荷量随着PN结偏置电压的变化而变化。 这种电容效应用势垒电容CB表征。
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模拟电子技术基础
小结
PN结结电容Cj
Cj = CD + CB 当PN结反偏时
CB CD
Cj CB
当PN结正偏时
CD CB
Cj CD
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模拟电子技术基础
RL UO
_
I U RU I I(max) Z
≤ O(min) ZM
由此可得
R≥ U I(max) U Z
I I O(min)
ZM
上页
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模拟电子技术基础
由式
I UI UZ R
IZ = I－IO
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO
_
_
知 当UI为最大值UI(min)时，I值最小； 此时当IO为最大值IO(max)时，IZ值最小。
UZUZ0IZrZ
反向
正向
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
3. 硅稳压管稳压电路
RI
+
IZ
UI
DZ
_
IO
+
RL UO
_
R——限流电阻
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模拟电子技术基础
(1) 稳压原理
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO
_
_
a. UI不稳定
UI↑ → UO↑ → UZ ↑ → IZ↑ → I↑ → I R↑
3 1 2
x 1 ΔU=0 2 ΔU<0 3 ΔU>0 上页 下页 返回
模拟电子技术基础
UΔU
N
+ +
+ +
....................................