ZnO纳米阵列的制备和稀土掺杂工艺及其发光性能的研究(摘要)
《纳米棒状ZnO自组装结构的制备及其光电性能研究》范文
《纳米棒状ZnO自组装结构的制备及其光电性能研究》篇一一、引言随着纳米科技的发展，ZnO纳米材料因其优异的物理和化学性质，如高激子结合能、高电子迁移率等，被广泛应用于光电器件、生物传感器、光催化剂等领域。
本文以纳米棒状ZnO自组装结构为研究对象，探讨了其制备方法及光电性能，旨在为ZnO纳米材料的应用提供理论依据。
二、制备方法1. 材料选择与准备本实验选用高纯度的ZnO粉末作为原料，通过溶胶-凝胶法进行制备。
此外，还需准备乙醇、去离子水、表面活性剂等辅助材料。
2. 制备过程首先，将ZnO粉末溶解在乙醇中，形成均匀的溶液。
然后，加入表面活性剂，在搅拌条件下使溶液形成溶胶。
接着，将溶胶置于适当的温度下进行凝胶化处理，使ZnO纳米棒自组装形成结构。
最后，对所得产物进行清洗、干燥，得到纳米棒状ZnO自组装结构。
三、结构与形貌分析1. 结构分析通过X射线衍射（XRD）对制备的纳米棒状ZnO自组装结构进行物相分析，结果表明，所得产物为六方纤锌矿结构的ZnO。
2. 形貌分析利用扫描电子显微镜（SEM）对样品进行形貌观察，发现ZnO纳米棒呈规则的棒状结构，且自组装形成紧密的结构。
此外，通过透射电子显微镜（TEM）对纳米棒的微观结构进行进一步观察，发现其具有较高的结晶度和良好的分散性。
四、光电性能研究1. 紫外-可见吸收光谱分析通过紫外-可见吸收光谱测试，发现纳米棒状ZnO自组装结构在紫外区域具有较高的光吸收能力。
此外，通过对光谱数据的分析，可以得到其禁带宽度等光电性能参数。
2. 光致发光性能研究光致发光性能是评价半导体材料光学性能的重要指标。
通过光致发光光谱测试，发现纳米棒状ZnO自组装结构具有较好的光致发光性能，发光峰位明确，半峰宽较窄。
这表明其具有较高的光学质量和较好的结晶度。
3. 电学性能研究通过电学性能测试，发现纳米棒状ZnO自组装结构具有较高的电子迁移率和较低的电阻率。
这些电学性能参数对于评估其在光电器件中的应用具有重要意义。
ZnO 纳米棒阵列、纳米片及其发光和光催化特性
ZnO 纳米棒阵列、纳米片及其发光和光催化特性∗顾留洋;王树林【摘要】This paper prepared large scale ZnO nano-rod arrays and nano-sheets via sol-gel methods on Si sub-strates.We showed that the synthesized nano-arrays and nano-sheets grew along the(001)direction.With the Cu2+ blocking the growth of the polar surfaces,the nano-sheets looked structural homogenous and sized 8 nm in thickness and 40μm in area.The orientation of the nanostructures had significant influence on their physical-chemical performance.Strong orientation along the c-axis of nano-structured ZnO may be favorable for ultravio-let lasing,but may be disadvantageous to photo-catalytic reaction.%首先通过溶胶-凝胶法在 Si 片基底上制备1层ZnO 纳米薄膜,作为纳米棒的晶种层,然后利用金属浴沉积法在 ZnO 纳米薄膜基础上制备择优取向的ZnO 纳米棒阵列,最后通过水热法二次成核结晶形成纳米片.研究证明,ZnO 纳米棒阵列和纳米片均沿着c 轴取向.在 Cu2＋抑制极性面生长的作用下,形成的ZnO 纳米片结构均匀,分布面积广,单片 ZnO 纳米片的厚度约为8 nm,面积呈平方微米级,较大的有40μm2左右.ZnO 纳米结构的生长取向对其物理化学性能具有重要影响.高度沿c 轴取向的 ZnO 纳米棒有利于紫外光发射和激光器的发展,但极性面的缩小不利于光催化反应.【期刊名称】《功能材料》【年(卷),期】2015(000)003【总页数】4页(P3041-3044)【关键词】ZnO 纳米棒;ZnO 纳米片;光致发光;光催化【作者】顾留洋;王树林【作者单位】上海理工大学能源与动力工程学院，上海 200093;上海理工大学材料科学与工程学院，上海 200093【正文语种】中文【中图分类】O482.541 引言ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3．37 e V，激子束缚能高达60 me V［1］。
《ZnO纳米结构的掺杂调控及其异质结光电性能的研究》范文
《ZnO纳米结构的掺杂调控及其异质结光电性能的研究》篇一摘要：本论文重点探讨了ZnO纳米结构的掺杂调控及其与异质结的光电性能。
首先，介绍了ZnO纳米结构的制备方法及掺杂技术。
接着，详细研究了不同掺杂元素对ZnO纳米结构光电性能的影响，并进一步探讨了ZnO基异质结的制备及其光电性能。
本文的研究结果为ZnO纳米结构及其异质结在光电器件领域的应用提供了重要的理论依据和实验支持。
一、引言ZnO作为一种宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能和化学稳定性，在光电器件、传感器、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
近年来，ZnO纳米结构的掺杂调控及其与异质结的光电性能研究成为了一个热门课题。
通过对ZnO纳米结构进行掺杂，可以改变其能带结构、电导率和光学性质，从而提高其光电性能。
而ZnO基异质结的制备和性能研究则有助于进一步提高光电器件的性能。
因此，本文重点研究了ZnO纳米结构的掺杂调控及其与异质结的光电性能。
二、ZnO纳米结构的制备及掺杂技术1. 制备方法ZnO纳米结构的制备方法主要包括物理气相沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶法等。
其中，溶胶-凝胶法因其操作简便、成本低廉等优点被广泛应用于实验室研究。
2. 掺杂技术掺杂是改变ZnO纳米结构光电性能的重要手段。
常见的掺杂元素包括Al、Ga、In等。
掺杂过程中，通过控制掺杂浓度和掺杂方式，可以实现对ZnO纳米结构能带结构、电导率和光学性质的调控。
三、不同掺杂元素对ZnO纳米结构光电性能的影响1. Al掺杂ZnO纳米结构Al掺杂可以降低ZnO的电阻率，提高其导电性能。
此外，Al 掺杂还可以使ZnO的禁带宽度变大，提高其光学稳定性。
2. Ga掺杂ZnO纳米结构Ga掺杂可以显著提高ZnO的光吸收性能和光电导性能。
此外，Ga掺杂还可以改善ZnO的晶体质量，提高其发光性能。
3. In掺杂ZnO纳米结构In掺杂可以有效地提高ZnO的电子迁移率和发光效率。
同时，In掺杂还可以使ZnO的禁带宽度变窄，提高其在可见光区域的响应性能。
ZnO纳米材料的制备及其发光特性的研究
ZnO纳米材料的制备及其发光特性的研究本文采用溶胶-凝胶法（Sol-Gel）在石英基片上制备了Al掺杂ZnO（AZO）薄膜的种子层,采用水热法制备了Al掺杂ZnO纳米棒（AZO NR）及Al掺杂ZnO纳米管（AZO NT）,同时采用液相还原法制备了Cu修饰的AZO纳米管（AZO/Cu NT）。
得出以下结论:1.采用溶胶-凝胶制备AZO纳米薄膜,分析Al掺杂浓度、预热温度、退火温度和匀胶机的旋涂速率等工艺条件对ZnO薄膜性能的影响。
结果表明:样品在Al掺杂浓度为1.5 at.%、预热温度和退火温度分别为400℃和900℃时结晶质量最好,晶粒分别均匀,薄膜的光催化效率也最好;匀胶机的旋涂速率直接影响薄膜的择优取向性,速率为60 r/min时,样品的所有XRD特征峰齐全,表明制备的样品为氧化锌的六角纤锌矿结构,当速率增大到3000 r/min时ZnO样品呈（002）择优取向。
2.采用水热法制备AZO NR,分析Al掺杂浓度、水热温度、水热时间、聚乙烯亚胺和种子层厚度工艺条件对AZO NR性能的影响。
结果表明:Al掺杂浓度为4 at.%、水热温度95℃和水热时间为10 h时样品的结晶质量最好、内应力最小,样品的长径比最大;种子层的厚度越大,纳米棒越致密,而聚乙烯亚胺能有效的减小纳米棒的直径。
3.采用二次水热法制备AZO NT,用化学沉积法制备AZO/Cu NT,分析H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>的量对纳米棒形貌的影响及不同形貌的样品对甲基橙（MO）光催化性的影响。
结果表明:H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>为20 ml时AZO NR呈管状,且AZO/Cu NT表现出良好的光催化性能。
ZnO纳米棒阵列膜的制备及其光电化学性能研究
列。用 Ｘ 射线衍射仪（ＸＲＤ）、场 发 射 扫 描 电 子 显 微 镜
（ＦＥＳＥＭ）、透射电子显 微 镜 （ＴＥＭ）对 样 品 进 行 表 征。
研究 结 果 表 明 所 制 备 的 ＺｎＯ 纳 米 棒 为 六 方 纤 锌 矿 相
单晶结构，沿ｃ轴择优取向生长，平均直径约为 ４０ｎｍ，
长度约为 ９００ｎｍ；ＺｎＯ 纳 米 棒 阵 列 生 长 致 密，取 向 性
１４７８
２０１１ 年 第 ８ 期 （４２）卷
ＺｎＯ 纳米棒阵列膜的制备及其光电化学性能研究 ＊
王 海 锋１，王 树 林２，蹇 敦 亮２，陈 海 燕１，丁 浩 冉１
（１ 上海理工大学 能源与动力工程学院，上海 ２０００９３；２ 上海理工大学 材料科学与工程学院，上海 ２０００９３）
摘 要： 采 用 化 学 溶 液 沉 积 法，在 ＺｎＯ 纳 米 颗 粒 膜 修饰 的 ＦＴＯ 导 电 玻 璃 基 底 上，制 备 了 ＺｎＯ 纳 米 棒 阵
阳极组装成染料 敏 化 太 阳 能 电 池 （ＤＳＳＣ）的Ｉ－Ｖ 特 性 曲线。由填充因子：
关键词： ＺｎＯ 纳米棒阵列；化学溶液沉积；曙红 Ｙ；染
料敏化太阳能电池
中 图 分 类 号 ： Ｏ４７２
文 献 标 识 码 ：Ａ
稀土离子掺杂ZnO纳米晶体的制备及其光电化学性能研究
稀土离子掺杂ZnO纳米晶体的制备及其光电化学性能研究随着科技的不断发展，稀土材料作为一类具有独特性质和广泛应用前景的材料，受到了广泛关注。
其中，以ZnO为基础的稀土离子掺杂材料因其在光电化学领域的应用前景而备受研究者的关注。
本文将介绍稀土离子掺杂ZnO纳米晶体的制备及其光电化学性能研究。
1. 稀土离子掺杂ZnO纳米晶体的制备稀土离子是指元素周期表中三种不同的元素：镧（La）、铈（Ce）和钐（Sm）。
稀土离子掺杂ZnO纳米晶体的制备是通过溶胶-凝胶法实现的。
首先，取定量的Zn（NO3）2·6H2O和稀土离子盐作为起始材料，加入适量去离子水中，经过搅拌，得到混合溶液。
然后将混合溶液在常温下保温，并通过加入甲醇等表面活性剂来形成胶体，最终形成稀土离子掺杂的ZnO纳米晶体。
2. 稀土离子掺杂ZnO纳米晶体的光电化学性能研究稀土离子掺杂ZnO纳米晶体具有优异的光电化学性能，在光催化降解有机污染物、太阳能电池等方面展现出了广阔的应用前景。
在研究中，我们主要从光催化活性、结构表征和电化学性质三个方面来探讨其性能。
(1) 光催化活性通过对其在光催化降解有机污染物的实验表明，稀土离子掺杂ZnO纳米晶体具有更好的光催化活性，其降解率可以达到90%以上，并且在长时间的稳定性测试中也表现出了很好的稳定性。
这主要是由于稀土离子的掺杂提高了ZnO的载流子寿命和光吸收能力。
(2) 结构表征通过对其结构的表征，我们发现稀土离子的掺杂可以改善ZnO纳米晶体的结晶度、表面积和孔径分布，从而提高了其光电化学性能。
此外，掺杂的稀土离子还可以影响晶格常数和晶格缺陷，从而影响其光电化学性能。
(3) 电化学性质通过对其电化学性质的研究，我们发现稀土离子的掺杂可以提高ZnO纳米晶体的电化学电容和氧化还原能力，从而提高了其在太阳能电池中的应用。
综上所述，稀土离子掺杂ZnO纳米晶体是一种具有广泛应用前景的材料，在光电化学领域表现出了优异的性能，具有很好的稳定性和重要的应用价值。
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》篇一一、引言随着纳米科技的不断进步，ZnO纳米材料因其独特的物理和化学性质在许多领域都表现出广泛的应用前景。
其中，ZnO纳米线阵列以其优异的电学、光学和气敏性能，在传感器、光电器件等领域具有重要应用价值。
本文将重点探讨ZnO纳米线阵列的可控制备技术及其气敏性能的研究进展。
二、ZnO纳米线阵列的可控制备1. 制备方法ZnO纳米线阵列的制备方法主要包括化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、水热法等。
其中，化学气相沉积法因其制备过程简单、可控制备条件等优点，成为目前较为常用的制备方法。
2. 制备过程在化学气相沉积法中，首先将锌源（如氧化锌粉）置于反应炉中，然后在一定温度下进行热解。
通过调节温度、气氛等参数，使锌源在基底上形成ZnO纳米线阵列。
此外，还可以通过掺杂其他元素来改善ZnO纳米线阵列的性能。
3. 可控制备技术可控制备技术是实现ZnO纳米线阵列性能优化的关键。
通过调整反应条件、掺杂元素等手段，可以实现对ZnO纳米线阵列的尺寸、形貌、结晶度等性能的精确控制。
此外，还可以通过优化制备工艺，提高ZnO纳米线阵列的产率和纯度。
三、气敏性能研究1. 气敏性能测试方法气敏性能测试是评估ZnO纳米线阵列性能的重要手段。
通过测量ZnO纳米线阵列在不同气体浓度下的电阻变化，可以评估其气敏性能。
常用的测试方法包括静态测试和动态测试。
2. 气敏性能影响因素ZnO纳米线阵列的气敏性能受多种因素影响，包括材料本身的性质（如尺寸、形貌、结晶度等）、制备工艺以及测试条件等。
通过优化这些因素，可以提高ZnO纳米线阵列的气敏性能。
3. 气敏性能应用ZnO纳米线阵列在气体传感器领域具有广泛应用。
由于其高灵敏度、快速响应和低功耗等优点，ZnO纳米线阵列可应用于检测有毒气体、可燃气体以及环境监测等领域。
此外，还可以通过掺杂其他元素或与其他材料复合，进一步提高其气敏性能。
四、结论与展望本文对ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性能进行了研究。
ZnO纳米材料的制备及其光性能分析
ZnO纳米材料的制备及其光性能分析ZnO纳米材料的制备及其光性能分析摘要：随着纳米材料的研究和应用逐渐深入，ZnO纳米材料因其优异的光学性质和广泛的应用潜力而备受关注。
本文通过对ZnO纳米材料的制备方法及其光性能的分析，探讨了其在可见光谱范围内的应用前景和潜在问题。
1. 引言ZnO是一种重要的半导体材料，在可见光范围内具有良好的透明性和光学性能。
纳米化技术使ZnO纳米材料的制备更加容易，并且能够调控其形貌和结构，进一步扩展了其应用领域。
本文主要研究了ZnO纳米材料的制备方法和其在光学性能方面的应用。
2. ZnO纳米材料的制备方法2.1 水热法水热法是制备ZnO纳米材料常用的方法之一。
通过在高温高压条件下将Zn源物与反应溶液中的脱水剂反应，在特定的温度、压力和时间下得到纳米级的ZnO颗粒。
这种方法可以控制纳米粒子的形貌和大小。
2.2 氧化法氧化法是将氧化锌粉末进一步破碎并通过化学反应得到纳米级ZnO颗粒的方法。
具体步骤包括溶液制备、沉淀制备和煅烧等。
这种方法制备的ZnO纳米材料通常具有较高的纯度和比表面积。
2.3 等离子体辅助沉积法等离子体辅助沉积法是一种通过等离子体溅射氧化锌薄膜并在退火过程中形成纳米颗粒的方法。
这种方法对制备较大面积的纳米薄膜具有较高的效率和可控性。
3. ZnO纳米材料的光性能分析3.1 光吸收与发射性质ZnO纳米材料在可见光谱范围内具有很好的吸光性能，吸收光谱主要集中在紫外光区域，具有很高的吸收系数。
此外，ZnO纳米材料还表现出良好的荧光性能，其荧光峰位主要在380-420 nm范围内。
3.2 光电导性质由于ZnO纳米材料是一种半导体材料，因此具有良好的光电导性能。
通过引入掺杂元素或修饰表面，可以调控和增强ZnO纳米材料的光电导能力。
这使得ZnO纳米材料在光电器件和太阳能电池等领域有广泛的应用前景。
3.3 光催化性能ZnO纳米材料具有较高的光催化性能，可以在可见光区域内吸收光能并产生电子-空穴对。
ZnO纳米材料的制备及光催化性能研究
综合理论课程教育研究学法教法研究 255随着社会工业的发展，环境污染越来越严重。
其中，水污染成为环保工作面临的重大问题。
1972年，Fujishima 和Hondas 发现TiO 2能够光分解水[1]，1976年，J.H.Cary 等人发现半导体材料作为光催化剂能够降解有机物，最终的产物为水和二氧化碳，无二次污染，是一种绿色能源。
有专家预测，光催化降解污染物将成为未来降解有机废水的有效方法之一。
作为第三代半导体材料的ZnO 是一种新型的半导体多功能材料，具有良好的发光性、压电性、导电性等，被主要应用在激光器、传感器、太阳能电池、发光二极管及光催化等领域[2]。
一、ZnO 作为光催化剂的优点目前研究较多的光催化剂有二氧化钛、氧化锌、硫化镉等，其中硫化镉因其具有毒性在光催化领域而被选择性应用。
二氧化钛作为光催化剂虽然催化活性强但是也具有自身缺点，其电子跃迁几率低，故其量子效率较低，在催化反应过程中反应速率慢。
ZnO 作为直接带隙半导体材料用于光催化降解有机污染物的优点为：首先，ZnO 能带性质决定了电子跃迁几率要高于二氧化钛。
其次，因其内部存在较多氧空位，能够加速分离电子-空穴对，进而提高降解效率。
此外，ZnO 无毒无害且价格低廉，使其在光催化领域更加能受到人们关注。
二、光催化降解原理半导体的能带结构决定了其具有光催化性质。
半导体是由导带和价带构成的，导带和价带之间存在着禁带。
当光的能量大于半导体禁带宽度时，半导体吸收光能后，价带的电子跃迁到导带产生带间跃迁。
此时价带上便会产生带正电的空穴，而导带上形成带负电的电子，最终形成电子-空穴对。
电子-空穴对不稳定会发生分离，在分离过程中，一部分电子将移动到半导体表面与氧结合，生产强氧化能力的羟基自由基，而半导体表面的空穴将会与水发生反应生成羟基自由基。
这些自由基具有非常强大的氧化能力，几乎能够氧化所有的有机物，最后的产物为水和二氧化碳。
三、水热法制备ZnO 纳米材料制备ZnO 纳米材料的方法很多，主要有化学气相沉积法、水热法、溶胶-凝胶法、分子外延法等，其中水热法制备温度相对较低，反应在密闭容器中进行避免了组分挥发，且产物结晶度高，适合大规模工业生产。
ZnO纳米棒阵列的制备、微结构及光学性能研究
恒温阶段
Ａ ０ ｒ ｏ ２ ０ ５ Ａ ０ ｒ ｏ ２ ０ ５
Ａ ０ ｒ ０ Leabharlann Ｏ． 降温 阶段
Ａ ｏ ｒ０ １ ０ ５ Ａ ０ ｒ ０ １ Ａ ｏ ｒ ０ １
１ ５ １ ２
１５ ００ ７０ ５
１ １
Ａ ０ ｒ１ｏ Ａ ０ ｒ０ １
阵列 的实 验 中 ， ｎ Ｚ Ｓ粉 在 １ ５ 。 ０ ０ Ｃ时 蒸 发 ， 载 气 中 锌矿 结构 Ｚ Ｏ的 Ａ （ Ｏ） Ｅ 模 与 ｎ Ｔ 和 ：
。Ｐ Ｌ光 谱 通
的氧 原子 反 应 ， 成 气 态 Ｚ Ｏ分 子 和 Ｓ ： 子 。ｓ 生 ｎ Ｏ分 ｉ 常用 来检 测纳 米 材 料 中的 缺 陷和 杂 质 。 图 ６ ｂ 是 （） 基底 上 Ａ ｕ液 滴 吸 附 大量 的气 态 Ｚ Ｏ分 子 ， 饱 和 ３种 形 貌 Ｚ Ｏ 纳 米 棒 的 室 温 Ｐ ｎ 过 ｎ Ｌ光 谱 ， 发 波 长 激
ｒ ｄ ｓ ｐ ｅ ｅ ｔｄ ｂ ｓ ｄ ｏ ｏ ｓ ｉ ｒ ｓ ｎ ｅ ａ ｅ ｎ ＨＲＴ Ｍ ｈ ａ ｔｒ ａｉｎ ａ ｄ ｓ １ａ ｅ ｅ ｅｇ ａｙ ｉ． Ｔ ｅ ｏ ｔ ａ ｐ ｐ ｒ ｅ ｆＺ Ｏ ｎ ｎ ｒｄ ａｒ ｙ ｅ ｅ Ｅ ｃ ａ ｃｅ ｚ ｔ ｎ ｕ３ ｃ ｎ ｒ ｙ ａ ｌｓｓ ｈ ｐ ｉ ｌ ｒ ｅ ｔ ｓ ｏ ｎ ａ ｏ ｏ ｒａ ｓ ｗ ｒ ｒ ｉ ｏ Ｃ ｎ ｃ ｏ ｉ ｓ ｄ ｅ ｙ ｍｉ ｒ －Ｒ ｍａ ｃ ｔ ｒ ｇ ａ ｄ ｍｉ ｒ — Ｌ ｓ ｅ ｔ ｓ ｏ ｙ ｔ ｉ ｄ ｂ ｃ ｏ ａ ｎ ｓ ａ ｔｉ ｃｏ Ｐ ｐ ｃｒ ｃ ｐ ． ｕ ｅｎ ｎ ｏ
（Ｎ ｎｈ ｎ ａｇ ｏｇＵ ｉ ｒ ｔ， ａ ｃａｇ， ｉｎｘ ３０ ６ ，Ｃ ｉａ ａ ｃａｇＨ ｎ ｋｎ ｎ ｅ ｉ Ｎ ｎｈ ｎ Ｊ ｇｉ ３０ ３ ｈｎ ） ｖ ｓｙ ａ
纳米结构ZnO的制备及性能研究
纳米结构ZnO的制备及性能研究一、本文概述氧化锌（ZnO）是一种重要的半导体材料，因其独特的物理和化学性质，在纳米科技领域引起了广泛的关注。
纳米结构ZnO的制备及性能研究对于推动材料科学、电子学、光电子学、生物医学等多个领域的发展具有重要意义。
本文旨在深入探讨纳米结构ZnO的制备方法、结构特性、以及其在各种应用场景中的性能表现。
本文将概述纳米结构ZnO的基本性质，包括其晶体结构、能带结构、光学特性等。
随后，我们将详细介绍几种常见的纳米结构ZnO制备方法，包括物理法、化学法以及生物法等，并对比各种方法的优缺点。
在此基础上，我们将重点关注纳米结构ZnO的性能研究，包括其电学性能、光学性能、光催化性能、以及生物相容性等。
我们将通过实验数据和理论分析，全面揭示纳米结构ZnO的性能特点及其在不同应用场景中的潜在应用价值。
本文还将展望纳米结构ZnO的未来发展趋势，探讨其在新能源、环保、生物医学等领域的应用前景。
我们希望通过本文的研究，能够为纳米结构ZnO的制备和性能优化提供有益的参考，推动其在各个领域的实际应用。
二、ZnO纳米结构的制备方法ZnO纳米结构的制备方法多种多样，主要包括物理法、化学法以及生物法等。
这些方法的选择取决于所需的ZnO纳米结构的尺寸、形貌、纯度以及应用的特定要求。
物理法：物理法主要包括真空蒸发、溅射、激光脉冲沉积等。
这些方法通常在高温、高真空环境下进行，能够制备出高质量的ZnO纳米结构。
然而，这些方法通常需要昂贵的设备和复杂的操作过程，限制了其在大规模生产中的应用。
化学法：化学法因其设备简单、操作方便、易于大规模生产等优点，在ZnO纳米结构制备中得到了广泛应用。
其中，溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、水热法和微乳液法等是常用的化学制备方法。
例如，溶胶-凝胶法通过控制溶液中的化学反应，可以制备出具有特定形貌和尺寸的ZnO纳米颗粒。
化学气相沉积法则可以通过调节反应气体的流量、温度和压力等参数，实现ZnO纳米线的可控制备。
稀土铕掺杂纳米氧化锌制备及发光性能研究
摘要
纳米氧化锌制备 纳米氧化锌分析
成果讨论
纳米氧化锌制备
目前掺杂稀土元素旳纳米ZnO旳制备措施主要有溶胶 一凝胶法、燃烧合成法、水热合成法、高温固相法、 微波合成法等。本试验采用均匀沉淀法制备在纳米 ZnO中掺杂不同浓度旳稀土铕离子旳荧光材料。
什么是均匀沉淀法？
纳米氧化锌制备
均匀沉淀法是利用某一化学反应使溶液中旳构晶离子由溶液中 缓慢均匀地释放出来，经过控制溶液中沉淀剂浓度，确保溶液 中旳沉淀处于一种平衡状态，从而均匀旳析出。一般加入旳沉 淀剂, 不立即与被沉淀组分发生反应, 而是经过化学反应使沉淀 剂在整个溶液中缓慢生成，克服了由外部向溶液中直接加入沉 淀剂而造成沉淀剂旳局部不均匀性。
谢谢
铕掺杂纳米 ZnO
制备及性能研究
研究背景
作为一种新型旳光电材料，ZnO室温下禁带宽度 为3.37eV，具有高旳激子结合能(60meV)，远不小于 ZnSe(21meV)和GaN(25meV)旳激子结合能，生长 温度低，使得ZnO成为一种具有应用潜力旳短波光电 子材料。而掺杂纳米氧化锌粉体在电磁、压敏、光学、 超导、化学和生物活性等方面旳广泛应用，引起了人 们足够旳注重。从1997年开始，国内对氧化锌光致发 光材料进行了比较多研究，尤其是对ZnO掺杂稀土元 素旳光致辐射紫外光、蓝光、绿光进行了广泛地探索 研究。
优点：轻易取得大颗粒旳沉淀，得到旳产品颗粒均匀、致密, 便 于过滤洗涤, 是目前工业化看好旳一种措施。
缺陷： 试验操作啰嗦费时，对沉淀纯度改善不大，沉淀易沉积 在容器壁上。
纳米氧化锌制备
试验试剂： 六水合硝酸锌、尿素（沉淀剂）、二烷基苯磺酸钠 （表面活性剂）、氧化铕、硝酸、无水乙醇、去离子 水
试验仪器： • DX一2600型x射线衍射仪 • ZS90型纳米粒度及Zeta电位分析仪 • FL一4500型荧光分光光度计 • FTIR一370型傅里叶变换红外光谱仪
稀土掺杂纳米氧化锌的制备及光学性能研究
冷却至 室 温 ，转 移 到烧 杯 中，静 置 ，用 去 离 子 水 洗 涤 至 无 ＯＨ一，得到 白色沉淀 ，烘干 ，得样品。样 品分 别命名为 Ｚ一１００、 Ｚ－１２０、Ｚ－１４０、Ｚ一１６０、Ｚ－１８０和 Ｚ－２００。
按计 量 比称 量 一 定 质 量 的 Ｌａ（ＮＯ ） ·６Ｈ：０和 ８．７６ ｇ Ｚｎ（ＣＨ ＣＯＯ） ·２Ｈ：０，加入 乙醇 ，回流 至全 部溶 解 ，冷 却 到 室 温 。加 入 ８ ｇ ＮａＯＨ，搅 拌 ，转 移 到 高 压 反 应 釜 中 ，密 封 ， １２０℃ 加热反应 ２ ｈ，取 出冷却 ，将 样 品转 移到 烧杯 中 ，静 置 １２ ｈ，用去离子水洗 涤至无 ＯＨ一，烘 干 ，得 到一 系列 不 同浓度 Ｌａ掺杂 的纳米 氧化锌 产 品。样 品分 别命 名为 Ｌ一０．５、Ｌ一１．０、
摘 要 ：低温水热法合成了直径分别为 １１—４８和９～１５ ｎｍ的棒状氧化锌和稀土 Ｌａ 掺杂氧化锌微粒。通过 ｘ一射线粉末衍 射 （ＸＲＤ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）、紫外 一可见漫反射光谱 （ｕＶ—ｖｉｓ ＤＲＳ）和荧光光谱 （ＰＬ）等对氧化锌结构进行 了表征 以及光学性 能测试 。结果表明 ，本研究制备的纳米 ＺｎＯ是 结 晶良好 的棒状 晶体 ，Ｌａ 的掺 入使氧化 锌 晶体 发生 了晶胞膨 胀 ，紫外 吸 收增强 ， 带 隙向紫外 区偏移 ，随 Ｌａ 掺杂浓度的增 大 ，荧光 强度增加。
第 ４４卷 第 １期 ２０１６年 １月
广 州 化 工
Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ
Ｖｏ１＿４４ Ｎｏ．１ Ｊａｎ．２０１６
稀 土 掺 杂 纳 米 氧 化 锌 的 制 备 及 光 学 性 能 研 究
张瑞 芳 ，吴 晓滨 ，宋 丽 萍 ，李 民君
可控多足ZnO纳米结构阵列的制备、表征及发光研究
摘
要： ｚ 以 ｎ片和 Ｈ Ｏ为前驱反应物 ， ： 采用水热法在 ｚ ｎ片 上直接腐 蚀制得 多足 状 Ｚ Ｏ纳米 结构 ｎ
阵列 ． 使用 ｘ射线 衍射仪 、 扫描 电子显 微镜 、 透射 电子 显微镜 对样 品结构 和形貌 进行表 征． Ｌ谱测 试研 Ｐ 究表 明多足 Ｚ Ｏ纳米结 构阵列具有两个发射峰位 ， ｎ 分别 为 ３９ ５ ３ｎ 其 中紫外 发射 峰位 ３９ｎ ７ 、６ ｍ， ７ ｍ占主
引文格式 ： 陆香花 ， 杜显振 ， 占文 ， 可控多足 Ｚ Ｏ纳米结构阵列的制 备 、 征及发光研 究 ［ ］ 安 徽大学学报 ： 庞 等． ｎ 表 Ｊ． 自
然科 学 版 ，０ １３ （ ）５ － １ ２ １ ，５ ３ ：８ ６ ．
第 ３期
陆 香 花 ， ： 控 多足 Ｚ Ｏ纳 米 结 构 阵列 的 制 备 、 征 及 发 光 研 究 等 可 ｎ 表
在 ｚ 片上腐蚀形成 Ｚ Ｏ， Ｘ Ｄ谱形与５ｈ ｎ ｎ 其 Ｒ 的产物 谱形 几乎 一致 ， 处 略． 此
２ ２ Ｓ Ｍ 图谱分 析 ． Ｅ
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图 反应 ５ｈ制得的 ｚ ｏ的 ｘ射线衍射谱・插图为谱图中 “
．
图 ２ 、 别 为 水热 反 应 １ ５ｈ所 得 样 １ ａ ｂ分 、 ｘ
积 为 ５ 的高 压釜 中 ， 中盛 有 ３ ｌ 离子水 ． 后将 高压 釜 放 入一 温 度设 定 为 １０ 的鼓 风 干燥 ０ｍ１ 釜 ０ｍ 去 最 １ 箱 中． 应结束 后 冷却 至室 温 ， 出 ｚ 反 取 ｎ片发现 其表 面有 灰 白色物 质 生成 ， 次用 去离 子水将 样 品清洗 干 多 净然 后在 ６ ０℃ 的烘 箱 中将样 品干燥 ． 将制 的样 品采 用 ｘ射 线衍 射 仪 （ Ｒ Ｐ ８ Ｈ ） 扫 描 电镜 、 Ｘ Ｄ ＭＡ １ Ａ Ｆ 、 高
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》篇一一、引言随着纳米科技的飞速发展，ZnO纳米材料因其独特的物理和化学性质，在传感器、光电材料等领域具有广泛的应用前景。
ZnO纳米线阵列作为其中一种重要的纳米结构，具有较高的比表面积和优良的电子传输性能，因此对气体分子的检测和响应具有显著的优势。
本文旨在研究ZnO纳米线阵列的可控制备方法，并对其气敏性进行深入探讨。
二、ZnO纳米线阵列的可控制备1. 材料选择与准备本实验选用高纯度的锌源和氧源，通过化学气相沉积法（CVD）制备ZnO纳米线阵列。
在实验前，需对基底进行清洗和处理，以保证纳米线的生长质量。
2. 制备方法采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，通过控制反应温度、反应时间和气体流量等参数，实现ZnO纳米线阵列的可控制备。
具体步骤包括：将锌源和氧源分别引入反应室，在基底上形成ZnO纳米线。
通过调整锌源和氧源的比例、反应温度和生长时间等参数，可以实现对ZnO纳米线阵列形貌、尺寸和密度的控制。
3. 结构表征采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）等手段对制备的ZnO纳米线阵列进行结构表征。
SEM可以观察纳米线的形貌、尺寸和排列情况；XRD可以分析纳米线的晶体结构和相纯度。
三、气敏性研究1. 气体响应实验将制备好的ZnO纳米线阵列置于不同浓度的气体环境中，通过测量其电阻变化来评估其气敏性能。
实验结果表明，ZnO纳米线阵列对多种气体分子具有显著的响应，且响应速度较快。
2. 响应机理分析ZnO纳米线阵列的气敏性主要源于其表面吸附的气体分子与纳米线之间的相互作用。
当气体分子吸附在纳米线表面时，会改变纳米线的电子状态，从而引起电阻变化。
此外，纳米线的尺寸、形貌和密度等因素也会影响其气敏性能。
3. 影响因素探讨通过实验发现，制备过程中反应温度、反应时间和气体流量等参数对ZnO纳米线阵列的气敏性能具有重要影响。
此外，纳米线的表面修饰、掺杂等处理方法也可以进一步优化其气敏性能。
ZnO纳米线阵列的制备及其光电性能研究
ZnO纳米线阵列的制备及其光电性能研究党威武;张永军;徐秀娟;李燕【期刊名称】《山东农业大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2017(048)002【摘要】本文采用较低温度、无催化剂条件下的化学气相沉积法(Chemical vapor deposition,CVD)在透明导电玻璃上制备ZnO纳米线阵列,分析讨论反应温度、保温时间对产物形貌的影响,并将其分别制成染料敏化太阳电池(Dye-sensitized solar cell,DSC)光阳极,探究DSC光电性能的变化情况.结果表明:沉积温度为500℃时,在透明导电玻璃上得到均匀、致密、长径比大的ZnO纳米线阵列.此外,大长径比的ZnO纳米线阵列作为光阳极组装的DSC具有较好的光电性能,主要原因是大长径比的ZnO纳米线有利于染料分子的负载,提高入射光的利用率,另外,ZnO纳米线作为一维纳米材料有利于电子空穴的分离、传输,综合表现出较高的光电转化效率.同时,进一步探讨敏化过程对DSC光电性能的影响.研究发现,随着敏化时间的延长,DSC光电转化效率反而降低,可见,合理的敏化时间对保证电极稳定性、获得较好电池光电性能至关重要.【总页数】5页(P268-272)【作者】党威武;张永军;徐秀娟;李燕【作者单位】陕西国防工业职业技术学院机械工程学院,陕西西安710300;陕西国防工业职业技术学院机械工程学院,陕西西安710300;陕西国防工业职业技术学院机械工程学院,陕西西安710300;西安交通大学材料科学与工程学院,陕西西安710049【正文语种】中文【中图分类】TQ132.4【相关文献】1.TiO2纳米棒-ZnO纳米片分级结构的制备及光电性能 [J], 孙宝;张赛;苏子亭;郝彦忠;杜静文;裴娟;李英品2.纳米TiO2与纳米ZnO复合粉体的制备、表征及光电性能研究 [J], 郝彦忠;卢俊爱3.用水热合成法制备取向ZnO纳米线阵列及特性研究 [J], 苏雪松4.PVD法在ZnO(001)薄膜上制备ZnO纳米线阵列 [J], 王立晟;章晓中5.ZnO纳米棒阵列/纳米颗粒团聚复合膜的制备及其光电性能 [J], 贾伟;刘海瑞;党随虎;张竹霞;刘旭光;许并社因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
ZnO纳米结构阵列的制备及光电特性的开题报告
ZnO纳米结构阵列的制备及光电特性的开题报告一、研究背景及意义：随着纳米技术的发展和应用，纳米结构材料因其独特的物理、化学和光学性质成为研究的热点之一。
其中，金属氧化物纳米结构是研究的热点之一，因其良好的光电响应性能，被广泛应用于太阳能电池、光电器件、催化剂等领域。
而ZnO纳米结构作为一种高效的光电材料，由于其电子传输特性好、直接能带隙宽度大、原子数少、表面积大等特点，越来越受到人们的关注和研究。
本课题的研究意义在于探究ZnO纳米结构阵列的制备方法、表面形貌和光学性质，为深入研究ZnO纳米结构的物理、化学特性提供理论基础和实验支持，同时为新型光电器件的开发和应用提供可能性。
二、研究内容和方法：本课题主要研究ZnO纳米结构阵列的制备方法、表面形貌和光学性质。
具体研究内容包括：1. ZnO纳米棒阵列的制备方法：采用氧化锌为前体，在特定的条件下，通过化学气相沉积（CVD）或溶胶-凝胶（sol-gel）法制备ZnO纳米棒阵列。
2. ZnO纳米棒阵列的表面形貌：使用扫描电子显微镜（SEM）或原子力显微镜（AFM）等仪器分析ZnO纳米棒阵列的表面形貌特征。
3. ZnO纳米棒阵列的光学性质：通过紫外-可见吸收光谱（UV-Vis），荧光光谱等方法对ZnO纳米棒阵列的光学性质进行研究，探讨其光吸收、荧光发射等性质。
研究方法主要包括：化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见吸收光谱、荧光光谱等。
三、预期研究结果和意义：通过本课题的研究，将得到ZnO纳米棒阵列的制备方法和表面形貌特征；同时探讨其光学性质，如光吸收、荧光发射等特性。
研究结果对于深入了解ZnO纳米结构的光物理性质和光电性能具有重要意义，对于开发新型光电器件具有参考价值和应用前景。
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》篇一一、引言随着纳米科技的飞速发展，ZnO纳米材料因其独特的物理和化学性质，在传感器、光电器件、生物医药等多个领域具有广泛应用。
其中，ZnO纳米线阵列作为一种典型的纳米结构，其可控制备与性能研究成为了当前研究的热点。
本文将重点探讨ZnO纳米线阵列的可控制备方法及其在气敏性方面的应用研究。
二、ZnO纳米线阵列的可控制备1. 制备方法ZnO纳米线阵列的制备方法主要包括化学气相沉积法、水热法、溶胶-凝胶法等。
其中，化学气相沉积法因其制备过程简单、成本低廉、易于大规模生产等优点，成为了一种常用的制备方法。
在化学气相沉积法中，首先需要制备ZnO的前驱体溶液，然后将基底置于反应室中，通过加热、催化等手段使前驱体溶液在基底上生长成为ZnO纳米线阵列。
此外，通过调节反应参数如温度、压力、气氛等，可以实现ZnO纳米线阵列的形貌和尺寸的可控制备。
2. 可控制备技术为了实现ZnO纳米线阵列的可控制备，需要掌握一系列的制备技术。
首先，要选择合适的基底材料和前驱体溶液，以确保ZnO纳米线的生长质量和均匀性。
其次，要控制反应参数，如温度、压力、气氛等，以实现ZnO纳米线阵列的形貌和尺寸的可控。
此外，还需要对制备过程进行优化，如通过添加催化剂、调节反应时间等手段，进一步提高ZnO纳米线阵列的制备质量和效率。
三、气敏性研究1. 气敏性原理ZnO纳米线阵列具有优异的气敏性能，其原理主要与其表面吸附氧和目标气体分子的相互作用有关。
当目标气体分子与吸附在ZnO表面的氧发生反应时，会导致ZnO的电阻发生变化，从而实现对目标气体的检测。
此外，ZnO纳米线阵列的高比表面积和良好的电子传输性能也有助于提高其气敏性能。
2. 气敏性应用ZnO纳米线阵列在气敏性方面具有广泛的应用前景。
例如，可以用于检测空气中的有害气体如甲醛、苯等；也可以用于检测可燃气体如甲烷、氢气等；此外，还可以用于生物传感器的制备，如检测生物分子的浓度和活性等。
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》范文
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》篇一一、引言随着纳米科技的飞速发展，纳米材料因其独特的物理和化学性质在众多领域展现出巨大的应用潜力。
其中，氧化锌（ZnO）纳米线因其高比表面积、良好的电子传输性能和优异的光电性能，在传感器、光电器件等领域具有广泛的应用。
ZnO纳米线阵列的可控制备及其气敏性研究，对于推动相关领域的技术发展和应用具有重要意义。
本文将介绍ZnO纳米线阵列的可控制备方法，并深入探讨其气敏性能及应用。
二、ZnO纳米线阵列的可控制备2.1 制备方法ZnO纳米线阵列的制备方法主要包括化学气相沉积、水热法、溶胶-凝胶法等。
本文采用化学气相沉积法，通过控制反应条件，实现ZnO纳米线阵列的可控制备。
具体步骤如下：（1）准备基底：选用导电玻璃或硅片等作为基底，进行清洗和处理。
（2）制备ZnO前驱体：将锌盐和合适的溶剂混合，制备ZnO前驱体溶液。
（3）沉积ZnO纳米线：将基底置于反应室中，通过控制反应温度、压力、气氛等参数，将ZnO前驱体溶液沉积在基底上，形成ZnO纳米线阵列。
（4）后处理：对制备的ZnO纳米线阵列进行热处理或光处理等后处理过程，以提高其结晶度和性能。
2.2 制备参数的控制在ZnO纳米线阵列的制备过程中，反应温度、压力、气氛、沉积时间等参数对纳米线的形貌、尺寸和结晶度具有重要影响。
通过控制这些参数，可以实现ZnO纳米线阵列的可控制备。
具体来说，可以通过调整反应温度和压力，控制ZnO纳米线的生长速率和直径；通过调整气氛和沉积时间，控制ZnO纳米线的长度和密度。
此外，还可以通过添加催化剂、调节溶液浓度等方法，进一步优化ZnO纳米线阵列的制备过程。
三、ZnO纳米线阵列的气敏性研究3.1 气敏性能测试ZnO纳米线阵列具有优异的气敏性能，可以用于检测多种气体。
气敏性能测试主要包括制备气体传感器件、测试气体响应等步骤。
具体来说，将ZnO纳米线阵列制备成气体传感器件，然后将其置于不同浓度的目标气体中，测试其电阻变化情况。
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长石 、 酸钠 衍射 峰削弱 ， 碳 而碳酸 钙衍 射 峰增 强 ； 出现 了碳 酸 氢钠 的衍 射峰 ； 硅酸 钙衍射 峰强 度没 有发生 明显 变化 。
（ ） 碳化 后混 凝土 的组成 随外 加 试验 条 件不 同而 发生 ２再
ｍｅｈ ｄ ｒｒｉｆｒｅ ｏ ｃｅｅｓｒｃｕｅ（ 化混凝 土再碱 ｔｏ ｓｆ ｅ ｏｃｄｃｎｒｔ ｔ ｔｒｓ碳 ｏ ｎ ｕ 化修复技术 的试 验研究 ） Ｄ ．Ｓ ａ ｇ ａ （ ［ ］ ｈ ｎ ｈ ｉ 上海 ） Ｔ ｎｊ Ｕ～ ： ｏ ｇｉ ｎｖ ｒｉ 同济大学 ）２ ０ ｉｅｓ ｙ（ ｔ ，０ ８
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（ 责任 编辑
≯ ； ＼ 、 、 ｓ ０ ； ｔ 、 Βιβλιοθήκη 汪雁 南） ： ｔ；
Ｚ Ｏ 纳米 阵列 的 制备 和 稀土 掺 杂 工艺及 其发 光 性能 的研 究 ｎ
赵 世 华
（ 商丘师范学院物理与电气信息学院 ， 商丘 ４ ６ ０ ） ７ ０ ０
发射增 强。
（） ３ 合成 了 Ｚ Ｏ： 纳米管阵列。通过 对发射 光谱 图的分析 ， 以判 断 ３ ４ ｍ 处新的紫外发射 带是 由氧化铝 ｎ Ｔｂ 可 ４ｎ
模 板 本 身发 光 而 产 生 的 。
（） ４ 合成 了 Ｚ Ｏ ： ｕ 纳米线 阵列 。高分辨透射 电镜 图和傅 里叶 变换 可 以断定该 Ｚ Ｏ ： ｕ 纳 米线是单 晶结 ｎ Ｅ ｎ Ｅａ
ｂｌｙ（ ｉｔ 碳化混凝 土再 碱化影响因素及其耐 久性研究 ）Ｊ ．Ｊ ｉ ［］
Ｂ ｉ ｉｇＭａｅ 建筑材料学报） ２０ ，１２ ： １ ｕ ｄｎ ｔｒ（ ｌ ，０ ８ １ （） ２ Ｚ ｕＰ ｎ 朱 鹏 ） ｅｅｒｈｏ ｌ ｔ ｃｅ ｃｌ ｅａ ｉｔｔ ｎ ｈ ｅ ｇ（ ．Ｒ ｓａｃ ｎｅ ｃｒ ｈ ｍｉ ｈ ｂｌａｉ ｅ ｏ ａｒ ｉ ｏ ｍｅｈ ｄ ｒ ｅ ｆｒｅ ｏ ｃｅｅｓ ｕｔｒｓ 钢筋 混凝土结构 ｔｏ ｓ ｏ ｉ ｏ ｃｄｃｎｒｔ ｔ ｃｕ ｅ（ ｆ ｒｎ ｒ 电化学修复技术 研究 ） Ｄ ．Ｓ ａｇ ａ 上 海） Ｔ ｎｊ Ｕｎ ［ ］ ｈｎ ｈｉ（ ： ｏ ｇｉ ｉ ｖ ｒｉ （ ｅｓ ｙ 同济大学 ）２ ０ ｔ ，０ ８
摘 要 以制 备 氧 化 铝 模 板 为 前 提 ， 用 电场 辅 助 沉 积 法 制 备 了纳 米 针 尖 阵 列 、 米 管 阵 列 和 纳 米 线 阵 列 。利 采 纳
用 ｘ射 线衍射仪 、 扫描 电镜 、 透射 电镜 、 能谱仪 、 热重分析 等检 测手段 对制备 的样 品进行 了相 应的分析 和表 征。采 用 近场光学扫描显微镜和 荧光分光光度计研 究了样 品的发 光性能 ， 并分析 了发光机理 。本 实验 的研 究步骤 、 内容及得
版 社 ，９４ １ ８
ｏ ｅ ｆｒｅ ｏ ｃｅｅ ｔｐｓ ｅ ｃｒｏｉｎ Ｊ．Ｊ ｅｆｒ ｎ ｅ ｆ ｉ ｏｃｄｃ ｎｒｔ ｓｏ ｔ ｌ ｏｒｓ ［］ ｒ ｍａ ｃ ｒｎ ｅ ｏ Ｐ ｏ
Ｃ ｎ ｔｕ ｔ ｄ Ｆ ｃｌ ｉｓ 】 ９ ， ２ ２ ． ７ ｏ ｓｒ ｃｅ ａ ｉｔ ． ９ ８ １ （ ） ７ ｉｅ
构， 并且沿着 ［ Ｏ １ Ｏ Ｏ ］方向择优生长。通过对荧光光谱图的分析 ， 认为 Ｚ Ｏ基 质与掺 杂 Ｅ 计之 间存在 能量 传递。而 ｎ ｕ
３ ６ ｍ 处新的紫外发射峰 是 由氧化铝模板本 身发光产 生的 。 ０ｎ
关 键 词 阳极氧化铝膜 电场辅助沉积 纳米阵列 光致发光 电子跃迁
有更 换过 ， 明再碱 化 电流密度 对混 凝 土 的物质 组 成有 一 定 说 的作 用 。
２ ＱｕＷｅｊｎ 屈文俊 ） ｅ ａ ｎｌｅ ｃ ｇｆｃｏ ｆ ｅｌａ ｚ— ｎｕ （ ，ｔ １ ｆ ｎ ｉ ｔｒ ａｋ ｌａ ．Ｉ ｕ ｎ ａ ｏｒ ｉ
ｔ ｎ ｔｃ ｎ ｑ ｅ ｆ ｒｃ ｒ ｏ ａ ｅ ｏ ｃ ｅ ｅａ ｄ ｓ ｕ ｙ ｏ ｔ ｕ ａ ｉ ｅ ｈ ｉ ｕ ｏ ａ ｂ ｎ ｔｄ ｃ ｎ ｒ ｔ ｎ ｔ ｄ ｆｉ ｄ ｒ ｏ ｓ
不 同方 向 生 长 ， 明显 的 Ｘ 交叉 型 生 长 模 式 。 呈
（） ２ 制备 出Ｚ Ｏ纳米针尖阵列 。通过 ｘ射 线衍射 分析 和高分辨 图， 以判断该 Ｚ （ 为 多晶结构， ｎ 可 ｎ） 且在Ｅ Ｏ］ ｌ１ ３向
上 有择优 生长的趋 势。随着退 火温度 的升高和退火时间的延长 ，１ ｎ 处 的绿光发 射带减弱 ， ３ ９ ｍ 附近 的带边 ５０ｍ 而 ７ｎ
４
３ 结论
（ ） 碳 化后 ， １再 再碱 化混 凝土组 成发生 变化 ， Ｃ 与重 即 新生 成 的氢氧化 钙 、 长石 、 电渗进 入 的碳 酸钠 发 生 了反 应 ， 使
Ｇｕ （ 莉 ） Ｒｅｅｒｈ ｏ ｌｃ ｏｈｍｉ ｌ ｅａ ｉｔｔ ｎ ｏＩ 郭 ｉ ． ｓａｃ ｎｅｅｔ ｃ ｅ ｃ ｈｂｌａｉ ｒ ａｒ ｉ ｏ
变化 ； 到材 料 的复杂性 ， 实验 只 作定 性 分析 ， 考虑 本 没有 经 过 Ｘ Ｄ的半定 量 或定 量 分 析 ， Ｒ 故无 法 进 一 步 量 化 试 验 条 件 对
再碱 化｝ 凝 土组 成变化 的作 用 。 昆
构再碱化 修 复 技 术 的试 验研 究 ） Ｄ］ ｈ ｎ ｈ ｉ 上 海 ） ［ ．Ｓ ａｇ ａ （ ：
参 考 文献
１ Ｖｅｉ ａ ａ ｉ Ｅ Ｅ， ｔａ． Ｃｈ ｏ ｉｅ ｅ ｔａ ｔ ｎ ａ ｄ ｒ ａ ｋ ｌ ａ ｉ ｎ ｌ ｓ ｋ ｓ ｅ １ ｖ ｌ ｒｄ ｘ ｒ ｃ ｉ ｎ ｅ ｌ ａｉ ｔ ｏ ｓ ｏ ７
（ 碳化混凝土 结 构 电 化 学再 碱 化 的研 究 进 展 ） Ｊ ．Ｍａｅ ［］ ｔｒ Ｒ ｖ Ｒ ｖ（ ｅ ： ｅ 材料导报 ： 综述篇） ２ ０ ，２ ２ ：８ ，０ ８ ２ （） ７ 吴 宝琨 ， 卢璋 ， 建筑材料化学［ ． 京 ： 等． Ｍ］北 中国建筑工业 出
Ｔ ｎ ｉ ｒｉ 同济大学 ） ２０ ｏ Ｎｉ ｖ ｓ ｙ（ Ｕｎ ｅ ｔ ，０ ８
ＪａｇＺ ｅｇ ｕ （ 正武 ） ｉｎ ｈ ｎ ｗ 蒋 ．Ａ ｔｔ ｏ－ｈ－ｒ ｒｖｅ ｏ ｌ ｓａｅ ｆｔｅａｔ ｅｉ ｎｅ ｃ － ｗ ｅ
ｔｏ ｈ ｍｉａ ｅ ｌａｉａｉｎ ｏ ａ ｂ ｎ ｔｄ ｃ ｎ ｒ ｔ ｔｕ ｔ ｒｓ ｒ ｃ ｅ ｃｌｒ ａｋ ｌ ｔ ｆｃ ｒ ａｅ ｏ ｃｅｅ ｓｒ ｃｕ ｅ ｓ ｏ ｏ
＊商丘师范学院 ２ １ 年度 青年科研基金项 目资助 （０ １ Ｎ１ ） 国家 自然科 学基金项 目（ １ ７ １０ ； 南省教育厅 自然科学研 究 ０１ ２ １Ｑ ４ ； １０ ４ ６ ） 河 计划项 目（０ １ ４ ００ ； ２ １Ａ１０ ２ ） 商丘师范学院大学生创新 性实验 计划项 目（０ ０Ｄ －０ ２ １一 ＸＳ２ ） 赵世华 ： ，９ ９ 生， 男 １７ 年 博士 ， 副教授 ， 从事纳米 阵列材料 的制备及 其发 光性能 的研 究 Ｅ ｍａ ：ｈ ｏｈ９ ８ ＠ｓｎ．Ｏ ｌ 王玲玲 ： － ｉ ｚａｓ ｉ６２ ｉａ ＣＩ ｌ Ｔ 导 师， 士学位授 予单位 ： 南大 学物理 与微 电子科 学学院 博 湖
・
１４ ・ ２
材料 导报 Ｂ： 究篇 研
２１ ０ １年 ７月 （ 第 ２ 第 ７ 下） ５卷 期
试件 Ｃ和 Ｄ 再 碳化 前 后 的 Ｘ Ｄ 图谱 如 图 ４和 图 ５ Ｒ 所 示 。长石 、 酸钙 、 酸钙衍 射 峰变 化 趋势 和试 件 Ａ、 碳 硅 Ｂ大致 相 同 。但试 件 Ｃ和 Ｄ再 碳化 后 ， 存在 Ｎ ＨＣ 。 ａ Ｏ 衍射 峰 ， 同时 还存 在 ＮａＣ 衍射 峰 。在再 碱 化过 程 中， 酸 钠 电解 液 没 碳
ｎ ． ｘ ｅｉ ｔｌ ｔ ｙｏ ｅｌａ ｚｔ ｍｅ ｕ ｉ ｏ 。 Ｘｉ ｇ Ｙ ｎ （ 焱 ） Ｅ ｐｒ ｎａ ｓ ｄ ｎ ｒａｋ ｌａｉｎ ｏ ａ 熊 ｔｃｎｑ ｅｆｒｃｒｏ ａｅ ｏ ｃｅｅｓｒｃｕｅ（ 化 混 凝 土 结 ｅｈ ｉ ｏ ａｂ ｎ ｔ ｃｎ ｒｔ ｔｕｔｒ 碳 ｕ ｄ
到的结论如下 ：
（） １ 通过二 次阳极氧化 法制备 了高度有序 的氧化铝模板 。在草酸 溶液 中合 成 了半壁 氧化铝 纳米 管阵列 ， 其阵列
在 ３ ２ ｍ 处 的发 射 峰 是 由 １ ＋ｌ 的 电子 跃 迁 引起 的 ， 于 Ｆ ０ｎ Ａ 属 型 发 光 。 最后 制 备 了氧 化 铝微 米 树 ， 树 干 的形 成 沿 其