复旦微电子-模拟集成电路设计-差分放大器-PPT精品文档
复旦微电子-模拟电路-第1章+电路分析基础-文档资料89页
s
s
2019/10/24
模拟电子学基础
20
复旦大学电子工程系 陈光梦
拉普拉斯变换的算符作用
若规定 f(t) 的初值（或积分初值）为0，则根 据微分定理和积分定理，有
df (t) sF(s) dt
f
(t)dt
F(s) s
所以，可以将拉普拉斯变换的自变量 s 看成一 个微分算符
例如： vL(t)Ld d ti(t) vL(s)L si(s)
模拟电子学基础
18
复旦大学电子工程系 陈光梦
拉普拉斯变换简介
定义
Fs f testdt 0
s 是一个复变量， s = s + jw
f(t) 应满足下列条件： 1）当t < 0时，f(t) = 0； 2）当t > 0时，f(t) 分段连续； 3）当t →∞时，e-st 较 f(t) 衰减得更快。
2019/10/24
模拟电子学基础
36
复旦大学电子工程系 陈光梦
节点电压法的注意点
一个具有N个节点的网络，一定可以写出N-1个 节点电压方程。
要求流入节点的源为电流源。 若电路中的激励源不是电流源，则可以通过诺顿
定理先行转换。 若在电路中出现相关源，可以先作为独立源处理，
网络的等效关系
1
+ 源网络
N
负载 网络
N'
等价
1
rs
负载
vs
网络 N'
1'
1'
vs＝网络 N 的端口1-1' 间的开路电压
rs＝网络 N 内所有独立源被去除后，端口1-1' 间 的总阻抗
复旦大学微电子专业专用集成电路内部电子版教程 (1)
复旦大学专用集成电路与系统实验室
第二章ASIC设计流程和方法
ENTITY mux IS
in1 in2 sel
out1 (in1,in2,sel:IN BIT; PORT
out1:OUT BIT); END mux; -- 设计实体说明
GENERIC (m:TIME:=2ns);
复旦大学专用集成电路与系统实验室
28100000
§ ÄÄÄÄ
êú 70Ä Ä Ä
ê 2000Ä
êú 80Ä Ä
êú 90Ä Ä
1
12
40
0
4000 40000 500000
复旦大学专用集成电路与系统实验室
第一章 专用集成电路概述
1.4集成电路设计和制造过程 – 设计过程
• • • • 制定规范(SPEC) 系统设计(System Design) 电路设计(Circuit Design) 版图设计(Layout Design)
º º Ò Î Ó ¨÷ » ·Å
CO
复旦大学专用集成电路与系统实验室
第二章ASIC设计流程和方法
– Verilog-HDL 描述进位算法描述
module carry(co,a,b,c); output co;
input a,b,c;
wire #10 co=(a&b)|(a&c)|(b&c) end module
AECHITECTURE twown2 OF mux IS BEGIN
in1 out1 in2
NOT:Sb=U0(sel);
AND2:S1=U1(sel,in1);
AND2:S2=U2(Sb,in2); OR:out1=U3(s1,s2);
复旦微电子-模拟电路-第5章 反馈精选文档PPT课件
A
F
两者之间的关系:
Af
A
A f A f (1 A F ) 2
A 1 A 1 AF
2020/11/11
模拟电子学基础
15
复旦大学电子工程系 陈光梦
负反馈放大器的输入阻抗
ii + vi ri A
ii + vi ri A
vf
F
rif
rif ri(1AF)
串联负反馈
2020/11/11
if
F
rif
rif
ri
1 AF
并联负反馈
模拟电子学基础
16
复旦大学电子工程系 陈光梦
负反馈放大器的输出电阻
s
+
_+
i
f
io
A vo
ro
i'o= 0
vof + F vf
s
+
+
i
_
f
io
A
ro
F if
iof vo
rof
rof
rof
ro 1 AF
rof ro(1AF)
电压负反馈
电流负反馈
2020/11/11
反馈网络分离后的电压串联负反馈
vs +_+ vi rid
vf R1
ro vo
F
Rf
vof
Rf vf
R1
原来的电压 放大器
2020/11/11
考虑反馈网络影响后的 基本放大器
模拟电子学基础
23
复旦大学电子工程系 陈光梦
电压串联负反馈的例子
放大器的基本参数为：差分放大器的差模输入电阻 rid=10K,射极跟随器的输出电阻ro3=100，三级放大器 的电压增益Av0=8000。反馈网络的参数为R1=1k, Rf=20K。
复旦微电子-模拟电路-第1章+电路分析基础-89页精选文档
模拟电子学 基础
复旦大学电子工程系 陈光梦
绪论
模拟电子学的研究对象 模拟电子学的研究方法 模拟电子学的应用背景
2019/10/19
模拟电子学基础
2
复旦大学电子工程系 陈光梦
电子学的研究对象的层次
1、系统 2、模块 3、电路 4、器件
E
N
放大
/滤波
E
P
vi
VDD=+12V
模拟电子学基础
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复旦大学电子工程系 陈光梦
拉普拉斯变换简介
定义
Fs f testdt 0
s 是一个复变量， s = s + jw
f(t) 应满足下列条件： 1）当t < 0时，f(t) = 0； 2）当t > 0时，f(t) 分段连续； 3）当t →∞时，e-st 较 f(t) 衰减得更快。
1
rs
vs
RL
R1
R3
v
R2
2019/10/19
1'
1'
1 vrs
vs
v
R2 R1 R2
rs (R1//R2)R3
1'
模拟电子学基础
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复旦大学电子工程系 陈光梦
等效电流源定律（诺顿定律）
网络的等效关系
1
1
+ 源网络
N
负载 网络
N'
等价
负载
is rs
网络 N'
1'
1'
is＝网络 N 的端口1-1' 间的短路电流
模拟电子学基础
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复旦大学电子工程系 陈光梦
复旦大学模拟集成电路课件
P-N结耗尽区
耗尽区宽度：
2ε ε Φ NA xn = 0 si B q N D (N A + N D )
1 2
2ε ε Φ ND x p = 0 si B q N A (N A + N D )
1
1
2
例： N A = 1019 cm −3
Φ F (p ) =
F(E) =
1 1 + e(E - E F )/kT
– 本征载流子浓度：
n i = 3.9 × 1016 T 3/2e -Eg0/2kT
室温下（300K）
n i = 1.45 × 1010 cm-3
T↑,
n i↑。 T每升高11度，Ni 为原来的2倍。
掺杂半导体的费米势
EC EF=e φF Ei Eg Ev
器件
CMOS工艺、器件物理、器件Spice参 数、*版图设计、*电路模拟
模拟集成电路的“蛋壳”模型
2002年世界模拟IC市场
模拟信号带宽的关系
集成电路工艺的趋势
对模拟电路而言，不同的应用对于不同的信号带宽
MOS和BIPOLAR器件性能
工艺进化对模拟电路的影响
• 优势
– 面积更小、寄生电容更小 – 阻抗更大、速度更快
– PLL 可得到精确的频率。 – PLL 的频率和振荡器(VCO)的特征时间常数成反比。~C/Gm – 低通滤波器中的电路和VCO 的电路是匹配的。
单极点低通Gm-C滤波器
Gm由偏置电流或电压确定，易受工艺、温度和电源 电压变化的影响
磁盘驱动器中的模块电路（2)
• 模数转换器(ADC)
– 6位ADC， – 由VCO提供采样时钟。采样频率由数字时钟恢复电路控 制。 – 偏移控制：采集63个比较器的失调电压，反馈到输入 端，抵消由此引起的失真。
复旦大学模集课件Chapter05
gm IDS W L
= 2 πCLGBW 1.2 mS
0.2 V VGS − VT =
VGS − VT gm = gm = = 0.12 mA 2 10 IDS = 100 K ' (V − V )2
GS T
L = L = 1 μm 考虑增益！ p n
Wp = 100 μm Wn = 50 μm 、
CMOS密勒OTA：极点和零点
Cc
1 pF 0.1 pF 10 fF 1K 1000 100 10 1 0.1 1K
复旦大学 射频集成电路设计研究小组
极点分离
fd fnd fz
Cct 1M Cc=0 Cc=1 pF BW GBW 1M
f
(Hz)
Cn1 从 Cc ≈ ≈ 20 fF 开始 AV2
Cc = 1 pF足够
rDS AV = gm1 2 如果： rDS2 = rDS4 = rDS
BW = 1 rDS 2π (CL + Cn1 ) 2
M3
gm1 GBW = 2π(CL + Cn1 )
VSS
复旦大学 射频集成电路设计研究小组
-054-
唐长文
版权©2014，版权保留，侵犯必究
CMOS OTA：最大GBW
VDD M5 IB vINvOUT+ M1 CL M3 M2 CL M4 vIN+
gm6 gm1 = AV1 = AV2 g o24 gLo6 M5 g o24 BW = Cc 4 vOUT 2πAV2Cc
M6 Cn1 RL
gm1 GBW = 2πCc
CL
M3 VSS
gm6 fnd ≈ 2πCLn4
-0512-
1 Cn1 1+ Cc
复旦电子工程系模电课件
模拟电子学基础
23
复旦大学电子工程系 陈光梦
对数和指数放大器
二极管的电流-电压关系近似为
iD
Is
exp( vD VT
)
电压-电流关系近似为
vD
VT
ln
iD Is
利用二极管的上述伏安特性，结合函数电路原理， 可以用二极管构成对数放大器和指数放大器
2020/12/13
模拟电子学基础
24
复旦大学电子工程系 陈光梦
模拟电子学基础
第6章 信号处理电路
复旦大学电子工程系 陈光梦
复旦大学电子工程系 陈光梦
运算电路
两个基本放大电路 加减运算
微分与积分运算 对数和指数运算
乘法器
2020/12/13
模拟电子学基础
2
复旦大学电子工程系 陈光梦
两个基本放大电路
同相放大器
反相放大器
R2
vi
Rf
vo
R1
vi
vo
R1
Rf
R2
vo
VCC
RL
RL
vo
T1
T2
T3 RE
2020/12/13
模拟电子学基础
31
复旦大学电子工程系 陈光梦
Gilbert乘法器
实际电路中考 虑了利用对称 晶体管的温度 补偿等性质， + 使得电路特性 vi1 更为理想
+ vi2
vo
IQ RL 4VT 2
vi1
vi2
T1 T2 T5 IQ
2020/12/13
2020/12/13
模拟电子学基础
12
复旦大学电子工程系 陈光梦
减法器
Rf
复旦微电子模拟集成电路设计单级放大器PPT教案学习
Vo
1/ gm2 rds2
Vo
gm1Vin
1 gm2
// rds1
// rds2
AV
g
m1
1 gm
2
// rds1 // rds2
第18页/共34页
共源放大器
在M2边上并联一个恒流源，M2 的
Is
电
M2
流将下降，跨导下降，增益提高。
3
Vout
取： Is 4 I1
Vin M1
AV
共源放大器
源极负反馈使输出阻抗增加：等效图中忽略了Rd。
I
Vin 0
gm Vin Vs ro
gmbVs
Vout
考虑输出阻抗： 输入接地，输出加
激励。
Vs
Vs I Rs
Rs
Iro I gm gmb Vs
Vout IRs I gm gmb IRs ro
rout Rs 1 gm gmb Rs ro ro 1 gm gmb ro Rs
AV
W L1
1
W 1
L2
Av决定于M1和M2的W/L之比，是恒定的。电路的线性度高。
第15页/共34页
共源放大器
NMOS二极管负载的大信号分析：
Vdd-Vth2
Vout
a)
当Vin VTH 1,Vout VDD VTH 2
b)
当Vin VTH 1, M1、M2 饱和
A
Vth1 Vin
第20页/共34页
共源放大器
b)
对M2， I
Veff
2
W L
Veff
2
若I是恒定值，当W2 增加时，Veff2下降，Vds2可以
模拟集成电路课程设计差分放大器设计报告
模拟集成电路课程设计--差分放大器设计报告设计报告姓名：徐彭飞学号：201221030137 姓名：杨萍学号：201250300004差分放大器设计报告设计内容：设计一个差分放大器的模拟集成电路模块，给出电路原理图，对电路进行直流、交流、瞬态分析并给出仿真结果，给出简单的集成电路版图。
差分放大器的性能指标：1、负载电容CL=2pF2、VDD=5V3、放大管的Vdsat=200±30mV4、对管的m取4的倍数5、低频开环增益>1006、GBW>25MHz7、PM>608、共模输入范围模输入范围>3V一、电路原理图：器件尺寸：M0、M1的尺寸：M=4, W/L=2/2 M2的尺寸：M=2W, /L=W/L2/22/2 M5的尺寸：M1=1W, /L2=/22/2 M3、M4的尺寸：M=4, W/L=2/2 vp：正输入端 vn：负输入端二、电路原理图符号：三、仿真时的Power电路：四、差分放大器的DC/AC仿真（一）放大器的DC/AC仿真电路原理图：正输入端vp：加激励信号，DC＝2.5，AC magnitude＝1V 负输入端vn：大电阻（1G）、大电容（1F）反馈I3：提供电流源C2：放大器的负载大器的负载R0：1GC0：1FI0：调用Power（二）MOSFET的直流工作点：（三）交流分析得到的带宽、增益、相位裕度：五、单位增益接法的放大器电路的瞬态仿真（一）单位增益接法的放大器电路原理图：输入为阶跃脉冲信号（二）瞬态仿真输出波形（三）直流扫描（输出电压随直流量的变化）六、简单的电路版图。
3.2模拟集成电路设计-差分放大器版图
集成电路设计实习Integrated Circuits Design LabsI t t d Ci it D i L b单元实验三（第二次课）模拟电路单元实验－差分放大器版图设计2007-2008 Institute of Microelectronics Peking University实验内容、实验目的、时间安排z实验内容：z完成差分放大器的版图z完成验证：DRC、LVS、后仿真z目的：z掌握模拟集成电路单元模块的版图设计方法z时间安排：z一次课完成差分放大器的版图与验证Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page1实验步骤1.完成上节课设计放大器对应的版图对版图进行、检查2.DRC LVS3.创建后仿真电路44.后仿真（进度慢的同学可只选做部分分析）z DC分析：直流功耗等z AC分析：增益、GBW、PMz Tran分析：建立时间、瞬态功耗等Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page2Display Optionz Layout->Options->Displayz请按左图操作Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page3由Schematic创建Layoutz Schematic->Tools->DesignSynthesis->Layout XL->弹出窗口->Create New->OK>选择Create New>OKz Virtuoso XL->Design->Gen FromSource->弹出窗口z选择所有Pinz设置Pin的Layerz UpdateInstitute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page4对管的共质心画法：相对位置放置z设A管、B管为对管，共8个Multiplier将管的前个p合在一起，置于左上角z A4Multiplierz将A管的后4个Multiplier合在一起，置于右下角z将B管的前4个Multiplier合在一起，置于右上角z将B管的后4个Multiplier合在一起，置于左下角ABABInstitute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page5对管的共质心画法：层间互连单元的调用z调用单元z CSMC05MS中的POLY_M1z View为symbolicz设置z Column：Contact列数C l C t tz Row：Contact行数z其余可供调用的层间互连单元z DIFF_M1DIFF M1z M1_M2z M2_M3z Ntapz PtapInstitute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page6对管的共质心画法：连线z A管中前4个Multiplier的连线pz挪动B管前4个Multiplier的位置，复制上图中的相关连线（注意：使用上下镜像功能）z按c，鼠标左键拉框，选定一组连线z按F3，选择上下镜像z将复制后的连线放到合适的位置Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page7对管的共质心画法：连线、隔离z使用ptap将N型MOSFET围起来z固定衬底电压、隔离数字干扰ABABInstitute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page8Ntap、ptap的尺寸z尺寸：z Tap lengthz Tap widthz根据需要设置Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page9显示未完成的连线：查找未完成的连线时使用z Connectivity->Show IncompleteNetsz未完成的连线Listz红框表示该连线被Selectedz放大显示未完成的连线z未完成连线的相关信息Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page10查找DRC错误标识z Verify->Markers->Find，弹出窗口设置z Zoom To Markersz按Apply显示当前DRC错误标识，按Next显示下一个标识z回到版图窗口，按Shift+z缩小显示目标，查看标识的具体原因Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page11查找LVS的未匹配处z首先：LVS结束后，查看Output结果z若查看结果很难找出未匹配处，请按如下方法查找1.打开电路的extracted view2.在extracted view中:Verify>LVS>Error Display，弹出窗口2extracted view:Verify->LVS->Error Display3.设置Auto-Zoom，按First、Next可显示LVS失配（佐以shift+z）4.记录失配原因与坐标，回到Layout View查看该坐标处的版图信息4Layout ViewInstitute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page12后仿真（第一步）：Build Analog1.复制某单元的Layout View到新单元2.执行Extract3.LVS双方均填写extracted4.Run & Build Analog5.Include All & OKInstitute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page13后仿真（第二步）：Create Symbol1.打开任意一个Schematic View2.Design->Create Cellview->FromCellview，弹出右上窗口3.点击Browse，弹出右下窗口4.选后仿单元的Analog_extracted参考由Schematic生成SymbolInstitute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page14后仿真（第三步）：仿真设置1.调用analog_extracted生成的symbol，创建仿真电路启动（g g）2.ADE Analog Design Environment3.ADE->Setup-> Environment，弹出窗口4.在Switch View List中添加analog_extracted4Switch View List analog extractedInstitute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page15。
CMOS 模拟集成电路课件-差分放大器
21
• 6.5.3 采用MOS电流镜负载的差分对
• 大信号分析
– 当vD足够负，M1关断，没有电流流经晶体管M1，因此M3 关断，M4也关断。由于没有电流流经M4，M2和M5都工 作在深线性区，vDS2 ≈ 0，vDS5≈ 0，因此，vOUT ≈ 0；
– 当vIN1变化到与vIN2接近时，M1管导通，使得尾电流源的 电流ID5一部分流经M3，并且使M4开启，vOUT开始上升.
vIN1 （单位V）
vIN,CM=1.5V
vIN,CM=2V
2020/5/6
偏置电流和输出电平受VIN,CM影响！
6
• “差分对”
6.3 基本差分对
ID1+ID2独立于VIN,CM 如果vIN1=vIN2, ID1=ID2=ISS/2, 输出共模电平为VDD-RISS/2
2020/5/6
7
6.3 基本差分对
iD1
ISS 2
4
vD
4ISS
vD2
nCox (W / L)
iD2
ISS 2
4
vD
4ISS
vD2
可以得到最大差分电压范围,
| vD |≤
2ISS
| vD |≤
2
2iD1,2
2VOD1,2
当vIN1＝vIN2,
gm
(iD1 iD2 ) vD
vD 0
则差分增益
ISS
2nCox
W L
ISS 2
• 当vD为正时，流经M1管的电流大于流经M2管的电流，vOUT1
将小于vOUT2。对于足够正的vD，所有ISS都流经M1，此时，
2020/5/6
vOUT1 = VDD – RiD1 = VDD – RISS，而vOUT2 = VDD.
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如图：当Vin>Vth时，增益逐渐 增加。在M3饱和后增益稳定。 最后，当M1线性后，增益下降。 Vin.cm可大于Vdd，非对称。 PMOS？
基本差动对的定性分析
尾电流源Iss的作用： a) 若尾电流源是理想电流源，（ro=∞） b) 则Vout不会变化，Vx=Vy=常量 b) 若尾电流源不是理想电流源，（ro≠∞） c) 则Vout会变化，Vx=Vy≠常量 c) 若尾电流源ro≠∞，且不对称。则Vx≠Vy≠常量。输入共 模电平引起输出差模信号的变化。这是不希望的。 定义共模抑制比（CMRR）： A DM CMRR A CM DM
单端和差分工作的特点
差动工作相当于单端工作的优点：
对环境噪声具有更强的抗干扰能力 例如：相邻的时钟线对信号线的干扰 。
差分工作
单端工作
L1对L2和L3的干扰幅度大小相等，方向相同。差分信号没有改变。
单端和差分工作的特点
例如：对电源噪声同样具有更强的抗干扰能力 。
电源对Vx和Vy的干扰幅度大小相等，方向相同。差分信号没有改变。
V , M 1 on , V 当 V in 1 in 2 x , V V V M2on ,I D 2 y x y I V V ssR 当 V in 1 V in 2 V x y DD D 2
当 V in 1 V in 2
V , V V V x y x y
当V V V I R V x DD ss D in 1 in 2
V V 输入共模信号 V in 1 in 2 in . cm 如图：Vb很高时，M3导通，代 替恒流源。
a) b)
当vin很小时，M1、M2 off， M3处于线性区。 M1 和M2导通的条件：
和输入共模电平无关。 V V V in . cm GS 1 eff 3 1 直观地，M1和M2构成一个源跟随器 V V V I R x y DD ss D 2 V V MБайду номын сангаас3 饱和。 in .cm p
基本差动对的定性分析
差模分析： V V : in 1 in 2 a) b) c) d) e) 当V V V V ) V ,M 1 off , ( p in 2 TH 2 in 1 in 2 I , V V , V V I R M2on , I D 2 ss x DD y DD ss D
ADM是差模增益，ACM-DM是共模引起的输出差模增益
基本差动对的定性分析
输出电压摆幅 考虑M1、M2不能进入线性区， 则：差分输出电平不是确定的。 例如：当M2 off 时，Vx得到最 低电平。
V V I R x DD ss D
M1在饱和区的条件是
V V V V x in . cm TH 1 eff 3
基本差动对的定性分析
共模分析： c) 当vin继续上升时，
1 V V V V R V in . cm x TH 1 DD I ss D TH 1 M1、M2进入线性区。 2
共模输入电压范围：
1 V V V V min V , V I R V GS 1 GS 3 TH 3 in . cm DD DD ss D TH 1 2
差动信号增大了可得到的电压摆幅 。
输出摆幅：
VDD Veff
（单端）
V V V DD ef f
（差分） 2 V V DD eff
V V V DD eff
单端和差分工作的特点
差动放大器的偏置电路更简单。 一路尾电流源可以确定差动放大器的偏置。 差动信号具有更高的线性度 差动电路具有“奇对称”的输入输出特性，故由差 动信号驱动的差动电路没有偶次（二次）谐波。呈 现的失真比单端电路小的多。 差动电路的面积较大 差动电路采用对管代替单管以得到和单端相同的增 益。因此，电路的面积增加了。但要达到同样的性 能，如线性度、抑制非理想的影响，使用单端设计 得到的面积可能更大。
V V V in in 1 in 2
V V V V V p in 1 GS 1 in 2 GS 2
V V V V V in in 1 in 2 GS 1 GS 2
V max V V V ， V I R x in . cm T 1 H eff 3 DD ss D
结论是：Vin.cm↓，输出范围↑
基本差动对的定量分析
差模分析：
考虑对称性。 M1和M2均处于饱和区，λ=0
W W C C n ox n ox L L 1 2
差分放大器
• 差分信号的定义 • 基本差动对
– 定性和定量分析 – 差分和共模分析 – 失调电压
• MOS管负载的差动对 • CMOS差动对
差分信号的定义
• 单端信号：单端信号的参考电位是一个固定的电平。 （一般是地电位） • 差分信号：为两个节点的电位之差，且这两个节点的电位 相对于某一个固定电位大小相等，极性相反。 这一固定的中心电位称为: “共模”电平 （Common-Mode） 严格地说，这两个节点相对于固定电位的阻 抗必须相等。
基本差动对
电路结构： 差动对中用Iss 偏置M1和M2。 当：V in 1 V in 2 M1和M2的偏置电流均为 I ss 2 输出共模电平为 Iss V V R CM DD D 2 使用Iss的目的是使偏置电流和共模电平无关， 抑制 输入共模电平对M1和M2工作及输出电平 的影响。
V V ,( M 2 off ) y DD
基本差动对的定性分析
差模分析：
特点： ① 输出和输入的最大与最小电平是完全确定的， 和输入共模电平无关。 ② 小信号增益在Vin1=Vin2时最大，在两边变得 非线性。 ③ 定义：电路的平衡状态 V in 1 V in 2
基本差动对的定性分析
共模分析： 分析差动对的输入共模范围， 确定输入信号的动态范围。