模电作业第7章多级运放运算分析题目(作业序)
模电课后(康华光版)习题答案7
第七章部分习题解答7．1．1在图题7.1.1所示的各电路中，哪些元件组成了级间反馈通路？它们所引入的反馈是正反馈还是负反馈？是直流反馈还是交流反馈？（设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略）解：图题7.1.1a中，由电阻R2、R1组成反馈通路，引入负反馈，交、直流反馈均有；b图中，由R e1引入负反馈，交、直流反馈均有，由R f1、R f2引入直流负反馈；c图中，由R f、R e2引入负反馈，交、直流反馈均有；d图中，由R2、R1引入负反馈，交、直流反馈均有；e 图中，由A2、R3引入负反馈，交、直流反馈均有；f图中，由R6引入负反馈，交、直流反馈均有。
图题7.1.17．2.2 试指出图题7.1.5a、b所示电路能否实现规定的功能，若不能，应如何改正？解：图题7.1.5a电路不能实现规定的功能，因引入了正反馈。
应将运放的同相端和反相端位置互换。
图b电路也不能实现规定的功能。
应将R与R L位置互换。
图题7.1.57．2.4 由集成运放A 及BJT T 1、T 2组成的放大电路如图题7.1.7所示，试分别按下列要求将信号源v s 、电阻R f 正确接入该电路。
（1） 引入电压串联负反馈； （2） 引入电压并联负反馈； （3） 引入电流串联负反馈； （4） 引入电流并联负反馈。
图题7.1.7解： （1）a-c 、b-d 、h-i 、j-f（2）a-d 、b-c 、h-I 、j-f （3）a-d 、b-c 、g-i 、j-e （4）a-c 、b-d 、g-i 、j-e7．4．1 一放大电路的开环电压增益为A VO =104，当它接成负反馈放大电路时，其闭环电压增益为A VF =50，若A VO 变化10%，问A VF 变化多少？解： 因为200501014===+VF VO V VO A A F A所以，当A VO 变化10%时，A VF 变化%05.0%102001=⨯=VF VF A dA7．4．5 电路如图题7.3.10所示。
模电试题及答案
模电试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 滤波B. 整流C. 放大D. 调制答案：C2. 运算放大器的差分输入电压是指（）。
A. 两个输入端电压之和B. 两个输入端电压之差C. 两个输入端电压之积D. 两个输入端电压之商答案：B3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 共发射极放大电路中的电流放大倍数β是指（）。
A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 发射极电流与集电极电流之比5. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。
A. 直接耦合B. 变压器耦合C. 电容耦合D. 电感耦合答案：C6. 晶体管的静态工作点设置不正确可能导致（）。
A. 截止失真B. 饱和失真C. 截止和饱和失真D. 线性放大答案：C7. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 保持不变D. 先增加后减少答案：B8. 在模拟电路中，电源去耦是指（）。
A. 增加电源的内阻B. 减少电源的内阻C. 增加电源的纹波D. 减少电源的纹波答案：D9. 场效应管的控制极是（）。
B. 源极C. 漏极D. 基极答案：A10. 模拟信号的数字化过程包括（）。
A. 采样、量化、编码B. 滤波、放大、调制C. 调制、解调、编码D. 放大、滤波、编码答案：A二、填空题（每空1分，共10分）1. 放大器的输入电阻越大，对前级电路的________越好。
答案：负载效应2. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。
答案：高3. 差分放大器可以有效地放大两个输入端之间的________。
答案：差模信号4. 运算放大器的饱和输出电压通常为________V或________V。
答案：+Vcc -Vee5. 晶体管的截止频率是指晶体管的放大倍数下降到________的频率。
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第7章
第七章 功率放大电路1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率最高？解 在输入正弦信号情况下，通过三极管的电流i c 不出现截止状态（即导通角θ＝2π）的称为甲类；在正弦信号一个周期中，三极管只有半个周期导通（θ＝π）的称为乙类；导通时间大于半周而小于全周（π＜θ＜2π）的称为甲乙类。
其中工作于乙类的放大电路效率最高，在双电源的互补对称电路中，理想情况下最高效率可达 78．5％。
2一双电源互补对称电路如图题5．2．2所示，设已知Vcc ＝12 V ，R L ＝16Ω，v I 为正弦波。
求：（1）在BJT 的饱和压降V CE S 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om ；（2）每个管子允许的管耗 P CM 至少应为多少？（3）每个管子的耐压 |V (BR)CEO |应大于多少？解 （1）输出功率W V R VP LCCom 5.4162)12(222=Ω⨯==（2）每管允许的管耗W W P P OM CM 9.045.02.02.0=⨯=≥（3） 每管子的耐压V V V V CC CEO BR 241222||)(=⨯=≥3设电路如图题5.2.2所示，管子在输人信号v I 作用下，在一周期内T 1和T 2轮流导电约 180o ，电源电压 Vcc ＝20 V ，负载R L ＝8Ω，试计算：（1）在输人信号Vi ＝10 V （有效值）时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率；（2）当输人信号v i 的幅值为 V im ＝Vcc ＝20 V 时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率。
解（l ）Vi ＝10 V 时1,141022==⨯==V i im A V V V VV V A V im V om 14==输出功率 W W R V R V P L om L cem 25.128142121212220=⨯=⋅=⋅= 每管的管耗 W W VV V R P P omomCC LT T 02.5)41414.31420(81)4(12221≈-⨯=-==π两管的管耗 W P P T T 04.1021==电源供给的功率 W P P P T V 29.2204.1025.120=+=+= 效率 %96.54%10029.2225.12%1000≈⨯=⨯=VP P η（2）20V 20=====CC im V om CC im V V A V V V V 时，W W R V P L 2582021212CC 20=⨯=⋅=W VVR P P CCLT T 85.6)4(22CC221≈-==πW P P P T V 85.3185.6250=+=+=%5.78%10085.3125%1000≈⨯=⨯=VP P η4一单电源互补对称功放电路如图题5．3．1所示，设v i 为正弦波，R L ＝8Ω，管子的饱和压降V CES 可忽略不计。
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小作业1-2一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。
A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。
A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。
A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
流出三极管 e、c、b 流进三极管 e、c、b流出三极管 c、e、b 流进三极管 c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
模拟电路简明教程7-8章习题答案 ppt
15 6.8 0 -4.8
t
-15
解：滞回比较器
RF R2 uT U REF uZ 6.8V R2 +RF R2 +RF
uo/V
7
0 -7
t
RF R2 uT U REF uZ 4.8V R2 +RF R2 +RF
RF R2 U REF U Z 7.3V 解：U T+ R2 RF R2 RF RF R2 U T- U REF U Z 3.3V R2 RF R2 RF
D U T U T+ U T 4V
uo/V
6
0
-6
3.3
7.3
uI/V
传输特性
8-10 图示的正向输入端滞回比较器电路，试估算其两 个门限电平UT+和UT-以及门限宽度DUT的值，并
（b） R R 1 4 0.8
4 4 4 uo uI1 + uI2 uI3 1 4 1 4uI1 uI2 4uI3
7-16 在图中，设A1、A2、A3、A4均为理想运放； ① A1、A2、A3、A4各组成何种基本运算电路？
② 分别列出uo1、uo2、uo3和uo4与输入电压uI1、uI2、
0 -7
t
②稳压管的稳压值UZ=±7V ，且参考电压UREF=6V，
R1=R2=10k；
uI/V
15 0 -6 –15
t
uo/V
解：单限比较器
R1 UT U REF 6V R2
7
0 –7
t
③稳压管的稳压值UZ=±7V ，且参考电压UREF=6V，
R1=8.2k，R2=50k， RF=10k 。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题汇总
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V ，试求： ① 稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析报告版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a ）三极管已损坏，发射结开路 （b ）放大状态 （c ）饱和状态（d ）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术答案 第7章 信号的运算和处理
第7章信号的运算和处理自测题一、现有电路：A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路E.加法运算电路F.乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
(1)欲将正弦波电压移相＋90o，应选用( C )。
(2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( F )。
(3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用( E )。
(4)欲实现A u=−100 的放大电路，应选用( A )。
(5)欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( C )。
(6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用( D )。
二、填空：(1)为了避免50H z电网电压的干扰进入放大器，应选用( 带阻)滤波电路。
(2)已知输入信号的频率为10kH z~12kH z，为了防止干扰信号的混入，应选用( 带通)滤波电路(3)为了获得输入电压中的低频信号，应选用( 低通)滤波电路。
(4)为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用( 有源)滤波电路。
三、已知图T7.3所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
(a)(b)图T7.3解：图(a)所示电路为求和运算电路，图(b)所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为：(a) 12413121234()(1)//f I I O f I R u u R u R u R R R R R R =-+++⋅⋅+ 11O O u u dt RC =-⎰(b) '23322144O I O O R R R u u u ku R R R =-⋅=-⋅=-⋅O u =习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
7.1填空：(1) ( 同相比例 )运算电路可实现A u ＞1 的放大器。
(2) ( 反相比例 )运算电路可实现A u ＜0 的放大器。
(3) ( 微分 )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
(4)( 同相求和 )运算电路可实现函数123Y aX bX cX =++，a 、b 和c 均大于零。
电路与模拟电子技术课后习题题库期末考试试卷试题及答案详解-集成运算放大器习题及解析
第7章集成运算放大器习题解析1.说一说零点漂移现象是如何形成地？哪一种电路可以有效地抑制零漂？答：直接耦合地多级放大电路,各级静态工作点相互影响,因此当第1级输入信号为零时,由于温度地变化,电源电压地波动以与元器件老化原因,使放大电路第1级地工作点发生微弱地变化,这个不为零地,无规则地,持续缓慢地变化量被直接耦合地多级放大电路逐级加以放大并传送到输出端,使输出电压偏离原来零起始点而上下漂动地现象称为零点漂移．．．．。
采用差动放大电路,利用其对称性可有效地抑制零漂。
2.何谓交越失真？哪一种功放电路存在交越失真？如何消除交越失真？答：由于晶体管存在死区,正弦输入信号在零点附近不为零,但其输出信号在过零处附近出现了为零地现象,这种过零处发生地失真称为“交越失真”。
只有乙类功放电路存在交越失真。
3.图7.31所示差动放大电路中,已知R C＝20kΩ,R L＝40kΩ,R B＝4kΩ,r be＝1kΩ,β=50。
求①差模电压放大倍数A ud,差模输入电阻r id,差模输出电阻r od;②若u i1=10mV,u i2=5mV,求此时输出电压u o。
解：该电路是典型地双端输入,双端输出地差放电路,画出其半边微变效电路如下：①求动态指标：差模电压放大倍数图7.31 习题3电路图半边交流通路地微变效电路CC 图7.32 习题4电路图O差模输入电阻 Ω=+⨯=k 10)(2be B id r R r 差模输出电阻 Ω==k 402C od R r②求u i1=10mV,u i2=5mV 时输出电压u o ：m V 500)510(100)(i2i1ud O -=-⨯-=-⨯=u u A u 4.图7.32所示电路中,设VT 1,VT 2两管地饱与压降U CES ＝0,I CEO ＝0,VT 3管发射结导通电压为U BE3。
写出：①电压U AB 地表达式;②最大不失真功率表达式;③功放管地极限参数;④电路可能产生失真吗？解：本题电路是利用U BE 扩大电路进行偏置地OCL 互补对称电路。
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本文可编辑可修改，如果觉得对您有帮助请收藏以便随时查阅，最后祝您生活愉快业绩进步，以下为《模电》经典题目,含答案(word版可编辑修改)的全部内容。
43dB b。
40dB c。
37dB d。
图1—4 图正弦波振荡电路如图1—5所示，该电路（）。
满足振荡条件，能产生正弦波振荡由于无选频网络,不能产生正弦波振荡由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡．双端输入、双端输出差分放大电路如图1—6所示。
已知静态时，V o=V图1—6 图1-77．对于图1—7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）.a. CEO2CEO I I = b 。
CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定，应选（ ）。
a. 电流串联负反馈 b 。
电压并联负反馈c 。
电流并联负反馈d 。
电压串联负反馈二、判断下列管子的工作状态（共10分）1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2—1 a 、b 、c 所示,试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。
设所有的三极管和二极管均为硅管。
图2-12．电路如图2—2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。
A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。
A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。
A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
A.0.03mA 流出三极管e、c、bB.0.03mA 流进三极管e、c、bC.0.03mA 流出三极管c、e、bD.0.03mA 流进三极管c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
模电作业第7章多级运放运算分析答案
《模拟电子技术》作业第7章多级运放运算分析答案 1 解：（1）N1：反相加法；N2：减法；（2）011212()40F F s s R Ru u u mV R R =-+=-4023013()140s R u u u m V R =-=2 解：(1)N1：反比例运算电路（反相器）；N2：减法运算电路；N3：电压跟随器。
(2) 11111o I I R u u u R =-=-222111211()()o I o I I R Ru u u u u R R =-=+22121()o o I I R u u u u R ==+3 解：21122P I R u u V R R ==+2201111(1)6P I R Ru u u V R R =+==320201316I R R u u u V R R =-=-=-20011212I R u u u u V R =-==4 解： (1)N 1:反向比例运算；N 2:同向比例运算；N 3:反向加法运算；（2）301111I Ru u V R =-=-50224(1) 2.2I Ru u V R =+=9903010278()1R R u u u V R R =-+=-5 解：（1）a 图构成反向比例运算；b 图构成减法运算。
（2）0114fI R u u V R =-=-021211(1)4ff I I R Ru u u V R R =-++=6（16） 解：N 1构成反相加法运算电路，N 2构成减法电路；01121250FFs s R R u u u mV R R =--=-4023013()200s R u u u mV R =-=7（17） 解：(1) N 1：反相器，N 2：电压跟随器，N 3：减法器，N 4：电压跟随器(2) 20i1i21(+)Ru u u R =8（18） 解： (1) N1：电压跟随； N2：反相加法；N3：减法(2)011i u u = 44402234234123102040i i i i i i R R R u u u u u u u R R R =---=--- 8800102010277(1)2R R u u u u u R R =+-=- (3) 011u V =- 022u V =- 00u V =9（19） 解：N1:同相比例运算；N2：电压跟随；N3：减法运算。
模拟电子技术基础第七章部分答案
解：当集成运放工作在线性区时，R fR fU oi-~U i10U I ，U 02 （1 —）u i11U IRR解：由图可知 R i =50k Q o 因为 U M =-2U I , i R 2iR 41只3 ,即（1） R 2短路；（2） R 3短路；（3） R 4短路；（4） R 4断路。
解：（1） R 2短路时UI /V0.1 0.5 1.0 1.5 U OI /V-1 -5 -10 -14 U 02/V1.15.511147. 4电路如图所示，试 求其输入电阻和比例系代入数据，得输出电压U M U M U M U OR 2R 4R 3 U O 52UM104U I7.5电路如图所示，集成运放输出电压最大幅值为土14V , U I 为2V 的电压信号。
分别求出下列各种情况下的输出电压。
R f联立求得：u° 細1 U| 2)8(U| 1 U| 2)7.7如图所示电路中，集成运放的共模信号分别为多少？要求写出表达式。
U O(2) R 3短路时U O(3) R 4短路时，电路无反馈，U O =-14V 。
(4) R 4断路时U OR 32u i 4V%R i2u i 4VR 2 R 3R U| 4u 8V7.6试求下图电路输出电压与输入电压的运算关系。
(C )解：(C )U PR fU |2U NU 11 U N U N U °R iAR f])lOkQRRAA6U |CU NU Z台R八散11R i R f U|2解:1L—I=F 200 kQ n 心 200 kfl1W )解：因为集成运放同相输入端和反相输入端之间净输入电压为零，所以它们的电位就是集成运放的共模输入电压。
(C )图解：图(b )所示的A i 组成同相比例运算电路，A 2组成加减运算电路。
设加在A i 同相输入端的信号为 U I1，加在A 2同相输入端的信号为 U I2，则U I =U I1-U I2。
模拟电子技术 多级放大电路
2,动态分析 , (1)共模输入: △uI1= △ uI2= )共模输入: 称之为共模输入信号. △uIc,称之为共模输入信号. 以上计算结果表明:( ) 以上计算结果表明:(1) :( +Vcc 单端输出时, 单端输出时,差放电路对共模 Rc Rc + uOc – 信号的抑制是通过R 信号的抑制是通过 e的强烈负 + + u Rb uI 2 反馈实现的;( Oc2 双端输出时, 反馈实现的uOc1 – )双端输出时, ;(2) ;( uI1 Rb – 差放电路对共模信号的抑制主 iE1 iE2 + u Ic 要是通过电路参数的对称性实 – 现的; 现的;在电路参数不完全对称 Re iE -VEE 通过R 的强烈负反馈作用, 时,通过 e的强烈负反馈作用, 进一步抑制共模信号. 图 3.12 共模输入差放电路 进一步抑制共模信号.
4. 光电耦合
光电耦合:以光信号为媒质来实现电信号的耦合与传递. 光电耦合: 以光信号为媒质来实现电信号的耦合与传递. & & Id iC I iD
c
uD
– e
+
c rd
c
& CTR I d
e
图 3.7 光电耦合器及其交流小信号等效模型
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10
iC(mA)
输 出 特 性 : iC = f ( uCE ) I 传输比: 传输比:
ui
+Vcc Rb2 Rc1 T1 DZ R Rc2 T2 +
uo
Rc1 T1
Re2 Rc2
T2 Rb1 T2 + uo + + Rc2 uo ui Re2 – – –
模电作业第7章运放应用滤波选填题目
1 《模拟电子技术》作业选填第7章运放应用滤波题目1 带通滤波电路有 通带， 阻带。
（a.一个 b.二个 ）2 某有源滤波器的传递函数为001()()1uP u A A s w s RCw ==+，该滤波器为 滤波器。
（a.一阶低通 b.一阶高通 c.二阶低通 d.二阶高通） 3 某有源滤波器的传递函数为001()()1uF u A S A S RC S ωω==+，该滤波器为 滤波器。
（a.一阶低通 b.一阶高通 c.二阶低通 d.二阶高通）4 某有源滤波器的传递函数为2022001()()0.8uF u A S A s w S w S w RC==++，该滤波器为 滤波器。
（a.一阶低通 b.一阶高通 c.二阶低通 d.二阶高通） 5 某有源滤波器的传递函数为20022001()()0.5uF u A A s w S w S w RCω==++，该滤波器为 滤波器。
（a.一阶低通 b.一阶高通 c.二阶低通 d.二阶高通）6 某有源滤波器的传递函数为20022001()()2uF u A A s w S w S w RCω==++，该滤波器为 滤波器。
（a.一阶低通 b.一阶高通 c.二阶低通 d.二阶高通） 7 某有源滤波器的传递函数为2022001()()3==++uF u A S A s w S w S w RC，该滤波器为 _滤波器。
（a.一阶低通 b.一阶高通 c.二阶低通 d.二阶高通）8 某有源滤波器的传递函数为)1(4)(0200220RC S S A s A uF u =++=ωωωω，则该滤波器为 滤波器。
（a.一阶低通 b.一阶高通 c.二阶低通 d.二阶高通） 9 某有源滤波器的传递函数为)1(5)(0200220RCS S A s A uF u =++=ωωωω，该滤波器为__ __滤波器。
（a.一阶低通 b.一阶高通 c.二阶低通 d.二阶高通） 10 低通滤波电路的功能是通过频率范围在 区域的信号。
大学生模电试题及答案
大学生模电试题及答案一、选择题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，运算放大器的输入级通常采用什么类型的晶体管？A. 双极型晶体管B. 场效应晶体管C. 绝缘栅晶体管D. 光电晶体管答案：B2. 以下哪个不是模拟电路的特点？A. 信号处理的连续性B. 信号放大C. 数字信号处理D. 模拟信号处理答案：C3. 在模拟电路中，下列哪个元件不是用来进行信号放大的？A. 运算放大器B. 晶体管C. 电阻D. 电感答案：C4. 模拟电路中的噪声主要来源于哪些方面？A. 电源B. 元件内部C. 外部电磁干扰D. 所有以上答案：D5. 在模拟电路设计中，通常采用什么方法来减小噪声？A. 增加电源电压B. 增加信号频率C. 使用低噪声元件D. 所有以上答案：C二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，_________是用来实现信号放大的。
答案：运算放大器2. 模拟电路中的信号通常是以_________形式存在的。
答案：连续3. 场效应晶体管（FET）的特点是输入阻抗_________，输出阻抗相对较低。
答案：很高4. 在模拟电路中，为了减少信号失真，通常需要对信号进行_________。
答案：滤波5. 模拟电路设计中，为了提高信号的信噪比，可以采取_________。
答案：增益控制三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的主要区别。
答案：模拟电路处理的是连续变化的信号，而数字电路处理的是离散的信号。
模拟电路通常使用模拟信号进行放大、滤波等处理，而数字电路则通过数字逻辑进行信号的编码、解码和处理。
2. 描述在模拟电路设计中，如何选择合适的运算放大器。
答案：在模拟电路设计中，选择合适的运算放大器需要考虑其带宽、输入输出阻抗、增益、电源电压范围、功耗以及噪声等级等因素，以确保运算放大器能够满足电路设计的要求。
四、计算题（每题15分，共30分）1. 给定一个运算放大器电路，其输入电压为1V，输出电压为10V。
电工与电子技术第7章 习题解答
第7章 习 题 解 答7.1 运算放大器工作在线性区和非线性区的特点各是什么？在分析电路时使用“虚短路”和“虚地”的条件是什么？答 在线性区具有“虚断路”和“虚短路”的特点，输出与输入之间为线性关系；在非线性区具有“虚断路”的特点，输出电压为 ±U OM 。
使用“虚短路”和“虚地”的条件是运算放大器工作在线性区。
7.2 在题图7.2所示运算电路中，已知：输入信号u i = 0.3sin ωt V ，R F1=10k Ω，R 1 = 5k Ω，R F2 = 6k Ω，R 2 = 3k Ω。
（1）求输出电压u o ；（2）计算平衡电阻R 3和R 4的阻值。
解 第一级输出电压 V sin 9.0sin 3.051011i 1F1o1t t u R R u ωω=⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛+=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+= 第二级输出电压 V sin 8.1sin 9.036o12F2o t t u R R u ωω-=⨯-=-= 平衡电阻R 3 = R 1∥R F1 = 5 // 10 = 3.3 k Ω R 4 = R 2∥R F2 = 3 // 6 = 2 k Ω7.3 在题图7.3电路中，设R F = (1+ α) R 1。
（1） 写出输出电压u o 与输入电压u i（2） 根据平衡电阻的关系，求电阻的比值R 2 /R 1； （3） 若u i = - 4V ，u o = 6V 时，α应为何值？ 解 (1) 电路为差动比例运算电路i 2221F i 1F o 1u R R R R R u R R u +⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++-=代入 R F = (1+ α) R 1u o题图7.3u -Ru o()i i i o 22111)1(u u u u ααα-=⋅++++-=(2) 由R //R = R 1 //R F ，得1F 1F 11112R R R R R R αα+++=+⋅= 所以有αα++=2)1(21R R (3) 34622i o =-⨯-=-=u u α7.4 电路如题图7.4，已知：u i = -2V ，求下列条件下u o 的数值： （1） 开关S 1、S 3闭合，S 2打开；（2）S 2闭合，S 1、S 3打开； （3） 开关S 2、S 3闭合，S 1打开；（4）S 1、S 2闭合， S 3打开； （5） 开关S 1、S 2、S 3均闭合。
模电课后习题第七章
习题七7-1 判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
√（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
×（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
√（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
×解（1）√（2）×（3）√（4）×7-2现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用 C 。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用 F 。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用 E 。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用 A 。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 C 。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用 D 。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D7-3填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用带阻滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用带通滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用低通滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用有源滤波电路。
解：（1）带阻（2）带通（3）低通（4）有源7-4已知图P7-1所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
图P7-1 题7-4图解图(a) 先求u o 1 再求u oi321f 2i21i1f o1u //R 1u uu ⎪⎭⎫ ⎝⎛++⎪⎭⎫ ⎝⎛+R R R R R ＝－dt u //R 1u u dt u 1u i321f 2i21i1f o10⎰⎰⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎪⎭⎫ ⎝⎛++⎪⎭⎫ ⎝⎛+=R R R R RC R RC ＝－图(b)设运放A 2输出为u o 2依图有 2o 43o 4321i o2ku u u u R R R R R R ＝－＝－，-= 得到 i 3142o u k u ⋅R R R R ＝7-5 电路如图P7-2所示，T 1、T 2和T 3的特性完全相同，填空： （1）I 1≈ mA ，I 2≈ mA ；（2）若I 3≈0.2mA ，则R 3 ≈ kΩ。
（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案
（整理）模电各章重点内容及总复习外加试题和答案《模电》第⼀章重点掌握内容：⼀、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产⽣本征激发，形成电⼦和空⽳，电⼦带负电，空⽳带正电。
它们在外电场作⽤下均能移动⽽形成电流，所以称载流⼦。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺⼊三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，空⽳为多数载流⼦（称多⼦）⽽电⼦为少⼦。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺⼊五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能⼒⼤⼤加强，此类半导体，电⼦为多⼦、⽽空⽳为少⼦。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截⽌。
所以正向电流主要由多⼦的扩散运动形成的，⽽反向电流主要由少⼦的漂移运动形成的。
8、⼆极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、⼆极管由⼀个PN结组成，所以⼆极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈⼩电阻，⼤电流，反偏时截⽌，呈⼤电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是⼯作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的⼆极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截⽌，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满⾜U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、⼆极管主要⽤途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
⼆、应⽤举例：（判⼆极管是导通或截⽌、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第⼆章再判）参考答案：a、因阳极电位⽐阴极⾼，即⼆极管正偏导通。
模电作业第7章多级运放运算分析题目(作业序)
《模拟电子技术》作业第7章多级运放运算分析1 电路中, N 1, N 2为理想运放。
(1) 说明N 1, N 2构成的电路实现什么运算； (2) 试写出u O1和u O2的表达式并计算它们的值2 电路中, 设N 1 , N 2 , N3 均为理想运放。
（1）分析各个运放及有关电阻分别构成什么电路?（2）求输出u 01，u 02, u o 与输入u I1 和u I2 的函数关系。
3 电路中，设N 1，N 2为理想运放，已知R 1＝1K ，R 2＝2K ，R 3＝5K ，u I ＝3V 。
试写出u 01,u 02和u 0 的表达式，并计算它们的值。
4 电路中，设N 1，N 2, N 3均为理想运放，试（1）说明N 1，N 2, N 3各构成何种运算电路；（2）写出u o1，u o2，u o3 的表达式并计算它们的值。
235 图中各运放均为理想运放并工作于线性区。
（1）试写出下列两图所示电路各构成何种运算；（2）写出输出电压u O1, u O2表达式并求出它们的值。
（6分）6 电路中，N1，N2为理想运放，说明N1、N2各构成何种运算电路，写出u01和u02的表达式并计算它们的值。
7 电路中,设N1，N2，N3，N4均为理想运放。
(1)各个运放分别构成什么电路?(2)求输出电压u o与输入电压u I1和u I2的函数关系。
8 电路中,设N1，N2，N3均为理想运放。
(1) 说明N1，N2，N3各自实现什么运算。
(2) 写出u01,u02,u0随u I1, u I2, u I3, u I4变化的关系式；(3)当u I1=-1V, u I2=0.2V, u I3=0.1V, u I4=-0.05V时u01=? u02=? u0=?9 电路中, N1, N2, N3均为理想运放,说明各运放组成的电路实现何种运算；写出u O1, u O2, u O3的表达式并计算它们的值。
10 电路中，N1，N2为理想运放。
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《模拟电子技术》作业第7章多级运放运算分析
1 电路中, N 1, N 2为理想运放。
(1) 说明N 1, N 2构成的电路实现什么运算； (2) 试写出u O1和u O2的表达式并计算它们的值
2 电路中, 设N 1 , N 2 , N
3 均为理想运放。
（1）分析各个运放及有关电阻分别构成什么电路?
（2）求输出u 01，u 02, u o 与输入u I1 和u I2 的函数关系。
3 电路中，设N 1，N 2为理想运放，已知R 1＝1K ，R 2＝2K ，R 3＝5K ，u I ＝3V 。
试写出u 01,u 02和u 0 的表达式，并计算它们的值。
4 电路中，设N 1，N 2, N 3均为理想运放，试
（1）说明N 1，N 2, N 3各构成何种运算电路；
（2）写出u o1，u o2，u o3 的表达式并计算它们的值。
2
3
5 图中各运放均为理想运放并工作于线性区。
（1）试写出下列两图所示电路各构成何种运算；
（2）写出输出电压u O1, u O2表达式并求出它们的值。
（6分）
6 电路中，N1，N2为理想运放，说明N1、N2各构成何种运算电路，写出u01和u02的表达式并计算它们的值。
7 电路中,设N1，N2，N3，N4均为理想运放。
(1)各个运放分别构成什么电路?
(2)求输出电压u o与输入电压u I1和u I2的函数关系。
8 电路中,设N1，N2，N3均为理想运放。
(1) 说明N1，N2，N3各自实现什么运算。
(2) 写出u01,u02,u0随u I1, u I2, u I3, u I4变化的关系式；
(3)当u I1=-1V, u I2=0.2V, u I3=0.1V, u I4=-0.05V时u01=? u02=? u0=?
9 电路中, N1, N2, N3均为理想运放,说明各运放组成的电路实现何种运算；写出u O1, u O2, u O3的表达式并计算它们的值。
10 电路中，N1，N2为理想运放。
（1）说明N1，N2各自构成什么运算电路；
（2）试写出u O1, u O2的表达式并计算它们的值。
11 电路中, N1, N2,为理想运放.
(1)说明N1、N2各构成何种运算电路；
(2)试写出u O1,u O2与u I1，u I2，u I3关系的表达式，并在图示参数下求u01，u02的值。
12 电路中，设N1，N2均为理想运放，
(1)说明N1、N2各构成何种运算电路；
（2）试写出u O1,u O2与u I1，u I2，u I3关系的表达式，并在图示参数下求u01，u02的值。
2
13 电路中,设N1 ,N2为理想运放。
试分别求出开关S闭合和断开时的u O1和u O2的表达式。
14 电路中, 设N1，N2均为理想运放。
(1)写出u O1, u O2与输入信号的表达式；
(2)计算当u I1=0.1V, u I2=0.2V, u I3=0.3V, u I4=0.4V时u O1和u O2的值。
15 电路中，设N1，N2为理想运放，已知：R1＝2K，R2＝4K，R3＝5K，u I＝2V。
试写出u01,u02和u0的表达式并计算它们的值。
16 电路中，设N1，N2, N3均为理想运放，试写出u o1, u o2，u03的表达式。
17 电路中，设N1，N2，N3为理想运放。
(1)说明N1、N2、N3各构成什么运算电路；
(2)试写出u o1，u o2和u o的表达式,并计算它们的值。
18 电路中，设N1，N2为理想运放，说明N1、N2各自构成什么运算，并写出u01,u02和u0的表达式。
19 电路中, N1, N2, N3均为理想运放, 说明N1、N2、N3各构成何种运算电路；写出u O1, u O2, u O3的表达式，并计算它们的值。
20 电路中，设N1和N2为理想运放。
(1)说明N1、N2各组成何种运算电路。
(2)若输入信号u I2=-5V，u I3=1V，欲使u O1 =0V，则u I1应为多少?
(3)设u I1 =0，u I2=-5V, u I3 =1V,且t=0时刻u c(0)=0，求u01和t=1s时的u O；
（4）Ra应选择何阻值?。