晶体管教案

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单结晶体管结构及测试教案

任务二调试单结晶体管触发电路
子任务1单结晶体管结构及测试
1、单结晶体管结构
单结晶体管的外形图如图1所示。

在一个低掺杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂P区，在P区与N区接触面形成PN结，就构成单结晶体管(UJT)。

其结构如图2(a)，P型半导体引出的电极为发射极E；N型半导体的两端引出两个电极，分别为基极B1和基极B2，B1和B2之间的N型区域可以等效为一个纯电阻，即基区电阻RBB。

该电阻的阻值随着发射极电流的变化而改变。

单结晶体管因有两个基极，故也称为双基极晶体管。

其符号如图2(b)所示。

2、单结晶体管的伏安特性
可图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：
r bb=r b1+r b2
式中：r b1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流I e而变化，r b2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与I e无关；发射结是PN结，与二极管等效。

若在两个基极b2、b1间加上正电压V bb，则A点电压为：
V A=[r b1/(r b1+r b2)]v bb=(r b1/r bb)v bb=ηV bb
式中：η----称为分压比，其值一般在0.5-0.9之间，如果发射极电压V E由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性。

2、单结晶体管的伏安特性。

晶体三极管的开关作用一等奖创新教案

晶体三极管的开关作用一等奖创新教案第十课时：晶体三极管3教材《劳动技术》上海科技教育出版社高二年级课题晶体三极管的开关功能【教学目标】一、知识与技能：理解三极管的开关功能。

初步学会应用三极管的开关功能设计简单的电路。

二、过程与方法：1、通过课堂实践探索，理解晶体三极管的开关功能。

2、结合实践设计三极管的开关电路，掌握三极管的开关电路在实际生活中的应用。

三、情感、态度与价值观通过探究三极管的开关功能，培养学生乐于探索的科学素养。

通过设计简单的三极管开关电路，培养学生热爱科学实践精神。

【教学重点】晶体三极管的开关功能【教学难点】晶体三极管的工作原理晶体三极管的开关功能应用【教学过程】教学环节教师活动学生活动设计意图复习引入晶体三极管的放大电路：光控三极管电路的回忆(实物展示)考一考：晶体三极管的特性是哪些？复习上一节课的教学难点。

承上启下，开始三极管的开关功能的学习。

课堂教学实践探究：分析这三个电路的功能有什么差别？观察与思考分析二极管亮、灭的原因？基极电流大小由电路中哪一个元件控制？RP实际的电路实验探究来分析三极管电路的开关功能。

连接电路分析了解三极管的开关功能体验晶体三极管的开关功能：分析电路的功能设计三极管的开关电路下图合上开关后灯泡亮，再给你一个电键和若干导线，请你改造成：合上开关灯泡亮，在按下电键，灯泡熄灭。

不允许短路电源和负载！加深学生对课堂学习内容的印象。

在实践中学习，使学习变得有趣生动，更加容易理解和记忆。

课堂小结三极管的工作状态：放大、开关状态。

开关状态：截止和饱和导通（数字电路中）加深学生对课堂学习内容的印象。

总结知识重点难点。

【教学反思】学习任务单班级姓名学号知识点的准备和学习1、晶体三极管的电路符号：NPN型：PNP型：___2、晶体三极管的工作状态：____________3、晶体三极管的工作状态有什么因素决定：_________课堂实验：1、探究下面三张电路图的差别晶体三极管的开关功能：2、观察与思考分析二极管亮、灭的原因？基极电流大小由电路中哪一个元件控制？3、实验与设计：下图合上开关后灯泡亮，再给你一个电键和若干导线，请你改造成：合上开关灯泡亮，在按下电键，灯泡熄灭。

电工与电子技术-基本放大电路电子教案

电工与电子技术-基本放大电路电子教案一、教学目标1. 让学生了解放大电路的原理和作用，掌握放大电路的基本组成部分。

2. 使学生熟悉晶体管放大电路的工作原理，能够分析简单的放大电路。

3. 培养学生运用所学知识解决实际问题的能力。

二、教学内容1. 放大电路概述介绍放大电路的定义、作用和基本组成部分。

2. 晶体管放大电路讲解晶体管的基本工作原理，分析晶体管放大电路的组成和特点。

3. 放大电路的静态工作点讲解放大电路静态工作点的概念，分析静态工作点对放大电路性能的影响。

4. 放大电路的动态分析讲解放大电路动态分析的方法，分析输入、输出信号和负载关系。

5. 放大电路的应用实例介绍放大电路在实际应用中的例子，分析其工作原理。

三、教学方法1. 采用讲授法，讲解放大电路的基本概念、原理和分析方法。

2. 利用多媒体辅助教学，展示放大电路的工作原理和实际应用。

3. 进行课堂讨论，鼓励学生提问、发表见解，提高学生的参与度。

4. 安排课后实践，让学生动手搭建简单的放大电路，巩固所学知识。

四、教学资源1. 多媒体课件：包括放大电路的原理图、工作原理动画演示等。

2. 实验器材：晶体管、电阻、电容等基本元件，放大电路实验板。

3. 参考资料：相关教材、学术论文、网络资源。

五、教学评价1. 课堂表现：观察学生在课堂上的参与程度、提问和回答问题的情况。

2. 课后作业：检查学生完成的课后练习，评估其对放大电路知识的掌握。

3. 实验报告：评价学生在实验过程中的动手能力、问题分析和解决能力。

4. 期末考试：设置有关放大电路的题目，检验学生对本章节知识的总体掌握。

六、教学内容6. 反馈电路介绍反馈电路的概念、类型和作用。

分析反馈电路对放大电路性能的影响，讲解负反馈和正反馈的区别。

7. 放大电路的设计与调试讲解如何根据需求设计放大电路，包括选择晶体管、确定静态工作点、选择电阻等。

介绍放大电路的调试方法，分析如何调整元件参数以优化电路性能。

8. 频率响应讲解放大电路的频率响应概念，分析放大电路的带宽、增益和失真。

晶体管开关特性教案

睢宁县职业教育中心教师课程教案
授课过程
等效为开关闭合
等效为开关断开
C、E极间等效为开关闭合
C、E极间等效为开关断开
、开关特性：表现在正向导通和反向截止这两种状态之间
关闭时间toff三极管从饱和到截止所需的时间。

toff = ts +tf ts：存储时间（几个参数中最长的；饱和越深越长）
tf：下降时间
开关时间一般在纳秒数量级
放大状态时他的过渡过程
3、(1) 截止状态
条件：发射结反偏
特点：输入电流I B≈0 → I C≈0, V CE≈V CC 等效电路为
(2)饱和状态
条件：发射结正偏，集电结正偏
特点：U BES=0.7V，U CES=0.3V/硅
四、三极管工作状态的判别
BE 判断三极管是截止还是导通。

B 和I BS 判断三极管是放大还是饱和c CC BS R V I β= 则三极管是饱和B ＜c CC BS R V I β= 则三极管是放大在电路的输入电阻1R 的两端并联一个适量的电容器到提高开关速度的。

高二物理《晶体三极管》公开课教案

高二《晶体三极管》公开课教案
授课时间：x月2x日授课老师：xxx 课时：45分钟【教学目标】
晶体三极管的结构；
晶体三极管的电流放大作用；
晶体三级管的三种工作状态及参数。

【教学重点】晶体三极管的电流放大作用
【教学难点】晶体三级管的三种工作状态
【教学过程】
1、旧课复习
直流电源由哪几部分组成？
各部分有什么作用？
2、新课导入
二极管有两只脚，如果多一只脚，将会变成什么元器件？
这个元器件的结构、工作状态及作用会是什么？
3、晶体管组成
4、晶体三极管电流放大作用
放大条件：发射结正偏，集电结反偏。

调节滑动变阻器读取数据如下表：
由实验数据可得：
①发射极电流等于集电极电流与基极电流之和。

②发射极电流近似等于集电极电流。

③基极电流的β倍等于集电极电流。

④基极电流微小变化引起集电极很大的电流变化。

5、三种工作状态
①截止状态条件：发射结反偏，集电结反偏
②放大状态条件：发射结正偏，集电结反偏
③饱和状态条件：发射结正偏，集电结正偏
6、主要参数
①电流放大系数β
②穿透电流Iceo
③集电极最大允许电流Icm
④反向击穿电压Uceo
⑤集电极最大耗散功率Pcm
【作业布置】
P207 习题。

常用电子元器件电子教案

常用电子元器件电子教案一、教学目标1. 了解常用电子元器件的分类及功能。

2. 掌握电阻、电容、电感、二极管、三极管等基本电子元器件的识别和使用方法。

3. 能够分析简单电子电路，并运用常用电子元器件进行电子制作。

二、教学内容1. 电子元器件的分类及作用被动元件：电阻、电容、电感主动元件：二极管、三极管、晶体管2. 电阻认识电阻的符号、单位（欧姆、千欧、兆欧）了解电阻的种类（固定电阻、可变电阻、热敏电阻等）学习电阻的测量方法3. 电容认识电容的符号、单位（法拉、微法拉、皮法拉）了解电容的种类（固定电容、可变电容、电解电容等）学习电容的测量方法4. 电感认识电感的符号、单位（亨利、毫亨利、微亨利）了解电感的种类（固定电感、可变电感、线圈等）学习电感的测量方法5. 二极管认识二极管的符号、结构及特性了解二极管的分类（整流二极管、检波二极管、稳压二极管等）学习二极管的测量方法三、教学方法1. 采用讲授法，讲解电子元器件的分类、作用、特性及测量方法。

2. 采用演示法，展示常用电子元器件的实物，让学生直观地认识元器件。

3. 采用实践法，让学生动手操作，测量实际电子元器件，加深对元器件的理解。

四、教学准备1. 电子元器件实物样品：电阻、电容、电感、二极管、三极管等。

2. 多媒体教学设备：电脑、投影仪等。

3. 测量工具：万用表、示波器等。

五、教学步骤1. 讲解电子元器件的分类及作用，展示实物样品。

2. 讲解电阻的识别方法及测量方法，学生动手操作。

3. 讲解电容的识别方法及测量方法，学生动手操作。

4. 讲解电感的识别方法及测量方法，学生动手操作。

5. 讲解二极管的识别方法及测量方法，学生动手操作。

教学反思：在教学过程中，要注意引导学生动手实践，增强对电子元器件的识别和测量能力的培养。

通过实例分析，让学生了解电子元器件在实际电路中的应用，提高学生的实际操作能力。

六、教学内容6. 三极管认识三极管的符号、结构及特性了解三极管的分类（NPN型、PNP型等）学习三极管的测量方法7. 常用传感器认识常见传感器的种类（温度传感器、光敏传感器、压力传感器等）了解传感器的工作原理及应用领域学习传感器的连接和简单编程8. 集成电路认识集成电路的符号、分类及特点了解常用集成电路（运算放大器、比较器、定时器等）学习集成电路的识别和应用9. 电源电路了解电源电路的组成、工作原理及分类学习直流稳压电源、开关电源的设计及应用掌握电源电路的检测和故障排查方法10. 电子制作实例学习简单电子制作项目（如收音机、充电器等）的原理图设计了解电子制作的步骤、工艺及注意事项动手实践，完成一个简单的电子制作项目七、教学方法1. 采用讲授法，讲解三极管、传感器、集成电路、电源电路及电子制作实例的相关知识。

晶体三极管教案

教学过程设计【新课内容】所以首先，我们来看一下晶体管的分类。

（1）按功率构分，可以分大功率，中功率，小功率晶体管。

如下图：我们都知道晶体管在工作的时候会发热，功率越大，那么产生的热量就会越多，因此，我们为了更好的让晶体管散热，一般情况下，会增加它的体积或者转小孔。

（2）晶体管按照结构还可以分为NPN型晶体管和PNP型晶体管。

接下来我将以NPN型晶体管为例来具体讲解晶体管。

首先我们来看下晶体管的结构及其特点。

大家看到下面这个图：我们先来看到左边的这个图，这是晶体管的内部结构图，从这个图中我们可以发现晶体管中有三个区。

最左边的这个N区我们把它称着发射区，中间的P区我们称它为基区，右边的这个N区我们称它为集电区。

如果我们在从这三个区引出电极的话，那么发射区引出电极为发射极，我们用字母e表示，从基区引出的电极我们称为基极，用字母b表示，相对应的我们的集电区引出的电极就为集电极，用字母c表示。

从这个结构图中我们还可以发现我们的发射区和基区的交界处构成了第一个PN结——发射结。

基区与集电区的交界处构成了第二个PN结——集电结。

这样我们就清楚了晶体管的结构。

我们可以把它简记为“三区三极两PN结”。

我们看完晶体管的结构，再来看一下他有什么特点？先看到发射区，它的特点是掺杂浓度高，基区的特点是杂质浓度低并且很薄，最后我们的集电区就只有一个特点那就是面积特别大。

从我们的教材29页1.3.2的（a）图也可以看到，晶体管的基区只有几微米到几十微米，但集电区却有几百微米，因此可以看出它的面积很大。

大家思考一下，为什么要把它制造成这样，我们可不可把基区做的很厚，并且它的杂质浓度高呢？（停顿一会）对，不行。

因为我们晶体管要工作的话需要发射区提供大量的载流子，并且这些载流子要很容易通过基区到达集电区，集电区要大量的空间来容纳这些载流子，所以我们再制造的时候需要在发射区高掺杂，把基区做的很薄，并且把集电区做的很大。

这也是晶体管工作的内部条件。

《电子技术》电子教案完整版pdf

《电子技术》电子教案完整版pdf 教案：《电子技术》一、教学内容本节课的教学内容选自《电子技术》教材的第四章，主要介绍二极管和晶体管的基本原理、特性及应用。

具体内容包括：1. 二极管的结构、分类、特性曲线及应用；2. 晶体管的结构、分类、特性曲线及放大原理；3. 二极管和晶体管在电子电路中的应用案例。

二、教学目标1. 学生能理解二极管和晶体管的结构、分类和特性；2. 学生能掌握二极管和晶体管的识别和应用方法；3. 学生能运用二极管和晶体管设计简单的电子电路。

三、教学难点与重点重点：二极管和晶体管的结构、分类、特性及应用。

难点：晶体管的放大原理及电子电路的设计。

四、教具与学具准备教具：电脑、投影仪、黑板、粉笔；学具：教材、笔记本、绘图工具。

五、教学过程1. 实践情景引入：介绍一些常见的电子设备，如手机、电视等，引导学生了解这些设备中都有哪些电子元件。

2. 教材讲解：a. 讲解二极管的结构、分类和特性；b. 讲解晶体管的结构、分类和特性；c. 讲解二极管和晶体管的应用案例。

3. 例题讲解：分析一些典型的二极管和晶体管电路，如整流电路、放大电路等。

4. 随堂练习：让学生设计一个简单的放大电路，使用晶体管实现。

5. 课堂互动：提问学生关于二极管和晶体管的知识，引导学生进行思考和讨论。

六、板书设计板书内容：1. 二极管的结构、分类、特性；2. 晶体管的结构、分类、特性；3. 二极管和晶体管的应用案例。

七、作业设计作业题目：设计一个简单的放大电路，使用晶体管实现。

作业答案：根据课堂所学，设计一个晶体管放大电路，包括电源、输入信号源、晶体管、输出负载等。

八、课后反思及拓展延伸课后反思：本节课学生对二极管和晶体管的知识掌握情况良好，但在晶体管放大原理的理解上还存在一定的困难。

在今后的教学中，需要加强对这部分内容的讲解和练习。

拓展延伸：学生可以课后阅读一些关于电子技术的书籍，了解更多的电子元件和电路知识，提高自己的电子技术水平。

晶体三极管及其基本放大电路解读PPT教案

Q IBQ
UBEQ
输入回路负载线 ICQ
负载线
Q IBQ
UCEQ
第31页/共79页
2. 电压放大倍数的分析
uBE VBB uI iBRb 斜率不变
iC
IB IBQ iB
uI
uCE
给定uI
iB
iC
uCE (uO )
Au
uO uI
uO与uI反相，Au符号为“－”。
第32页/共79页
§4.2 放大电路的组成原则
一、基本共射放大电路的工作原理二、如何组成放大电路
第12页/共79页
一、基本共射放大电路的工作原理
1. 电路的组成及各元件的作用
VBB、Rb：使UBE＞ Uon，且有合适的IB。 VCC：使UCE≥UBE，同时作为负载的能源。
Rc：将ΔiC转换成ΔuCE(uO) 。
因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
第3页/共79页
电流分配：
IE＝IB＋IC
IE－扩散运动形成的电流
IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流
直流电流放大系数
穿透电流
IC
IB
iC
iB
ICEO (1 )ICBO
为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？
交流电流放大系数
集电结反向电流
第4页/共79页
三、晶体管的共射输入特性和输
1. 输入特性
出特性
iB f (uBE ) UCE
为什么像PN结的伏安特性？为什么UCE增大曲线右移？为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？

探索电路中的二极管与晶体管高中一年级物理科目教案

探索电路中的二极管与晶体管高中一年级物理科目教案电路中的二极管与晶体管探索引言：电子技术在现代社会中扮演着重要的角色，我们身边的许多设备都离不开电路。

而电路的基本元器件之一就是二极管与晶体管。

本教案将针对高中一年级的物理科目，探索电路中二极管与晶体管的原理及应用，帮助学生更好地理解电路的工作原理。

第一部分：二极管的原理与特性1. 二极管的基本概念二极管是一种将电流仅能在一个方向上通过的电子元件。

它由一个N型半导体和一个P型半导体通过特殊的工艺层叠而成。

2. 二极管的工作原理当二极管的P型半导体端与正电压相连，N型半导体端与负电压相连时，二极管处于正向偏置状态，电流可以顺利通过。

当二极管的P型半导体端与负电压相连，N型半导体端与正电压相连时，二极管处于反向偏置状态，电流几乎不能通过。

3. 二极管的特性曲线通过绘制二极管的特性曲线可以更直观地了解二极管的工作特性及其应用。

第二部分：二极管的应用1. 二极管的整流作用利用二极管的单向导电性质，可以将交流电信号转换为直流电信号。

这在电源、通信等领域中起着重要作用。

2. 二极管的稳压作用二极管可以作为稳压二极管使用，在电子电路中起到稳定电压的作用。

3. 二极管的发光作用在LED（Light Emitting Diode）中，二极管的发光特性被广泛应用，使得我们可以获得丰富多彩的光效。

第三部分：晶体管的原理与分类1. 晶体管的基本概念晶体管是一种半导体器件，由三个或更多的半导体层构成。

它可以放大和控制电流，是现代电子电路中不可或缺的元器件。

2. 晶体管的工作原理晶体管由N型半导体、P型半导体和中间的控制层构成。

通过控制层的控制电流，可以在输出电路中放大信号。

3. 晶体管的分类晶体管可以根据结构和类型进行分类，如NPN型晶体管、PNP型晶体管、场效应晶体管等，每种类型都有其特定的应用场景。

第四部分：晶体管的应用1. 晶体管放大电路晶体管的最主要应用之一是放大电路，可以将弱信号放大为更大的信号输出。

单结晶体管工作原理教案

单结晶体管工作原理：1. 单结管的结构及特性：单结管是单结晶体管(UJT)的简称，又称为双基极晶体管。

它的内部结构和符号如图所示。

（1）结构：在一个N型硅片上下两端各引出一个电极：下边的称为第一基极B1，上边的称为第二基极B2(故称双基极晶体管)，在硅片的另一侧靠近B2的部位掺入P型杂质，引出电极，称为发射极E, 发射极与N型硅片间构成一个PN结，故称单结管。

（2）符号：（3）单结管等效电路及特性曲线:单结管的等效电路如图A所示，外接实验用电源E B及E E。

图B 是单结管的特性曲线。

自PN结A点至两个基极B1、B2之间的等效电阻分别为R B1、R B2。

当接上电源E B后，A点与B1之间的电压为A）公式：B)分压比：η＝R B1/(R B1＋R B2)称为单结管的分压比，其数值主要与管子的结构有关，一般在0.5～0.8之间。

E E为加在发射极回路的可调电源。

（3）单结晶体管工作原理：A）当U EB1从零开始增加且低于U A时，PN结处于反向偏置，仅有反向电流流过PN结，R B1呈现很大的电阻，单结管处于截止状态，（见特性曲线AP段）。

B)当UEB1＞UD＋UA(UD为PN结的死区电压)，PN结承受正向电压，从P区向N型硅片注入的空穴与电子复合，使RB1急剧减小，I E迅速增加，发射极电压UEB1随着IE的增加而减小，呈现出负阻特性，见特性曲线PV段。

C)峰点电压UP、电流IP:单结管由截止变导通所需发射极电压。

对应峰点的电流称为峰点电流IP。

D)谷点电压、电流UV、IV: 维持单结管导通的最小电压、电流。

对应V点的电压电流值分别称为谷点电压UV和谷点电流IV。

（4）单结管重要特点:UE<UV时单结管截止,UE>UP时单结管导通。

2. 单结管触发电路工作原理：单结管振荡电路如图7- 18(a)所示，这是一种应用广泛的自激振荡电路。

通常R1和R2的阻值远小于单结管两基极间的电阻R BB′，所以单结管两基极间的电压U BB≈E B。

《半导体器件》教案

《半导体器件》教案半导体器件教案
一、教学目标
1. 了解半导体器件的基本概念和分类。

2. 掌握半导体器件的工作原理和特性。

3. 研究半导体器件的制作工艺和测试方法。

二、教学内容
第一节半导体器件简介
1. 半导体器件的定义和作用。

2. 半导体材料的特性和分类。

第二节常见的半导体器件
1. 硅二极管和整流器件。

2. 双极型和场效应晶体管。

3. 二极管、晶体管和集成电路的比较。

第三节半导体器件的工作原理和特性
1. PN 结的形成和特性。

2. 动态场效应晶体管的工作原理。

3. 半导体器件的电流-电压特性曲线。

第四节半导体器件的制作工艺
1. 硅材料的净化和晶体生长工艺。

2. 掺杂和扩散工艺。

3. 形成金属与半导体接触的工艺。

第五节半导体器件的测试方法
1. 器件的正向和反向特性测试。

2. 器件的参数测量方法。

3. 器件的可靠性测试方法。

三、教学方法
1. 理论授课配合案例分析，让学生理解半导体器件的基本概念和原理。

2. 实验操作，让学生亲自制作和测试半导体器件，加深对其制作工艺和测试方法的理解。

四、教学评估
1. 课堂练，检验学生对半导体器件概念和原理的掌握程度。

2. 实验报告，评估学生对半导体器件制作和测试方法的掌握程度。

五、参考书目
1. 《半导体物理与器件》- 张志强
2. 《半导体器件制作技术》- 邵和平
3. 《半导体物理与器件》- 刘凡。

三极管及基本放大电路教案说课讲解

三极管及基本放大电路教案精品文档精品文档集电摄2.分类：（1）按内部基本结构不同：NPh型和PNP型。

PNP型和NPN型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同，这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。

（2）按功率分：小功率管、中功率和大功率管。

（3）按工作频率分：低频管和高频管。

（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。

目前国内生产硅管多为NPN®（3D系列）；目前国内生产锗管多为PNP®（3A系列）。

（5）按结构工艺分：合金管和平面管。

（6）按用途分：放大管和开关管。

二、三极管的电流放大作用一一发射结正向偏置，集电结反向偏置1.三极管各电极上的电流分配【原理】载流子的特殊运动（NPN）:发射区向基区扩散电子；电子在基区的扩散和复合；集电区收集电子【电流放大作用】⑴l c I B且I C I B；（2）I E I C I BP 集电区N 集电区c基討基1kP F发射stB Lx r N 发肘区B O--樂电绪E占发射根、发射酪?C（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。

（2要使三极管起放大作用，必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。

2、三极管的基本连接方式1）.共发射极电路（CE :把三极管的发射极作为公共端子＜AoBo2）.共基极电路（CB :把三极管的基极作为公共端子3）.共集电极电路（CC :把三极管的集电极作为公共端子1.输入特性曲线输入特性：在U CE 1V 且为某定值时，加在三极管基极与发射极之间的电压V BE 和它产生的基极电流I B 之间的关系。

与二极管的正向伏安特性曲线相似。

三、三极管的特性曲线4\ 4V03 VI(L7V -K0.7V-*)00放大饱和【制n测却故丸电塔申犬只品像管的直沆电僅摘上*图所杀.^HQ申厲出萱子* 并牛科現期它门矍睦骨还是當骨.解範步肆；⑴确定三械醫n于放大状花⑵确定三个电极(3)«定三械置为硅曹还是蜡管(4｝确定为何种类型PNPJo PNP b!uw NPlScAis本课小结：三极管有硅管和锗管两种，硅管和锗管均有NPN型和PNP型两类。

《电力电子技术》教学教案02调光灯认识晶闸管和单结晶体管

调光灯电路提出问题调光灯在日常生活中的应用非常广泛，其种类也很多。

上图为常见的调光台灯电路，分析调光灯电路原理。

晶闸管电路晶体管触发电路复习：1、电力（功率）二极管（Power Diode）。

允许电流较大电压较高的二极管。

2、按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件（Thyristor）：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。

全控型器件（IGBT,MOSFET)：通过控制信号既可控制导通又可控制关断。

不可控器件(Power Diode)：不能用控制信号来控制其通断, 不需驱动电路。

新知识：认识晶闸管和单结晶体管一、普通晶闸管1、结构：晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon ControlledRectifier——SCR）′1 08′1 2AA GGK Kb)c)a)AGK KGAP 1N 1P 2N 2J 1J 2J 3一晶闸管来说，通常I L 约为I H 的2~4倍。

浪涌电流I TSM指由于电路异常情况引起并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。

选择晶闸管额定电流的原则：管子在额定电流时的电流有效值大于其所在电路中可能流过的最大电流的有效值，同时取倍的余量，即：表1-1 晶闸管标准电压等级表1-4 晶闸管通态平均电压分组组别 A B CDE 通态平均电压（V ） U T ≤0.40.4＜U T ≤0.50.5＜U T ≤0.6 0.6＜U T ≤0.70.7＜U T ≤0.8组别 F G HI通态平均电压（V ）0.8＜U T ≤0.90.9＜U T ≤1.01.0＜U T ≤1.1 1.1＜U T ≤1.2课后小结：晶闸管导通关断的条件是什么，怎么样选用晶闸管。

板书设计：§1.1 晶闸管的结构和工作特性一、可控硅结构与符号：三、可控硅的主要参数（1）. 正向阻断峰值电压ＵDRM （2）. 反向阻断峰值电压ＵRRM10 难点重点TmT T(AV)I I I )2~5.1(57.1≥=57.1)2~5.1(TmT(AV)I I ≥（3）. 额定电流I T（AV）（4）.控制极触发电流I GT 二、可控硅的工作原理（5）.维持电流I H导通条件：①承受正向阳极电压；②承受正向门极电压。

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汽修专业课程典型任务教案(试)
课程名称汽车电工电子技术基础
典型
任务
二极管电路检测（实）
教学目标
1）认识三极管（结构/图文/符号/实物/作用/三个管脚特点以及区别和联系），能够说出NPN型和PNP 型晶体管各级电位关系；
2）能够说出判别晶体管工作状态的步骤；
3）能够判别晶体管在电路中的工作状态；
4）掌握判别晶体管在电路中的工作状态的方法与步骤；
5）通过已掌握的知识分析得出NPN型晶体管判别工作状态的方法；
6）通过NPN型晶体管分析得出的结论对比得出PNP型晶体管判别工作状态的方法；
学生活动教师活动教学资源设计意图
回忆并回答老师提问，回忆二极管的PN结导电特性。

我们已经学过了半导体二极管，它的内
部只有一个PN结，如果我们在半导体二
极管P型半导体的旁边，再加上一块N
型半导体，或者在N型半导体的旁边再
加一块P型半导体，会构成一个什么样
的器件呢？
根据以前学过的知识进行联
接。

复习提问导入
根据书本上的电路图，搭建三极管控制白炽灯的电路图，
思考当开关置
于A位时和当开关置于B位时，白炽灯的亮灭情况。

学会分析电流流动方向连电路，看现象
1.给出带有三极管控制白炽灯的电路图
2.电路绘制，并搭建实物电路
发现：当开关置于A位时，白炽灯EL7
亮，当开关置于B位时，白炽灯EL7不
亮
PPT、教案、
多媒体教
室、三极管、
导线、实验箱
通过学生自己的观察带出三
极管白炽灯控制电路图同时
掌握搭建实物图的实验练习，
加强学生的掌握程度。

通过分析电路电流的流动方
向以及连接情况，动态了解学
生的学习情况，
3.分析电流流动方向：
1、掌握三极管的结构图、三个极、三个区、两个结
2、绘制三极管的符号
3、了解三极管的分类二、三极管的基本认识
1.三极管的结构（如图）
（1）三个极: 分别是：基极b、集电极
c、发射极e
(2) 三个区: 基区、发射区、集电区
（3）两个结：集电结、发射结
2．三极管的图文符号(如图)：
注：发
射极的箭头方向即为发射极的电流方
向。

3．三极管的主要分类
（1）按三个区域的半导体类型的不
同分：NPN型，PNP型。

（2）按材料分：锗管和硅管。

多媒体ppt、
通过三极管的基本认识对三
极管的内部结构有一定的了
解。

熟知三极管的三极、三区
和两个结.
通过绘制三极管的图文符号，
增强学生的电子识图，对三极
管有充分的认识。

通过介绍三极管的分类拓展
出不同三极管在各领域的不
同应用。

掌握三极管工作在三个区的条件及特点三极管工作在三个区的条件及特点
①截止区
a．偏置条件：发射结反偏或零偏，
集电结反偏。

b．特点：基极电流I B为零，集电
极的电流I C约等于穿透电流I CEO，即
I C≈I CEO V CE=V G
②饱和区
多媒体ppt、
动画演示、
绘图分析
通过了解三极管工作在三个
区的条件及特点对三极管充
分了解、深入了解
a．偏置条件：发射结和集电结都正偏。

b．特点：在这个区域，I C不随I B 的增大而变化，三极管饱和时的V CE值叫饱和压降，记做V CES，硅管为0.3V，锗管为0.1V。

③放大区
a．偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。

即NPN型，则V C＞V B＞V E，如PNP型，则V C＜V B＜V E。

b．特点：在这个区域，有电流放大作用，ΔI C=βΔI B，当I B一定时，I C 不随V CE而变化，即I B保持恒定，这种现象叫做三极管的恒流特性，所以放大区也叫恒流区。

注：发射结的正偏电压一定要大于门坎电压。

电路测量当开
关在A、B位时，
用万用表测量
上图各点的电
位，并完成工
作页P35/表
3-3监督并检查各个工位合作完成该电路
图的实物连接，并用数字万用表直流电
压档进行电位测量。

实验箱、万
用表、
通过测量和分析的结果相对
应得出结论，帮助学生掌握更
全的知识点
课堂小练习
判断图所示三极管的工作状态（NPN型为硅管，PNP型为锗管）通过课堂练习巩固新知识，帮助学生深入理解，及时发现问题及时纠正。