IC的基础知识

IC基础知识
从生产目的上可以分成为通用IC（如CPU，DRAM，接口芯片等）和ASIC(Application Specific Integreted Circuit)两种，ASIC是因应专门用途而生产的IC。

从结构可以分成数字IC，模拟IC，数模混合IC三种，而SOC（system on chip）则成为发展的方向。

从实现方式上讲可以分为三种：
基于晶体管级，所有器件和互连版图都采用人工的称为全定制（full-custom）设计，这种方法比较适合于大批量生产的，要求贴片钽电容集成度高、速度快、面积小、功耗低的通用型IC或是ASIC。

基于门阵（Gate-Array）和标准单元（Standard-Cell）的半定制设计（Semi-custom）由于其成本低、周期短、芯片利用率低而适合于批量小、要求推出速度快的芯片。

基于IC生产厂家已经封装好的PLD（Programmable Logical Design）芯片的设计，因为其易用性、“可重写性”受到对集成电路工艺不太了解的系统集成用户的欢迎。

他的最大特点就是只须懂得硬件描述语言就可以使用特殊EDA工具“写入”芯片功能。

但PLD集成度低、速度慢、芯片利用率低的缺点使他只适合新产品的试制和小批量生产。

近年来PLD中发展最活跃的当属FPGA(Field Programmable Gate Array)器件.
从采用的工艺可以分成双极型(bipolar)，MOS和其他的特殊工艺。

硅（Si）基半导体工艺中的双极型器件由于功耗大、集成度相对低，在近年随亚微米深亚微米工艺的的迅速发展，在速度上对MOS管已不具优势，因而很快被集成度高，功耗低、抗干扰能力强的MOS管所替代。

MOS又可分为NMOS、PMOS和CMOS三种；其中CMOS工艺发展已经十分成熟，占据IC市场的绝大部分份额。

AsGa器件因为其KEMET钽电容在高频领域（可以在0.35um下很轻松做到10GHz）如微波IC中的广泛应用，其特殊的工艺也得到了深入研究。

而应用于视频采集领域的CCD传感器虽然也使用IC一样的平面工艺，但其实现和标准半导体工艺有很大不同。

从设计方法可以分成自顶而下（Top-Down）和自底而上两种方法，根据不同的项目要求，根据项目经费和可供利用的EDA工具和人力资源，根据代工厂的工艺实际，采用不同的实现方法是很重要的决策。

我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对"强电"、"弱电"等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常
所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。

我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的"核心技术"主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,"砖瓦"还很贵.一般来说,"芯片"成本最能影响整机的成本。

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