MOSFET

MOSFET讲解
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造
成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问
底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。

原因
是导通电阻小，且容易制造。

所以开关电源和马达驱动的
应用中，一般都用NMOS。

下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关
从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导
通电阻RDS(ON)。

必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，
因此，总是要在栅极加上一个电压。

如果栅极为悬空，器
件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或
关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的
电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时
器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDS
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P
沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。

虽然
耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。

（可能因为实
际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际
有差距的
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。

下面的图，左侧是对比图片，后边的都是MOSFET。