中国半导体的发展历史

中国半导体的发展历史
中国半导体发展可以大致分成四个阶段：萌芽期（1956 - 1965），稳步发展期（1966 - 1978），缓滞-复苏期（1978 - 2000）以及大发展时期（2000 –至今）。

萌芽期阶段（1956 - 1965）：1956年中央提出了“向科学进军”的口号，周总理亲自制定了1956 –1967年这12年的科学技术发展远景规划，把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。

在此背景下，中科院半导体于1957年11月成功拉制成第一根锗单晶，并与1958年成功研制第一只锗晶体管。

锗晶体管
半导体晶体管的成功研制，促成了我国晶体管计算机和晶体管收音机的诞生，在国内产生了很大的影响，那时候的收音机被叫做半导体的原因就在这里。

1958年，中国第一个半导体器件生产厂诞生，代号“109”，它就是后来中科院微电子研究所的前身。

同样是1958年，天津109厂的科研人员借助研制锗单晶的经验，自行研制了硅单晶并进行了设备调试，经过反复试验，并在7月，成功拉制成我国第一根硅单晶，成为当时继美苏之后第三个拉制出单晶硅的国家。

在此基础上，研究人员提高材料质量和改进技术工
艺，并于1959年实现了硅单晶的实用化。

单晶硅
随着研究的深入，我国逐步在外延工艺，光刻技术等领域取得了进展，并于1963年制造出国产硅平面型晶体管。

这些技术的成功，打下了我国硅集成电路研究的基础。

稳步发展期（1966 - 1978）到了1966年，10年风波开始。

我国工农业发展陷入大规模停滞，但我国半导体工业建设并未停下脚步。

1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，形成当时中国集成电路产业中的南北两强格局。

1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，现中电24所），是中国唯一的模拟集成电路研究所。

同年，上海无线电十四厂首次制成PMOS电路。

1970年，永川半导体研究所、上海无线电十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS 电路，之后又成功研制CMOS电路。

CMOS集成电路
1972年，美国总统尼克松访华后，中美邦交逐渐正常化。

中国开始从欧美大量引进技术，全国有四十多家集成电路厂建成投产。

也是在1972年，我国自主研制的PMOS大规模集成电路在永川半导体研究所诞生，实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越。

实现这一过程，中国人比美国人晚了4年。

1975年，北京大学设计出第一批1K DRAM，比英特尔生产的C1103晚5年。

1978年，中科院半导体所成功研制4K DRAM，次年在109厂量产成功。

这时，比美国人晚了6年。

1979年，中国成功反向英特尔的8080八位微处理器，比德国和日本还要早一年。

英特尔8080和一片阿司匹林药片的对比照片
1980年，109厂将老厂房升级改造为1000到10000级的高标准洁净室，并在这里组装了我国第一条中、大规模集成电路生产线。

这一时点可以算是中国半导体产业的第一个巅峰时刻，虽然和美国的半导体水平差距仍然非常巨大，但是技术和工业水平已位于世界前列。

可是在此后仅短短数年，由于资金紧缺以及观念和策略上的重大失误，我国半导体产业错过最佳发展阶段。

而反观韩国和台湾省在这一时期凭借代工美国落后的半导体器件，并通过颁布产业发展计划、引进技术、派遣留学人员学习培训等方式，投入大量资金，积累半导体产业基础，此消彼长之下，国内和国外半导体的发展差距越拉越大。

复苏-缓滞期（1978 - 2000）80年代初期，中国集成电路的发展主要有如下特点：生产工厂复苏生产，不管是878厂的净化车间投入使用，还是742厂从东芝引进的电视机芯片生产线，我国已经正式开始集成电路生产加工的历程。

但同时，十年动荡结束，国内百废
待兴，资金并不充裕，于是国家缩减对电子工业的直接投入，希望广大电子厂能够到市场自己找出路。

在这一时期，企业为了在短期内获得效益，“造不如买”的观念逐渐深植人心，大量工厂出国购买技术、生产线。

自主研发的电子工业思路逐渐被购买引进所替代，我们国家自研的技术和产线由于缺乏市场和资金浸润黯然退场。

巴黎统筹委员会
然而，由于巴黎统筹委员会（简称“巴统”）的技术限制，我们只能引进落后的二手淘汰设备，各地、各厂各自为战，缺乏统一规划，前沿技术研究被抛在脑后。

于是整个半导体产业越引进，越落后，陷入迷茫的缓滞期。

到90年代，中国开始大量引进外资技术和中国的工厂合作建设。

很多中外合资的半导体集团都在这个阶段诞生：比如“908”工程期间成立的无锡华晶电子和“909”工程期间成立的上海华虹NEC集团，乃至后来的中芯国际都是在这个阶段先后建设起来的。

由于外资的技术经验和设备的引入，虽然彼时我们的技术实力还是非常薄弱，但中国的集成电路产业得到全面的复苏。

冷战结束后，“巴统”解散。

不过在96年以原“巴统”成员国为班底的33个国家共同签署瓦森纳协定，该协定限制了成员国
多项关键技术、设备等的出口，目的是在尖端科技领域形成技术垄断。

其对我国的影响一直持续至今，这部分的内容我们在后续涉及到半导体制造的领域会深入展开，此处先埋下伏笔。

反观国外，日本在80年代通过前期的技术积累，加上大规模人、财、物力投入，在DRAM技术上完成了对美国人的逆袭，同时带动了整个半导体工业的发展。

到了1990年，全球前十大半导体公司有6家都是日本公司。

“DRAM”动态随机存取记忆体
而紧随日本的学生--韩国，也由政府牵头，四大财阀大力投入，并在美国爸爸“扶韩抗日”的政策帮助下，迅速追赶日本。

此时的我们，已经全面落后日本，开始被韩国超越，并很快被甩在了身后。

大发展时期（2000 -至今）2000年6月24日，国务院18号文件《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》公布，无疑是一阵春风，吹开了中国集成电路产业的万紫千红。

集成电路这些公司开始依靠自己的产品获得市场的认可，有的还做出很好的成绩，我国的集成电路优秀设计企业，几乎都在这个阶段诞生，也涌现出如中星微、珠海炬力、展讯、瑞星微等国内著名公司。

中国本土的集成电路产业，至此才刚开始进入正轨道路。

到了2013年，我国集成电路进口额达2313亿美元，超过石油，成为第一大进口商品。

国家也更加意识到整个半导体产业的战略重要性。

继2011年国务院发布《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（4号文）之后，2014年6月，国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，将集成电路产业发展上升为国家战略。

同年9月，国家集成电路产业投资基金设立，一期募资1387亿元，用于集成电路产业链企业的股权投资。

2019年大基金二期设立，募资2041.5亿元，二期除了延续一期的投资方向外，增加5G、AI等应用终端的集成电路产业。

自此，国内半导体产业发展进入快车道。

到了2018年中美贸易战打响之后，我国在实现半导体自主研发的道路更加受阻：在半导体制造环节，国产企业产能和营收占比全球不足10%，但是我国对于半导体的需求的全球占比仍超过40%，在高端制程上我国的产能和需求占比的差距则更加巨大。

这就是我国半导体产业正在面临的现状。

半导体发展历史合集到这里就结束，本合集为大家分享了半导体中外产业发展史的全部内容，跟大家共同回顾了那段英才辈出、大国博弈的峥嵘岁月。