电子科大模电 第10章 习题课-解答
模电(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模电习题讲解与解析(第6版)2020
vi2
∵i3＝i4，
0
vn R3
vn vo R4
vo
(1
R4 R3
)vn
vo表达式
vo
(1
R4 R3
)(
R2 R1 R2
vi1
R1 R1 R2
vi2 )
当R1=R2 =R3 时， vo vi1 vi2
分析：A1、 A2 电压跟随器
A3： vo1“”端 ，vo2“+”端， 加减电路
R2 R1
)
2
＝
(1
6V
20 ) 10
2
0 2 2 vo 10 20
vO ＝6V
in=0
in=0
(c) vn ＝ vp ＝0 ， in＝0
vo vn＝ 2V
vo ＝ 2V
(d) vn ＝ vp ＝2V， in＝0
vo ＝ vn ＝ vp ＝2V
方法一：公式法 vi“+”端 ，同相放大电路 同相放大电路通用公式：
vo vo vo ＝0.6+1.2V ＝1.8V
vp1
vp2
方法二：虚短虚断法 : vp ＝ vn， ip＝in＝0
A1： i1＝i21 , vn1＝vp1＝0
vi1 vn1 R1
vn1 vo1 , R21
vo1
R21 R1
vi
100 0.6＝1.2V
50
A2：i2＝i22 ,
vo1 vn2 vn2 vo ,
工 作 区 ③
+
DZ
符号
①
(b) 伏安特性
稳压管, RL//DZ ，VO =VZ
解: (1) VO = VZ ， IR = IO + IZ ， VI = VR + VO
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.处于平衡态的PN结，其费米能级EF（）。
答案:处处相等2.由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（）的势垒。
答案:3.不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在PN结的势垒区（）。
答案:均为常数4.正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现（）过程占优。
答案:复合5.对突变PN结，反向电压很大时，可以略去，这时势垒电容与（）成反比。
答案:6.在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。
也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。
答案:引入复合中心降低少子寿命7.双极晶体管效应是通过改变（）。
答案:正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流8.在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。
9.在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。
答案:反偏和反偏10.为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
答案:高浓度、深结深11.ICBO代表( ) 时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。
答案:发射极开路、集电结反偏12.以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。
减小栅氧化层厚度13.以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。
答案:降低衬底掺杂浓度14.以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。
答案:增加衬底掺杂浓度15.当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。
答案:减小16.MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。
漏源电导，跨导17.以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（）。
答案:减小氧化层厚度18.PN结的空间电荷区的电荷有（）。
答案:施主离子受主离子19.PN结的内建电势Vbi与（）有关。
答案:温度材料种类掺杂浓度20.反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的（）。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
模电(第四版)习题解答
实用文档模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电路基础电子科技大学试卷及答案
专升本-模拟电路基础•••A、稳压管不能击穿；•B、稳压管正向导通；•C、稳压管因电流太小而内阻过大；•D、稳压管因电流过大而烧管。
•2、•••A、5. 2kΩ•B、2. 4kΩ•C、3. 6kΩ•D、6. 8kΩ•••A、1. 43kΩ•B、2. 31kΩ•C、0. 82kΩ•D、1. 96kΩ•A、能够形成导电沟道•B、漏极电流不为零•B、内电场•C、外电场••A、CE 差动放大器•B、CE 放大器•C、CS 差动放大器•D、CS 放大器•••A、•B、•C、•D、•••A、输入电阻大•B、输出电阻小•C、输出电阻大•D、输入电阻小•••A、6W•B、12W•C、15W•D、9W•••A、18•B、9•C、4.5•D、2.25•••A、-2V•B、2V•C、3V•D、-3V••A、0.7V•B、0.3V•C、5.0V•D、1.0V•••A、•B、•C、•D、•14、某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为则对应该管的管脚排列依次是（）。
••A、c,b,e•B、b,c,e•C、b,e,c•D、e,b,c••A、稳定Au•B、放大信号•C、缩小信号•D、抑制零点漂移•••A、基本镜像恒流源电路•B、微变恒流源电路•C、带共集管的高精度恒流源•D、比例恒流源电路••A、多数载流子•B、少数载流子•C、少数载流子和多数载流子共同•D、扩散••A、相位失真•B、削波失真•C、频率失真•D、非线性失真••A、ROf ＝R0／F•B、ROf＝R0 ／T•C、R0f＝F R0•D、ROf＝T R0••A、b, c, e•B、e, b, c•C、b, e, c•D、c, b, e••A、输入电阻增加•B、输出电阻增加•C、输入电阻减小•D、输出电阻减小••A、略有减小•B、几乎不变•C、略有增加•D、不定••A、输出电阻增大•B、输出电流小•C、带负载能力强•D、电压放大倍数高••A、增大•B、不变•C、不能确定•D、减少••A、产生频率失真的原因是放大器模型中的电抗元件所致；•B、频率失真可能引起输入信号各频率分量在输出口的时延不同。
电子科技大学微电子器件 (习题解答)
s Emax
qND
在
x
xi2 处，E3
Emax
q
s
NA xp
,
由此得：xp
s Emax
qNA
(2) 对于无 I 型区的PN结,
xi1 0,
xi2 0,
E1
q
s
ND (x
xn ),
E3
q
s
NA(x
xp )
在
x
0 处，电场达到最大， Emax
q
s
ND xn
q
s
NA xp
E
Emax
E1
E3
x
0
表面上，两种结构的 Emax 的表达式相同，但由于两种结构 的掺杂相同，因而Vbi 相同（即电场曲线与横轴所围面积相同）， 所以两种结构的 xn、xp与 Emax 并不相同。
WB
dWB dVCE
0 NBdx
IC VA
WB
VA 0 NBdx
N
B
(WB
)
dWB dVCE
对均匀基区，VA
WB dWB dVCE
式中，dWB dxdB , VCE VCB VBE
因
VBE
保持不变，所以 dVCE
dVCB ,
于是：VA
WB dxdB dVCB
1
xdB
2s N
2DB n
,
将n
106 s 及 WB 、DB
之值代入，得： 0.9987。
7、
b
WB2 2DB
2
1
1
1.1251011(s)
8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时， 由式（3-33a）和式（3-33b），
模电习题课(答案版)
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的B 。
[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。
［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于 B 。
［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。
[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： B 。
[ ]A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。
[ ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D 。
[ ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。
[ ] A阻容耦合式B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。
[ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。
模电课后题答案详解
习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。
答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。
又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。
利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。
若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。
利用这个特性，可制造出各种半导体器件。
1.2 简述PN结是如何形成的。
答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。
这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。
PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。
内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。
因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。
当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。
由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN 结也称为耗尽层。
1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。
杭州电子科技大学模电实验课后答案（供参考）
杭州电子科技大学模电实验课后答案（供参考）9.1 常用电子仪器的使用1．什么是电压有效值？什么是电压峰值？答：电压峰值是该波形中点到最高或最低之间的电压值；电压有效值等于它的瞬时值的平方在一个周期内职分的平均值再取平方根。
2．常用交流电压表测量的电压值和用示波器直接测量的电压值有什么不同？答：常用交流电压表的电压测量值一般都为有效值，而示波器的电压直接测量都为峰值。
3．在用示波器测量交流信号的峰值和频率时，如何操作其关键性的旋钮才能尽可能提高测量精度？答：幅值的测量：Y轴灵敏度微调旋钮置于校准位置，Y轴灵敏度开关置于合适的位置即整个波形在显示屏的Y轴上尽可能大地显示，但不能超出显示屏指示线外。
频率测量：扫描微调旋钮置于校准位置，扫描开关处于合适位置即使整个波形在X轴上所占的格数尽可能接近10格（但不能大于10格）。
9.2 集成运算放大器的线性应用1．理想运放具有哪些最主要的特点？答：差模电压增益A od为无穷大；共模抑制比K CMR为无穷大；差模输入阻抗R id为无穷大；输出阻抗R O为零；有无限的带宽，传输时无相移；失调、温漂、噪声均为零等。
2．集成运放用于直流信号放大时，为何要进行调零?答：实际的集成运放不是理想的运放，往往存在失调电压和失调电流，为了减小测量误差，提高实验测量精度，所以要进行调零。
3．集成运放用于交流信号放大时需要进行调零吗，为什么？答：不需要，因为直流工作点不影响交流值的测量。
9.3 二极管的判断及直流稳压电源电路1．为什么不能用指针式万用表的R×1Ω档和R×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值？答：根据指针式万用表的内部工作原理，可知R×1Ω档和R×10Ω档量程测量二极管的正向电阻值时，对应串接到测量电路中的电阻小，流过二极管的电流大。
若流过二极管的电流大于该二极管的工作极限电流时就会使二极管损坏。
2．用指针式万用表的不同量程测量同一只二极管的正向电阻值，其结果不同，为什么？答：由本实验所测的二极管输入（伏安）特性曲线是一条非线性的特性曲线，曲线的下方较平滑，上方较陡峭。
模电(第四版)习题集解答
补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：取 ，若管子饱和，
则 , 即
所以, 时,管子饱和。
补图P4
第2章 基本放大电路
自测题
一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×)
(2)若 时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
解：(1)只有当加在稳压管两端的
电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。
∴ 时， ；
图Pl.6
时， ；
时， ，∴ 。
0.1
(2)当负载开路时， ，故稳压管将被烧毁。
1.7在图Pl.7所示电路中，发光二极管导通电压
UD=1.5V，正向电流在5~15mA时才能正常工作。
则 =( )≈( 3 ) 。
(2)若测得输入电压有效值 时，
输出电压有效值 ，
则电压放大倍数 ( )≈( -120 )。
若负载电阻 值与 相等，则带上图T2.3
负载后输出电压有效值 ( )=( 0.3 )V。
四、已知图T2.3所示电路中 ，静态管压降 并在输出端加负载电阻 ，其阻值为3 。选择一个合适的答案填入空内。
图(e)不能。输入信号被电容C2短路。
图(f)不能。输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。
图(i)不能。因为T截止。
三．在图T2.3所示电路中，已知 , 晶体管β=100， 。填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当 时，测得 ，若要基极电流 , 则 和 之和
=( ) ≈( 565 ) ；而若测得 ，
电子科大模拟电路简答题试题库
1.（10分）对交流小信号放大器而言，被放大的信号源有哪两种类型？负载有哪两种类型？根据信号源和负载的类型，放大器有哪四种类型？对交流小信号放大器而言，信号源有两种类型：电流型和电压型―――――――――――――――――――――2分负载有两种类型：电流型和电压型――――――――――――――――――――――2分因此，放大器有四种类型：电压放大器，电流放大器，互阻放大器和跨导放大器－－6分2.（10分）双极性结型晶体管（BJT）可能工作在哪三个区？作为放大器的主要元件，它应该工作在哪个区？此时，它的发射结和集电结的偏置状态如何？三个区：放大区，饱和区和截止区――――――――――――――――――――――3分作为放大器的主要元件，它应该工作在放大区―――――――――――――――――3分此时，发射结应该正偏，集电结反偏―――――――――――――――――――――4分3.（10分）分别画出工作在放大区的BJT直流等效模型和最简交流小信号模型。
若考虑BJT的输出电阻，试重新画出它的交流小信号模型。
直流等效模型（略）――――――――――――――――――――――――――――3分最简交流小信号等效模型（略）―――――――――――――――――――――――3分考虑BJT输出电阻的简化交流小信号等效模型―――――――――――――――――4分4.（10分）在BJT输出特性曲线中的放大区域，“曲线微微上扬”的这个特点可以通过什么参数来描述？试给出这个参数的定义，并说明在BJT交流小信号模型中如何体现它的影响。
厄利电压VA 以及定义（略）――――――――――――――――――――――― 6分BJT输出电阻―――――――――――――――――――――――――――――――4分5.（10分）在对BJT放大器的静态工作点和交流小信号参数的分析时，我们分别采用直流通路和交流通路单独进行分析。
请说明这样做的理由及条件。
非线性特性在静态工作点的邻域内线性化，――――――――――――――――――3分线性化后的等效电路就是线性电路，可以运用线性电路的叠加原理分析电路，―――3分因此，可以用直流通路和交流通路单独进行分析与设计。
模电习题答案 ppt课件
D.电流并联负反馈
电流并联负反馈
电压串联负反馈
模电习题答案
【10】电路如下图所示，分析引入的交流反馈类型。（
）。
A.电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D.电流并联负反馈
模电习题答案
二、二极管伏安特性（单向导电性）及电路分析（7%）
【4】若使二极管导通必须在N型半导体外加 负 极性电压，在P型半导体 外加 正 极性电压。 【5】二极管的主要特性是___单向导电性___。 【6】二极管的反向电阻 很大 ，二极管具有 单向导电性_性 【7】当环境温度升高时，若保持正向电流不变，则二极管的正向电压将 ___变小__（变大、变小）。 【8】稳压（齐纳）二极管的稳压作用是利用二极管的____反向击穿特性 ____特性。 【9】在下图电路中，理想二极管D处于___导通__状态， AB两端电压 为 -3__V。
B．输入阻抗低，输出阻抗高
C．具有电流放大能力和功率放大能力
D．电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好
【4】下列关于共射级放大电路的说法，正确的是（ ）。
A．输出和输入同相
B．输出和输入反相
C．放大倍数约为1
D． 输出和输入正交
【5】下列关于射级输出器的说法，不正确的是（ ）。
A．放大倍数小于但接近于1
【2】晶体三极管是( A )型器件,场效应管是(C ) 型器件.
A、电流控制电流
B、电流控制电压
C、电压控制电流
D、电压控制电压
【1】多级放大电路中，前级的输出电阻可看成是后级的_信号源内阻_，
后级的输入电阻可看成是前级的_负载__。
【1】功率放大电路的转换效率是指（ ）。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比
电路与模拟电子技术基础(第2版) 习题解答 第10章习题解答
习 题 1010.1 振荡电路与放大电路有何异同点。
振荡电路和放大电路都是能量转换装置。
振荡电路是在无外输入信号作用时，电路自动地将直流能量转换为交流能量；放大电路是在有外输入信号控制下，实现能量的转换。
10.2 正弦波振荡器振荡条件是什么？负反馈放大电路产生自激的条件是什么？两者有何不同，为什么？。
正弦波振荡电路的振荡条件为1=∙∙F A ，电路为正反馈时，产生自激的条件。
负反馈放大电路的自激条件为1-=∙∙F A ，电路为负反馈时，产生自激的条件。
10.3 根据选频网络的不同，正弦波振荡器可分为哪几类？ 各有什么特点？正弦波振荡电路可分为RC 正弦波振荡器，LC 正弦波振荡器和石英晶体振荡器。
RC 正弦波振荡器通常产生低频正弦信号，LC 正弦波振荡器常用来产生高频正弦信号，石英晶体振荡器产生的正弦波频率稳定性很高。
10.4 正弦波信号产生电路一般由几个部分组成，各部分作用是什么？正弦波振荡电路通常由四个部分组成，分别为：放大电路、选频网络、正反馈网络和稳幅网络。
放大电路实现能量转换的控制，选频网络决定电路的振荡频率，正反馈网络引入正反馈，使反馈信号等于输入信号，稳幅网络使电路输出信号幅度稳定。
10.5 当产生20Hz ～20KHz 的正弦波时,应选用什么类型的振荡器。
当产生100MHz 的正弦波时,应选用什么类型的振荡器。
当要求产生频率稳定度很高的正弦波时，应选用什么类型的振荡器。
产生20Hz~20KHz 的正弦波时,应选用RC 正弦波振荡器。
产生100MHz 的正弦波时,应选用LC 正弦波振荡器。
当要求产生频率稳定度很高的正弦波时，应选用石英晶体振荡器。
10.6 电路如图10.1所示，试用相位平衡条件判断哪个电路可能振荡，哪个不能振荡，并简述理由。
(a) 不能振荡，不满足正反馈条件；(b) 可能振荡，满足振荡条件。
图10.1 习题10.6电路图10.7 电路如图10.2所示：（1）保证电路振荡，求p R 的最小值；（2）求振荡频率的0f 的调节范围。
《模电》经典习题详解
+VBB
(b)
3．（a）（b）的低频小信号等效电路如下：
ui
rbe1 β ib2 rbe2 (b) (a)
14
RC uo
β ib
ui
RG
gmugs
rbe
RC
uo2
β ib1
习题课2
4.各电路的电压增益Au = uo / ui (a):
uo Rc Au ui 2rbe
ui
rbe1
β ib2 rbe2 (a)
3300P 3300P C C R 470k R +
2．A≥3，F=1/3
1 fo 2RC
3．其电路图如右：
470k - A 50k R2 22k
R1
R4
5
习题课2
例6 图中的运放 A 都为理想运放，试问电路能否产生振荡？ 若能振荡，请求出振荡频率 fo ，以及满足起振所要求的幅度 条件（即R3/R2的大小）；如不能起振，试说明理由。
ue 10sint (mV )
17
习题课2
uc 2 Aud ui Auc uic 50 20 0.2453 10 997.547sint ( mV )
所以其波形有：
而在 uc2 中既有差模成分又有 共成分，所以有，
ui (mV )
20 0 20
t
uC 2 (mV )
习题课2
在 0 时应有
R3 AF 1 即， R2
.
.
1 3 1 2 2 2 0 R C
1
R3 故有 8 R2
F1
.
注：也可以这样计算，一节RC电路的传输函数为
jR C 1 jR C
电子科技大学《模拟电路基础》20春期末考试.doc
1.功率放大电路中的转换效率是指（）。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电流提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比D.输出功率与输入功率之比【参考答案】: B2.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入( ) 。
A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈【参考答案】: A3.锗材料二极管的 PN 结导通电压典型值为（）。
A.0.5VB.0.1VC.0.3VD.0.7V【参考答案】: C4.在下面四种基本放大器组态中，电路（）的小信号范围最小。
A.CE 放大器B.CS 放大器C.CE 差动放大器D.CS 差动放大器【参考答案】: A5.场效应管是一种（）的器件。
A.电压控制电压B.电压控制电流C.电流控制电压D.电流控制电流【参考答案】: B6.当加在二极管上的电压增加10%时，流过二极管的电流( )。
A.增加 10 %B.增加大于10 %C.增加小于10 %D.几乎不增加【参考答案】: B7.有两个放大器 A1 和 A2 分别对同一电压信号进行放大。
当输出端开路时，A1和 A2的输出电压相同( |vo1| = |vo2|); 接入相同的负载电阻后，|vo1|> |vo2|。
由此可知，A1比A2 的( )。
A.输出电阻大B.输出电阻小C.输入电阻大D.输入电阻小【参考答案】: B8.在下面四种电路中，中频段既有电压放大能力又有电流放大能力的反相放大器是（）放大器。
A.共射B.共基C.共集D.共集－共基【参考答案】: A9.向放大器输入正弦电压。
当输出是非正弦的周期电压时，该放大器一定产生了（）。
A.频率失真B.相位失真C.削波失真D.非线性失真【参考答案】: D10.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是（）。
A.AF=0B.AF=1C.AF=∞D.AF=-1【参考答案】: D11.通用集成运算放大器内部电路不具有（）的特点。
A.开环增益高B.输入电阻大C.深度负反馈D.输出电阻小【参考答案】: C12.在以下关于深负反馈的论述中，（）是错误的。