微连接课件-第1章
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20
4）金属化： 沉积一层或多层导电材料形成芯片表面键合区-以便形成芯片与外电路之间的互连。 铝、Cu、铂、钛、钨、钼和金可用于金属化工艺。 铝使用最广泛: 与硅以及二氧化硅的接触电阻小，沸点低、容易 实现沉积。
a) 化学气相沉积（CVD）：W
工艺步骤： 1) SiH4热分解形成硅 2) 3Si + 2WF6 ＝3 SiF4＋W 3) 2WF6 + 3 SiH4 ＝
-----完成集成电路的半导体衬底，即硅圆片制作。
17
2. 圆片上集成电路制造
1) 氧化： 使圆片表面获得一层SiO2，SiO2是一种有效介质， 可以用于构造集成电路元件。 纯氧气氛下加热晶圆片至900-1200℃; 水蒸汽可以加速氧化过程; 厚度:0.015-0.5微米
18
2）光刻： 把代表集成电路的单元构件通过光掩膜和刻蚀转移
必须在芯a) 钎料
单一钎料连接： 高Pb (3Sn97Pb、5Sn95Pb )－陶瓷芯片载体； 低Pb (60Sn40Pb )－有机芯片载体
双钎料连接：高熔点凸点用低熔点钎料连接到芯片载体 C4-Controled Collapse Chip Connection)
微电子封装与组装 可靠性与测试
哈尔滨理工大学材料学院 材料成型与控制系
1
微电子封装：
为基本的电子电路处理和存储信息建立 互连和合适的操作环境的科学和技术， 是一个涉及多学科并且超越学科的制造 和研究领域。
作用---为芯片及部件提供保护、能源、 冷却、与外部环境的电气连接+机械连接
2
封
装： 一级、二级 、三级封装
微连接技术：软钎焊 、压焊 （冷、热、超声 ）、粘结 （树
脂、导电胶）
3
主要内容
第一章 电子产品制造中的微连接技术 第二章 微连接技术的学科基础 第三章 微电子封装与组装用材料 第四章 影响微连接可靠性的缺陷 第五章 可靠性试验方法和标准 第六章 微电子封装与组装焊点可靠性评价
4
参考教材1
《微系统封装基础》：Rao R.Tummala，东南大学黄庆 安、唐洁影译，东南大学出版社出版；
国家自然科学基金、中港基金和863 项目。获得多项 国家专利（柔性植球方法、柔性凸点形成方法、光纤 插芯成型方法。发表论文60余篇，《环球SMT与封装》 撰稿人。
9
参考教材6
《无铅焊接技术》，管沼克昭（K.Suganuma）著，宁 晓山译，2004年7月，科学出版社
10
参考资料7
王春青 教授： 中国电子学会 理事，高级会员 中国电子生产技术学会 理事 中国机械工程学会 焊接分会 常务理事 中国机械工程学会 微纳制造技术分会 理事 中国半导体行业协会 封装分会 理事 中国机械制造工艺协会 电子分会 理事 美国电气电子工程师学会(IEEE, Inc) 会员 哈尔滨市科学技术专家顾问委员会 委员 韩国《焊接学会学报》国际版：顾问 信息产业“十一五”规划及2020年中长期规划专家组 成 员 ICEPT2005第六届电子封装技术国际学术会议 组织委员11会 主席
12
微电子封装与组装领域的权威研究机构
美国国家电子制造学会： NEMI （National Electronic Manufacturing Institute ）；
欧洲软钎焊技术组织：SOLDERTEC； 日本电子信息技术产业协会：
JEITA（Japan Electronics and Information Technology Industries Association）；
到圆片上。
19
3）外延生长：
硅片表面---化学气相沉积方法一层很薄的硅 （约25微米）---获得p-n节的技术。 基本步骤: 将硅片放入惰性气体反应室，加热到相应的温 度——将反应剂气体以特定的流速导入冲击到 硅片表面——反应剂被圆片吸收，通过与圆片 发生化学反应生长外延层——把掺杂剂气体导 入反应室，与外延层结合生成n型或p型材料。
美国的国家制造科学研究中心： NCMS（National Center for Manufacturing Sciences）；
英国的国际锡业研究学会： ITRI ( International Tin Research Institute)；
日本的新能源开发组织： NEDO（New Energy Development Organization）
Rao R.Tummala:
佐治亚理工学院封装研究中心的教授和创立者，加 入佐治亚理工学院之前，一直在IBM从事封装研究工作， 首先将低温共烧陶瓷（LTCC）和多芯片组件等技术应用 于工业生产，IBM的Fellow；
发表学术论文270余篇，拥有68项美国专利，是电气
电子工程师协会的会士（Fellow IEEE）、美国陶瓷协会
16
• 生长n型或p型晶体：
在熔融硅中加入少量杂质（掺杂剂）： 1）磷、锑、砷----n型半导体晶体； 2）硼----p型半导体晶体。
• 硅圆片的制作：
1）单晶硅锭---切磨成直径均匀的圆棒---测定晶体取 向、导电类型（n型或p型）和电阻率；
2）内圆锯刀片或线切割将硅锭切成薄圆片—0.5-0.75mm； 3）激光打标、磨削抛光成镜面；
b) 金属：Au、Cu c) 导电环氧树脂:低成本、低可靠性
39
UBM (Under-Bump Metallurgy)：
a) 芯片焊盘与凸点之间的金属过渡层 b) 通常采用溅射、蒸发、化学镀或电镀方法形成
焊凸点制作
a) 制作时期：
高可靠性的焊凸点制作，是在IC还处于圆片
阶段时制作焊凸点。
40
喷嘴周围同惰性气体---一方面促进液滴的断开喷射,同 时防钎料液滴氧化；
5）钝化： 键合区之外气相沉积并形成SiO2或氮化硅钝化层– 保护铝互连电路--免受潮气和污染影响。
6）背面研磨： 减薄圆片以适应封装高度。
7）背面金属化： 真空蒸发或溅射在芯片背面形成金膜--与芯片粘接区实现 电连接---或通过共晶键合到陶瓷基板
8）电性能测试： 测试探针与圆片表面焊盘接触，可以测试芯片的电特性。
9）芯片切割： 圆片分割并分离成单个的芯片。
24
3. 集成电路（IC）芯片封装（一级封装）
芯片与芯片载体、外部引线之间、即元器件内部使用的互连技术 SOP (Small Outline Package)
25
BGA: (Ball Grid Array)
26
FC: (Flip Chip)
27
• • 封装必须满足：
会士（Fellow ACS）、IEEE元件封装与制造技术（CPMT）
协会主席和美国工程院院士。
5
参考教材2
《电子组装制造》，哈柏（C.A.Harper）著， 贾松良、蔡坚等译，2005年2月，科学出版社； 贾松良：清华大学微电子学研究所教授，中国 电子学会封装专业委员会副主任，中国电子学 会北京SMT委员会委员
3 SiF4 + 6H2 + W 4)WF6+ 3 H2 ＝ 6 HF＋W
21
b) 溅射沉积（物理气相沉积PVD）：Al
由于覆层均匀而成为金属化技术的主流--电场中使惰 性气体（氩）电离后加速轰击铝靶，通过粒子能量打 出或者说“溅射”出铝原子---沉积到晶圆片上。
22
c) 电镀工艺
原理： 电解溶液中，直流电源加在晶片（阴极）和铜阳极间--电 流产生并在溶液中形成电场---阳极的铜转化成铜离子和 电子--阴极铜离子与电子结合形成镀在晶片表面的铜。 23
研究内容：
表面组装激光软钎焊技术
-SMT焊点形态预测和设计
无钎剂免清洗软钎焊技术
微组装焊点的可靠性
互连界面的组织演变、连接界面行为分析和连接材料设
计的量子学方法
封装与组装的工艺技术研究
多芯片模块封装技术
面阵封装技术
LED封装技术
无铅钎料合金基础研究
敏捷型锡球制造与熔滴凸点制作技术
混合集成电路封装
国家发明专利授权多项，发表论文二百多篇。
47
钎料液滴喷射（印刷）法：
优点：
由CAD控制，不需要掩膜设备 a）连续喷射：
频率：5000－44000Hz
在压电传感器驱动及机械 振动触发下,金属流断开形 成非常均匀一致的熔化金 属液滴；
48
偏转电场---控制液滴运动轨迹；
部分液滴喷射到焊盘上----其余进入回收器重复使用；
连续喷射液滴直径是喷嘴直径的两倍；
6
参考教材3
《微电子焊接技术》，金德宣等，电子工业 出版社，1990。
7
参考教材4
《无铅钎料互联及可靠性》
Dongkai Shangguan著，刘建影 孙鹏译，电子工 业出版社，2008年1月。
上海大学兼职教授，伟创力国际公司副总裁，电 气与电子工程师协会（IEEE）Fellow， IEEE元 件封装与制造技术（CPMT）学会董事
芯片剪切强度： MIL-STD-883(2019方法)
引线键合强度：
MIL-STD-883(2011方法)
30
a) 金丝的热压球形－楔形键合（或热超声焊）
球形－楔形热超声金丝键合工艺步骤
31
b）铝丝(或金丝)的超声楔形－楔形键合
32
33
3) 载带自动焊（TAB-Tape Automated Bonding）
方式2－有机粘接： 材料：环氧树脂、聚酰亚胺浆料；用于陶瓷和塑料封装； 优点：环氧树脂固化温度低，可用于粘接大芯片。
方式3－无机粘接： 材料：填银玻璃，即片状填银环氧粘接剂； 特点：既可导电、降低芯片背面和基板间的电阻，又可导 热，在芯片和封装的支撑物之间提供一条导热通路
29
2) 引线键合 wire bonding
13
第一章 电子产品制造中的微连接技术
14
1．1 电子产品制造工艺简介
芯片及其上集成电路的制作
15
1. 集成电路芯片制作
• 直拉法制作单晶：
1）将硅的小块放入石英坩埚 中，加热到硅的熔点 1415℃；
2）把一个单晶硅的籽晶夹 持在旋转轴的一端，并使 轴下降并使籽晶接触到熔 融的硅的表面。
3）将轴和坩埚向相反方向旋 转，同时把籽晶拉离熔融 的硅，就会在籽晶/熔融 硅界面处形成和籽晶结构 完全相同的硅晶体。
35
TAB互连方法1 - 带凸点的芯片技术
36
TAB互连方法2 -带凸点的载带技术
37
4) 倒装芯片键合 （Flip Chip)
倒装芯片--芯片上的引出端面朝下放置在基板上的对应焊盘上， 通过导电凸点实现电学互连。
面阵列排布---所有键合技术中最高的 I/O互连密度
良好的电性能和热性能,可靠性好
出版专著2本，发表论文250多篇，21项美国及国 际专利
8
参考教材5
《电子制造技术基础》，吴懿平、丁汉等编著，2005 年7月，机械工业出版社。
吴懿平：华中科技大学材料学院教授/博导，微系统中 心副主任。上海交通大学兼职教授。
创建了华中科技大学电子封装研究室和华中科技大学 微系统中心。研究内容：导电胶技术、柔性化电子封 装技术、微电子封装可靠性评定；
•
1）电学（静电放电破坏）指标；
•
2）热学（功率耗散）指标；
•
3）质量、可靠性(机械应力、环境应力
•
潮气）指标;
•
4）成本控制指标。
28
3.1 IC 组装工艺－芯片到封装的互连
1) 芯片粘接:
将芯片背面机械地粘接到层压陶瓷或层压基板腔室内的芯片粘接区 方式1－金属合金键合： 材料：AuSi共晶、AuSn共晶或软钎料；用于陶瓷封装； 优点：良好的剪切强度、界面导热性和防潮性； 缺点：工艺温度较高，会对芯片引入较大的热应力。
b) 典型制作方法： 蒸发沉积法：
41
模板印刷法： 将钎料印刷到芯片 焊盘上，回流形成 焊凸点。
42
电镀法：将钎料电镀到浸润的芯片焊盘上，回流形成 焊凸点。
43
钉头凸点法：
44
铜钉头凸点作为焊料的粘附层，而不需要使用UBM或 化学镀镍/金凸点，简化了工艺流程
45
钎料传送法：
46
微球法：
特点： a) 整体一次自动键合，速度快、成本低、电性能和键合强度更高； b) TAB键合焊盘尺寸和节距都小于引线键合,减小了芯片尺寸。
34
原理： a) 使用曝光－显影/腐蚀工艺在“电影胶片”式的绝缘导体 载带上制作导体图形。 b) 导体从节距为0.05-0.10mm的高密度梁处扇出到节距为 0.15-0.50mm的外部外键合位置，再往外延伸到节距为 1.27mm的测试焊盘上。 c) 将梁式引线同IC芯片键合（内引线键合ILB）后，对载带 上的芯片进行电学测试，最后，按照设计尺寸切断外引 线,通过外引线键合(OLB)将芯片连接到下一级封装
4）金属化： 沉积一层或多层导电材料形成芯片表面键合区-以便形成芯片与外电路之间的互连。 铝、Cu、铂、钛、钨、钼和金可用于金属化工艺。 铝使用最广泛: 与硅以及二氧化硅的接触电阻小，沸点低、容易 实现沉积。
a) 化学气相沉积（CVD）：W
工艺步骤： 1) SiH4热分解形成硅 2) 3Si + 2WF6 ＝3 SiF4＋W 3) 2WF6 + 3 SiH4 ＝
-----完成集成电路的半导体衬底，即硅圆片制作。
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2. 圆片上集成电路制造
1) 氧化： 使圆片表面获得一层SiO2，SiO2是一种有效介质， 可以用于构造集成电路元件。 纯氧气氛下加热晶圆片至900-1200℃; 水蒸汽可以加速氧化过程; 厚度:0.015-0.5微米
18
2）光刻： 把代表集成电路的单元构件通过光掩膜和刻蚀转移
必须在芯a) 钎料
单一钎料连接： 高Pb (3Sn97Pb、5Sn95Pb )－陶瓷芯片载体； 低Pb (60Sn40Pb )－有机芯片载体
双钎料连接：高熔点凸点用低熔点钎料连接到芯片载体 C4-Controled Collapse Chip Connection)
微电子封装与组装 可靠性与测试
哈尔滨理工大学材料学院 材料成型与控制系
1
微电子封装：
为基本的电子电路处理和存储信息建立 互连和合适的操作环境的科学和技术， 是一个涉及多学科并且超越学科的制造 和研究领域。
作用---为芯片及部件提供保护、能源、 冷却、与外部环境的电气连接+机械连接
2
封
装： 一级、二级 、三级封装
微连接技术：软钎焊 、压焊 （冷、热、超声 ）、粘结 （树
脂、导电胶）
3
主要内容
第一章 电子产品制造中的微连接技术 第二章 微连接技术的学科基础 第三章 微电子封装与组装用材料 第四章 影响微连接可靠性的缺陷 第五章 可靠性试验方法和标准 第六章 微电子封装与组装焊点可靠性评价
4
参考教材1
《微系统封装基础》：Rao R.Tummala，东南大学黄庆 安、唐洁影译，东南大学出版社出版；
国家自然科学基金、中港基金和863 项目。获得多项 国家专利（柔性植球方法、柔性凸点形成方法、光纤 插芯成型方法。发表论文60余篇，《环球SMT与封装》 撰稿人。
9
参考教材6
《无铅焊接技术》，管沼克昭（K.Suganuma）著，宁 晓山译，2004年7月，科学出版社
10
参考资料7
王春青 教授： 中国电子学会 理事，高级会员 中国电子生产技术学会 理事 中国机械工程学会 焊接分会 常务理事 中国机械工程学会 微纳制造技术分会 理事 中国半导体行业协会 封装分会 理事 中国机械制造工艺协会 电子分会 理事 美国电气电子工程师学会(IEEE, Inc) 会员 哈尔滨市科学技术专家顾问委员会 委员 韩国《焊接学会学报》国际版：顾问 信息产业“十一五”规划及2020年中长期规划专家组 成 员 ICEPT2005第六届电子封装技术国际学术会议 组织委员11会 主席
12
微电子封装与组装领域的权威研究机构
美国国家电子制造学会： NEMI （National Electronic Manufacturing Institute ）；
欧洲软钎焊技术组织：SOLDERTEC； 日本电子信息技术产业协会：
JEITA（Japan Electronics and Information Technology Industries Association）；
到圆片上。
19
3）外延生长：
硅片表面---化学气相沉积方法一层很薄的硅 （约25微米）---获得p-n节的技术。 基本步骤: 将硅片放入惰性气体反应室，加热到相应的温 度——将反应剂气体以特定的流速导入冲击到 硅片表面——反应剂被圆片吸收，通过与圆片 发生化学反应生长外延层——把掺杂剂气体导 入反应室，与外延层结合生成n型或p型材料。
美国的国家制造科学研究中心： NCMS（National Center for Manufacturing Sciences）；
英国的国际锡业研究学会： ITRI ( International Tin Research Institute)；
日本的新能源开发组织： NEDO（New Energy Development Organization）
Rao R.Tummala:
佐治亚理工学院封装研究中心的教授和创立者，加 入佐治亚理工学院之前，一直在IBM从事封装研究工作， 首先将低温共烧陶瓷（LTCC）和多芯片组件等技术应用 于工业生产，IBM的Fellow；
发表学术论文270余篇，拥有68项美国专利，是电气
电子工程师协会的会士（Fellow IEEE）、美国陶瓷协会
16
• 生长n型或p型晶体：
在熔融硅中加入少量杂质（掺杂剂）： 1）磷、锑、砷----n型半导体晶体； 2）硼----p型半导体晶体。
• 硅圆片的制作：
1）单晶硅锭---切磨成直径均匀的圆棒---测定晶体取 向、导电类型（n型或p型）和电阻率；
2）内圆锯刀片或线切割将硅锭切成薄圆片—0.5-0.75mm； 3）激光打标、磨削抛光成镜面；
b) 金属：Au、Cu c) 导电环氧树脂:低成本、低可靠性
39
UBM (Under-Bump Metallurgy)：
a) 芯片焊盘与凸点之间的金属过渡层 b) 通常采用溅射、蒸发、化学镀或电镀方法形成
焊凸点制作
a) 制作时期：
高可靠性的焊凸点制作，是在IC还处于圆片
阶段时制作焊凸点。
40
喷嘴周围同惰性气体---一方面促进液滴的断开喷射,同 时防钎料液滴氧化；
5）钝化： 键合区之外气相沉积并形成SiO2或氮化硅钝化层– 保护铝互连电路--免受潮气和污染影响。
6）背面研磨： 减薄圆片以适应封装高度。
7）背面金属化： 真空蒸发或溅射在芯片背面形成金膜--与芯片粘接区实现 电连接---或通过共晶键合到陶瓷基板
8）电性能测试： 测试探针与圆片表面焊盘接触，可以测试芯片的电特性。
9）芯片切割： 圆片分割并分离成单个的芯片。
24
3. 集成电路（IC）芯片封装（一级封装）
芯片与芯片载体、外部引线之间、即元器件内部使用的互连技术 SOP (Small Outline Package)
25
BGA: (Ball Grid Array)
26
FC: (Flip Chip)
27
• • 封装必须满足：
会士（Fellow ACS）、IEEE元件封装与制造技术（CPMT）
协会主席和美国工程院院士。
5
参考教材2
《电子组装制造》，哈柏（C.A.Harper）著， 贾松良、蔡坚等译，2005年2月，科学出版社； 贾松良：清华大学微电子学研究所教授，中国 电子学会封装专业委员会副主任，中国电子学 会北京SMT委员会委员
3 SiF4 + 6H2 + W 4)WF6+ 3 H2 ＝ 6 HF＋W
21
b) 溅射沉积（物理气相沉积PVD）：Al
由于覆层均匀而成为金属化技术的主流--电场中使惰 性气体（氩）电离后加速轰击铝靶，通过粒子能量打 出或者说“溅射”出铝原子---沉积到晶圆片上。
22
c) 电镀工艺
原理： 电解溶液中，直流电源加在晶片（阴极）和铜阳极间--电 流产生并在溶液中形成电场---阳极的铜转化成铜离子和 电子--阴极铜离子与电子结合形成镀在晶片表面的铜。 23
研究内容：
表面组装激光软钎焊技术
-SMT焊点形态预测和设计
无钎剂免清洗软钎焊技术
微组装焊点的可靠性
互连界面的组织演变、连接界面行为分析和连接材料设
计的量子学方法
封装与组装的工艺技术研究
多芯片模块封装技术
面阵封装技术
LED封装技术
无铅钎料合金基础研究
敏捷型锡球制造与熔滴凸点制作技术
混合集成电路封装
国家发明专利授权多项，发表论文二百多篇。
47
钎料液滴喷射（印刷）法：
优点：
由CAD控制，不需要掩膜设备 a）连续喷射：
频率：5000－44000Hz
在压电传感器驱动及机械 振动触发下,金属流断开形 成非常均匀一致的熔化金 属液滴；
48
偏转电场---控制液滴运动轨迹；
部分液滴喷射到焊盘上----其余进入回收器重复使用；
连续喷射液滴直径是喷嘴直径的两倍；
6
参考教材3
《微电子焊接技术》，金德宣等，电子工业 出版社，1990。
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参考教材4
《无铅钎料互联及可靠性》
Dongkai Shangguan著，刘建影 孙鹏译，电子工 业出版社，2008年1月。
上海大学兼职教授，伟创力国际公司副总裁，电 气与电子工程师协会（IEEE）Fellow， IEEE元 件封装与制造技术（CPMT）学会董事
芯片剪切强度： MIL-STD-883(2019方法)
引线键合强度：
MIL-STD-883(2011方法)
30
a) 金丝的热压球形－楔形键合（或热超声焊）
球形－楔形热超声金丝键合工艺步骤
31
b）铝丝(或金丝)的超声楔形－楔形键合
32
33
3) 载带自动焊（TAB-Tape Automated Bonding）
方式2－有机粘接： 材料：环氧树脂、聚酰亚胺浆料；用于陶瓷和塑料封装； 优点：环氧树脂固化温度低，可用于粘接大芯片。
方式3－无机粘接： 材料：填银玻璃，即片状填银环氧粘接剂； 特点：既可导电、降低芯片背面和基板间的电阻，又可导 热，在芯片和封装的支撑物之间提供一条导热通路
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2) 引线键合 wire bonding
13
第一章 电子产品制造中的微连接技术
14
1．1 电子产品制造工艺简介
芯片及其上集成电路的制作
15
1. 集成电路芯片制作
• 直拉法制作单晶：
1）将硅的小块放入石英坩埚 中，加热到硅的熔点 1415℃；
2）把一个单晶硅的籽晶夹 持在旋转轴的一端，并使 轴下降并使籽晶接触到熔 融的硅的表面。
3）将轴和坩埚向相反方向旋 转，同时把籽晶拉离熔融 的硅，就会在籽晶/熔融 硅界面处形成和籽晶结构 完全相同的硅晶体。
35
TAB互连方法1 - 带凸点的芯片技术
36
TAB互连方法2 -带凸点的载带技术
37
4) 倒装芯片键合 （Flip Chip)
倒装芯片--芯片上的引出端面朝下放置在基板上的对应焊盘上， 通过导电凸点实现电学互连。
面阵列排布---所有键合技术中最高的 I/O互连密度
良好的电性能和热性能,可靠性好
出版专著2本，发表论文250多篇，21项美国及国 际专利
8
参考教材5
《电子制造技术基础》，吴懿平、丁汉等编著，2005 年7月，机械工业出版社。
吴懿平：华中科技大学材料学院教授/博导，微系统中 心副主任。上海交通大学兼职教授。
创建了华中科技大学电子封装研究室和华中科技大学 微系统中心。研究内容：导电胶技术、柔性化电子封 装技术、微电子封装可靠性评定；
•
1）电学（静电放电破坏）指标；
•
2）热学（功率耗散）指标；
•
3）质量、可靠性(机械应力、环境应力
•
潮气）指标;
•
4）成本控制指标。
28
3.1 IC 组装工艺－芯片到封装的互连
1) 芯片粘接:
将芯片背面机械地粘接到层压陶瓷或层压基板腔室内的芯片粘接区 方式1－金属合金键合： 材料：AuSi共晶、AuSn共晶或软钎料；用于陶瓷封装； 优点：良好的剪切强度、界面导热性和防潮性； 缺点：工艺温度较高，会对芯片引入较大的热应力。
b) 典型制作方法： 蒸发沉积法：
41
模板印刷法： 将钎料印刷到芯片 焊盘上，回流形成 焊凸点。
42
电镀法：将钎料电镀到浸润的芯片焊盘上，回流形成 焊凸点。
43
钉头凸点法：
44
铜钉头凸点作为焊料的粘附层，而不需要使用UBM或 化学镀镍/金凸点，简化了工艺流程
45
钎料传送法：
46
微球法：
特点： a) 整体一次自动键合，速度快、成本低、电性能和键合强度更高； b) TAB键合焊盘尺寸和节距都小于引线键合,减小了芯片尺寸。
34
原理： a) 使用曝光－显影/腐蚀工艺在“电影胶片”式的绝缘导体 载带上制作导体图形。 b) 导体从节距为0.05-0.10mm的高密度梁处扇出到节距为 0.15-0.50mm的外部外键合位置，再往外延伸到节距为 1.27mm的测试焊盘上。 c) 将梁式引线同IC芯片键合（内引线键合ILB）后，对载带 上的芯片进行电学测试，最后，按照设计尺寸切断外引 线,通过外引线键合(OLB)将芯片连接到下一级封装