电子技术基础与实务考核试卷

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D.可以实现信号的滤波
7.以下哪些是交流电的特点:( )
A.频率固定
B.幅度随时间变化
C.可以通过电阻、电容、电感等元件
D.在电路中传播速度恒定
8.以下哪些电路可以用作放大器:( )
A.共发射极放大电路
B.共基极放大电路
C.共集电极放大电路
D.电压比较器
9.关于二极管的描述,正确的是:( )
A.只允许电流单向通过
A.信号完整性问题
B.电源噪声问题
C.电磁兼容性问题
D.逻辑错误问题
16.关于电感的描述,正确的是:( )
A.电感对交流信号的阻抗与频率成正比
B.电感可以阻止电流的突变
C.电感器存储能量
D.电感器通直流,隔交流
17.以下哪些因素会影响晶体管的放大系数β:( )
A.电流大小
B.温度
C.电压
D.晶体管的物理尺寸
2.运算放大器在模拟电路中有着广泛的应用,请阐述运算放大器的基本特性,并给出至少两种实际应用场景。
3.数字电路中,逻辑门是实现基本逻辑运算的核心部件。请说明与门、或门和非门的工作原理,并画出它们的逻辑符号。
4.电容器和电感器在电子电路中扮演着重要的角色。请比较电容器和电感器在交流电路中的作用和响应特性,并解释它们在滤波应用中的不同用途。
A. 1010
B. 1001
C. 101
D. 111
8. TTL门电路的电源电压通常为:( )
A. 3V
B. 5V
C. 9V
D. 12V
9.下列哪种现象称为半导体的本征激发:( )
A.空穴导电
B.电子导电
C.热激发
D.光激发
10.以下哪个参数不属于晶体管的主要参数:( )
A.放大系数β
B.集电极最大电流ICM
4. TTL逻辑门电路的输出可以是以下哪些状态:( )
A.高电平
B.低电平
C.不确定电平
D.介于高电平和低电平之间的电平
5.以下哪些因素会影响半导体器件的工作性能:( )
A.温度
B.辐照
C.电压
D.材料纯度
6.关于运算放大器的描述,正确的是:( )
A.具有高输入阻抗
B.具有低输出阻抗
C.可以实现信号的放大
A.集电极电流过大
B.基极电流过大
C.发射极电流过小
D.晶体管温度过低
14.在数字电路中,下列哪个信号不是标准电平:( )
A. TTL电平
B. CMOS电平
C. ECL电平
D.交流电平
15.关于运算放大器,下列描述错误的是:( )
A.具有很高的输入阻抗
B.具有很低的输出阻抗
C.可以放大交流信号和直流信号
C.饱和电压VCE(sat)
D.频率响应
11.以下哪种电路不是滤波器:( )
A.低通滤波器
B.高通滤波器
C.乘法器
D.带通滤波器
12.关于二极管的描述,错误的是:( )
A.只允许单向电流通过
B.正向导通时压降很小
C.反向截止时内部存在微小的泄漏电流
D.在正向和反向时都能完全导电
13.下列哪种现象会导致晶体管放大能力下降:( )
18.以下哪些是数字电路中常见的触JK触发器
C. D触发器
D. T触发器
19.在集成电路设计中,以下哪些考虑是重要的:( )
A.集成度
B.功耗
C.噪声
D.成本
20.以下哪些方法可以用来保护电路不受过电压的影响:( )
A.电压抑制器
B.气体等离子体保护器
C.瞬态电压抑制二极管
D.保险丝
(结束)
三、填空题(本题共10小题,每小题2分,共20分,请将正确答案填到题目空白处)
1.在NPN型晶体管中,当基极电流增加时,集电极电流会_______。()
2.一个理想的运算放大器具有_______的输入阻抗和_______的输出阻抗。()
3. TTL逻辑门电路中,高电平输出时的电压大约为_______V,低电平输出时的电压大约为_______V。()
D.输入端电流很大
16.下列哪个电路不是基本的放大电路:( )
A.共发射极放大电路
B.共基极放大电路
C.共集电极放大电路
D.电流镜电路
17.在数字电路中,下列哪个逻辑门可以实现“与非”逻辑功能:( )
A.与门+非门
B.或门+非门
C.与门+或门
D.非门+非门
18.关于MOSFET,下列描述正确的是:( )
A. CMOS功耗更低
B. TTL速度更快
C. CMOS噪声更大
D. TTL集成度更高
20.下列哪种测量仪器不能用来测量交流电压:( )
A.交流电压表
B.数字万用表
C.示波器
D.电流表
(结束)
二、多选题(本题共20小题,每小题1.5分,共30分,在每小题给出的四个选项中,至少有一项是符合题目要求的)
电子技术基础与实务考核试卷
考生姓名:答题日期:得分:判卷人:
一、单项选择题(本题共20小题,每小题1分,共20分,在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)
1.晶体管工作在放大状态时,集电极电流与基极电流的关系是:( )
A.集电极电流等于基极电流
B.集电极电流远大于基极电流
C.集电极电流远小于基极电流
4.在数字电路中,逻辑“1”通常对应于_______V的电压,逻辑“0”对应于_______V的电压。()
5.电阻、电容和电感分别是电路中的_______、_______和_______元件。()
6.在MOSFET中,N沟道MOSFET在导通状态下,漏极电流与_______成反比。()
7.交流电的一个重要参数是_______,它的单位是赫兹(Hz)。()
A. N沟道MOSFET在导通状态下,漏极电流与栅极电压成反比
B. P沟道MOSFET在导通状态下,漏极电流与栅极电压成正比
C. N沟道MOSFET在截止状态下,漏极电流接近零
D. P沟道MOSFET在截止状态下,漏极电流很大
19.在集成电路中,CMOS工艺与TTL工艺相比,下列说法正确的是:( )
7.交流电的频率是指电压或电流变化的周期数。()
8.晶体管的放大系数β随着温度的升高而增大。()
9.在数字电路中,触发器可以用来存储单个二进制位的信息。()
10.电感器对交流信号的阻抗与频率成反比。()
五、主观题(本题共4小题,每题5分,共20分)
1.请简述晶体管放大电路的工作原理,并说明晶体管在放大状态下的主要特点。
B.在正向偏置时,压降几乎不变
C.在反向偏置时,泄漏电流很小
D.可以用作整流
10.以下哪些是场效应晶体管(FET)的优点:( )
A.输入阻抗高
B.功耗低
C.噪声低
D.驱动电流大
11.以下哪些元件在数字电路中常用来存储信息:( )
A.触发器
B.寄存器
C.门电路
D.逻辑电路
12.在数字电路中,下列哪些现象会导致信号失真:( )
标准答案
一、单项选择题
1. B
2. D
3. B
4. C
5. B
6. D
7. C
8. B
9. C
10. D
11. C
12. D
13. A
14. D
15. D
16. D
17. A
18. C
19. A
20. D
二、多选题
1. ABD
2. ABD
3. AC
4. AB
5. ABCD
6. ABC
7. ABC
8. ABC
9. ABC
10. ABC
11. AB
12. ABC
13. ABC
14. AB
15. ABCD
16. ABC
17. ABC
18. ABCD
19. ABCD
20. ABC
三、填空题
1.增加
2.很高、很低
3. 5V、0V
4. 5V、0V
5.电阻、电容、电感
6.栅极电压
7.频率
8.幅度
9.两个
10.微法(μF)、纳法(nF)
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. √
6. ×
7. √
8. ×
9. √
10. ×
五、主观题(参考)
1.晶体管放大电路通过控制基极电流来放大集电极电流,工作原理是利用晶体管的电流放大作用。放大状态特点:集电极电流远大于基极电流,晶体管具有放大作用。
2.运算放大器具有高输入阻抗、低输出阻抗、高开环增益等特点。应用场景:信号放大、滤波、模拟计算等。
B.电容与电压成反比
C.电容与电荷量成正比
D.电容与频率成反比
5.在交流电路中,电容器对电流的阻抗:( )
A.随频率增加而增加
B.随频率增加而减少
C.与频率无关
D.只在低频率时阻抗小
6.下列哪个不是数字电路的基本逻辑门:( )
A.与门
B.或门
C.非门
D.乘法门
7.在二进制数中,下列哪个数对应的十进制数是5:( )
1.以下哪些是数字电路的常见逻辑门:( )
A.与门
B.或门
C.非门
D.加法门
2.在MOSFET中,影响漏极电流的因素包括:( )
A.栅极电压
B.源极电压
C.漏极电压
D.温度
3.以下哪些是模拟信号的特点:( )
A.信号的幅度可以连续变化
B.信号具有周期性
C.信号可以包含任意频率的分量
D.信号只能在特定值之间变化
A.信号过冲
B.信号下冲
C.信号延迟
D.信号幅度不足
13.关于电容器的描述,正确的是:( )
A.电容器存储电荷
B.电容器通交流,隔直流
C.电容器的容值与板间距成反比
D.电容器容值随温度升高而减小
14.以下哪些方法可以用来测量电阻值:( )
A.欧姆表
B.万用表
C.示波器
D.电流表
15.以下哪些是数字电路设计中的常见问题:( )
3.与门:输出高电平当且仅当所有输入都是高电平。或门:输出高电平只要有一个输入是高电平。非门:输出与输入电平相反。符号:与门(AND)、或门(OR)、非门(NOT)。
4.电容器通交流、隔直流,电感器通直流、隔交流。电容器在低频时阻抗小,电感器在高频时阻抗小。滤波应用:电容器用于低通滤波,电感器用于高通滤波。
1.晶体管在放大状态时,集电极电流大于基极电流。()
2.电阻的阻值与温度成反比。()
3.运算放大器可以放大交流信号和直流信号。()
4.在数字电路中,逻辑门输出高电平时,其电压一定是5V。()
5.电容器在电路中的作用是阻止直流电流通过。()
6. TTL逻辑门电路的输入端可以直接连接在一起实现逻辑“与”的功能。()
D.集电极电流与基极电流无关
2.以下哪种元件不属于被动元件:( )
A.电阻
B.电容
C.电感
D.晶体管
3.在NPN型晶体管中,当基极-发射极间加正向偏置,集电极-基极间加反向偏置时,晶体管处于:( )
A.截止区
B.放大区
C.饱和区
D.不会工作
4.下列关于电容的描述,正确的是:( )
A.电容与电压成正比
8.放大器的增益可以定义为输出信号与输入信号的_______比。()
9.在数字电路中,触发器是一种具有_______个稳态的存储设备。()
10.电容器的基本单位是法拉(F),实际应用中常用的单位还有_______和_______。()
四、判断题(本题共10小题,每题1分,共10分,正确的请在答题括号中画√,错误的画×)
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