基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究_图文(精)

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第42卷第12期2008年12月
电力电子技术
PowerElectronics
V01.42No.12
December,2008
基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究
谢治中,丁扣宝,何杞鑫
(浙江大学,微电子与光电子研究所,浙江杭州310027)
摘要:研究了采用高边电流检测方案的大功率LED恒流驱动芯片。基于25
将R。接在输入电源与LED之间,设计一种新的LED恒流驱动电路.通过对流过LED的驱动电流进行高边电流检测.全周期地检测和控制电感电流的大小,从而获得恒定的平均电流。由于功率开关管源极接地,不存在衬偏效应,因此可以获得较大的过驱动电压.降低了开关导通电阻。
图1芯片整体框图及外围降压式LED恒流驱动应用电路
文献标识码:A
文章编号:1000—100X(2008)12—0008—02
Study
on
the
HighPowerLEDDriverwithHighSideCurrentSenseTopology
XIEZhi—zhong,DINGKou—bao,HE
Qi—xin
310027,China)
on
(InstituteofMicroelectronics&Photoelectronics,Zhejiang

k’=五。+r珊粤,k。’=kn_‰粤

U0
UL
(6)
运算放大器将A点电位箝制于参考电压1.2
式中:厶。,‘。为设定的峰值、谷值电流;"Tog为从驱动电流大于设定值到功率开关关闭的系统延时;丁。为从驱动电流小于设定值到功率开关导通的系统延时;diffdt为电感电流变化率。
Abstract:ThehighpowerLEDdriverusinghighside
current
sense
University,Hangzhou
topologyis
studied.Basedthe25V1.5umBCD
LEDdrivingcurrentishysteresis,andtheoutputdriving
在相同工作电流下.LED的正向导通压降因受工艺离散性的影响而呈现出一定的差异…,所以恒流驱动是白光LED的最佳选择。在LED恒流驱动芯片的控制模式中,线性控制模式效率低、过载能力差.其应用受到一定限制;开关控制模式效率高、应用灵活.受到了广泛关注:目前主流的峰值电流检测PWM模式,存在平均电流和峰值电流不一致的缺点:而最近出现的滞环电流控制模式[:_3】中.LED的
process,thesimulationbyusingCadenceSpectreSshowsthatthe
current
can
becontrolledwithintherangeof
constant
4%whenthepowersupplychangesfrom8-23V.Theexptimentalresults
2.1滞环电流控制电路
滞环电流控制电路是芯片的核心,它设定了平
2电路原理及设计
图l示出芯片结构及应用电路。当开关导通时,
均LED驱动电流值,I皿和驱动电流的滞环范围,通过比较M岱与内建参考电压%来控制功率开关管
的导遥与关闭,实现对LED驱动电流;呦的滞环控制,其电路如图2所示。要检测电源电压U。的大小,
续流二极管VD截止…R
LED,L和开关管形成从电
源到地的通路,此时电感电流五增大,检测电压U。葛
基金项目:浙江省科技厅重大科技专项重点项目资助
(2006C11007)
定稿日期:2008—09—26
电路必须具有可达到24V的宽共模输入电压范围。由于为对称电流镜结构wk.baidu.comvP2与VP。的源极电压相
等,故电路可检测的最高U。由VP:的漏源击穿电压
比较器
≯毪型:;N,
l也耐喙到‰,弩蒂镐霹

…牛}骶二嵩v泸
图2滞环电流控制电路框图
接1“F滤波电容。
图3a示出i∽的波形。它是滞环变化的三角波,在380~322mA之间变化,厶皿-351mA,略大于设定的350mA。i皿变化的峰峰值为58mA,大于设定值35mA。这是因为系统存在相对固定的延时丁,使得实际的电流峰值和谷值分别为:
achieved.
a-
greewiththesinmlation,andthedrivingfunctionis
current
Keywords:lightemittingdiode:driver/highside
Foundation
sense
Project:Suppoaed
byKey
Projects
V,1.5txm
BCD工艺,运用Cadence的SpectreS
工具对电路进行了仿真。结果表明,LED驱动电流为滞环变化的三角波,在8~23V输入电压范围内,:芯片输出驱动电流变化小于4%。芯片的实测数据与仿真结果基本二致,实现了恒流驱动大功率LED的功能。关键词:发光二极管;驱动/高边电流检测
中图分类号:TN312
作者简介:谢治中(1983一),男,重庆人,硕士研究生,研究方
向为电源管理和功率集成电路、功率器件设计。
决定。忽略电阻压降,其上限为‰。+u蹦+u魄,采用
25V
BCD工艺,24V的输入电压易于实现。VN,防
8方数据万
基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究
止高压对下面普通MOS管电流镜的影响。47斗H;电源电压12V,接2个串联的LED灯;V。端
inScience
TechnologyDepartmentofZhejiangProvince(No.2006C11007)

引言
降低,当U岱小于设定的阈值时,芯片电流检测电路使开关关闭。一旦开关关闭,由于i:,不能突变,电感两端电压/2,。反向,VD导通,形成由VD,LED和£组成的回路。此时L释放开关导通时储存的能量,i,.减小,M圆升高,当M岱高于设定阈值时,电流检测电路
使开关导通,完成一个周期的动作,从而获得恒定的
平均驱动电流。电压调整器为芯片内部各模块提供工作电压:带隙基准源为电流检测和欠压保护提供参考电压:欠压保护模块用来防止芯片在低电源电压下工作;输出驱动模块驱动其后的功率开关管。
平均驱动电流值由内设的阈值k和k。决定,不存
在类似于峰值电流控制模式的反馈回路,具有自稳定性、动态响应迅速等优点,但同时由于将电流检测电阻R。接在开关源极与地之间,故存在衬偏效应。
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