p沟道mos管结构

p沟道mos管结构
p沟道MOS管（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）有以下结构：
1. 衬底（Substrate）：一般为p型硅晶片，作为P沟道MOS管中氧化层和栅极之间的介质。

2. 源极（Source）：与衬底相连，一般是p型的，当栅极为负电压时，源极就会有一定的电流流过。

3. 栅极（Gate）：由金属制成，置于氧化层之上。

当栅极施加负电压时，它会控制源极和漏极之间的电阻，造成漏极和源极之间的通道变窄或完全关闭。

4. 漏极（Drain）：与衬底相连，一般是n型的，是渗出电流的地方，其电压低于源极。

P沟道MOS管与N沟道MOS管相比，漏极和源极之间流经的电流是“负电流”，即电子从漏极流向源极，而栅极施加负电压可以控制漏极和源极之间的电阻。

因此，P沟道MOS管是一种控制负载的NPN三极管。