gan二极管工艺

gan二极管工艺
GaN二极管工艺主要包括以下几个步骤：
1. 器件表面钝化：使用PECVD生长SiO2的两步钝化方法对器件表面进行钝化。

在350℃的条件下，于器件表面淀积1μm的SiO2层。

淀积完成后，将样品重新置于退火炉中，于N2氛围下进行高温致密化。

2. 开正面电极窗口：使用AZ1500光刻胶（正胶）进行对准套刻，利用光刻板在紫外光刻机中进行光刻。

之后，将样品置于BOE溶液（或HF稀释溶液）中浸泡10分钟，以洗去经过光刻曝光的环形电极区域的SiO2，从而完成正面电极窗口的打开。

3. 制作欧姆接触：利用PVD在样品表面淀积一层ITO，厚度约为100nm，形成欧姆接触。

4. 制作肖特基接触：加增粘剂并预处理，然后在指定温度下烘一定时间。

接着涂胶并烘干，选择金属并确定其厚度，然后进行电子束蒸发工艺。

完成后，在指定溶液中浸泡并震荡以完成金属剥离，接着在乙醇溶液中超声震荡并清洗，最后使用N2枪吹干。

此外，在GaN基二极管器件的制备工艺中，还可能涉及到互联开孔和电极加厚等步骤。

互联开孔是为了暴露出接触
电极，而电极加厚则是为了满足饱和电流大以及封装等后道工艺对于电极金属强度的要求。