纳米级P-型BiTe基复合热电材料的制备方法[发明专利]

专利名称：纳米级P－型BiTe基复合热电材料的制备方法专利类型：发明专利
发明人：任维丽,任忠鸣,徐永斌,邓康,曾宇平,钟云波,雷作胜申请号：CN200710171804.8
申请日：20071206
公开号：CN101186283A
公开日：
20080528
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种化学合成纳米级BiTe基微观复合热电材料的制备方法，属低温化学合成纳米热电材料工艺技术领域。

本发明采用Bi、Sb的单质或氯化盐、和Te为原料，在存在还原剂的碱性水溶液中，在50～80℃温度和磁力搅拌器搅拌条件下合成纳米级(Bi，Sb)Te微观复合热电材料。

通过反应条件的控制，可获得颗粒状纳米晶体，其粒径在100nm左右。

本发明方法具有工艺简单易行，能耗低，产品纯度高，无表面修饰剂等优点。

所制备的(Bi，Sb)Te合成化合物为BiTe基工业应用的P－型材料。

申请人：上海大学
地址：200444 上海市宝山区上大路99号
国籍：CN
代理机构：上海上大专利事务所
代理人：顾勇华
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